測定に用いる装置は次による。尚、GC/QMS の満たすべき条件は、装置、測定条件に よって異なる。
a. 多層シリカゲルカラム加熱用ヒーター 温度調節機能を備えたもので、多層シリ カゲルカラムに充填した硫酸被覆シリカゲルの上層 3cm を目的温度で持続的に加熱 できるもの。
b. アルミナカラム加熱用ヒーター 温度調節機能を備えたもので、アルミナカラム に充填したアルミナを目的温度で持続的に加熱できるもの。
c. ガスクロマトグラフ
ⅰ 試料導入部： スプリットレス方式で温度を 220℃以上 300℃以下にできるもの、
又はクールオンカラム方式で温度を 100℃以上 300℃以下にできるもの。
ⅱ カラム： 内径 0.10mm 以上 0.32mm 以下及び長さ 10m 以上のキャピラリーカラム で、図 1.2.2 の例と同等の分離性能をもつもので、使用する GC カラムは PCB 全 209 各化合物の溶出位置が実際の測定に採用する GC 条件において判明していなければ ならない
※4）
。ⅲ キャリヤーガス： 純度 99.999%以上のヘリウム又は水素を用いる。いずれも適 切な線速度に調節する。
ⅳ カラム温度： 60℃以上 320℃以下の間で温度を一定に保つことができ、1 分間 に 20℃以上の昇温ができるもの。
d. 質量分析計
ⅰ 検出器： 選択イオン検出法（SIM 法）が行えるもの。
ⅱ GC/MS 接続部温度： 220 から 300℃で使用可能なもの。
ⅲ イオン源： 電子イオン化(EI)方式が可能で、温度を 230 から 280℃に保てるも の。
ⅳ 電子加速電圧： 40 から 70V で使用可能なもの。
ⅴ 測定イオン： 対象物質とクリーンアップスパイクの選択イオンの例をそれぞれ 表 2.4.1.2 と表 2.4.1.3 に示す。定量用の選択イオンが妨害を受ける場合は、妨害 を受けていない確認用の選択イオンを用いて定量を行う。
109
表 2.4.1.2 対象物質選択イオンの例
対象物質 選択イオン
(m/z)
定量用 確認用
二塩化ビフェニル
222.0 224.0
― 三塩化ビフェニル256.0 258.0 260.0
四塩化ビフェニル289.9 291.9 293.9
五塩化ビフェニル325.9 323.9 327.9
六塩化ビフェニル359.8 361.8 357.8
七塩化ビフェニル393.8 395.8 397.8
八塩化ビフェニル429.8 427.8 431.8
表 2.4.1.3 クリーンアップスパイク物質選択イオンの例
対象物質 選択イオン
(m/z)
定量用 確認用
二塩化[
13
C12
]ビフェニル234.0 236.0
三塩化[13
C12
]ビフェニル268.0 270.0
四塩化[13
C12
]ビフェニル302.0 304.0
五塩化[
13
C12
]ビフェニル335.9 337.9
六塩化[
13
C12
]ビフェニル371.9 373.9
七塩化[
13
C12
]ビフェニル405.8 407.8
八塩化[
13
C12
]ビフェニル439.8 441.8
(4) 前処理 1) 試料の調製
a. 試料約 0.1g
※５）
を試験管に秤量し、100ng/mL のクリーンアップスパイク溶液 20μL※６）
を添加した後、イソオクタンを加えて全量を約 200μL とする。2) 加熱固相カラム前処理
a. (4).1)の操作で調製した溶液を多層シリカゲルカラムに移し入れ、試験管をイソ オクタン 200μL で 3 回洗い込んだ後、イソオクタン 200μL にて多層シリカゲルカ ラムの内壁を洗浄する
※７）
。b. 多層シリカゲルカラムに移し入れた溶液が展開している部分
※８）
を多層シリカゲ ルカラム加熱用ヒーターで 85℃にて 60 分間※９）
加熱した後、多層シリカゲルカラム を 40℃以下になるまで放冷する。c. アルミナカラムを多層シリカゲルカラム下端に接続した後、ヘキサン 20mL
※１０）
を流下させる。
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d. アルミナカラムを多層シリカゲルカラムと切り離し、アルミナカラム加熱用ヒー ターで 85℃
※１１）
に加熱しながら、清浄な空気もしくは窒素をアルミナカラムに吹 き込み、アルミナカラムに残留しているヘキサンを乾燥する。e. 上下逆転させたアルミナカラムをアルミナカラム加熱用ヒーターで 85℃に加熱し ながらトルエン 600μL
※１２）
を添加し、アルミナカラム下端にガラスバイアルを置 いて、約 200 から 300μL の溶出液を得る。100ng/mL のシリンジスパイク溶液 20μL※６）
を添加してよく攪拌したものを測定溶液とする。(5) 機器測定 1) 測定条件
a. GC/QMS の設定
あらかじめ GC/QMS に、対象物質及びクリーンアップスパイクの各フラグメントイ オンの選択イオン(m/z)（表 2.4.1.1、表 2.4.1.2 を参照）を設定し、各ピークの保 持時間が適切な範囲にあり、総 PCB 濃度で 0.15 mg/kg 以下の検出下限値が満たされ、
安定した応答が得られるように、GC/QMS を適切に設定する。測定条件例を付表 2.4.1.1 に示す。
ｂ. 相対感度係数の算出
段階的に作製した検量線用 PCB 標準溶液を測定し、それぞれの濃度段階について、
各 PCB 標準物質及び各クリーンアップスパイクのピーク面積をそれぞれ求める。各 PCB 標準物質の対応するクリーンアップスパイクに対するピーク面積の比と、注入 した PCB 標準溶液中のその PCB 標準物質とクリーンアップスパイクの濃度の比を求 め、次に掲げる式によって相対感度係数（RRF）を算出する。同一塩素数に 2 種類以 上の PCB 標準物質がある場合は、それぞれから算出された RRF の平均値とする。
の濃度 標準溶液中の標準物質 クのピーク面積
クリーンアップスパイ
アップスパイクの濃度 標準溶液中のクリーン
標準物質のピーク面積
RRF
2) 試料の測定及び定性（ピーク同定）方法
KC-300、KC-400、KC-500 及び KC-600 を重量比 1:1:1:1 の割合で混合したトルエン 溶液を測定し、測定対象物質の保持時間を確認する。(4).2).e で得られた測定溶液を 測定し、各対象物質について定量用及び確認用として設定した選択イオンのピークイ オン強度の比が、塩素原子の同位体存在比から推定されるイオン強度比に対して±
20%以内であることを確認してピーク面積を求める。クロマトグラムの例（二塩化ビ フェニルから八塩化ビフェニル）を付図 2.4.1.1 に示す。
個々の PCB の検出量は次の式によって求める。ここで、A
s
は対象物質の測定イオン111
による面積を、A