第 4 章 ハルトマン層を考慮した 300mmMCZ プロセスの解析
4.4 計算結果
ここでは、ハルトマン層考慮の有無の違いを確認するため、本部分モデルと第 2 章のモ デルの結果を比較する。
4.4.1 流動の時間変動
部分モデルの計算結果から流動の時間変動の挙動を確認すると、第 2 章と同様に周期的 な変動と思われる挙動が見られた。部分モデルにて回線開始後120 秒から280 秒までの流 動分布を 20 秒毎に抽出し、図 4-4に示す。比較対象として、第 2章の計算結果より同様 の周期変動挙動と考えられる380 秒から440 秒までの流動分布を並べて示す。表示した面 は中心軸を通る磁場に垂直な面(y = 0 面)であり、流線で表示した。
120 秒において全体で一つ渦の流動であるが、160 秒において固液界面下にてコールド プリュームが形成され、それが一つ渦の流れと熱対流により輸送される。220 秒にてルツ ボ壁近傍へと輸送されたコールドプリュームは加熱され、280 秒に消滅、再度全体で一つ 渦の状態に戻る。この挙動は第 2 章で記載したものと同じであり、周期変動の原因は熱対 流によるレイリー・ベナール不安定性に起因すると考えられる。
パラメータ 単位 設定値
シリコン融液量 kg 200
結晶長 mm 1500
結晶径 mm 305
引き上げ速度 mm/min 0.5
結晶回転速度 rpm -10.0
ルツボ回転速度 rpm 0.5
磁場強度 T 0.3
Ar流量 L/min* 150
炉内圧 Pa 4000
* 標準状態(273.15 K かつ 101325 Pa)
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図 4-4 シリコン融液の流動分布の時間変動 中心軸を含む磁場に垂直な鉛直断面を表示 (a) 本章の部分モデル
(b) 第2章のグローバルモデル
4.4.2 固定時刻における流動・温度分布
本部分モデルの計算開始から280 秒、第2章のモデルの計算開始から580 秒における流 動、温度分布を比較した。図 4-5と図 4-6に並べて示す。流速の表示は、向きはベクトル、
流速の大きさは色で表示している。表示した面は、中心軸を含む磁場に垂直な鉛直断面、
中心軸を含む磁場に平行な鉛直断面、気液界面下1 mm の水平断面の3つとした。
380s
400s
420s
440s
460s
480s
500s
520s
540s 120s
140s
160s
180s
200s
220s
240s
260s
280s
(b) (a)
B
Velocity
(m/s)
79
図 4-5 固定時刻におけるシリコン融液の流動分布
(左)本章の部分モデルの結果、(右)第2章のグローバルモデルの結果
(a),(b)は中心軸を含む磁場に垂直な鉛直断面(y = 0 面)をy軸負方向から見た図、
(c),(d)は中心軸を含む磁場に平行な鉛直断面(x = 0 面)をx軸正方向から見た図、
(e),(f)は気液界面下1 mmの水平断面(z = 0 面)をz軸正方向から見た図
(a)
B
B
B
(b)
(c) (d)
(e) (f)
z
z
y Velocity
(m/s)
x
y
x
80
図 4-6 固定時刻におけるシリコン融液の温度分布
(左)本章の部分モデルの結果、(右)第2章のグローバルモデルの結果
(a),(b)は中心軸を含む磁場に垂直な鉛直断面(y = 0 面)をy軸負方向から見た図、
(c),(d)は中心軸を含む磁場に平行な鉛直断面(x = 0 面)をx軸正方向から見た図、
(e),(f)は気液界面下1 mmの水平断面(z = 0 面)をz軸正方向から見た図
流速分布について、いずれの面においても両計算結果で流れの向き・絶対値ともにほぼ 同等である。温度分布は、磁場に垂直な面では両計算結果で同等であるが、気液界面下1 mm 面では違いが見られ、部分モデルの方が磁場方向の温度勾配が小さい。
(a)
B
B
B
(b)
(c) (d)
(e) (f)
z
z
y x
y
x (K)
(K) (K) Temperature
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