[PDF] Top 20 biochem 100518 最近の更新履歴 Dr Hishiki's classroom (日紫喜研究室)

... 電力線上任一點切線的方向，即代表該點電場之方 向，而電力線較密處，即為電場強度較大處 22.. 在積體電路製程中，最常使用的是「電晶體」，儘量 避免使用的是「電感」 27.[r] ... 完全なドキュメントを参照

... 30. 外加電場時，形成電子流與電洞流，其兩者方向相反 32. 純半導體經摻雜後，其電性為電中性 33. PN 摻雜濃度增加，其障壁電位亦受影響 34. PN 接面之空乏區電場強度之最大值出現在 P 區域與 N 區域的接面上 ... 完全なドキュメントを参照

... (D) 佛萊明右手定則大姆指為導體運動方向，而非受 力方向 14.[r] ... 完全なドキュメントを参照

... (B) 二極體在順偏時，主要之電容效應為擴散電容， 其值隨通過電流的增加而變大 29.[r] ... 完全なドキュメントを参照

... 共集極(CC)式電路具有大電流增益、高輸入阻抗及低 輸出阻抗的特性 36.[r] ... 完全なドキュメントを参照

... I = + + = 6. (A) 迴路電流法是利用 K.V.L.於封閉路徑寫出迴路方 程式 (B) 節點電壓法是利用 K.C.L.於節點寫出節點方程式 (D) 在線性電路中，任意兩端點間之網路可用一等效 電流源和並聯一等效電阻取代之，稱為諾頓定理 7. 4 6 A ... 完全なドキュメントを参照

... 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 C D B C D A D B B D D C D C D A C B D D C D B C B 第一部份：基本電學 1. 溫度上升主因是電流與溫度之效應，況且一般用電採 並聯接法，電壓應為固定值 ... 完全なドキュメントを参照

... 31. 電感濾波器是屬於重負載電路，適用於大電流負荷 32. (A) BJT 有兩個 PN 接面，分別是基極－集極接面 J C 與基極－射極接面 J E (B) 功率增益最大的是共射極 CE 組態電路 (C) 共基極 CB 組態電路之輸出阻抗最高 ... 完全なドキュメントを参照

... 通常以禁止帶的寬度，決定物質為 導體、半導體或絕緣體 27.[r] ... 完全なドキュメントを参照

... 正弦波波幅為時間之正弦函數，方波(脈波)只有兩種 狀態，三角波波幅與時間成正比 (正斜率)或反比(負斜 率)變化 27.. 電容愈大；頻率愈高(全波整流)；負載電阻愈大(電流 愈小 )濾波效果愈好 34..[r] ... 完全なドキュメントを参照

... I 1 + 2 + 3 = + + = 第二部份：電子學 28. 二極體加逆偏後，空乏區內電場方向由 N 指向 P 側， 且漏電流大小不隨逆向偏壓大小改變 29. D 1 → ON ， D 2 → OFF ，故 V o = − 2 . 5 V 30. 當輸入 V i = 30 V ~ 70 V 時輸出隨輸入變化 ... 完全なドキュメントを参照

... = 4. 電刷需具備高接觸電阻，以減少換向火花 5. 2 極疊繞及所有的波繞，不需使用均壓線 6. 轉速要高於臨界轉速，才能建立電壓 7. R 調高，輸出電流變小，壓降變小，V 上昇 L 8. 電壓調整率為負值的為過複激式及串激式 10. AT d = P × 2 α = 4 × 2 × 5 = 40 度 ... 完全なドキュメントを参照

... 增加同容量之變壓器一具，改為 Δ-Δ 接線時： kVA 4.[r] ... 完全なドキュメントを参照

... 繞線式轉子外加電阻具增加起 動轉矩，降低起動電流的效果 11... 依據經濟部壓力鋼瓶使用規定，每三個月必須檢查壓力 一次 30.[r] ... 完全なドキュメントを参照

... 33. 李沙育圖若顯示為圓形，代表頻率相同，相位不同 34. 微波爐不能使用金屬鍋 35. 四路開關雖然可以代替三路開關，但因四路開關售 價遠高於三路開關，所以最符合經濟效益的最佳組 合為 2 個四路開關 + 2 個三路開關 ... 完全なドキュメントを参照

... (C) 蓄電池能量儲存的合理單位是安培－小時 (D) 電阻器的瓦特數與體積成正比 2. 有關單位的換算，下列何者正確？ (A) 1 仟伏特 = 30 靜伏 (B) 1 奈靜庫 3 = 庫侖 (C) 1 微爾格 10 = 焦耳 (D) 1 度電 = 3 . 6 × 10 6 焦耳 3. 有甲、乙兩款亮度相同的燈泡： ... 完全なドキュメントを参照

... 半導體作成的電阻其工作環境溫度上升時，其導電率 增加 27.. 空乏區內無電子與電洞存在，而障壁電位主要為施體 與受體離子的作用 28..[r] ... 完全なドキュメントを参照

... 負載不平衡時，且中性線斷，則負載小的兩端端電壓 較大 第二部份：電子學 26.[r] ... 完全なドキュメントを参照

... ⇒ C ) 39. ∵在 I 不變的條件下，由 B 端進入 E 端的電洞愈多， C 則 E 端發射的自由電子亦愈多，∴ I E ↑， α ↓ 40. ○ 1 N-ch EMOS 工作在 Ω 區，在 V DS 固定下， V GS 愈 小，則由 D 到 S 通道電阻愈大 ... 完全なドキュメントを参照

... V 電壓源皆被短路(分析時) 故 E TH = ( 5 × 6 ) + ( − 10 ) = 20 ( V ) ...V 電源時，流過 6 V 電源的電流為 4 A(向下) 分析 6 V 電源時，流過 6 V 電源的電流為 2 A(向下) 故流過 6 V 電源的總電流為 4 A + 2 A = 6 ... 完全なドキュメントを参照