参考文献
[1] ”平成29年度情報通信白書”. http://www.soumu.go.jp/johotsusintokei/whitepaper/ja/h29/pdf/29honpen.pdf.
[2] ”我が国の電波の使用状況”. http://www.tele.soumu.go.jp/resource/search/myuse/usecondition/wagakuni.pdf.
[3] ”Terahertz Technology Forum”. http://www.terahertzjapan.com.
[4] Hiromichi Hoshina et al. ”テラヘルツ波が拓く超高速無線通信―光ファイバ通信並みの高速無
線の実現を目指して―”. Journal of the Japan Society for Precision Engineering, Vol. 82, No. 3, 2016.
[5] M. Reddy, M. J. Mondry, M. J. W. Rodwell, S. C. Martin, R. E. Muller, R. P. Smith, D. H.
Chow, and J. N. Schulman. Fabrication and dc, microwave characteristics of submicron Schottky-collector AiAs/ln0.53Ga0.47As/InP resonant tunneling diodes. J. Appl. Phys., Vol. 77, No. 9, pp.
4819–4821, May 1995.
[6] H. Tomioka, M. Suhara, and T. Okumura. Broadband Equivalent Circuit Modeling of Self-Complementary Bow-tie Antennas Monolithically Integrated with Semiconductors for Terahertz Applications.IEICE Trans. Electron., Vol. E92-C, No. 2, pp. 269–274, February 2009.
[7] 相吉英太郎,安田恵一郎. メタヒューリスティクスと応用, 2007.
[8] 浅川澄人. ”共鳴トンネルダイオードをテラヘルツ波源とした無線通信の性能予測のための包括 的理論解析”. 首都大学東京大学院 理工学研究科電気電子工学専攻 平成25年度 博士論文. [9] T. Umezawa, K. Akahane, N. Yamamoto, A. Kanno, K. Inagaki, and T. Kawanishi. ”Zero-Bias
Operational Ultra-Broadband UTC-PD above 110 GHz for High Baud Rate PD-Array in High-Density Photonic Integration”. OFC2015 The Optical Networking and Communication Confer-ence & Exhibition, March 2015.
[10] G. Keller et al, 2013.
[11] Adrian Dobroiui et al. ”Terahertz imaging system based on a backward-wave oscillator”.Applied Optics, Vol. 43, , October 2004.
[12] Seiichiro Ariyoshi et al. ”Terahertz imaging with a direct detector based on superconducting tunnel
junctions”. Appl. Phys. Lett., Vol. 88, , May 2006.
[13] Sachiko Nakajima et al. ”Terahertz imaging diagnostics of the cancer tissues with Chemometrics technique”. Appl. Phys. Lett., Vol. 90, , January 2007.
[14] Hiromichi Hoshina et al. ”Terahertz pulsed imaging of frozen biological tissues”. Appl. Phys.
Lett., Vol. 94, , March 2009.
[15] 浅田雅洋. ”共鳴トンネルダイオードによる高速信号伝送可能な室温テラヘルツ発振素子の研
究開発”. ICTイノベーションフォーラム2016.
[16] R. Piesiewicz, T. Kleine-Ostmann, D. Mittleman, M. Koch, J. Schoebel, N. Krumbholz, and T. Kumer. ”Short-Range Ultra-Broadband Terahertz Communications: Concepts and Perspec-tives . IEEE Antenna and Propagation Magazine, Vol. 49, No. 6, pp. 24–39, 2007.
[17] J. Ward, E. Schlecht, G. Chattopadhyay, A. Maestrini, J. Fill, F. Maiwald, H.Javadi, and I. Mehdi.
”Capability of THz Sources Based on Schottky Diode Frequency Multiplier Chains .IEEE MIT-S Digest, Vol. 3, pp. 1587–1590, June 2004.
[18] J. Faist, F. Capasso, D.L. Sivco, C. Sirtori, A.L. Hutchinson, and A.Y. Cho. ”Quantum Cascade Laser . Science, Vol. 264, pp. 553–556, 1994.
[19] C. Walther, M. Fischer, G. Scalari, R. Terazzi, N. Hoyler, and J. Faist. ”Quantum cascade lasers operating from 1.2 to 1.6 THz”. Appl. Phys. Lett., Vol. 91, p. 131122, September 2007.
[20] S. Fatholoi, E. dupont, C.W.I. Chan, Z.R. Wasilewski, S.R. Laframboise, D. Ban, A. Matyas, C. Jirauschek, Q. Hu, and H.C. Liu. ”Terahertz quantum cascade lasers operating up to 200 K with optimized oscillator strength and improved injection tunneling”.OPTICS EXPRESS, Vol. 20, No. 4, p. 3866, 2012.
[21] K. Kawase, J. Shikata, and H. Ito. ”Terahertz parametric source”. Journal of Physics D : Applied Physics, Vol. 34, pp. R1–R14, 2001.
[22] D.H. Auston, K.P. Chung, and P.R. Smith. ”Picosecond photoconducting Hertzian dipoles”.Appl.
Phys. Lett., Vol. 45, No. 3, pp. 284–286, August 1984.
[23] M. Exter and D. Grischkowsky. ”Carrier dynamics of electrons and holes in moderately doped silicon”. Physical Review B, Vol. 41, No. 17, pp. 12140–12149, June 1990.
[24] M. Hangyo, T. Nagashima, and S. Nashima. ”Spectroscopy by pulsed terahertz radiation”. Mea-surement Science and Technology, Vol. 13, No. 11, pp. 1727–1738, October 2002.
[25] W.T. Read. ”A Proposed High-Frequency, Negative-Resistance Diode”.Bell Syst. Tech. J., Vol. 37, pp. 401–446, 1958.
[26] T. Ishibashi, M. Ino, T. Makimura, and M. Ohmori. ”Liquid-Nitrogen-Cooled Submillimeter-Wave Sillicon IMPATT Diodes”. Electron Lett., Vol. 13, No. 10, pp. 299–300, 1977.
[27] J. Nishizawa and Y. Watanabe. ”High Frequency Properties of the Avalanching Negative Resis-tance Diode”. Sci. Rep. Res. Inst. Tohoku. Univ. B-(Comm), Sendai, Japan, Vol. 10, No. 2, pp.
91–108, 1958.
[28] K. Mizuno and K. Suto. ”Thz Coherent Sources and Their Applications”. 電子情報通信学会技術 研究報告 電子デバイス研究会, ED2004-244, pp.17-22, 2005.
[29] J. B. Gunn. ”Microwave oscillations of current in iii-v semiconductors”.Sci. Rep. Res. Inst. Tohoku.
Univ. B-(Comm), Sendai, Japan, Vol. 10, No. 2, pp. 91–108, 1958.
[30] H. Eisele. ”Second-harmonic power extraction from InP Gunn devices with more than 1mW in the 260-320GHz frequency range”.Electron Lett., Vol. 34, pp. 2412–2413, 1998.
[31] M. Feng and W. Snodgrass. ”InP Pseudomorphic Heterojunction Bipolar Transistor (PHBT) with Ft 700GHz”.2007 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials , WeA3-1, Matsue, Japan, May 2007.
[32] M. Urteaga, R. Pierson, P. Rowell, V. Jain, E. Lobisser, and M.J.W. Rodwel. ”130nm InP DHBTs with ft 0.52THz and fmax 1.1THz”. Device Research Conference, Santa Barbara, CA, pp. 281–
282, 2011.
[33] T. Mimura, S. Hiyamizu, T. Fujii, and K. Nanbu. ”A new field effect transistor with selective doped GaAs/n-AlGaAs hetero-junctions”. Jpn.J.Appl.Phys.Lett., Vol. 19, p. 225, 1980.
[34] A. Leuther, S. Koch, A. Tessmann, I. Kallfass, T. Merkle, H. Assler, R. Loesch, M. Schlechtweg, S. Saito, and O. Ambacher. ”20 nm meramorphic HEMT with 660 GHz Ft”. 2011 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Tu-4.2.2, Berlin, Germany, 2011.
[35] T. Ishibashi, T. Furuta, H. Fushimi, S. Kodama, H. Ito, T. Nagatsuma, N. Shimizu, and Y. Miyamoto. ”InP/InGaAs Uni-Traveling-Carrier Photodiodes”. IEICE Trans. Electron, Vol.
83-C, No. 6, pp. 938–949, June 2000.
[36] T. Umezawa, A Kanno, K. Kashima, A. Matsumoto, K. Akahane, N. Yamamoto, and T. Kawanishi.
”Bias-Free Operational UTC-PD above 110 GHz and Its Application to High Baud Rate Fixed-Fiber Communication and W-Band Photonic Wireless Communication”. Journal of Lightwave Technology, Vol. 34, No. 13, pp. 3138–3147, July 2016.
[37] S. Koenig, D. Lopez-Diaz, J. Antes, F. Boes, R. Henneberger, A. Leuther, A. Tessmann, R. Schmogrow, D. Hillerkuss, R. Palmer, T. Zwick, C. Koos, W. Freude, O. Ambacher, J. Leuthold,
and I. Kallfass. ”Wireless sub-THz communication system with high data rate”.Nature Photonics, October 2013.
[38] S. Ho-Jin, K. Jae-Young, K. Ajito, M. Yaita, and N. Kukutsu. ”Fully Integrated ASK Receiver MMIC for Terahertz Communications at 300 GHz”. IEEE Transaction on Terahertz Science and Technology, July 2013.
[39] T. J. Shewchuk, J. M. Gering, P. C. Chapin, P. D. Coleman, W. Kopp, C. K. Peng, and H. Morkoc.
”Stable and unstable current-voltage measurements of a resonant tunneling heterostructure oscil-lator”. Appl. Phys. Lett., Vol. 45, No. 12, 1985.
[40] E. R. Brown, J. R. S¨oderstr¨om, C. D. Parker, L. J. Mahoney, K. M. Molvar, and T. C. McGill.
”Oscillation up to 712GHz in InAs/AlSb resonant-tunneling diodes”. Appl. Phys. Lett., Vol. 58, No. 20, 1991.
[41] S. Suzuki, M. Asada, A. Teranishi, H. Sugiyama, and H. Yokoyama. Fundamental oscillation of resonant tunneling diodes above 1 THz at room temperature.Appl. Phys. Lett, Vol. 97, , December 2010.
[42] R. Inui, S. Suzuki, and M. Asada. 1.98 THz resonant-tunneling-diode oscillator with reduced conduction loss by thick antenna electrode.42nd International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz waves (IRMMW-THz), 2017, pp. 1–2, November 2017.
[43] Y.Ikeda, K. Okada, S. Kitagawa, S. Suzuki, and M. Asada. ”Resonant-tunneling-diode oscillator with high-frequency modulation structure for high-capacity terahertz communication”. IRMMW-THz, 2014, 2014.
[44] R. Tsu and L.Esaki. ”Tunneling in a finite superlattice”. Appl. Phys. Lett., Vol. 22, , 1973.
[45] L.L. Chang, L. Esaki, and R. Tsu. ”Resonant tunneling in semiconductor double barriers”. Appl.
Phys. Lett., Vol. 24, No. 12, pp. 593–595, June 1974.
[46] T. C. L. G. Sollner, W. D. Goodhue, P. E. Tannenwald, C. D. Parker, and D. D. Peck. ”Resonant tunnneling through quantum wells at frequencies up to 2.5thz”. Appl. Phys. Lett., Vol. 43, No. 6, 1983.
[47] T. C. L. G. Sollner, P. E. Tannenwald, D. D. Peck, and W. D. Goodhue. ”Quantum well oscilla-tors”. Appl. Phys. Lett., Vol. 47, No. 9, 1984.
[48] E. R. Brown, T. C. L. G. Sollner, W. D. Goodhue, and C. D. Parker. ”Millimeter-band oscillators based on resonant tunneling in a double-barrier diode at room temperature”. Appl. Phys. Lett., Vol. 50, No. 2, 1987.
[49] E. R. Brown, T. C. L. G. Sollner, C. D. Parker, W. D. Goodhue, and C. L. Chen. ”Oscillation up to 420GHz in GaAs/AlAs resonant tunneling diode”.Appl. Phys. Lett., Vol. 55, No. 17, 1989.
[50] M. Reddy, S. C. Martin, A. C. Molnar, R. E. Muller, R. P. Smith, P. H. Siegel, M. J. Mondry, M. J. W. Rodwell, H. Kroemer, and Jr. S. J. Allen. Monolithic Schottly-Collector Resonant Tunnel-ing Diode Oscillator Arrays to 650GHz. IEEE Electron Device Lett., Vol. 18, No. 5, pp. 218–221, 1997.
[51] N. Orihashi and S. Suzuki. One THz harmonic oscillation of resonant tunneling diodes. Appl.
Phys. Lett, Vol. 87, , November 2005.
[52] T. Nakagawa, H. Inamoto, T. Kojima, and K. Ohta. ”Observation of resonant tunneling in Al-GaAs/GaAs triple barrier diodes”.Appl. Phys. Lett., Vol. 49, No. 2, pp. 73–75, May 1986.
[53] H. Shin-ya, M. Suhara, N. Asaoka, and M. Naoi. ”Implementation of Physics-Based Model for Current-Voltage Characteristics in Resonant Tunneling Diodes by Using the Voigt Function”.
IEICE Trans. Electron., Vol. E93-C, No. 8, pp. 1295–1301, August 2010.
[54] 新屋秀秋. ”共鳴トンネルダイオードの非線形モデルの構築と静・動特性解析に関する研究”. 首 都大学東京大学院 理工学研究科電気電子工学専攻 平成22年度 修士論文.
[55] P. Thompson, D. E. Cox, and J. B. Hastings. ”Rietvelt refinement of Debye-Scherrer synchrotron X-ray data from Al2O3”. J. Appl. Cryst., Vol. 20, pp. 79–83, April 1987.
[56] 冨岡紘斗. ”自己補対形状金属薄膜とメサ型半導体との一体化設計によるオンチップ集積アン テナの超広帯域化に関する研究”. 首都大学東京大学院 理工学研究科電気電子工学専攻 平成 20年度 博士論文.
[57] 田代篤史. ”テラヘルツ帯集積レクテナのモデル化と高感度化設計シナリオの構築”. 首都大学 東京大学院 理工学研究科電気電子工学専攻 平成25年度 修士論文.
[58] 加藤優斗. ”テラヘルツ帯広帯域無線通信用共鳴トンネルダイオード集積ボウタイアンテナの 放射特性向上設計に関する研究”. 首都大学東京大学院 理工学研究科電気電子工学専攻 平成 27年度 修士論文.
[59] 須藤大貴. ”光ファイバ無線送信器用共鳴トンネルダイオード作製プロセスの基礎研究”. 首都 大学東京 電気電子工学コース 平成28年度 学士論文.
[60] Inder Bahl and Prakash Bhartia. Microwave solid state circuit design second edition.
[61] J. Kennedy and R.C. Eberhart. Particle swarm optimization.Proc. IEEE International Conference Neural Networks, Vol. 4, pp. 1942–1948, November 1995.
[62] 伊森香織. ”トンネルダイオードにおける量子輸送パラメータの非線形バイアス電圧依存性評
価とテラヘルツ帯動作予測のための理論解析手法の確立”. 首都大学東京大学院 理工学研究科 電気電子工学専攻 平成27年度 修士論文.
[63] M. Reddy, R. Y. Yu, H. Kroemer, M. J. W. Rodwell, S. C. Martin, R. E. Muller, and R. P. Smith.
Bias Stabilization for Resonant Tunnel Diode Oscillators. IEEE Trans. Microw. Guid. Wave Lett., Vol. 5, No. 7, pp. 219–221, July 1995.
[64] Wang Liquan. Reliable design of tunnel diode and resonant tunnelling diode microwave sources.
PhD thesis, University of Grasgow, 2012.
[65] 伏見和郎. ”エサキダイオード回路について’.電気学会誌雑誌, Vol. 84-1, No. 904, pp. 23–30.
[66] 菅野敦史,久利敏明,川西哲也. ”光で電波を送る―最先端光通信技術を利用した超高速な無線 通信の実現に向けて―”. NICT NEWS 2013.9.
[67] 今荘義弘. ”RoF伝送の通信・放送分野を中心とした導入事例”. 計測研究会2013.6.27.
[68] 川西哲也. ”「5Gネットワーク」を支える光ファイバ無線技術”. ITU ジャーナル, Vol. 45, No. 11, November 2015.
[69] 川西哲也. ”超高速・大容量光伝送を実現する高速高精度光変調技術”. 超高速・大容量光通信 技術の新たな潮流, pp. 246–252, November 2009.
[70] 鄭柚. ”テラヘルツ無線通信用集積型送信デバイスの動作解析”. 首都大学東京 電気電子工学 コース 平成28年度 学士論文.
[71] Q. Meng, H. Wang, C. Liu, X. Guo, and K. Siongang. ”InP-based Uni-Traveling-Carrier Photodiodes(UTC-PDs) with 3-dB Bandwidth Over 135GHz”. Compound Semiconductor Week 2016, June 2016.
業績一覧
学外発表
【国際発表】
1. Compound Semiconductor Week 2016（2016年6月，富山県）
”Analysis of Antenna-Integrated Resonant Tunneling Diodes and its Modulation by using Adja-cent Photodiodes for Wireless Transmitters in Radio over Fiber Technology”
2. 2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices（2016年7月，北海道）
”Theoretical analysis of oscillation modes in antenna-integrated resonant tunneling diodes for broadband wireless transmitters”
3. Compound Semiconductor Week 2017（2017年5月，ドイツ・ベルリン）
”Trade-off Analysis between Relaxation Oscillation and its Modulation Limit in Bow-Tie Antenna-Integrated Resonant Tunneling Diodes towards Wireless Transmitters in Radio over Fiber Technology”
【国内発表】
1. 第5回サイエンス・インカレ（2016年3月，兵庫県）
”光ファイバ無線への応用を目指したテラヘルツ動作集積デバイスの提案と高速無線情報伝送 特性の解析”
2. 第39回光通信研究会（2016年8月，山梨県）
”光ファイバ無線への応用を目指した発振・変調に関する研究” 3. 第64回応用物理学会春季学術講演会（2017年3月，神奈川県）
”ボウタイアンテナ集積一体型共鳴トンネルダイオードにおける発振特性および振動モードの 理論解析”
4. 第64回応用物理学会春季学術講演会（2017年3月，神奈川県）（主著：福岡政大）
”光ファイバ無線用集積型テラヘルツ送信器における発振/変調への素子結合構造の影響の理 論解析”
5. 第40回光通信研究会（2017年8月，山梨県）
”ボウタイアンテナ集積共鳴トンネルダイオードの発振・変調特性解析”
6. 第65回応用物理学会春季学術講演会（2018年3月，東京都）（主著：中西真崇）
”三重障壁共鳴トンネルダイオードの非線形微分コンダクタンスの解析” 掲載論文
1. IEICE TRANS. ELECTRON., vol.E 100-C, No.5, pp430-438, May 2017
”Analysis of Relaxation Oscillation in a Resonant Tunneling Diode Integrated with a Bow-Tie Antenna”
受賞
1. 東京エレクトロン賞
第5回サイエンス・インカレ（2016年3月，兵庫県）