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0 嬬JB鵯JJHv "

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0‑1 0 0‑ 0 鍔‑一一PHrrS(JQMD+GEM) ﾕ 4 $ "ｴtTﾒ

‑‑.‑Ptm(Mni+GEM)

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0 1 0 20 30 40 50

Energy(MeV)

図4.29:リチウム生成二重微分断面積(50 MeV陽子) ; PHITSコードとの比較

1'▲配C(30deS.)I

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■ヽ･..､＼

I.ヽ一､.ヽ

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1.‑1‑. +BCC(90deg.) 0‑PI廿r町ⅠSOBAR十CEM)

‑.̲̲一一‑‑PtqlYJQMD+GEM)

● .‑‑‑‑pHrrSOkrtiTd+GEM) ‑1

←■､､ ■ヽヽヽ

ー■ヽ､ '､､＼1.Nb;竺E̲::.警

0 1 0 20 30 40 50

Energy(MeV)

図4.28: ‑リウム生成二重微分断面積(50 MeV陽子) ; PHITSコードとの比較

0.I +8cc(30deB.)

‑PtqrS(氾AR+GEM)

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‑.‑耶Bdni+GEM)

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‥デ甑七.Y̲聖̲==̲.

0 1 0 20 30 40 50

Energy(MeV)

図4.30:ベリリウム生成二重微分断面積 (50MeV陽子) ; PmTSコードとの比較

‑

一

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‑一一一一PHnS(JQMD+GEM)

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lO lO lO LOO l0‑1 UB

/.＼こヽ

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10ー 10‑3 10 loo 10‑I 10 10‑ 陳

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‑HPHnS(蜘+GEM)

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01020304050

Energ(MeV)

図4.31:ボロン生成二重微分断面積(50 MeV陽子) ; PtIITSコードとの比較

loo l0‑1 lO 遅ﾃ 62 ﾘｨR竰

‑PtdtSOBAR+G

‑‑一一PmTS(JQMD+Q:M)

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̲■.I‑■ヽ●ヽ ‑■ーヽ､

lO lO lOO l0‑1 10 ﾒy?｢钁粐粤ｨ+ ｣ｷC I::｢.̲.̲ち̲一.

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‑‑‑‑PmTS(JQMD+q訂叫

‑一一PmTS(BdEj+GEM)

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lO 10 loo 10‑1 10ーﾈﾈ耳爾停簫‑ll.包̲

ll'■1 ‑8cc(90deg.)

‑Pt8岱OBAR+a

‑‑‑‑‑Pt4lTS(JQMD十QEM)

‑.一一一PHⅠTS(Ehdni+GE叫

一ーヽ .ヽ

10一 10 ﾘｸﾈ

l:1王.‥̲l竺竺望竺:̲̲

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010 20304050

Ener野(Me V)

図4.32:炭素生成二重微分断面積(50 MeV 陽子) ;PⅡITSコードとの比較

20 30 40 50

Enetw (MeV)

0 10

図4.33:窒素､酸素生成二重微分断面積(50 MeV陽子) ; PHTSコードとの比較

[( J S,

^a M) Jq tu ] tI O! IO OS

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4.2.3 シリコン

シリコンに関しても､ α粒子に対して､本実験値は図4.20､図4.21に示すようにLA150と一致が見られ､

低エネルギー領域しか実験値は得られていないが計算値との良い一致が見られた｡図4.36‑図4.40 (70 MeV 陽子入射反応)､図4.41‑図4.47 (50 MeV陽子入射反応)にBCCで得られたSi(p,He)､ (p,Li)､ (p,Be)､

(p,B)､ (p,C)､ (p,N)､ (p,0)反応によって30‑､ 60‑､ 90‑､ 135‑deg･方向に生成されたフラグメントのエネ

ルギースペクトルを計算値と共に示す｡

概ね､ボロン以上の重い核においてISOBAR + GEMモデルによる計算値は実験値を再現している｡しかし､リチウムやベリリウムのような軽フラグメント放出において､前方角にて大きな過′j､評価が見られた｡ほぼ等方に放出される蒸発過程の低エネルギーフラグメントは概ね実験値を再現しているが､フラグメント放出の前方性や高エネルギーフラグメントはカスケード過程で記述されるため､カスケード過程での積極的な軽フラグメント放出過程を計算に入れる必要があると考える｡

0 10 20 30 40 50 60 70

Energy(MeV)

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00 0‑1 0‑ 0‑ 01 00 鍔.‑,.､一一一一PHlTS(JQMD+GEM) ｕE2 E4 (覆ｴtR

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●､ヽ一㌧.:.Y.〜 lt■■N

+BCC(90deB)

‑PH]TS(lSOZIAR+6 J.‑.､‑‑‑一一PHⅠTS(JQMD+GEM)

0‑1 0ー 0ー 01 00 0‑I 0 0● ﾂ罘GB粐ﾒ簫 E5 Hﾈﾆ超vdﾒﾈ ( "

●ヽ ■ヽ ●ヽーヽ

'.ヽ〜,〜 tヽ ̲̲̲1日IH

l''一‥ ●BCC(135de‑)

‑PHITS(ⅠSOBAR+GEM) ‑一一PmS(JQMD+GEM) I.､､‑‑HPfdrrSPertbi+GEM) ●ヽ ●ヽ ■ヽ '､､ヽヽ■ ■t ■､ゝ∧ tI.tp .★ー̲★̲

10 20 30 40 50 60 70

Energy(MeV)

図4.34: ‑リウム生成二重微分断面積(70 図4.35: ‑リウム生成二重微分断面積(70 MeV陽子) ;評価値との比較 MeV陽子) ; PHITSコードとの比較

︻ (J S･

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‑ 1 1 1

︻(JS･^aM)rq且tm!tOaS畠OhOtqttだaB!PatqnOQ

図4.36:リチウム生成二重微分断面積(70 MeV陽子) ; PmTSコードとの比較

図4.38:ボロン生成二重微分断面積(70 MeV陽子) ; PHITSコードとの比較

151

10‑1 免ﾆﾆﾈﾒｴ$42 ﾆ FRﾒﾕ E4 4 $ "ｴtTﾒ

10 10 10 10‑1 ﾈ耳耳而 E2├ ﾔBｴtTﾒ

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010203040506070

EneTgy(MeV)

図4.37:ベリリウム生成二重微分断面積

(70MeV陽子) ; PHITSコードとの比較

図4.39:炭素生成二重微分断面積(70 MeV 陽子) ;PHTSコードとの比較

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′､.ゝ=;諾…隈駅去BSi")

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lll ‑8cc(60deg.)

‑PrHTSOSOtlAR+GEM)

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0 0 0 哽JE

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ﾈ孑 2X暁"舩Tﾒ

I‑.ーT.‑....PmSOhErthi'GEM)

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0 10 20 30 40 50 60 70

Enerw(MeV)

図4.40‥窒素､酸素生成二重微分断面積(70MeV陽子) ; PHTSコードとの比較

ol ﾇFﾄ 2 FVr竰

00 0‑1 0 0 ol 牝ﾄﾃS

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00 0‑1 0 0 ol uD ﾃS

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00 0‑1 0 0 牝ﾄ S lsi(pp)XE声OMeV

0 1 0 20 3 0 40 50

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‑PIⅡTS(tSOBAR+GEM) 0,.ニ:.㌔.一一一一一pHTS(JQMD+aM)

･L＼日日‑PIⅡTS(Mni+GEM)

‑1.'■.､丁ヽヽヽ '..:.I::､＼ ■ヽヽヽヽ

lll 48cc(60deg.)

‑PtnS(BOBAR+GEM)

0‑‑‑‑‑pfnTS(JQMD+GEM

･.ヽ..‑..PttlTS(tbdd+GEM) .lI'.､

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ヽヽ ●.ヽ､､､▲

I 48cc(90deg.)

‑PrⅡTS(BOBAR+GEM)

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㌔..:I.::.､lsib,岬OMcV

01020304050

Energy(MeV)

図4.41: ‑リウム生成二重微分断面積(50 図4.42: ‑リウム生成二重微分断面積(50 MeV陽子) ;評価値との比較 MeV陽子) ; PHITSコードとの比較

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0‑ 0‑ 0 00 0‑1 致ﾕF斡 "

Ill ●8cc(90deg.)

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‑.‑.‑PfqerdDi+GEM)

0‑ 0‑ 0 置5B粨枴俯ﾒ

0 1 0 20 30 40 50

Enew(MeV)

図4.43:リチウム生成二重微分断面積(50 MeV陽子) ; PHITSコードとの比較

● BCC(Bodes.)

‑帆+ G恥, 0‑I 0‑ 停粐簫ﾒﾒﾒﾘｩ｢ｴtTﾒ

㌔ ● 0 0 00 0‑1 0 0‑ 0 00 0‑1 0‑ 0 0 H (v

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母.匝讐…̲=̲e̲I

0 1 0 20 30 40 50

EJlerW(MeV)

図4.45:ボロン生成二重微分断面積(50 MeV陽子) ; PHITSコードとの比較

00 0‑1 0ー 0 0 00 0‑I 0‑ 0‑3 0 ﾄ$42 F6r竰

‑PtmOSOBAR+GEM)

･‑‑‑‑PHlTS(如ti+GEM)

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00 0‑1 0 0‑3 0 免ﾂﾉ¥ｨﾔ2ン FVr竰

‑PHlTS(ISOBAR+GEM)

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〜

丹史,̲=̲2==̲竺=̲ ■ー!】̲̲

0 1 0 20 30 40 50

Energy(MeV)

図4.44:ベリリウム生成二重微分断面積 (50MeV陽子) ; PHITSコードとの比較

8 BCC(30deB)

81も､潰C蹠G'%7Rｴv .｢耳vH耳爾ﾕ Fﾒヨ F蜘ｺ

0 0 0 00 0‑1 ﾈﾂﾂﾂ爾粐簫粐粐v ﾂr粐粨v H

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‑PHmAR+G

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‑PHⅠTSSOBAR+GEM)

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0 0‑ 0 ﾂ粐粐ｲﾇ6 ｿ8

0 1 0 20 30 40 50

Ene喝y(MeV)

図4.46:炭素生成二重微分断面積(50 MeV 陽子) ; PHTSコードとの比較

‑

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1 0 20 30 40 50

Energy (MeV)

図4.47:窒素､酸素生成二重微分断面積(50MeV陽子) ; PHTSコードとの比較

アルミニウムとの比較

これまで､シリコンに関する断面積データはほとんど無いため､ SEUの評価では､シリコンの原子番号に近いアルミニウムのデータを用いることで評価を行っていた｡この妥当性を実験で得られたアルミニウムの結果とシリコンの結果を比較することによって検討する｡図4.48‑図4.53までアルミニウムとシリコ

ンによる(p,He)､ (p,Li)､ (p,Be)､ (p,B)､ (p,C)､ (p,N)､ (p,0)反応によって30‑､ 60‑､ 90‑deg･方向に生

成されたフラグメントのエネルギースペクトルを共に示す｡リチウムの高エネルギー領域を除いて､概ねアルミニウムとシリコンの結果は一致した｡アルミニウムではAl(p,6Li)22Na反応などのQ値が､シリコンの反応Si(p,6Li)23Mg反応などに比べて大きいためと考えられる｡

Q値が大きい場合､核反応の崩壊モードがフラグメント放出チャンネルに行く確率が上がるので､積極的なフラグメント放出が起こりやすい｡理論計算において､カスケード過程における積極的なフラグメン

ト放出を考慮すべきと考える｡

︻( B･

^a M) Jq t u] uO

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･S SO h9 tt F! t tl 巴a B! Pa t qT tO G

図4.48: ‑リウム生成二重微分断面積 (70MeV陽子);アルミニウムとシリコンとの比較

EnerwPdeV)

図4.50:ベリリウム生成二重微分断面積(70MeV陽子) ;アルミニウムとシ

リコンとの比較

155

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10■ lO l○ ﾃ 62 ﾂ

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010203040506070

Enerw(MeV)

図4.49:リチウム生成二重微分断面積 (70MeV陽子);アルミニウムとシリコンとの比較

l0‑1 lO lO I 10.1 C3 F4$W 53s ﾖR

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10 10

olO203040506070

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図4.51:ボロン生成二重微分断面積(70 MeV陽子) ;アルミニウムとシリコン

との比較

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CaI60deg.J:p可OME'

0 0‑ 0 ｢ﾕCｨ 4つ穩

ドキュメント内陽子・中性子によるフラグメント生成と物質・生体影響に関する研究 (ページ 161-169)

fh.

Energy(MeV)

ー■ヽ､ '､､＼1.Nb;竺E̲::.警

Energy(MeV)

‑.?>ヽ

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‑1‑‑‑pF8TS(JQMD+GEM)

‥デ甑七.Y̲聖̲==̲.

Energy(MeV)

lO lO lO LOO l0‑1 UB

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tl 二組.G叫

10ー 10‑3 10 loo 10‑I 10 10‑ 陳

A..

Energ(MeV)

l:1王.‥̲l竺竺望竺:̲̲

(p,B)､ (p,C)､ (p,N)､ (p,0)反応によって30‑､ 60‑､ 90‑､ 135‑deg･方向に生成されたフラグメントのエネ

Energy(MeV)

Energy(MeV)

151

i.

二,BSCT&d鮎.ciEM)

EneTgy(MeV)

▲̲:.."至日日.=… 冦ｨﾈ"隰i9 ｶWfﾂ

0 0 0 哽JE

ﾈ孑 2X暁"舩Tﾒ

Energy(MeV)

‑PtnS(BOBAR+GEM)

0,:.<',...1､､7.二:諾課濫三宅EyM, ‑I:I..:㌔.

Energy(MeV)

苓㌔̲̲̲ ■ lll +BCC(60dcB) ‑PZqrS(ISOBAR+GEM)

0‑ 0‑ 0 00 0‑1 致ﾕF斡 "

‑.‑.‑PfqerdDi+GEM)

0‑ 0‑ 0 置5B粨枴 俯 ﾒ

‑‑.PmTSPerbd+GEM)

f㌔.

母.匝讐…̲=̲e̲I

EJlerW(MeV)

'TIi ̲̲T一.

S.Tt!

丹史,̲=̲2==̲竺=̲ ■ー!】̲̲

Energy(MeV)

ンによる(p,He)､ (p,Li)､ (p,Be)､ (p,B)､ (p,C)､ (p,N)､ (p,0)反応によって30‑､ 60‑､ 90‑deg･方向に生

155

竿寓̲̲干C'si' OBCC(Al.)

‑gQ汽̲ 至

.̲̲̲̲鞠…̲̲̲

Enerw(MeV)

㌔̲i.AK'Si'

EnerwOdeV)

0‑ 0‑ 0 置5B粨枴俯ﾒ