博 士 論 文 概 要

早稲田大学大学院 先進理工学研究科

博 士 論 文 概 要

論 文 題 目

近接昇華法による Te 系カルコパイライト材料 の作製と AgGaTe 2 太陽電池の開発

Preparation of Te-based Chalcopyrite Materials by the Closed Space Sublimation

and Application to AgGaTe 2 Solar Cells

申 請 者

宇留野 彩

Aya URUNO

電気・情報生命専攻 電子・光子材料学研究

2016 年 12 月

福 島 第 一 原 子 力 発 電 所 事 故 以 降 、 環 境 問 題 や エ ネ ル ギ ー 問 題 の 解 決 策 と し て 太 陽 光 発 電 が 注 目 を 集 め て い る 。 現 在 国 内 で 一 番 流 通 し て い る S i 太 陽 電 池 に は 、 S i が 間 接 遷 移 半 導 体 で あ る た め 光 吸 収 係 数 が 小 さ い と い う 問 題 点 が あ る 。そ こ で 直 接 遷 移 型 半 導 体 で あ り 光 吸 収 係 数 が 高 い C d Teや C u ( I n, G a ) S e²と い っ た 材 料 を 用 い た 太 陽 電 池 が 注 目 を 集 め て い る 。C d Te 太 陽 電 池 は 、 市 販 さ れ て い る 太 陽 電 池 の 中 で 世 界 ト ッ プ シ ェ ア を 誇 る も の の ひ と つ で あ り 、 近 接 昇 華 法 と い う 方 法 を 用 い て 作 製 す る こ と で 、2 2 . 1%の セ ル ス ケ ー ル 変 換 効 率 を 記 録( 2 0 1 6 年 4 月 時 点) し て い る 。 日 本 国 内 で は 1 9 8 0 年 代 に 世 界 に 先 駆 け て 商 品 化 に 成 功 し た が 、 毒 性 の あ る C d を 利 用 し て い る こ と が 要 因 の 一 つ と な り 、 現 在 日 本 で は 全 く 普 及 し て い な い 。 カ ル コ パ イ ラ イ ト 構 造 を 持 つ I - I I I - V I2 族 化 合 物 半 導 体 で あ る C u ( I n , G a) S e²も 太 陽 電 池 材 料 と し て 近 年 注 目 を 集 め て お り 、2 2 . 3%の セ ル ス ケ ー ル 変 換 効 率 を 記 録( 2 0 16 年 4 月 時 点)し 、 商 品 化 に も 成 功 し て い る 。 し か し 、 毒 性 の あ る S e を 用 い て い る こ と か ら 安 全 性 に 関 す る 懸 念 は 払 拭 で き て い な い 。 以 上 の こ と か ら 、 よ り 環 境 に 配 慮 し た 新 材 料 を 用 い た 太 陽 電 池 の 開 発 が 急 務 で あ る と 考 え た 。

そ こ で 本 研 究 で は 環 境 に 配 慮 し た 新 材 料 と し て C dを I - I I I 族 元 素 で 置 き 換 え た Te 系 カ ル コ パ イ ラ イ ト 材 料 に 着 目 し 、近 接 昇 華 法 を 用 い て 低 コ ス ト か つ 高 効 率 な 新 し い 太 陽 電 池 デ バ イ ス の 開 発 を 目 指 す こ と を 目 的 と し た 。 近 接 昇 華 法 と は 物 理 的 気 相 蒸 着 法 の 一 種 で あ り 、 原 料 と 基 板 を 数 m m と い う 近 距 離 で 向 か い 合 わ せ に 配 置 し 、 原 料 と 基 板 と の 温 度 差 に よ り 薄 膜 を 形 成 す る 方 法 で あ る 。 装 置 自 体 が 安 価 で あ る こ と 、 原 料 使 用 効 率 が 高 い こ と 等 の 特 長 を 有 し て お り 、 高 品 質 な 薄 膜 を 低 コ ス ト で 作 製 す る こ と が 可 能 で あ る 。

Te 系 カ ル コ パ イ ラ イ ト 材 料 の 中 で も A gG a Te2 は バ ン ド ギ ャ ッ プ が 1 . 3 e V で あ り 、 太 陽 電 池 に 適 し て い る と さ れ る 1 . 4 e V に 比 較 的 近 い 値 を 持 つ た め 、 太 陽 電 池 材 料 と し て 適 し て い る と 考 え ら れ る 。 ま た 、 バ ン ド ギ ャ ッ プ が 2 . 3 e V で あ る A g A l Te2 と の 混 晶 は バ ン ド ギ ャ ッ プ を 1 . 3 e V か ら 2 . 3 e V ま で の 範 囲 で 制 御 可 能 な た め 、 太 陽 電 池 応 用 に 最 適 な 値( 1. 4 e V)へ さ ら に 近 づ け る こ と が で き る 。 し か し 、 Te 系 カ ル コ パ イ ラ イ ト 材 料 で の 混 晶 作 製 は ほ と ん ど 前 例 が な く 、成 長 条 件 の 最 適 化 も 容 易 で は な い 。 そ こ で 、 本 研 究 で は ま ず 、A g G a Te2、A g A l Te2 を 近 接 昇 華 法 よ っ て 作 製 し た 。 特 に 界 面 特 性 は デ バ イ ス 応 用 の た め に 重 要 で あ る と 考 え ら れ る た め 、 様 々 な 基 板 上 に 作 製 し 配 向 性 の 相 違 に つ い て 詳 細 に 解 明 し た 。 そ し て 、 得 ら れ た 知 見 を も と に A g ( G a, A l ) Te2 混 晶 作 製 も 行 っ た 。そ の 結 果 、近 接 昇 華 法 に よ っ て 結 晶 性 の 良 い A gG a Te2、A g A l Te2、A g ( G a, A l ) Te2 が 得 ら れ る こ と を 明 ら か と し た 。

さ ら に 、A g G a Te2 の 太 陽 電 池 の 有 望 性 を 明 ら か に す る た め 、n - S i 基 板 上 に A gG a Te2 を 堆 積 さ せ 、p n ヘ テ ロ 接 合 構 造 を 作 製 す る こ と と し た 。そ の 際 S i と G a

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が 反 応 し 、S i 基 板 が 削 ら れ て し ま う 問 題 を 解 決 す る た め 、2 段 階 近 接 昇 華 法 と い う 方 法 を 新 た に 考 案 し た 。 そ し て 、2 段 階 近 接 昇 華 法 に よ っ て 得 ら れ た 高 品 質 な A gG a Te² を 用 い て 、 実 際 に 太 陽 電 池 の 開 発 を 行 っ た 。

本 論 文 は 全 ７ 章 か ら 構 成 さ れ て い る 。 以 下 に 各 章 の 概 要 を 示 す 。

第 １ 章 「 序 章 」 で は 、 研 究 背 景 と し て カ ル コ パ イ ラ イ ト 化 合 物 の 基 礎 物 性 を 述 べ 、 さ ら に C d Te や C u I n S e²な ど の 化 合 物 薄 膜 太 陽 電 池 の 研 究 現 状 を 整 理 し 、Te 系 カ ル コ パ イ ラ イ ト 材 料 の 研 究 の 意 義 や 本 博 士 論 文 の 研 究 目 的 を 明 確 に し た 。 第 ２ 章 「Te 系 カ ル コ パ イ ラ イ ト 材 料 の 状 態 図 に 関 す る 検 討 」 で は 、 本 研 究 の 高 品 質 薄 膜 作 製 に お い て 基 本 と な る カ ル コ パ イ ラ イ ト 材 料 の 擬 2 元 系 状 態 図 に つ い て 論 じ 、 従 来 の C u ( In . G a) S e2太 陽 電 池 よ り も 結 晶 性 の 高 い A g G a Te2 太 陽 電 池 の 作 製 が 期 待 で き る こ と を 明 ら か と し た 。 状 態 図 を 理 解 す る こ と は 、 化 合 物 や 相 の 状 態 を 予 測 す る の に 大 変 重 要 で あ る 。 特 に 本 研 究 の よ う な 3 元 化 合 物 は そ れ ぞ れ の 元 素 の 蒸 気 圧 が 異 な る た め 、 固 溶 体 を 制 御 す る こ と は 難 し い 。 よ っ て ま ず 状 態 図 の 基 礎 と な る 合 金 の 2 成 分 系 状 態 図 や 3 成 分 系 状 態 図 に つ い て 具 体 例 を 挙 げ て 論 述 し た 。 様 々 な カ ル コ パ イ ラ イ ト 材 料 の 擬 2 元 系 状 態 図 の 解 析 も 行 い 、 薄 膜 作 製 に 資 す る カ ル コ パ イ ラ イ ト 構 造 以 外 の 生 成 物 に つ い て 整 理 し た 。

A g2Te - G a2Te3 状 態 図 の 解 析 の 結 果 か ら 、 カ ル コ パ イ ラ イ ト A g G a Te2 は A g2Te と G a2Te3 の モ ル 比 が 約 1 : 1、 か つ 7 0 0℃ 以 下 の 条 件 で 形 成 さ れ る と い う こ と が 明 ら か と な っ た 。ま た C u I n S e2 と は 異 な り 、A g G a Te2 は 高 温 領 域 に お け る 相 転 位 も 存 在 し な い こ と も わ か っ た た め 、A g G a Te2 は 高 温 で の 作 製 に 適 し て お り 、 従 っ て 結 晶 性 の と て も 良 い も の が 得 ら れ や す い と い う 知 見 が 得 ら れ た 。

第 ３ 章 「 近 接 昇 華 法 の 特 徴 」 で は 、Te 系 カ ル コ パ イ ラ イ ト 作 製 に お け る 留 意 点 に つ い て 、 各 元 素 の 蒸 気 圧 曲 線 を 比 較 し な が ら 議 論 し た 。C d Te の 場 合 、Cd と Te の 蒸 気 圧 が 比 較 的 近 い こ と か ら 、 近 接 昇 華 法 を 用 い て も ス ト イ キ オ メ ト リ 制 御 が 容 易 で あ る 。 し か し 、Te 系 カ ル コ パ イ ラ イ ト の 場 合 、 各 元 素 の 蒸 気 圧 が 異 な り 、 ス ト イ キ オ メ ト リ 制 御 が 困 難 で あ る と 推 定 さ れ る 。 本 研 究 で は 原 料 と 基 板 を 密 閉 性 の 高 い ボ ー ト 内 に 納 め 、Te の 蒸 気 を ボ ー ト の 内 部 に 閉 じ 込 め る こ と で こ の 問 題 を 解 決 し 、3 元 化 合 物 で あ っ て も 、 ス ト イ キ オ メ ト リ の 保 た れ た 結 晶 性 の 良 い 薄 膜 の 作 製 に 初 め て 成 功 し た 。

第 ４ 章「Te 系 カ ル コ パ イ ラ イ ト 化 合 物 薄 膜 の 結 晶 成 長 」で は 、A g G aTe2、A g A l Te2、 A g ( G a, A l ) Te2 の 近 接 昇 華 法 に よ る 作 製 に 成 功 し た こ と と そ れ ぞ れ の 薄 膜 の 結 晶 性 に つ い て ま と め た 。 具 体 的 に は サ フ ァ イ ア 基 板 上 、S i 基 板 上 な ど の 様 々 な 基 板 上 に A g G a Te2、 A g A l Te2 薄 膜 を 作 製 し た 。 そ の 結 果 、 S i ( 111)基 板 上 へ は A gG a Te2( 11 2)が 、サ フ ァ イ ア 基 板 上 へ は 一 般 的 に は 配 向 さ れ に く い A g G a T2( 10 3 ) が 配 向 す る こ と が 明 ら か に な っ た 。 さ ら に 極 点 図 解 析 法 を 用 い る こ と で サ フ ァ イ ア と A g G a Te2 の c 軸 方 向 が 揃 っ て 配 向 し て い く こ と が わ か り 、基 板 の 種 類 や 面 方

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位 を 変 化 さ せ る こ と で カ ル コ パ イ ラ イ ト 材 料 の 配 向 を 制 御 で き る こ と を 明 ら か に し た 。 近 接 昇 華 法 は 多 結 晶 作 製 に 広 く 利 用 さ れ て い る が 、 本 研 究 で は 他 の 方 法 に 比 べ て 結 晶 性 の 高 い 薄 膜 成 長 を 行 っ て い る 。 第 2 章 で も 述 べ た よ う に A g G a Te² は 高 温 領 域 で の 相 転 位 が 起 き な い こ と か ら 、 単 結 晶 に 近 い 程 度 ま で の 配 向 制 御 が 可 能 と な り 、 高 品 質 な Te 系 カ ル コ パ イ ラ イ ト 材 料 の 作 製 に 成 功 し た と い え る 。 し か し 、G a に よ り S i が 削 ら れ て し ま う こ と か ら 、A g G a Te² は 島 状 に 形 成 さ れ て お り 、 太 陽 電 池 応 用 に 向 け て は 、 こ れ ら の 問 題 を 解 決 す る 必 要 が あ る こ と が 明 ら か と な っ た 。

原 料 と し て A g G aTe² 粉 末 と A g A l Te² 粉 末 を 混 ぜ 合 わ せ た も の を 使 用 す る こ と で 、A g ( G a , A l ) Te2 の 作 製 に も 成 功 し 、 原 料 の A l / ( A l + G a)比 を 制 御 さ せ る こ と で 、 作 製 し た 膜 の A g ( G a^{1 - x}, A l^x) Te²の xの 割 合 を 容 易 に 制 御 で き る こ と も 明 ら か と し 、 A g ( G a, A l ) Te²混 晶 太 陽 電 池 の 実 現 へ の 見 通 し が た っ た 。

第 ５ 章「2段 階 近 接 昇 華 法 に よ る p - A gG a Te²/ n- S i ヘ テ ロ 接 合 構 造 の 作 製 」で は 、 メ ル ト バ ッ ク エ ッ チ ン グ の 抑 制 と 濡 れ 性 の 改 善 を 実 現 し た 2 段 階 近 接 昇 華 法 に つ い て 論 じ た 。 そ の 本 質 は 、 メ ル ト バ ッ ク エ ッ チ ン グ の 原 因 で あ る G a を 含 ま な い A g2Te 中 間 層 を S i 基 板 上 に 形 成 し 、 そ の 後 A g2Te と G a2Te3 を 混 ぜ 合 わ せ た も の を 原 料 と し て 用 い て A g G a Te2を 製 膜 す る こ と で あ る 。A g G a Te2 の 成 膜 温 度 に お い て A g2Te 中 間 層 は G a2Te3と 反 応 し 、A gG a Te2に 変 化 す る こ と が 明 ら か と な っ た 。 そ し て 、 成 膜 条 件 の 中 で も 特 に A g2Te 中 間 層 の 膜 厚 や A g2Te と G a2Te3の ソ ー ス 原 料 比 に つ い て 留 意 し な が ら サ ン プ ル を 作 製 す る こ と で 、S i と の 界 面 が 急 峻 で あ り か つ 高 品 質 な A g G a Te2 単 膜 を 得 る こ と に 成 功 し た 。よ っ て ２ 段 階 近 接 昇 華 法 を 用 い る こ と で 高 品 質 な A g G a Te2 太 陽 電 池 の 作 製 が 出 来 る と い う 知 見 が 得 ら れ た 。 第 ６ 章 「A g G aTe2 太 陽 電 池 の 実 現 」 で は 、A g G aTe2 太 陽 電 池 の 開 発 を 行 い 、 A gG a Te2 膜 の p 型 光 吸 収 層 と し て の 有 望 性 を 明 ら か と し た 。 C - V 特 性 か ら A gG a Te2 の ア ク セ プ タ 濃 度 を 評 価 し た 結 果 、 約 2×1 0^{1 6}c m^{- 3} 程 度 の p 型 薄 膜 で あ っ た 。A g G a Te2が 電 気 的 特 性 の 視 点 か ら も 、 太 陽 電 池 材 料 と し て 有 望 で あ る こ と を 明 ら か に し た 。そ し て 、p - A gG aTe2/ n - S i 構 造 の 太 陽 電 池 デ バ イ ス を 実 際 に 作 製 し た と こ ろ 、 約 3 %の 変 換 効 率 を 得 る こ と に 成 功 し た 。 ま た Z n O : A l / n - Z n I n2S4/ p - A gG a Te2/ M o 太 陽 電 池 構 造 の 作 製 も 行 い 、 将 来 的 な デ バ イ ス 応 用 の た め の 知 見 を 得 る こ と に 成 功 し た 。

第 ７ 章 「 結 論 」 で は 本 研 究 で 得 ら れ た 知 見 に つ い て ま と め た 。A g G a Te2 は 環 境 に 配 慮 し た 太 陽 電 池 と し て 大 変 有 望 な 材 料 で あ る こ と 、2 段 階 近 接 昇 華 法 に よ り 太 陽 電 池 用 薄 膜 の 作 製 が 可 能 な こ と を 明 ら か に し た 。

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No.1

早稲田大学 博士（工学） 学位申請 研究業績書

氏 名 宇留野 彩 印

（2016 年 12 月 現在）

種 類 別 題名、 発表・発行掲載誌名、 発表・発行年月、 連名者（申請者含む）

論文 原著論文

査読なし

講演 国際会議

○1. A. Uruno, and M. Kobayashi, Structural and electric properties of AgGaTe2 layers prepared using mixed Source of Ag2Te and Ga2Te3, Phys. Status Solidi A (2016) [DOI 10.1002/

pssa.201600284]. (掲載決定)

○2. A. Uruno, and M. Kobayashi, High quality AgGaTe2 layers on Si substrates with Ag2Te buffer layers, J. Electron. Mater. 45, 4692 (2016.5).

○3. A. Uruno, Y. Takeda, T. Inoue, and M. Kobayashi, Crystallographic and optical characterizations of Ag(Ga,Al)Te2 layers grown on c-plane sapphire substrates by closed space sublimation, Phys. Status Solidi C 13, 413 (2016.2).

○4. A. Uruno, A. Usui, Y. Takeda, T. Inoue, and M. Kobayashi, The growth of AgGaTe2 layers on glass substrates with Ag2Te buffer layer by closed space sublimation method, Phys. Status Solidi C 12, 508 (2015.4).

○5. A. Uruno, A. Usui, T. Inoue, Y. Takeda, and M. Kobayashi, The crystallographic characterization of AgGaTe2, AgAlTe2, and Ag(Ga,Al)Te2 grown by closed space sublimation, J. Electron. Mater. 44, 3013 (2015.3).

○6. A. Uruno, A. Usui, and M. Kobayashi, Structural and optical properties of AgAlTe2 layers grown on sapphire substrates by closed space sublimation method, J. Appl. Phys. 116, 183504 (2014.11).

○7. A. Uruno, A. Usui, and M. Kobayashi, Growth of AgGaTe2 and AgAlTe2 layers for novel photovoltaic materials, J. Electron. Mater. 43, 2874 (2014.4).

○8. A. Uruno, A. Usui, and M. Kobayashi, Structural characterization of AgGaTe2 layers grown on a- and c-sapphire substrates by a closed space sublimation method, Phys. Status Solidi C 11, 1186 (2014.3).

9. A. Usui, A. Uruno, and M. Kobayashi, Growth of CuGaTe2 based compounds by a closed space sublimation method, Phys. Status Solidi C 11, 1190 (2014.3).

○10. A. Uruno, A. Usui, and M. Kobayashi, Growth of AgGaTe2 on a- and c-plane sapphire by closed-space sublimation and analysis of the orientation by pole figure measurements, Jpn. J.

Appl. Phys. 53, 015501 (2014.1).

○11. A. Uruno, A. Usui, and M. Kobayashi, Deposition of AgGaTe2 on sapphire substrates by closed space sublimation, Phys. Status Solidi C 10, 1389 (2013.9).

○12. A. Uruno and M. Kobayashi, Growth of AgGaTe2 layers by a closed-space sublimation method, J. Electron. Mater. 42, 859 (2013.1).

1. A. Uruno, and M. Kobayashi, The growth of AgGaTe2 layer on Si substrate by two-step closed space sublimation and its application to solar cell fabrications, Proc. 43rd IEEE Photovolt. Spec. Conf., IEEE, Portland, 524 (2016).

1. A. Uruno, Y. Sakurakawa, and M. Kobayashi, High quality AgGaTe2 layers formed from Ga2Te3/Ag2Te two layer structures, The 2016 U.S. Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials, 4-3, Baltimore, MD, USA (2016.10).

2. A. Uruno, and M. Kobayashi, The growth of AgGaTe2 layer on Si substrate by two-step closed space sublimation and its application to solar cell fabrications, The 43rd IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC43), 143, Portland, OR, USA (2016.6).

3. A. Uruno, S. Kikai, Y. Suetsugu, and M. Kobayashi, Growth and solar cell applications of AgGaTe2 layers by closed space sublimation using the mixed source of Ag2Te and Ga2Te3, The 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2016), MoP-ISCS-014, Toyama, Japan (2016.6).

4. A. Uruno, and M. Kobayashi, High quality AgGaTe2 layers on Si substrates with Ag2Te buffer layers, The 2015 U.S. Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials, 6-5,

Ｎｏ.2

早稲田大学 博士（工学） 学位申請 研究業績書

種 類 別 題名、 発表・発行掲載誌名、 発表・発行年月、 連名者（申請者含む）

講演 国内発表

Chicago, IL, USA (2015.10).

5. A. Uruno, Y. Takeda, T. Inoue, and M. Kobayashi, Crystallographic and Optical Characterizations of Ag(Ga,Al)Te2 Layers Grown on c-plane Sapphire Substrates by Closed Space Sublimation, The 17th International Conference on II-VI Compound and Related Materials (II-VI 2015), TuC-3, Paris, France (2015.9).

6. A. Uruno, A. Usui, and M. Kobayashi, The crystallographic characterization of AgGaTe2 and AgAlTe2 grown by closed space sublimation, The 2014 U.S. Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials, 4-2, Baltimore, MD, USA (2014.10).

7. A. Uruno, A. Usui, Y. Takeda, T. Inoue, and M. Kobayashi, The Growth of AgGaTe2 layers on glass substrates with Ag2Te buffer layer by closed space sublimation method, 19th International Conference on Ternary and Multinary Compounds(ICTMC19), Tue-O-10B, Niigata, Japan (2014.9).

8. A. Uruno, A. Usui, Y. Takeda, T. Inoue and M. Kobayashi, The growth of AgGaTe2 layer on Mo and effect of the Ag2Te buffer layer on the film quality, The 41th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2014), P42, Montpellier, France (2014.5).

9. A. Usui, A. Uruno, and M. Kobayashi, Different orientation of AgGaTe2 and AgAlTe2 layers grown on a-plane sapphire substrates by a closed space sublimation method, 41st Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces, Mo0930, Santa Fe, NM, USA (2014.1).

10. A. Uruno, A. Usui, and M. Kobayashi, Growth of AgGaTe2 Layers for a Novel Photovoltaic Material, The 2013 U.S. Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials, 8-6, Chicago, IL, USA (2013.10).

11. A. Uruno, A. Usui, and M. Kobayashi, Growth of AgGaTe2 Layers on a- and c-Plane Sapphire Substrates by a Closed Space Sublimation Method, The 16th International Conference on II-VI Compound and Related Materials (II-VI 2013), Mo-B2, Nagahama, Japan (2013.9).

12. A. Usui, A. Uruno, and M. Kobayashi, Growth of CuGaTe2 Based Compounds by a Closed Space Sublimation Method, The 16th International Conference on II-VI Compound and Related Materials (II-VI 2013), We-P12, Nagahama, Japan (2013.9).

13. A. Uruno, A. Usui, and M. Kobayashi, Deposition of AgGaTe2 on sapphire substrates by closed space sublimation, The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2013), MoPC-01-17, Kobe, Japan (2013.5).

14. A. Uruno, T. Nakasu, and M. Kobayashi, Growth of AgGaTe2 layers by a closed space sublimation method, 54th the Electronic Materials Conference, L9, Penn State Univ., University Park, PA, USA (2012.6).

1. 宇留野彩，桜川陽平，小林正和，近接昇華法による Ga2Te3/Ag2Te 積層構造からの

AgGaTe2薄膜作製，第 77 回応用物理学会秋季学術講演会，13p-D61-8，新潟 (2016

年9月)

2. 宇留野彩，小林正和，Ag²Te中間層を導入した Si基板上のAgGaTe²作製と太陽電池 応用，第63回応用物理学会春季学術講演会，22p-H116-6，東京 (2016年3月) 3. 鬼界伸一郎，宇留野彩，末次由里，低温フォトルミネッセンス法による AgGaTe2 薄

膜の光学的特性評価，平成28年電気学会全国大会，2-90，仙台 (2016年3月) 4. 宇留野彩，薄井綾香，竹田裕二，井上朋大，小林正和，近接昇華法を用いたサファイ

ア基板上のAg(Ga,Al)Te2混晶作製，第62回応用物理学会春季学術講演会，13a-A17-1，

平塚 (2015年3月)

5. 薄井綾香，宇留野彩，井上朋大，竹田裕二，小林正和，近接昇華法によるAg(Ga,Al)Te2

混晶の作製とバンドギャップの評価，平成27年電気学会全国大会，2-101，東京 (2015 年3月)

Ｎｏ.3

早稲田大学 博士（工学） 学位申請 研究業績書

種 類 別 題名、 発表・発行掲載誌名、 発表・発行年月、 連名者（申請者含む）

その他

博士論文に直接 関係のない業績

講演 国際発表

国内発表

6. 宇留野彩，薄井綾香，井上朋大，竹田裕二，小林正和，近接昇華法を用いたAgGaTe²

とAgAlTe2の結晶性の評価と混晶作製，第 6回半導体材料・デバイスフォーラム，都

城 (2014年12月)

7. 宇留野彩，薄井綾香，竹田裕二，井上朋大，小林正和，近接昇華法で作製したAgGaTe2

の仕込み原料による影響，第 75 回応用物理学会秋季学術講演会，17p-A12-13，札幌 (2014年9月)

8. 宇留野彩，薄井綾香，竹田裕二，井上朋大，小林正和，Mo膜上のAgGaTe2の成長と Ag2Teバッファ層による影響，第61回応用物理学会春季学術講演会，18a-D2-8，相模 原 (2014年3月)

9. 宇留野彩，薄井綾香，井上朋大，竹田裕二，小林正和，AgAlTe2の近接昇華法による 配向性の評価，第 61 回応用物理学会春季学術講演会，18a-D2-9，相模原 (2014年3 月)

10. 薄井綾香，宇留野彩，井上朋大，竹田裕二，小林正和，近接昇華法によりサファイ アa面上へ作製したAgAlTe²およびAgGaTe²の配向性評価，平成26年電気学会全国 大会，2-100，松山，(2014年3月)

11. 竹田裕二，宇留野彩，薄井綾香，井上朋大，異なる Mo 膜上への近接昇華法による AgAlTe2の作製，平成26年電気学会全国大会，2-099，松山，(2014年3月)

12. 宇留野彩，薄井綾香，小林正和，近接昇華法によるAgGaTe2の成長と極点図法によ る解析，第74回応用物理学会秋季学術講演会，16a-B4-2，京田辺 (2013年9月) 13. 宇留野彩，小林正和，近接昇華法による各種面方位サファイア基板上のAgGaTe2作

製，第60回応用物理学会春季学術講演会，27p-G19-6，厚木 (2013年3月)

14. 宇留野彩，薄井綾香，中田和輝，小林正和，近接昇華法によるサファイア基板上の AgGaTe²の成長，平成25年電気学会全国大会，2-078，名古屋 (2013年3月) 15. 薄井綾香，宇留野彩，中田和輝，小林正和，近接昇華法によるCuGaTe2の成長，平

成25年電気学会全国大会，2-079，名古屋 (2013年3月)

16. 宇留野彩，小林正和，近接昇華法による透明基板上への AgGaTe2の作製，第73 回 応用物理学会秋季学術講演会，14p-H8-6，松山 (2012年9月)

17. 宇留野彩，小林正和，近接昇華法によるSi基板上へのAgGaTe2の作製とストイキオ メトリ制御，第59回応用物理学会春季学術講演会，18a-F11-1，東京 (2012年3月) 18. 宇留野彩，小林正和，近接昇華法による AgGaTe2の成長，平成 24 年電気学会全国

大会，2-095，広島 (2012年3月)

1. S. Taki, Y. Umejima, A. Uruno, X. Zhang, and M. Kobayashi, Cu2ZnSn(S, Se)4 thin films prepared using Cu2ZnSnS4 nanoparticles, 16th International Conference on Nanotechnology (IEEE NANO 2016), WePM11.5, Sendai, Japan (2016.8).

1. 瀧 駿也，宇留野 彩，張険峰，小林 正和，Cu²ZnSnS⁴ナノ粒子塗布膜の Se 化アニ ールと副生成物の抑制，第77回応用物理学会秋季学術講演会，15a-A34-1，新潟 (2016 年9月)

2. 梅嶋悠人，瀧駿也，上村一生，宇留野彩，張険峰，小林正和，Se蒸気圧制御アニール

によるCu2ZnSn(S,Se)4の作製と太陽電池応用，第63回応用物理学会春季学術講演会，

22p-H116-5，東京，(2016年3月)

3. 古井三誉子，宇留野彩，小林正和，Ba2ZnS3:Mn赤色蛍光体ナノ粒子多層膜構造の作 製，平成27年電気学会全国大会，2-080，東京，(2015年3月)