博博博博 士士士士 論論論論 文文文文 概概概概 要要要要
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(2) Ｎｏ.1 有 機 半 導 体 薄 膜 を 用 い た 光 電 子 機 能 材 料 が 、 有 機 電 界 発 光 (EL)素 子 、 有 機 薄 膜 ト ラ ン ジ ス タ (TFT)、 有 機 薄 膜 太 陽 電 池 な ど と し て 研 究 開 発 さ れ て い る 。 有 機 薄膜には軽量、大面積化が容易、ローコストなどの多くの利点があり、さらなる 有機薄膜デバイスの特性向上のために、結晶品質の良い有機薄膜を得ることは極 めて重要である。近年、様々な有機薄膜のエピタキシャル成長に関して精力的な 研究がなされているが、結晶成長技術をはじめ、その場観察技術、微細加工技術 やドーピング技術などについて、無機半導体と比べ未熟であるといえる。 フ ラ ー レ ン C60 は 炭 素 60 個 か ら な る サ ッ カ ー ボ ー ル 構 造 の 対 称 性 の 高 い 分 子 で あ り 、気 相 成 長 で 高 品 質 の 結 晶 を 得 る こ と が で き る 。C 6 0 分 子 間 の 結 合 力 は v a n d e r Wa a l s 力 で あ る が 、C 6 0 分 子 自 体 は 共 有 性 の 強 い 結 合 で 結 ば れ て お り 、結 晶 成 長 に 関 し て C60 は 無 機 材 料 と 同 様 に 扱 う こ と が で き る 。 本 研 究 の 目 的 は C60 結 晶 成長に無機半導体結晶成長で構築された成長技術、評価技術を応用することで結 晶 成 長 メ カ ニ ズ ム の 解 析 を は か り 、C 6 0 お よ び C 6 0 を 基 礎 と す る 複 合 体 を 製 作 、そ の物性を評価し、その応用の方向を探ることである。このため結晶成長法として 分 子 線 エ ピ タ キ シ ー (Molecular beam epitaxy: MBE)法 を 使 用 し 、 反 射 高 速 電 子 回 折 法 (RHEED)に よ る そ の 場 観 察 を 行 う 。ま た 、基 板 ・ 母 体 材 料 と し て 主 に 砒 化 ガ リ ウ ム (GaAs)を 用 い て 実 験 を 行 う 。 本論文は全 7 章から構成されている。以下に各章の概要を述べる。 第１章では、研究背景として有機半導体デバイスの特徴を述べ、有機結晶の 問題点を提示し、本博士論文の研究目的を明確にする。さらに、本研究の基盤技 術 で あ る MBE 法 、 お よ び 使 用 し た 主 な 測 定 法 に つ い て 簡 単 に 説 明 す る 。 第 2 章 で は 、 本 研 究 の 基 本 と な る GaAs 基 板 上 C60 結 晶 薄 膜 の 成 長 に つ い て 述 べ る 。 C60 結 晶 薄 膜 は 格 子 不 整 合 の 大 き い ヘ テ ロ 成 長 で も 、 良 好 な エ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 す る こ と が 報 告 さ れ て い る 。 そ こ で 、 MBE 法 を 用 い て 、 GaAs 基 板 上 C60 結 晶 薄 膜 を 成 長 し 、 RHEED と X 線 回 折 (XRD)に よ っ て 結 晶 学 的 評 価 を 行 い 、 フ ォ ト ル ミ ネ ッ セ ン ス (Photoluminescence： PL)法 に よ っ て 光 学 的 特 性 を 評 価 し た 。 G a A s ( 0 0 1 ) 、 ( 111 ) A 、 ( 111 ) B 基 板 上 の C 6 0 結 晶 薄 膜 の 場 合 、 成 長 開 始 後 す ぐ に ス ト リ ー ク な RHEED 像 が 現 れ る こ と を 確 認 し た 。 こ の こ と は C60 結 晶 薄 膜 が 平 坦 性 良 く 成 長 し て い る こ と を 示 し て い る 。 こ の RHEED 像 は 六 回 対 称 性 を 持 つ こ と か ら 、 C 6 0 結 晶 薄 膜 は ( 111 ) 配 向 す る と 考 え ら れ る 。 成 長 後 、 X R D 2 θ / ω s c a n を 行 っ た と こ ろ 、( h h h ) 回 折 の み が 確 認 で き 、C 6 0 結 晶 薄 膜 が ( 111 ) 配 向 し て い る こ と を 確 認 し た 。回 折 角 よ り C 6 0 結 晶 薄 膜 の 格 子 定 数 を 見 積 も る と 1 4 . 1 [ Å ] で あ り 、 C60 バ ル ク 結 晶 の 格 子 定 数 と 一 致 し た 。 ま た 、 PL 測 定 に よ っ て 1.69[eV]周 辺 に C60 結 晶 薄 膜 か ら の 強 い 励 起 子 発 光 を 確 認 し 、 こ の 発 光 ピ ー ク は 高 品 質 バ ル ク 結 晶 か ら の 発 光 と 一 致 し て い る こ と か ら 、 GaAs 基 板 上 C60 結 晶 薄 膜 は 、 高 品 質 の 結晶であることが推定された。 第 3 章 で は 、 RHEED 強 度 振 動 に よ る C60 結 晶 成 長 の 解 析 に つ い て 述 べ る 。.
(3) Ｎｏ.2 MBE 法 に よ る GaAs の RHEED 強 度 振 動 が Neave ら に よ っ て 報 告 さ れ て 以 来 、 GaAs の エ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 過 程 に つ い て の 研 究 が 盛 ん に 行 わ れ て き た 。 そ れ は RHEED 強 度 振 動 が 、 核 形 成 と 二 次 元 島 の 発 達 融 合 過 程 に 対 応 し て お り 、 成 長 温 度 や ス テ ッ プ 間 隔 の 変 化 に 敏 感 で あ っ た た め で あ る 。 こ の RHEED 強 度 振 動 の 解 析が有機薄膜成長にも可能であれば、有機結晶成長のその場観察が可能となり、 有 機 半 導 体 の 結 晶 成 長 の モ デ ル 化 に 大 変 有 効 で あ る 。そ こ で 、G a A s 基 板 上 の C 6 0 結 晶 薄 膜 成 長 中 の RHEED 強 度 の 観 察 を 行 っ た と こ ろ 、 成 長 初 期 に 強 度 振 動 が 現 れ 、そ の 振 動 周 期 が 一 分 子 層 成 長 時 間 と 一 致 す る こ と を 確 認 し た 。こ の こ と は Si や GaAs の 成 長 と 同 様 に 、 C60 結 晶 が 核 生 成 と ス テ ッ プ フ ロ ー 成 長 の 繰 り 返 し に より成長が進行していることを示している。次に成長初期過程を詳細に解析する と 、 G a A s ( 111 ) B ( 2 × 2 ) 構 造 上 の 結 果 は 、 成 長 開 始 後 、 0 . 5 M L 堆 積 し た 付 近 で 肩 が 現 れ 、 1.5ML 堆 積 し た と こ ろ で ピ ー ク が 現 れ た 。 こ の よ う な 現 象 は 他 の ヘ テ ロ 構 造 で は 見 ら れ な い も の で あ り 、 (2×2)構 造 上 に お け る C60 結 晶 の 核 生 成 過 程 を 反 映 し て い る と 考 え ら れ る 。 そ こ で 基 板 表 面 構 造 と C60 分 子 の 構 造 の 相 関 を 検 討 し た 結 果 、 表 面 に 周 期 的 に 配 列 し た 砒 素 三 量 体 に よ っ て 、 C60 吸 着 サ イ ト が 制 限 さ れ る と 考 え る と 、 RHEED 強 度 振 動 を う ま く 説 明 で き る こ と が わ か っ た 。 つ ま り 、C 6 0 成 長 初 期 層 は C 6 0 分 子 と 基 板 表 面 構 造 の 立 体 構 造 で 決 ま る と い う モ デ ル で あ る 。 次 に こ の モ デ ル を 検 証 す る た め 、 GaAs(001) (2×4)構 造 上 の RHEED 強 度 振 動 を 観 察 し た 。 こ の (2×4)構 造 上 の C60 薄 膜 の 成 長 初 期 層 は 走 査 ト ン ネ ル 顕 微 鏡 に よ る 観 察 に よ っ て 、 0.5ML で 完 成 す る こ と が 報 告 さ れ て い る 。 RHEED 強 度 振 動 の 結 果 は 、 0.5ML 堆 積 し た と こ ろ で 肩 が 現 れ 1.5ML 堆 積 し た と こ ろ で ピ ー ク を 確 認 し た 。 以 上 よ り RHEED 強 度 振 動 解 析 が 有 機 結 晶 の 動 的 観 察 に 有 効 で あ る こ と 、 有 機 /無 機 界 面 の 配 向 を 検 証 で き る こ と が わ か っ た 。 第 4 章 で は 、 選 択 成 長 法 に よ る C60 微 細 構 造 製 作 と 光 学 的 特 性 に つ い て 述 べ る 。 C60 結 晶 を ナ ノ 構 造 に 加 工 す る こ と で 、 新 規 な デ バ イ ス 開 発 が で き る と 期 待 で き る が 、 C 6 0 結 晶 の 結 合 力 は v a n d e r Wa a l s 力 で あ る た め 、 機 械 的 強 度 が 極 め て脆弱で、エッチングやイオンミリングなどの加工プロセスに耐えることは大変 困難である。一方、選択成長法は位置・サイズ共に高精度に制御できる製作法で あ り 、無 損 傷 か つ 汚 染 が 少 な い こ と が 特 徴 と し て 挙 げ ら れ る 。本 章 の 目 的 は 、S i O 2 開 口 部 を 持 つ GaAs 基 板 上 に 選 択 成 長 法 に よ っ て 、 C60 結 晶 の 微 細 構 造 を 製 作 す る こ と で あ る 。 ま た 、 得 ら れ た 結 晶 を 詳 細 に 解 析 し 、 C60 結 晶 成 長 の メ カ ニ ズ ム 解 明 を 行 う 。 SiO2 マ ス ク で 表 面 を 覆 っ た GaAs 基 板 上 に 、 電 子 線 リ ソ グ ラ フ ィ ー を 用 い て 一 辺 3µm の 六 角 形 、 及 び 直 径 100nm の ド ッ ト 状 の 開 口 部 を 製 作 し た 。 こ の マ ス ク 基 板 上 に 、基 板 温 度 2 0 0 ℃ で C 6 0 結 晶 を 堆 積 し た と こ ろ 、S i O 2 上 に C 6 0 結 晶 は 成 長 せ ず 、マ ス ク 開 口 部 ( G a A s 表 面 ) の み に C 6 0 結 晶 が 成 長 し 、良 好 な 選 択 性 を 得 る こ と に 成 功 し た 。 結 晶 表 面 に 現 れ る フ ァ セ ッ ト は { 1 0 0 } 、 { 11 0 } で あ り 、 G a A s ( 0 0 1 ) 、 ( 111 ) B 基 板 上 に C 6 0 結 晶 が ( 111 ) 配 向 す る こ と が わ か っ た 。 成 長 し た.
(4) Ｎｏ.3 C 6 0 結 晶 の 膜 厚 は p l a n e r 基 板 上 の 膜 厚 よ り も 大 き い こ と か ら 、S i O 2 マ ス ク に 到 達 し た C60 分 子 が 開 口 部 へ と 拡 散 し て い る こ と が わ か る 。 結 晶 の 膜 厚 か ら 基 板 温 度 200℃ に お け る SiO2 上 で の C60 分 子 の 拡 散 長 は 200-300nm で あ る こ と が わ か っ た 。こ の 拡 散 長 は 開 口 部 の サ イ ズ に よ ら ず 一 定 で あ る こ と を 確 認 し た 。次 に G a A s ( 0 0 1 ) 基 板 上 直 径 1 0 0 n m 開 口 部 に 成 長 し た C 6 0 結 晶 は 四 回 対 称 、つ ま り ( 0 0 1 ) 配 向 す る こ と が わ か っ た 。こ の 結 果 は p l a n e r 基 板 上 で 得 ら れ る 結 果 と 異 な る 。こ れ は 結晶サイズがエピタキシャル方向を決める一つの要因であることを示唆している。 第 5 章 で は 、多 価 金 属 ド ー プ C 6 0 薄 膜 の 成 長 と そ の 結 合 に つ い て 述 べ る 。C 6 0 結 晶 薄 膜 の 結 合 力 は v a n d e r Wa a l s 力 の た め 、 C 6 0 結 晶 薄 膜 は 大 変 脆 く 、 扱 い が 難 し い 。C 6 0 分 子 は 、C 6 0 分 子 間 よ り も 金 属 と の 間 で 強 い 結 合 す る こ と が 報 告 さ れ て お り 、金 属 を ド ー プ す る こ と で 結 晶 の 結 合 エ ネ ル ギ ー が 強 く な る と 考 え ら れ る 。 そ こ で 、MBE 法 に よ り 多 価 金 属 Al、Ga、Ge を C60 と 同 時 蒸 着 さ せ る こ と で 、多 価 金 属 ド ー プ C60 薄 膜 を 成 長 さ せ た 。 RHEED、 XRD の 結 果 よ り 多 価 金 属 ド ー プ C 6 0 薄 膜 は 非 晶 質 構 造 で あ る こ と が わ か っ た 。 Vi c k e r s 硬 度 測 定 を 行 っ た と こ ろ 、 す べ て の 多 価 金 属 ド ー プ C60 薄 膜 の 機 械 的 強 度 の 増 大 を 確 認 し 、 化 学 的 に も 安 定 に な る こ と を 確 認 し た 。 PL 測 定 を 行 っ た と こ ろ 、 Al、 Ga ド ー プ C60 薄 膜 は 励 起 子 発 光 の 他 に 、 禁 制 遷 移 で あ っ た HOMO、 LUMO 間 の 発 光 を 確 認 し た 。 こ れ は 多 価 金 属 が 結 合 す る こ と で 、 C60 分 子 の 対 称 性 が 低 下 し た た め と 推 定 さ れ る 。 次 に 量 子 化 学 計 算 に よ っ て 、 多 価 金 属 と C60 分 子 間 に 共 有 性 の 強 い 結 合 が 生 成 さ れ る こ と 確 認 し た 。 金 属 原 子 Al、 Ga、 Ge と C60 分 子 の 結 合 エ ネ ル ギ ー を 比 較 し た と こ ろ 、G e ＞ A l ＞ G a の 順 番 に 結 合 エ ネ ル ギ ー が 強 く な っ て お り 、こ れ は Vi c k e r s 硬 度 の 順 番 と 一 致 し た 。 こ れ ら の こ と は 多 価 金 属 が C60 分 子 間 を 架 橋 し 結 晶 の 機 械的強度を増大させるというモデルを支持している。 第 6 章 で は 、 C60-doped GaAs の 成 長 と 電 気 的 特 性 に つ い て 述 べ る 。 C60 分 子 を半導体結晶中にドーピングし、その特性を調べた報告は皆無であり、そのドー ピ ン グ 効 果 に つ い て 、 ま っ た く 明 ら か に な っ て い な い 。 本 章 は 低 温 MEE 法 を 導 入 す る こ と で 、 GaAs 結 晶 中 に 高 濃 度 C60 ド ー ピ ン グ を 成 功 さ せ 、 そ の 結 晶 学 的 特 性 、 電 気 的 特 性 を 明 ら か に し た 。 得 ら れ た C60-doped GaAs は 半 絶 縁 性 を 示 し た 。こ れ は C 6 0 分 子 が G a A s 結 晶 中 で 分 解 さ れ ず 、G a A s 中 で 電 子 を ト ラ ッ プ す る ア ク セ プ タ と し て 機 能 し て い る こ と を 示 し て い る 。 次 に 、 C60 分 子 を GaAs 結 晶 中 の 単 一 原 子 面 の み ド ー ピ ン グ (δ ド ー ピ ン グ )し 、 Au/GaAs の シ ョ ッ ト キ ー 接 合 を 形 成 後 、 キ ャ パ シ タ ン ス 特 性 を 計 測 し た と こ ろ 、 C60 分 子 に よ っ て ト ラ ッ プ さ れ て い た 電 子 が 放 出 さ れ 、空 乏 層 の イ オ ン 濃 度 が 変 化 す る 結 果 を 得 た 。こ れ は C 6 0 分 子 が GaAs 中 で 電 荷 を 蓄 積 、 放 出 す る こ と が で き る こ と を 示 唆 し て お り 、 こ の 結果はその現象を利用した新規メモリ開発の可能性を示すものである。 第 7 章では、第 2 章から第 6 章において得られた研究結果を総括し、本研究 の今後の展望を明らかにする。.
(5) Ｎｏ.1. 早稲田大学 博士( 博士(工学) 学位申請 研究業績書 氏 名 西 永 慈 郎. 印 (２００７年１１月 現在). 種 類 別 学術論文 ○. ○. ○. ○. ○. 国際会議 ○. ○. ○. ○. ○. 題名、. 発表・発行掲載誌名、. 発表・発行年月、. 連名者(申請者含む). 1. J. Nishinaga, A. Kawaharazuka and Y. Horikoshi RHEED intensity oscillations of C60 growth Appl. Surf. Science, (掲載決定) 2. J. Nishinaga, T. Aihara, A. Kawaharazuka and Y. Horikoshi Characteristics of multivalent impurity doped C60 films grown by MBE J. Cryst. Growth, 301-302, 687-691, 2007 3. J. Nishinaga, T. Aihara, T. Toda, F. Matsutani and Y. Horikoshi Nano-scale selective area epitaxy of C60 crystals on GaAs by MBE J. Vac. Sci. Technol. B, 24 (3): 1587-1590, 2006 4. J. Nishinaga, T. Aihara, H. Yamagata and Y. Horikoshi Mechanical and optical characteristics of Al-doped C60 films J. Cryst. Growth, 278/1-4, 633-637, 2005 5. J. Nishinaga, M. Ogawa and Y. Horikoshi Selective growth of C60 layers on GaAs and their crystalline characteristics Thin Solid Films, 464-465C, 323-326, 2004 1. J. Nishinaga, A. Kawaharazuka, and Y. Horikoshi RHEED intensity oscillations of C60 growth 11th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI), Manaus, Brazil, August 19-24, 2007 2. J. Nishinaga, T. Aihara, A. Kawaharazuka, and Y. Horikoshi Characteristics of multivalent impurity doped C60 films grown by MBE 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Tokyo, Japan, September 3-8, 2006. 3. J. Nishinaga, T. Aihara, T. Toda, F. Matsutani and Y. Horikoshi Nano-scale selective area epitaxy of C60 crystals on GaAs by MBE 23rd North American Conference on Molecular Beam Epitaxy, Santa Barbara, California, USA, September 11-14, 2005. 4. J. Nishinaga, T. Aihara, H. Yamagata, and Y. Horikoshi Mechanical and optical characteristics of Al-doped C60 films 13th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Edinburgh, U.K, August 22-27, 2004. 5. J. Nishinaga, M. Ogawa and Y. Horikoshi Selective growth of C60 layers on GaAs and their crystalline characteristics 7th Int. Conf. on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures, Nara, Japan, November 16-20, 2003..
(6) Ｎｏ.2. 早稲田大学 博士( 博士(工学) 学位申請 研究業績書 種 類 別. 題名、. 発表・発行掲載誌名、. 発表・発行年月、. 連名者(申請者含む). 講演 1. 西永慈郎、河原塚篤、堀越佳治 RHEED intensity oscillation of C60 growth on GaAs substrates 第 32 回結晶成長討論会、札幌、11 月 3-4 日, 2007 2. 西永慈郎、河原塚篤、松谷文雄、堀越佳治 C60 薄膜 MBE 成長における RHEED 強度振動 第 54 回応用物理学関係連合講演会、青山学院大学、3 月 27-30 日, 2007 3. 西永慈郎、藍原智之、遠田健、堀越佳治 Nano-scale selective area epitaxy of C60 crystals on GaAs by MBE 第 31 回結晶成長討論会、滋賀、11 月 3-5 日、2006 4. 西永慈郎、藍原智之、河原塚篤、堀越佳治 金属元素ドーピング C60 薄膜の結合について 第 53 回応用物理学関係連合講演会、武蔵工業大学、3 月 22-26 日, 2006 5. 西永慈郎、藍原智之、遠田健、松谷文雄、堀越佳治 MBE 法による C60/GaAs 構造のナノスケール選択成長 第 29 回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム，京都大学，7 月 25-27 日, 2005 6. 西永慈郎，藍原智之，遠田健，松谷文雄，葭葉一平，堀越佳治 MBE 法による C60/GaAs 構造のナノスケール選択成長 第 52 回応用物理学関係連合講演会、埼玉大学、3 月 29-4 月 1 日, 2005 7. 西永慈郎、藍原智之、山形浩史、堀越佳治 Al-doped C60 薄膜の機械的・光学的特性 第 27 回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム，東京大学，7 月 28-30 日, 2004 8. 西永慈郎，黒木敏宏，藍原智之，山形浩史，堀越佳治 Al-doped C60 薄膜の光学的特性 第 51 回応用物理学関係連合講演会、東京工科大学、3 月 28-31 日, 2004 9. 西永慈郎，小川将明，木田洋祐，山形浩史，藍原智之，堀越佳治 C60/GaAs 構造の選択成長と光学的特性 第 64 回応用物理学会学術講演会、福岡大学、8 月 30 日-9 月 2 日, 2003 著書 J. Nishinaga and Y. Horikoshi Epitaxial growth of undoped and multivalent impurity-doped C60 films by molecular beam epitaxy Progress in Fullerene Research, pp. 123-143, Nova Science Publishers, 2007 (分担執筆) 学術論文 (連名). M. Ogawa, J. Nishinaga, Y. Kida, H. Yamagata, T. Aihara and Y. Horikoshi Selective growth of C60/GaAs and the optical characteristic J. Vac. Sci. Technol. B, 22 (3): 1441-1443, 2004 R. Suzuki, H. Amano, T. Kuroki, J. Nishinaga and Y. Horikoshi Compositional nonuniformity in molecular beam epitaxy grown InAsSb on GaAs(111)A substrates Jpn. J. Appl. Phys, 42, 6260-6264, 2003.
(7) Ｎｏ.3. 早稲田大学 博士( 博士(工学) 学位申請 研究業績書 種 類 別 国際学会 (連名). 講演 (連名). 題名、. 発表・発行掲載誌名、. 発表・発行年月、. 連名者(申請者含む). M. Ogawa, J. Nishinaga, Y. Kida, H. Yamagata, T. Aihara, and Y. Horikoshi Optical and electrical characteristics of C60/GaAs 2003 North American Conference on Molecular Beam Epitaxy, Sept. 29-Oct. 2, Keystone, USA (2003) 松谷文雄、西永慈郎、藍原智之、高田知範、原田亮平、出口孝則、堀越佳治 Al-doped C60 薄膜の電気的特性 第 66 回応用物理学会学術講演会、徳島大学、9 月 7 日～11 日(2005) 藍原智之、西永慈郎、山形浩史、堀越佳治 MBE 成長 C60 薄膜特性の金属元素ドーピング効果 第６５回応用物理学会学術講演会、東北学院大学、９月１日～４日(2004). その他 (国際学会). (講演). J. Nishinaga, R. Harada, T. Takada, A. Kawaharazuka, and Y. Horikoshi Electrical Properties of Ge-Doped InSb and InAs on GaAs(111)A Substrate International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2006), Yokohama, Japan, September 12-15, 2006 1. 原田亮平，西永慈郎，高田知範，河原塚 篤，堀越佳治 MBE 法による GaAs(111)A 基板上への InAs 薄膜成長と電気的特性 第 68 回応用物理学会学術講演会、北海道工業大学、9 月 4 日-8 日(2007) 2. 西永慈郎、上原孝太、岩井隆之、葭葉一平、堀越佳治 MEE 法を用いた GaAs(111)A 基板上における GaAs 選択成長 第 6７回応用物理学会学術講演会、立命館大学、8 月 29 日-9 月 1 日, 2006 3. 西永慈郎，小野満恒二，品田賢宏，大泊巌，堀越佳治 イオン注入法による GaAs ドット網の形成 第 50 回応用物理学関係連合講演会、神奈川大学、3 月 27 日-30 日, 2003 4. 天野秀俊、河原塚篤、鈴木僚、黒木敏宏、西永慈郎、堀越佳治 MBE 法による GaAs(111)A 基板上への InSb の成長とｐｎ接合作成 第 63 回応用物理学会学術講演会、新潟大学、9 月 24 日～7 日(2002) 5. 鈴木僚、三好浩之、天野秀俊、黒木敏宏、西永慈郎、堀越佳治 GaAs(111)A 基板上の MBE 成長 InAsSb 中の組成不均一 第 63 回応用物理学会学術講演会、新潟大学、9 月 24 日～7 日(2002) 6. 黒木敏宏、天野秀俊、鈴木僚、西永慈郎、堀越佳治 MBE 法を用いて GaAs(111)A 面へ成長した Ge ドープ InAs の電気的特性 第 63 回応用物理学会学術講演会、新潟大学、9 月 24 日～7 日(2002).
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