博 士 論 文 概 要

早稲田大学大学院 先進理工学研究科

博 士 論 文 概 要

論 文 題 目 ZnTe/ サファイア構造の

ヘテロエピタキシー機構の解明

Study on Heteroepitaxy Mechanism of ZnTe/Sapphire Structure

申 請 者

中須 大蔵

Taizo NAKASU

電気・情報生命専攻 電子・光子材料学研究

2016 年 12 月

近 年 、 超 高 速 あ る い は 超 広 帯 域 通 信 、 更 に は X 線 に 代 わ る 安 全 な セ ン シ ン グ 技 術 へ の 応 用 を 目 的 と し て 、 光 と 電 波 の 間 の 波 長 領 域 で あ る テ ラ ヘ ル ツ 波 へ の 注 目 が 高 ま り 、 そ の 光 源 や 高 感 度 検 出 器 の 研 究 が 積 極 的 に 行 わ れ て い る 。 テ ラ ヘ ル ツ 波 技 術 を 応 用 す る と 、 金 属 探 知 器 で は 見 逃 さ れ て い た セ ラ ミ ッ ク ナ イ フ の 検 知 や 通 常 の 方 法 で は 探 査 が 不 可 能 だ っ た 封 筒 内 に 隠 さ れ た 薬 物 の 検 知 な ど も 可 能 と な る 等 、 社 会 的 に 応 用 範 囲 が 極 め て 広 い こ と が 既 に 知 ら れ て い る 。 テ ラ ヘ ル ツ 波 の 検 出 方 法 の 1 つ に 、 電 気 光 学 効 果 を 用 い た 方 法 が あ る 。 電 気 光 学 効 果 は L i N b O³ な ど の 酸 化 物 材 料 や 閃 亜 鉛 鉱 構 造 の C d Te な ど で 強 く 発 現 す る こ と が 知 ら れ て い る 。 酸 化 物 材 料 は 入 射 し た テ ラ ヘ ル ツ 波 を 効 率 良 く 結 晶 外 へ 取 り 出 す こ と が 難 し く 、 半 導 体 デ バ イ ス に 信 号 を 引 き 渡 す こ と が 容 易 で な い 。 ま た C d Te は 環 境 面 で 問 題 の あ る 材 料 で あ る こ と 、 更 に は デ バ イ ス や シ ス テ ム の 光 軸 調 整 が 困 難 に な る と い う 問 題 が あ る 。 こ れ ら の 問 題 を 解 消 す る 材 料 と し て 、 閃 亜 鉛 鉱 構 造 を 有 す る

Z nTe に 注 目 が 集 ま っ て い る 。

電 気 光 学 効 果 は 結 晶 が 薄 い ほ ど 感 度 が 高 く な る 。ま た 他 の 面 方 位 に 比 べ て( 11 0) 面 か ら は 高 い 電 気 光 学 効 果 が 得 ら れ る こ と が 知 ら れ て い る 。 こ れ ら の こ と か ら 、 Z nTe を 用 い た 検 出 器 は 、( 11 0 )配 向 し た 薄 膜 を 用 い る こ と が 好 ま し い 。 本 研 究 で は 、 透 明 で 電 気 光 学 効 果 を ほ と ん ど 示 さ ず 、 し か も 安 価 で あ る サ フ ァ イ ア を 基 板 と し て 用 い 、 そ の 上 に 高 品 質 な Z n Te 薄 膜 を 作 製 す る こ と を 目 指 し た 。 し か し 、

Z nTe は 立 方 晶 、サ フ ァ イ ア は 擬 似 六 方 晶 と 互 い の 結 晶 構 造 の 違 い や 大 き な 格 子 不

整 合 が Z n Te の 単 結 晶 化 を 妨 げ 、 異 な る 方 位 を 持 つ 複 数 の 結 晶 ド メ イ ン に 分 か れ て 成 長 す る 可 能 性 が 高 い 。

本 論 文 で は 、 こ れ ら の 問 題 を 解 決 す る た め 、 基 板 の 面 方 位 や 表 面 構 造 、 低 温 バ ッ フ ァ 層 に よ る 初 期 成 長 核 が 成 長 膜 内 の 結 晶 ド メ イ ン へ 与 え る 影 響 を 理 論 と 実 験 の 両 者 か ら 検 討 し た 結 果 を ま と め た 。 こ れ ら の 探 査 に よ り 結 晶 性 の 高 い Z nTe /サ フ ァ イ ア 構 造 の 作 製 や 、Z n Te の 面 方 位 の 制 御 に 関 す る 様 々 な 知 見 を 得 た 。

本 論 文 は 全 6 章 で 構 成 さ れ て い る 。 以 下 に 、 各 章 の 概 要 を 述 べ る 。 第 1 章 で は 、 本 論 文 の 研 究 背 景 と 目 的 に つ い て 述 べ る 。

第 2 章 で は 、 サ フ ァ イ ア 基 板 の 特 徴 を 述 べ 、 以 下 に 列 挙 す る 3 点 を 検 討 し て 、 サ フ ァ イ ア 基 板 上 へ の 閃 亜 鉛 鉱 型 結 晶 の 成 長 モ デ ル を 提 案 し た 。 そ れ ら は 、 ① サ フ ァ イ ア( 0 0 0 1 )表 面 の 原 子 配 列 と Z n Te ( 111 )の 原 子 配 列 の 類 似 性 が 成 長 に 与 え る 影 響 、② サ フ ァ イ ア 基 板 上 に 挿 入 し た Z n Te バ ッ フ ァ 層 に よ る 成 長 核 が Z n Te 薄 膜 の 配 向 性 に 与 え る 影 響 、 ③ 異 な る 2 種 類 の 面 方 位 を 持 つ サ フ ァ イ ア 基 板 が Z n Te 薄 膜 の 配 向 性 に 与 え る 影 響 、 で あ る 。Z n Te /サ フ ァ イ ア の よ う な 大 き な 格 子 不 整 合 を 持 つ 系 で は 、 基 板 と 薄 膜 の そ れ ぞ れ が 単 位 格 子 で 整 合 し な が ら 成 長 す る の で は な く 、 複 数 の 単 位 格 子 を 1 セ ッ ト と し た ド メ イ ン ご と に 整 合 し な が ら 成 長 す る と 報 告 さ れ て い る 。そ の 考 え 方 に 沿 っ て 、代 表 的 な サ フ ァ イ ア の 面 方 位 ご と に 様 々

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な 方 位 の Z n Te の 中 か ら 整 合 す る ド メ イ ン を 考 え 、 サ フ ァ イ ア 基 板 上 に 閃 亜 鉛 鉱 構 造 の 結 晶 が 成 長 し て い く 様 子 を モ デ ル 化 し た 。 同 時 に 、 サ フ ァ イ ア( 0 0 0 1)が Z nTe ( 111 )の 原 子 配 列 と 似 て い る こ と か ら 、サ フ ァ イ ア 上 Z n Te の 配 向 に は サ フ ァ イ ア( 0 0 0 1) / / Z n Te ( 111)を 保 っ た 規 則 性 が 現 れ る こ と に つ い て 検 討 し た(①)。次 に 、 サ フ ァ イ ア 基 板 上 に 挿 入 す る バ ッ フ ァ 層 に よ り Z n Te 成 長 核 の ド メ イ ン 整 合 を 制 御 す る 手 段(②)、異 な る 2 種 類 の 面 方 位 が 周 期 的 に 形 成 さ れ た サ フ ァ イ ア 基 板(ナ ノ フ ァ セ ッ ト 構 造)を 用 い て 、Z n Te の 配 向 性 を 制 御 す る 手 段(③)に つ い て 幾 何 学 的 に 解 析 し た 結 果 を ま と め た 。 本 章 で 検 討 し た 項 目 ① に 関 し て は 第 3 章 、 項 目 ②

③ に 関 し て は 第 4 章 で 実 験 的 に 検 証 し た 。

第 3 章 で は 、 サ フ ァ イ ア 基 板 の 面 方 位 に 注 目 し 、 サ フ ァ イ ア( 0 0 0 1 ) / / Zn Te ( 111) を 保 っ た Z n Te 薄 膜 が 形 成 さ れ る 規 則 性 に つ い て 実 験 的 に 検 証 し た 結 果 を ま と め た 。 様 々 な 面 方 位 の サ フ ァ イ ア 基 板 に 分 子 線 エ ピ タ キ シ ー 法 を 用 い て Z n Te 薄 膜 を 作 製 し 、 そ の 結 晶 構 造 や 成 長 方 位 を X 線 回 折 極 点 図 法 に よ り 解 析 し た 。 特 に 、 第 2 章 で 提 案 し た Z nTe /サ フ ァ イ ア 構 造 の 配 向 性 に 規 則 性 が 生 じ る と い う 理 論 的 成 長 モ デ ル と の 比 較 を 重 点 的 に 行 っ た 。実 験 を 行 っ た 範 囲 内 で 、( 11 - 20 )、( 1 0 - 1 4) と( 11 - 2 3)基 板 で は 提 案 し た モ デ ル と は 異 な っ た 面 方 位 を 持 つ Z n Te 薄 膜 が 成 長 し た が 、 そ れ 以 外 の 面 方 位 基 板 で は 、 提 案 し た モ デ ル 通 り の Z n Te 薄 膜 の 配 向 が 実 験 的 に 確 認 で き た 。

サ フ ァ イ ア 基 板 に は イ オ ン 性 に よ り 原 子 結 合 に 指 向 性 が な い 。 サ フ ァ イ ア ( 0 0 0 1) / / Z n Te ( 111 )の 関 係 を 前 提 と す る と 、( 11 - 2 0)や( 1 0 - 1 4 )サ フ ァ イ ア 基 板 上 に は( 11 0)に 配 向 し た Z nTe が 形 成 さ れ る は ず だ が 、( 11 0 )は 無 極 性 で あ る た め サ フ ァ イ ア( 11 - 2 0)や( 1 0 - 1 4)の イ オ ン 性 の 影 響 を 受 け に く い こ と が モ デ ル と 実 験 に 差 が 現 れ た 原 因 で あ る と 解 析 さ れ た 。他 方 Z n Te ( 111)や( 1 0 0 )は 極 性 が あ る こ と か ら 提 案 モ デ ル 通 り の 配 向 が 生 じ た と 考 え ら れ た 。 こ れ ら の 結 果 か ら 、 単 に サ フ ァ イ ア

と Z n Te の 原 子 配 列 や 面 方 位 の 位 置 関 係 の み な ら ず 、 基 板 の イ オ ン 性 も 成 長 膜 の

ド メ イ ン 整 合 を 制 御 す る の に 重 要 で あ る こ と が 実 験 的 に 確 か め ら れ た 。

第 4 章 で は 、Z n Te/サ フ ァ イ ア 構 造 界 面 に 注 目 し 、 特 に サ フ ァ イ ア 基 板 上 に 挿 入 し た Z n Te バ ッ フ ァ 層(成 長 核)が Z n Te 薄 膜 の 配 向 性 に 与 え る 影 響 や 異 な る 2 種 類 の 面 方 位 を 持 つ サ フ ァ イ ア 基 板 が Z nTe 薄 膜 の 配 向 性 に 与 え る 影 響 に つ い て 得 ら れ た 知 見 を ま と め た 。Z n Te の 初 期 成 長 核 は 、 サ フ ァ イ ア 基 板 上 に 低 温 で 数 n m

の Z n Te バ ッ フ ァ 層 を 堆 積 さ せ 、 高 温 で ア ニ ー ル す る こ と に よ っ て 作 製 す る 。 そ

の 時 の バ ッ フ ァ 層 の 膜 厚 や ア ニ ー ル 温 度 ・ 時 間 を 変 化 さ せ る こ と に よ っ て 、 成 長 核 の ド メ イ ン 整 合 の 具 合 を 変 化 さ せ 、Z nTe 薄 膜 の 配 向 性 を 制 御 す る こ と が 可 能 か 検 討 を 行 っ た 。( 11 - 2 0)基 板 を 用 い た 場 合 、 バ ッ フ ァ 層 を 低 い 温 度 で ア ニ ー ル す る と( 1 0 0)に ド メ イ ン 整 合 し や す く な る が 、 高 い 温 度 で 行 う と 2 種 類 の{ 111}の ド メ イ ン 整 合 に 変 化 す る こ と が わ か っ た 。 こ の こ と は 、 ド メ イ ン 整 合 し た Z n Te 成 長

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核 を 制 御 す る こ と で Z n Te 薄 膜 の 面 方 位 も 制 御 可 能 で あ る こ と を 意 味 し て い る 。 ( 1 - 1 00 )基 板 は 、 大 気 下 で 熱 処 理 す る と( 1 - 1 0 2)と( 1 0 - 11 )の 異 な る 2 種 類 の 面 方 位 が 周 期 的 に 表 面 に 現 れ る ナ ノ フ ァ セ ッ ト 構 造 が 形 成 さ れ る 。こ の 基 板 上 に Z n Te を 成 長 し た と こ ろ 基 板 の 面 方 位 で は な く ナ ノ フ ァ セ ッ ト の 面 方 位 に 対 し て ( 1 0 - 11 ) / / Z n Te ( 111)の 関 係 を 保 っ て 成 長 し て い る こ と が 明 ら か に な っ た 。

第 3 章 で 得 ら れ た サ フ ァ イ ア の イ オ ン 性 が Z n Te の 配 向 制 御 を 阻 害 し て い る と い う 知 見 を 合 わ せ て 考 慮 し 、 基 板 面 方 位 を ナ ノ フ ァ セ ッ ト 面 の 方 向 に 傾 け る こ と で Z n Te 薄 膜 の 配 向 性 制 御 を 試 み た 。( 1 0 - 11)と( 1 - 10 2 )の 間 に 傾 斜 角 が つ け ら れ た ( 1 - 1 00 )基 板 を 熱 処 理 し た と こ ろ 、表 面 に ナ ノ フ ァ セ ッ ト が 形 成 さ れ る こ と を 初 め て 発 見 し た 。そ し て( 1 - 1 00 )か ら 約 1 8 度( 1 - 1 0 2)方 向 に 傾 け た 基 板 を 用 い た 場 合 に は 、( 11 0)に 配 向 し た Z n Te が 成 長 す る こ と を 実 験 的 に 明 ら か に し た 。 他 に も 、 結 晶 面 方 位 か ら 傾 斜 さ せ た 基 板 を 用 い 、 基 板 表 面 の ス テ ッ プ や キ ン ク を 増 加 さ せ る こ と で Z n Te の 配 向 性 に つ い て 制 御 可 能 な こ と を 明 ら か に し た 。

第 5 章 で は 、Z n Te /サ フ ァ イ ア 構 造 に お け る ド メ イ ン 整 合 の 改 善 に よ り Z n Te 薄 膜 の 結 晶 性 を 改 善 さ せ る 方 法 に つ い て 検 討 し た 結 果 を ま と め た 。 ( 0 0 0 1)基 板 を 用 い 、Z n Te 低 温 バ ッ フ ァ 層 の 膜 厚 、バ ッ フ ァ 層 の ア ニ ー ル 温 度 ・ 時 間 を 変 化 さ せ て 成 長 核 を 大 き く し た と こ ろ 、Z n Te ( 111)単 一 ド メ イ ン 薄 膜 の 作 製 に 成 功 し た 。 更 に 熱 処 理 を 行 い 、 単 原 子 高 さ を 持 つ ス テ ッ プ と 原 子 ス ケ ー ル で 平 坦 な テ ラ ス 構 造 を 持 つ 状 態 の 基 板 を 用 い た 時 は 、 結 晶 性 の 改 善 も 進 み 111 回 折 ピ ー ク の 半 値 全 幅 が 約 4 0 0 a r c s e c に な っ た 。 こ の 値 は 、 格 子 不 整 9 . 6％ の 六 方 晶 基 板 上 閃 亜 鉛 鉱 構 造 結 晶 と し て は 特 筆 す べ き 値 と 考 え ら れ る 。

更 に 、サ フ ァ イ ア 基 板 上 Z n Te の 選 択 横 成 長( E L O )に よ る 薄 膜 内 の 転 位 数 軽 減 を 目 指 し 、S i O2 マ ス ク を パ タ ー ン ニ ン グ し た 基 板 を 用 い て Z n Te の 選 択 成 長 や 横 方 向 成 長 を 検 討 し た 結 果 も 報 告 し た 。

第 6 章 で は 、 本 研 究 の 総 括 を 行 っ た 。 本 論 文 で は Z n Te /サ フ ァ イ ア 構 造 の 成 長 機 構 を 初 め て 解 明 し 、 面 方 位 を 制 御 し た Z n Te 薄 膜 を 通 常 の 半 導 体 基 板( G a As )上 に 形 成 す る の と 同 等 の 品 質 で 成 長 可 能 な こ と を 明 ら か に し た 。 成 果 で あ る 高 品 質 ( 11 0)配 向 Z n Te 薄 膜 成 長 の 成 功 は 、 こ の 材 料 の 高 感 度 テ ラ ヘ ル ツ 波 検 出 素 子 へ の 応 用 を 加 速 す る も の と 考 え ら れ る 。

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Ｎｏ.1

早稲田大学 博士（工学） 学位申請 研究業績書

氏 名 中須 大蔵 印

（2017年 2月 現在）

種 類 別 題名、 発表・発行掲載誌名、 発表・発行年月、 連名者（申請者含む）

論文 原著論文

○1. T. Nakasu, W. Sun, and M. Kobayashi, Surface Modification of a-plane Sapphire Substrates and its Effect on the Crystal Orientation of ZnTe Layer, Japanese Journal of Applied Physics, 56(1) (2016) 015505

○2. T. Nakasu, W. Sun, M. Kobayashi, and T. Asahi, Effect of Zn and Te beam intensity upon the film quality of ZnTe layers on severely lattice mismatched sapphire substrates by molecular beam epitaxy, Journal of Crystal Growth (2016) doi:10.1016/j.jcrysgro.2016.11.035

○3. T. Nakasu, W. Sun, M. Kobayashi, and T. Asahi, Growth and Crystal Orientation of ZnTe on m-Plane Sapphire with Nano-faceted Structure, Journal of Electronic Materials (2016) doi:10.1007/s11664-016-5165-2

○4. T. Nakasu, S. Hattori, W. Sun, M. Kobayashi, Selective growth of ZnTe on sapphire substrates using SiO2 mask, Physica Status Solidi B, 253(11) (2016) 2265

○5. T. Nakasu, T. Aiba, S. Yamashita, S. Hattori, T. Kizu, W. Sun, K. Taguri, F. Kazami, Y.

Hashimoto, S. Ozaki, M. Kobayashi, and T. Asahi, Epitaxial Relationship Analysis between ZnTe Epilayers and Sapphire Substrates, Journal of Electronic Materials, 45(10) (2016) 4742-4746

○6. T. Nakasu, S. Hattori, T. Kizu, W. Sun, F. Kazami, Y. Hashimoto, M. Kobayashi, and T.

Asahi, ZnTe Layers on R- and S-plane Sapphire Substrates, Physica Status Solidi C, 13(7-9) (2016) 435-438

○7. T. Nakasu, T. Kizu, S. Yamashita, T. Aiba, S. Hattori, W. Sun, K. Taguri, F. Kazami, Y.

Hashimoto, S. Ozaki, M. Kobayashi and T. Asahi, Surface Texture and Crystallinity Variation of ZnTe Epilayers Grown on the Step-terrace Structure of the Sapphire Substrate, Journal of Electronic Materials, 45(4) (2016) 2127-2132

○8. T. Nakasu, T. Aiba, S. Yamashita, S. Hattori, T. Kizu, W. Sun, K. Taguri, F. Kazami, and M.

Kobayashi, The Growth of ZnTe Epilayers on r-Plane and n-Plane Sapphire Substrates, Japanese Journal of Applied Physics, 54 (2015) 075501

○9. T. Nakasu, T. Aiba, S. Yamashita, S. Hattori, W. Sun, K. Taguri, F. Kazami, M. Kobayashi, and T. Asahi, Control of Domain Orientation during the MBE Growth of ZnTe on a-Plane Sapphire, Journal of Crystal Growth, 425 (2015) 191-194

○10. T. Nakasu, S. Yamashita, T. Aiba, S. Hattori, W. Sun, K. Taguri, F. Kazami, and M.

Kobayashi, Crystal orientation mechanism of ZnTe epilayers formed on different orientations of sapphire substrates by molecular beam epitaxy, Journal of Applied Physics, 116 (2014) 163518

○11. T. Nakasu, W. Sun, S. Yamashita, T. Aiba, K. Taguri, M. Kobayashi, T. Asahi and H. Togo, MBE Growth and Characterization of ZnTe Epilayers on m-Plane Sapphire Substrates, Physica Status Solidi C, 11(7-8) (2014) 1182-1185

○12. T. Nakasu, M. Kobayashi, T. Asahi and H. Togo, (211) oriented domain formation during the growth of ZnTe on m-plane sapphire by MBE, Journal of Electronic Materials, 43(4) (2014) 921-925

○13. T. Nakasu, M. Kobayashi, T. Asahi and H. Togo, Molecular Beam Epitaxy Growth and Pole Figure Analysis of ZnTe Epilayer on m-Plane Sapphire, Japanese Journal of Applied Physics, 53 (2014) 015502

○14. T. Nakasu, M. Kobayashi, H. Togo, and T. Asahi, (211) oriented ZnTe growth on m-plane sapphire by MBE, Physica Status Solidi C, 10(11) (2013) 1381-1384

○15. T. Nakasu, Y. Kumagai, K. Nishimura, M. Kobayashi, H. Togo, and T. Asahi, Molecular Beam Epitaxy Growth of ZnTe Epilayers on c-Plane Sapphire, Applied Physics Express, 5 (2012) 095502

Ｎｏ.2

早稲田大学 博士（工学） 学位申請 研究業績書

種 類 別 題名、 発表・発行掲載誌名、 発表・発行年月、 連名者（申請者含む）

講演 国際会議

1. T. Nakasu, W. Sun, M. Kobayashi, T. Asahi, Influence of nano-facet structures on the orientation of the ZnTe film on sapphire substrate, 32nd North American Molecular Beam Epitaxy Conference, Saratoga Springs, Ny, USA, MBE-MoP26, September 2016

2. T. Nakasu, W. Sun, M. Kobayashi, and T. Asahi, Influence of the sapphire substrate surface treatment on the domain structure of the ZnTe epilayer, 19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Mo-P-6, Montpellier, France, September 2016

3．T. Nakasu, W. Sun, M. Kobayashi, and T. Asahi, Growth and characterization of ZnTe layers on severely lattice mismatched sapphire substrates by MBE, 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy, Fr1-T04-7, Nagoya, Japan, August 2016

4. T. Nakasu, T. Kizu, W. Sun, F. Kazami, M. Kobayashi, T. Asahi, The growth process analysis of the ZnTe layer on the m-plane sapphire substrate with nano-facet structures, 43rd International Symposium on Compound Semiconductors, MoP-ISCS-012, Toyama, Japan, June 2016

5. T. Nakasu, S. Hattori, Y. Hashimoto, W. Sun, J. Wang, M. Kobayashi, and T. Asahi, Growth and Crystal Orientation of ZnTe on m-Plane Sapphire with Nano-faceted Structure, 58th Annual Electronic Materials Conference, Z8, Newark, De, USA, June 2016

6. S. Hattori, T. Nakasu, T. Kizu, Y. Hashimoto, W. Sun, F. Kazami, M. Kobayashi, and T. Asahi, Epitaxial lateral overgrowth Epitaxial of ZnTe on sapphire substrates using SiO2 mask, The 43rd Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces, We1445, Palm Springs, Ca, USA, January 2016

7. T. Nakasu, S. Yamashita, T. Aiba, S. Hattori, T. Kizu, W. Sun, K. Taguri, F. Kazami, Y.

Hashimoto, S. Ozaki, M. Kobayashi, and T. Asahi, ZnTe Layers on R- and S-plane Sapphire Substrates, 17th International Conference on II-VI Compound and Related Materials, MoA-2, Paris, France, September 2015

8. T. Nakasu, T. Aiba, S. Yamashita, S. Hattori, T. Kizu, W. Sun, K. Taguri, F. Kazami, Y.

Hashimoto, S. Ozaki, M. Kobayashi, and T .Asahi, Epitaxial Relationship Analysis between ZnTe Epilayers and Sapphire Substrates, 57th Annual Electronic Materials Conference, PS-2, Columbus, Oh, USA, June 2015

9. T. Nakasu, T. Kizu, S. Yamashita, T. Aiba, S. Hattori, W. Sun, K. Taguri, F. Kazami, Y.

Hashimoto, S. Ozaki, M. Kobayashi and T. Asahi, Surface texture and crystallinity variation of ZnTe epilayers grown on the step-terrace structure of the sapphire substrate, 57th Annual Electronic Materials Conference, PS-3, Columbus, Oh, USA, June 2015

10. T. Nakasu, T. Aiba, S. Yamashita, S. Hattori, W. Sun, K. Taguri, F. Kazami, M. Kobayashi, and T. Asahi, Control of Domain Orientation during the MBE Growth of ZnTe on a-Plane Sapphire, 18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, TuC3-5, Flagstaff, AZ, USA, September 2014

11. T. Nakasu, T. Aiba, S. Yamashita, S. Hattori, W. Sun, K. Taguri, F. Kazami, M. Kobayashi, and T. Asahi, Effect of (0001) surface on the orientation of ZnTe epilayer/sapphire substrate, 56th Annual Electronic Materials Conference, PS-9, Santa Barbara, CA, USA, June 2014 12. T. Nakasu, W. Sun, S. Yamashita, T. Aiba, K. Taguri, M. Kobayashi, T. Asahi and H. Togo,

MBE Growth and Characterization of ZnTe Epilayers on m-Plane Sapphire Substrates, The 16th International Conference on II-VI Compound and Related Materials, We-B2, Nagahama, Japan, September 2013

13. T. Nakasu, M. Kobayashi, H. Togo and T. Asahi, (211) oriented domain formation during the Growth of ZnTe on m-plane sapphire by MBE, 55th Annual Electronic Materials Conference, X5, South Bend, In, USA, June 2013

14. T. Nakasu, M. Kobayashi, H. Togo and T. Asahi, (211) oriented ZnTe growth on m-plane sapphire by MBE, 40th International Symposium on Compound Semiconductors, MoPC-01-10, Kobe, Japan, May 2013

15. T. Nakasu and M. Kobayashi, MBE growth and pole figure analysis of ZnTe epilayers on sapphire substrates, 17th European Molecular Beam Epitaxy Workshop, Tue IV: 39, Levi,

Ｎｏ.3

早稲田大学 博士（工学） 学位申請 研究業績書

種 類 別 題名、 発表・発行掲載誌名、 発表・発行年月、 連名者（申請者含む）

講演 国内発表

Finland, March 2013

16. T. Nakasu, Y. Kumagai, K. Nishimura and M. Kobayashi, MBE Growth of ZnTe epilayers on m-plane (10-10) sapphire substrates, 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, ThB-3-2, Nara, Japan, September 2012

17. T. Nakasu, Y. Kumagai, K. Nishimura, A. Uruno and M. Kobayashi, Growth of ZnTe epilayers on severely lattice mismatched c-plane sapphire by MBE, 54th Annual Electronic Materials Conference, L4, University Park, Pa, USA, June 2012

1. 中須大蔵, 小林正和, 朝日聡明, サファイア基板上 ZnTe 薄膜の分子線エピタキシー成 長, 第5回結晶工学未来塾研究ポスター発表会, 40, 小金井, 11月 2016年

2. 中須大蔵, 孫惟哲, 小林正和, 朝日聡明, サファイア基板表面のナノファセット構造に よるZnTe薄膜の配向制御, 2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会, 13p-D61-4, 新 潟, 9月 2016年

3. 中須大蔵, 木津健, 服部翔太, 橋本勇輝, 孫惟哲, 風見蕗乃, 王兢, 小高圭佑, 玉川陽 菜, 山本洋輔, 小林正和, 朝日聡明, サファイア基板の化学処理がZnTe薄膜のドメイン 構造形成に与える効果, 2016年第63回応用物理学会春季学術講演会, 22a-H116-1, 東京, 3月2016年

4. 中須大蔵, 服部翔太, 木津健, 橋本勇輝, 孫惟哲, 風見蕗乃, 王兢, 山本洋輔, 玉川陽 菜, 小高圭佑, 小林正和, 朝日聡明, ナノファセットを持つサファイアm面基板上ZnTe 薄膜の成長過程解析, 2016年第63回応用物理学会春季学術講演会, 22a-H116-2, 東京, 3 月2016年

5. 玉川陽菜, 中須大蔵, 服部翔太, 木津健, 橋本勇輝, 小高圭佑, 山本洋輔, 孫惟哲, 風見 蕗乃, 王兢, 小林正和, 朝日聡明, MBE 法により作製されたサファイア基板上 ZnTe 薄 膜の結晶性評価, 平成28年電気学会全国大会, No2-091, 仙台, 3月 2015年

6. 服部翔太, 中須大蔵, 橋本勇輝, 木津健, 孫惟哲, 風見蕗乃, 小林正和, 朝日聡明, SiO2 マスクを用いたサファイア基板上ZnTeの選択成長, 2015年第76回応用物理学会秋季学 術講演会, 13a-1A-1, 名古屋, 9月 2015年

7. 橋本勇輝, 中須大蔵, 木津健, 服部翔太, 孫惟哲, 風見蕗乃, 小林正和, 朝日聡明, サフ ァイアm面基板の熱処理とZnTe薄膜の結晶性改善, 2015年第76回応用物理学会秋季 学術講演会, 13p-PB1-1, 名古屋, 9月 2015年

8. 相場貴之, 中須大蔵, 山下聡太郎, 服部翔太, 木津健, 孫惟哲, 田栗光祐, 風見蕗乃, 橋 本勇輝, 小﨑峻, 小林正和, 朝日聡明, 高温ZnTeバッファ層導入によるZnTe薄膜のド メイン構造の改善, 2015年第62回応用物理学会春季学術講演会, 13p-A17-1, 平塚, 3月 2015年

9. 木津健, 中須大蔵, 山下聡太郎, 相場貴之, 服部翔太, 孫惟哲, 田栗光祐, 風見蕗乃, 小 﨑峻, 橋本勇輝, 小林正和, 朝日聡明, サファイア基板表面のステップ構造がZnTe薄膜 成長にもたらす効果, 2015年第62回応用物理学会春季学術講演会, 13p-A17-2, 平塚, 3 月 2015年

10. 山下聡太郎, 中須大蔵, 木津健, 相場貴之, 服部翔太, 孫惟哲, 田栗光祐, 風見蕗乃, 橋本勇輝, 小﨑峻, 小林正和, 朝日聡明, オフ角を持つサファイア a 面基板のステップ 構造による ZnTe ドメイン構造の改善, 2015 年第 62 回応用物理学会春季学術講演会, 13p-A17-3, 平塚, 3月 2015年

その他12件