博 士 論 文 概 要

早稲田大学大学院理工学研究科

博  士  論  文  概  要

論   文   題   目

分子スケール電界効果トランジスタ構造の作製技術に 関する研究

Study on fabrication technologies of molecular scale field effect transistor structure

申    請    者

江面 知彦

Tomohiko Edura 氏    名

ナノ理工学専攻  マイクロシステム工学研究 専攻・研究指導

(課程内のみ)

2006 年     12 月

本 論 文 は 、 有 機 半 導 体 薄 膜 の キ ャ リ ア 移 動 度 の 評 価 を 行 う 事 を 目 的 と し た 、 分 子 ス ケ ー ル の 電 界 効 果 ト ラ ン ジ ス タ （F E T） 構 造 の 作 製 技 術 に つ い て 述 べ た も の で あ る 。 近 年 、 有 機 E L を は じ め と し た 有 機 薄 膜 を 用 い た 電 子 デ バ イ ス が 実 用 化 さ れ 、 有 機 半 導 体 材 料 へ の 関 心 が 高 ま っ て い る 。 し か し 現 状 で は 、 特 に 分 子 ス ケ ー ル の 有 機 半 導 体 薄 膜 の 電 気 的 特 性 を 評 価 す る た め の 適 切 な 技 術 ／ デ バ イ ス は な く 、 そ の 開 発 が 切 望 さ れ て い る 。 本 研 究 に 於 い て 著 者 は 、 前 述 の 電 気 的 特 性 評 価 技 術 の う ち 、有 機 半 導 体 薄 膜 の キ ャ リ ア 移 動 度 を 分 子 ス ケ ー ル F E T で 評 価 す る 技 術 に 着 目 し て 、 以 下 の ２ 点 に 重 点 を お い て 研 究 を 行 っ た 。 １ ） ド レ イ ン ・ ソ ー ス 電 極 と ゲ ー ト 絶 縁 膜 の そ れ ぞ れ の 表 面 の 粗 さ 及 び 境 界 段 差 の 平 坦 化 、 ２ ） ゲ ー ト 絶 縁 膜 ／ ド レ イ ン ・ ソ ー ス 電 極 と 有 機 分 子 薄 膜 の 密 着 性 の 確 保 と 有 機 分 子 結 晶 の 配 向 制 御 。 本 論 文 は 上 記 2 点 の 技 術 的 課 題 を ど の よ う に 解 決 し 、 有 機 半 導 体 薄 膜 の キ ャ リ ア 移 動 度 の 評 価 を 可 能 に し た の か の 成 果 を ま と め た も の で あ り 、 全 六 章 で 構 成 さ れ て い る 。 以 下 に そ の 概 要 を 述 べ る 。

第 一 章 「 序 論 」 で は 、 ま ず 、 有 機 E L に 代 表 さ れ る 有 機 エ レ ク ト ロ ニ ク ス デ バ イ ス の 現 状 と 応 用 例 に つ い て 概 説 し た 。 次 に 、 有 機 薄 膜 ト ラ ン ジ ス タ を 例 に 、 そ の 構 造 と 特 徴 、 代 表 的 作 製 方 法 に つ い て 論 じ た 。 更 に 、 デ バ イ ス を 構 成 す る 有 機 材 料 に 対 し て の 評 価 指 標 と な る キ ャ リ ア 移 動 度 と デ バ イ ス 理 論 に つ い て 論 じ 、 ト ラ ン ジ ス タ と し て の 性 能 向 上 に 必 要 な キ ー パ ラ メ ー タ に つ い て も 概 説 し た 。

第 二 章 「 ナ ノ ス ケ ー ル ド レ イ ン ・ ソ ー ス 電 極 作 製 の 基 本 技 術 」 で は 、 本 研 究 の 基 本 技 術 と な る 、 著 者 が 新 規 に 考 案 し た 電 子 線 レ ジ ス ト 二 層 構 造 に よ る リ フ ト オ フ プ ロ セ ス を 用 い た ド レ イ ン ・ ソ ー ス 電 極 の 作 製 方 法 に つ い て 詳 述 し た 。 具 体 的 に は 、 レ ジ ス ト を 二 層 構 造 で 庇 形 状 と し 、 指 向 性 の あ る E B 蒸 着 法 と の 組 合 せ に よ り 、 従 来 の レ ジ ス ト 単 層 構 造 で は 実 現 で き な か っ た 1 0 n m の ド レ イ ン ・ ソ ー ス 間 ギ ャ ッ プ 長 と 、 幅 1 0 0 n m の 電 極 パ タ ー ン を 再 現 性 よ く 作 製 可 能 な プ ロ セ ス を 確 立 し た 。

第 三 章 「C M P法 に よ る ナ ノ ギ ャ ッ プ 平 坦 ド レ イ ン ・ ソ ー ス 電 極 の 作 製 技 術 」 で は 、C M P技 術 を 応 用 し て 平 坦 に 加 工 し た ナ ノ ギ ャ ッ プ ド レ イ ン ・ ソ ー ス 電 極 の 作 製 技 術 に つ い て 論 じ た 。C M P自 体 は 古 い 確 立 し た 技 術 で あ り 、 半 導 体 プ ロ セ ス に も 採 用 さ れ て い る が 、 面 粗 さ 1 n m以 下 の 平 坦 化 は 従 来 実 現 不 可 能 で あ っ た 。 著 者 は 酸 化 膜C M Pを 採 用 し 、 研 磨 速 度 と 研 磨 量 を 正 確 に 制 御 す る こ と に よ り 、 従 来 で は 実 現 で き な か っ た 面 粗 さ 1 n m以 下 のC M P加 工 技 術 を 確 立 し た 。具 体 的 に は 、予 め 作 製 し たA u電 極 上 にC V D法 に よ り 酸 化 膜 を 形 成 し 、A u電 極 の 表 面 が 露 出 す る ま でC M Pを 行 う プ ロ セ ス を 新 規 に 構 築 し 、 シ リ カ 系 ス ラ リ ー の 採 用 、 及 び 研 磨 定 盤 と サ ン プ ル の 各 回 転 速 度 を 最 適 化 す る こ と に よ り 、 研 磨 速 度 を 一 定 に 制 御 可 能 で 、 面 内 均 一 性 も ±1 n mと 良 好 な 、 デ ィ ッ シ ン グ 不 良 を 抑 え た 平 坦 化 研 磨 技 術 を 確 立 し た 。 そ の 結 果 、A u電 極 ／S i O2間 境 界 の 段 差 は 無 く な り 、 表 面 粗 さ もA u電 極 上 で 0 . 8 n m、S i O2上 で 0 . 5 n mと こ れ ま で 実 現 で き な か っ た 平 坦 性 を 有 し た 電 極

1

構 造 を 初 め て 実 現 し た 。 こ の 電 極 を 用 い て 実 際 に ペ ン タ セ ン 薄 膜 を 成 膜 し て 評 価 ・ 観 察 し た 結 果 よ り 、 有 機 分 子 が 電 極 ／ 絶 縁 膜 境 界 部 に お い て 、 分 離 す る こ と 無 く 成 長 し て い る 事 が 確 認 で き 、 電 極 の 凸 形 状 を な く し た 効 果 が 実 証 さ れ た 。 こ の こ と は 、 本 研 究 に お い て 初 め て 達 成 さ れ た こ と で あ る 。 ま た 、 こ の デ バ イ ス の キ ャ リ ア 移 動 度 と し て 0 . 0 1 5 c m²/ V sの 値 が 得 ら れ 、 本 デ バ イ ス に よ る キ ャ リ ア 移 動 度 の 評 価 が 実 際 に 可 能 で あ る こ と を 示 し た 。 し か し 、C M P加 工 時 に 電 極 と 絶 縁 膜 と の 間 に 剥 離 に よ る 隙 間 が 生 じ る 事 が あ り 、 当 該 プ ロ セ ス の 問 題 点 も 同 時 に 見 出 さ れ た 。

第 四 章 「 転 写 法 に よ る ナ ノ ギ ャ ッ プ 平 坦 ド レ イ ン ・ ソ ー ス 電 極 の 作 製 技 術 」 で は 、 前 章 で 示 し た C M P 法 に よ る 平 坦 化 に お け る 問 題 点 を 回 避 す る た め に 、 著 者 が 新 た に 考 案 し た 転 写 法 に よ る 電 極 作 製 プ ロ セ ス と そ の 特 徴 に つ い て 論 じ た 。 転 写 法 と は 、 薄 く ス パ ッ タ さ れ た N i 膜 表 面 の 平 坦 性 を 利 用 し て 、 こ れ を 電 極 構 造 に 転 写 す る 方 法 で あ る 。 具 体 的 に は 、S i 基 板 上 に N i 薄 膜 を ス パ ッ タ 成 膜 し て 平 坦 な 表 面 を 形 成 し 、 次 に こ の 表 面 上 に A u ド レ イ ン ･ ソ ー ス 電 極 、 ゲ ー ト 絶 縁 膜 、 ゲ ー ト 電 極 を 順 次 形 成 し 、 こ れ を 支 持 基 板 に 接 合 し 、 最 終 的 に S i 基 板 及 び N i 膜 を 除 去 す る プ ロ セ ス を 確 立 し た 。 こ れ に よ り ド レ イ ン ・ ソ ー ス 電 極 が 絶 縁 膜 中 に 埋 め 込 ま れ 、 そ の 表 面 が 原 子 レ ベ ル で 平 坦 に な っ た デ バ イ ス 構 造 が 初 め て 実 現 さ れ た 。 本 プ ロ セ ス に お い て は 、 最 終 的 に 除 去 す る N i 層 と ド レ イ ン ・ ソ ー ス 電 極 で あ る A u 薄 膜 間 の 反 応 を 抑 制 す る こ と が 特 に 重 要 な 為 、 絶 縁 膜 成 膜 や 接 合 時 の 処 理 温 度 に 着 目 し 、A u−N i 間 の 相 互 拡 散 に よ り A u 表 面 の 平 坦 性 が 損 な わ れ る こ と の 無 い プ ロ セ ス 条 件 に つ い て 詳 細 に 検 討 し た 。 ま た 、 本 法 の キ ー テ ク ノ ロ ジ ー と な る ス パ ッ タ 成 膜 に よ る N i 膜 厚 と そ の 平 坦 性 の 関 係 を 示 し 、 最 終 的 に 表 面 粗 さ 0 . 3 n m と い う 平 坦 な N i 表 面 が 得 ら れ る こ と を 実 証 し た 。 本 プ ロ セ ス に よ っ て 得 ら れ た 電 極 構 造 は 、A u 電 極 ／ ア ル ミ ナ 膜 境 界 の 段 差 は 無 く な り 、 電 極 縁 の 溝 が 最 大 1 n m、 表 面 粗 さ が A u 電 極 上 で 0 . 3 n m、 ア ル ミ ナ 膜 上 で 0 . 3 n m で あ る 。 こ の 値 は 前 章 で 示 し た C M P 法 に よ り 作 製 し た 電 極 構 造 の 平 坦 性 を 上 回 る も の で 、 本 研 究 に よ り 初 め て 実 現 さ れ た も の で あ る 。 ま た 、 前 章 で 明 ら か に な っ た 電 極 と 絶 縁 膜 と の 間 に 剥 離 に よ る 隙 間 が 生 じ て し ま う 問 題 点 も 同 時 に 解 決 し た 。

第 五 章 「 有 機 分 子 結 晶 成 長 に 適 し た 表 面 処 理 技 術 」 で は 、 評 価 対 象 と な る 有 機 分 子 薄 膜 が 、実 際 に 作 製 し た 分 子 ス ケ ー ル F E T 電 極 構 造 の 表 面 上 に 単 一 結 晶 の ま ま で 大 き く 結 晶 成 長 で き る よ う に 、 そ の 表 面 の 清 浄 性 及 び 形 状 と 、 有 機 分 子 結 晶 の 配 向 の 関 係 に 関 し て 検 討 し 、 そ の 結 果 に つ い て 論 じ た 。 ま ず 、F E T 電 極 構 造 表 面 の 清 浄 性 に 関 し て は 、 真 空 紫 外 線 照 射 に よ る 清 浄 化 技 術 に 着 目 し た 。 高 フ ォ ト ン エ ネ ル ギ ー を 有 す る 波 長 1 7 2 n m の 紫 外 線 を 真 空 雰 囲 気 中 で 照 射 し 、 表 面 上 に 残 留 し た レ ジ ス ト 等 の 有 機 系 汚 染 物 質 を 光 分 解 し 、 清 浄 化 す る も の で あ る 。 従 来 か ら あ る オ ゾ ン 処 理 と 真 空 紫 外 線 照 射 処 理 の 各 清 浄 効 果 に つ い て 、 各 処 理 後 の 絶 縁 膜 、 電 極 表 面 に 対 す る 水 の 接 触 角 を 比 較 し た 結 果 、 真 空 紫 外 線 照 射 処 理 は 接 触

3

角 が 酸 化 膜 上 で 4 5 . 2° か ら 2 8 . 1° へ 、A u 電 極 上 で 9 0 . 8° か ら 4 3 . 3° へ と オ ゾ ン 処 理 に 比 べ て 1 0 分 の 1 以 下 の 処 理 時 間 で 小 さ く な り 、 単 位 時 間 あ た り の 清 浄 効 果 が 大 き い こ と が 確 認 さ れ た 。実 際 に 真 空 紫 外 線 照 射 後 の F E T 電 極 構 造 表 面 上 に ペ ン タ セ ン を 成 膜 し た 結 果 で は 、処 理 無 し の も の に 比 べ て グ レ イ ン サ イ ズ が 2〜3 倍 大 き く な り 、 キ ャ リ ア 移 動 度 も 1 桁 向 上 す る こ と を 初 め て 具 体 的 デ ー タ に よ っ て 確 認 し た 。 次 に 、 有 機 分 子 結 晶 の 配 向 制 御 技 術 に つ い て は 、 グ ラ フ ォ エ ピ タ キ シ ー 技 術 に 着 目 し た 。 深 さ 1 0 n m の 周 期 的 な 溝 構 造 を 絶 縁 膜 上 に 形 成 し 、 こ の 溝 に 沿 っ て 有 機 分 子 結 晶 を 配 向 さ せ る 方 法 で あ る 。 本 法 で は 、 絶 縁 膜 の 高 さ 方 向 の 制 御 が 重 要 な た め 、 エ ッ チ ン グ 量 を 再 現 よ く 制 御 す る た め に 低 レ ー ト の ド ラ イ エ ッ チ ン グ 条 件 を 導 い た 。 こ の 条 件 を 用 い て ド レ イ ン ・ ソ ー ス 間 に ピ ッ チ 3 0 0 n m、 深 さ 1 0 n m の 周 期 溝 構 造 を 形 成 し 、 そ の 上 に ペ ン タ セ ン を 成 膜 し た 有 機 分 子 薄 膜 ト ラ ン ジ ス タ を 作 製 し 、 そ の 特 性 を 評 価 し た 。 そ の 結 果 、 周 期 溝 を 形 成 し た デ バ イ ス で は 、 溝 加 工 の 無 い も の に 比 べ キ ャ リ ア 移 動 度 を 約 2 倍 改 善 す る こ と に 成 功 し た 。

第 六 章 「 結 論 と 今 後 の 展 望 」 で は 、 本 研 究 で 新 規 開 発 し た 「 有 機 半 導 体 薄 膜 の 移 動 度 評 価 を 目 的 と し た 分 子 ス ケ ー ル 電 界 効 果 ト ラ ン ジ ス タ の 作 製 技 術 」 に 関 し て 総 括 し 、 結 論 を 述 べ る と と も に 、 現 状 の 課 題 と そ の 改 善 方 法 、 今 後 の 展 望 に つ い て も 概 説 し て い る 。

以 上 、 本 論 文 に お い て 著 者 は 、 前 述 し た ２ 点 の 技 術 的 課 題 の 解 決 手 法 を 示 し 、 実 際 に 有 機 半 導 体 薄 膜 の 移 動 度 評 価 が 可 能 な 分 子 ス ケ ー ル 電 界 効 果 ト ラ ン ジ ス タ 構 造 の 開 発 に 成 功 し た 。 本 研 究 の 結 果 、 表 面 粗 さ が 0 . 3 n m、A u 電 極 ／ 絶 縁 膜 境 界 段 差 が 0 . 2 n m と 平 坦 で 段 差 が な く 、ド レ イ ン ・ ソ ー ス 間 ギ ャ ッ プ 長 が 1 0 n m と い う 分 子 ス ケ ー ル F E T 構 造 を 初 め て 実 現 し た 。 又 、F E T 表 面 の 形 状 ／ 性 状 制 御 に よ り 、 有 機 分 子 結 晶 の 配 向 ／ 成 長 を 制 御 す る こ と 、 及 び 有 機 薄 膜 の 密 着 性 の 向 上 が 可 能 な こ と も 初 め て 示 し た 。 以 上 の 成 果 に よ り 、 有 機 半 導 体 薄 膜 の キ ャ リ ア 移 動 度 の 定 量 的 測 定 が 初 め て 可 能 と な っ た 。 本 論 文 の 成 果 は 、 分 子 エ レ ク ト ロ ニ ク ス と い う 新 し い 分 野 に ま で 十 分 寄 与 で き る 画 期 的 な も の で あ る 。

研 究 業 績

                   

種 類 別      題名、    発表・発行掲載誌名、    発表・発行年月、    連名者（申請者含む）

論文 

（査読有） 

                                                          講演 

（ 査 読 有 国際学会） 

         

○1.

T.Edura, M.Nakata, H.Takahashi, H.Onozato, J.Mizuno, K.Tsutsui, M.Haemori, K.Itaka, H.Koinuma, Y.Wada, “Single Grain and Single Grain Boundary Resistance of Pentacene Thin Film Cheracterized by Nano-scale Electrode array”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.45, No.4B, 2006, pp.3708-3711

○

2. T.Edura, H.Takahashi, M.Nakata, J.Mizuno, K.Tsutsui, K.Itaka, H.Koinuma, Y.Wada, “Electrical characterization of single grain and single grain boundary of pentacene thin film by nano-scale electrode array”, Current Applied Physics, Vol.6, 2005, pp109-113.

○3. T.Edura, J.Mizuno, K.Tsutsui, M.Saito, M.Tokuda, H.Onozato, T.Koizumi, Y.Wada,

M.Haemori, H.Koinuma, “Fabrication of Flat Micro-Gap Electrodes for Molecular Electronics”, Electrical Engineering in Japan, Vol.152, No.2, 2005, pp39-46

○4. 江面知彦，水野潤，筒井謙，齋藤美紀子，徳田正秀，小野里陽正，小泉寿子，

和田恭雄，南風盛将光，鯉沼秀臣， “分子エレクトロニクス用マイクロギャップ平 坦電極の作製” ，電気学会Ｃ部門誌，Vol.124-C, No.6, 2004, pp1213-1218

5. M.Haemori, T.Edura, K.Tsutsui, K.Itaka, Y.Wada, H.Koinuma, “Fabrication of combinatorial nm-planar electrode array for high throughput evaluation of organic semiconductors”, Applied Surface Science, Vol.252, 2006, pp2568-2572

6. M.Nakata, T.Edura, K.Tsutsui, M.Tokuda, H.Onozato, T.Kaneko, K.Nagatsuma, M.Morita, K.Itaka, H.Koinuma, Y.Wada, “Fabrication of Planar Nano-gap Electrodes for Single Molecule Evaluation”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.45, No.4B, 2006, pp3766-3767

7. S.Ikeda, K.Tsutsui, T.Edura, H.Miyazoe, K.Terashima, T.Shimada, K.Inaba, T.Mitsunaga, Y.Wada, K.Saiki, “Graphoepitaxy of sexithiophene on thermally oxidized silicon surface with artificial periodic grooves”, Applied Physics Letters, Vol.88, 2006, 251905

○

1. T.Edura, Y.Hosoi, J.Mizuno, K.Tsutsui, S.Shoji, Y.Furukawa, Y.Wada, “VUV Irradiation Effects on Performance of Pentacene Thin Film Transistors”,  Asia-Pacific Conference of Transducers and Micro-Nano Technology (APCOT 2006), 2006, Singapore, MDC-A0291

○2.

T.Edura, M.Nakata, H.Takahashi, K.Tsutsui, J.Mizuno, M.Tokuda, H.Onozato, M.Haemori, K.Itaka, H.Koinuma, Y.Wada, “Pentacene single grain FET characteristics using nano-scale gap electrodes”, 2005 International Chemical Congress of Pacific Basin Societies (Pacifichem2005), 2005, Honolulu, Hawaii, USA, 1252

5

研 究 業 績        

種 類 別      題名、    発表・発行掲載誌名、    発表・発行年月、    連名者（申請者含む）

講演 

（ 査 読 有 国際学会） 

                              講演 

（ 国 内 学 会） 

 

3. M.Nakata, T.Edura, K.Tsutsui, M.Tokuda, H.Onozato, T.Kaneko, K.Nagatsuma, M.Morita, K.Itaka, H.Koinuma, Y.Wada, “Fabrication of Planar Nano-gap Electrodes for Single Molecule Evaluation”, 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials, 2005, Kobe, Japan, pp816-817

4. M.Haemori, T.Edura, K.Tsutsui, K.Itaka, Y.Wada, H.Koinuma, “Fabrication of embedded combinatorial electrodes array for high throughput evaluation of organic semiconductors”, Japan-US Workshop on combinatorial Material Science and Technology, 2004, Okinawa, Japan, PO-10

5. M.Gel, T.Edura, Y.Wada, H.Fujita, “Controllable Nano-gap Mechanism for Characterization of Nano-scale Objects”,9th International Conference on Miniaturized Systems for Chemistry and Life Sciences (µTAS), 2005, Massachusetts, USA, pp739-741

6. M.Haemori, K.Tsutsui, T.Edura, J.Mizuno, M.Saito, M.Tokuda, K.Itaka, Y.Wada, H.Koinuma, “Fabrication and characterization of embedded combinatorial flat electrodes”, The 8th IUMRS International Conference on Advanced Materials, 2003, Yokohama, Japan, pp30

○1. 江面知彦，中田征志，水野潤，筒井謙，徳田正秀，小野里陽正，伊高健治，

南風盛将光，鯉沼秀臣，和田恭雄， “ナノギャップ平坦電極によるペンタセンFET の評価” ，第

52

回応用物理学関連連合講演会，埼玉大，

2005

，

pp1371

○

2.

江面知彦，水野潤，筒井謙，徳田正秀，小野里陽正，小泉寿子，齋藤美紀子，

長妻一之，加藤邦男，南風盛将光，鯉沼秀臣，和田恭雄， “分子エレクトロニクス 用ナノギャップ平坦電極の作製” ，第

65

回応用物理学学術講演会，東北学院大，

2004，pp1111

○3. 江面知彦，水野潤，筒井謙，齋藤美紀子，徳田正秀，小野里陽正，小泉寿子，

和田恭雄，南風盛将光，鯉沼秀臣， “分子エレクトロニクス用ナノギャップ平坦電 極の作製” ，平成

15

年電気学会電子・情報・システム部門大会，秋田大，2003，

pp47

4.

中田征志，江面知彦，筒井謙，徳田正秀，小野里陽正，金子忠男，長妻一之，

森田正幸，伊高健治，鯉沼秀臣，和田恭雄， “単一分子測定用ナノギャップ平坦電 極の作製と評価” ，第

53

回応用物理学関連連合講演会，武蔵工業大，

2006，pp1298

5.

高橋宏昌，江面知彦，筒井謙，齋藤美紀子，水野潤，徳田正秀，小野里陽正，

長妻一之，加藤邦男，小泉寿子，伊高健治，南風盛将光，鯉沼秀臣，和田恭雄，

“ナノスケール電極を用いた短チャネルペンタセンFETの検討” ，第

52

回応用

物理学関連連合講演会，埼玉大，

2005

，

pp1378

研 究 業 績        

種 類 別      題名、    発表・発行掲載誌名、    発表・発行年月、    連名者（申請者含む）

講演 

（ 国 内 学 会） 

                                                                           

6.

今西洋貴，江面知彦，筒井謙，齋藤美紀子，水野潤，徳田正秀，小野里陽正，

長妻一之，加藤邦男，小泉寿子，伊高健治，南風盛将光，鯉沼秀臣，和田恭雄，

“グラフォエピタキシーによるペンタセン結晶の配向とFET特性の向上”，第

52

回応用物理学関連連合講演会，埼玉大，

2005

，

pp1371

7.

中田征志，江面知彦，筒井謙，徳田正秀，小野里陽正，伊高健治，南風盛将光，

鯉沼秀臣，和田恭雄， “ペンタセンFETにおけるコンタクト抵抗の評価”，第

52

回 応用物理学関連連合講演会，埼玉大，

2005

，

pp1378

8.

高橋宏昌，江面知彦，筒井謙，齋藤美紀子，水野潤，徳田正秀，小野里陽正，

長妻一之，加藤邦男，小泉寿子，南風盛将光，鯉沼秀臣，和田恭雄， “ナノスケー ル電極による短チャネル有機トランジスタの検討” ，第

65

回応用物理学学術講演 会，東北学院大，2004，pp1111

9.

今西弘貴，江面知彦，筒井謙，齋藤美紀子，水野潤，徳田正秀，小野里陽正，

長妻一之，加藤邦男，小泉寿子，南風盛将光，鯉沼秀臣，和田恭雄， “グラフォエ ピタキシーを用いたペンタセンFETの電気的特性” ，第

65

回応用物理学学術講演 会，東北学院大，2004，pp1087

10.

池田進，筒井謙，江面知彦，宮副裕之，寺嶋和夫，島田敏広，稲葉克彦，光 永徹，和田恭雄，斉木幸一朗， “有機グラフォエピタキシーに及ぼす基板周期構造 のピッチの影響” ，第

67

回応用物理学学術講演会，立命館大，2006，pp1116

11.

池田進，筒井謙，江面知彦，宮副裕之，寺嶋和夫，島田敏広，稲葉克彦，光 永徹，和田恭雄，斉木幸一朗， “微細加工を施した熱酸化シリコン基板上における

sexithiopheneのグラフォエピタキシー”

，第

53

回応用物理学関連連合講演会，武蔵

工業大，2006，pp1277

12.

南風盛将光，筒井謙，徳田正秀，江面知彦，水野潤，齋藤美紀子，小泉寿子，

伊高健治，和田恭雄，鯉沼秀臣， “超平坦化電極アレイを用いたペンタセンFETの コンビナトリアル作製” ，第

51

回応用物理学関連連合講演会，東京工科大，

2004，

pp1343

13.

南風盛将光，筒井謙，徳田正秀，江面知彦，水野潤，齋藤美紀子，小泉寿子，

伊高健治，和田恭雄，鯉沼秀臣， “埋め込み型コンビナトリアル平坦電極の作製” ， 第

64

回応用物理学会学術講演会，福岡大，2003，pp1136

14.

小泉寿子，徳田正秀，筒井謙，齋藤美紀子，水野潤，江面知彦，小野里陽正，

長妻一之，加藤邦男，南風盛将光，鯉沼秀臣，和田恭雄，“CMPによる電極平坦

化時ディッシング量のパターン依存性” ，第

65

回応用物理学学術講演会，東北学

院大，2004/9/1-9/4，pp1083

7

研 究 業 績        

種 類 別      題名、    発表・発行掲載誌名、    発表・発行年月、    連名者（申請者含む）

その他 

（表彰） 

   

国外特許   

                         

国内特許   

 

1 .

第

4

回 電 気 学 会 東 京 支 部 新 潟 支 所 研 究 発 表 会 優 秀 発 表 賞

“A s

ド ー プ に よ る

C u G a S2

単 結 晶 の 低 抵 抗 化 へ の 試 み と フ ォ ト ル ミ ネ ッ セ ン ス

”，平成６年度

1.T.Edura, J.Okayasu, M.Nakanishi, “SEMICONDUCTOR ELEMENT AND PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT”, WO 03/010822 A1

○2.T.Ezura, “CONDUCTOR MEMBER FORMATION AND PATTERN FORMATION

METHODS”, US 2002/0009881 A1

3.T.Edura, J.Suzuki, “SEMICONDUCTOR CIRCUIT DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTRING THEREOF”, US 2001/0045663 A1

4.T.Ezura, S.Nojima, “METHOD OF MANUFACTURING A YIG OSCILLATOR”, US 2001/0024143 A1

5.T.Ezura, S.Nojima, “YIG OSCILLATOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME”, US 6259331 B1

1.江面知彦，岡安潤一，中西慎，“半導体素子及び半導体素子の製造方法”，特開 2005-26242

○2.江面知彦， “導体部材形成方法、パターン形成方法” ，特開

2002-25935

3.江面知彦，鈴木純一，

“半導体回路装置及びその製造方法” ，特開

2001-332579

4.江面知彦，野島修二，

“YIG発信器及びその製造方法” ，特開

2000-82921

5.

宮崎勝，江面知彦， “半導体デバイスおよびその製造方法” ，特開

2000-232220

6.

宮崎勝，畠山英樹，江面知彦，“高周波用集積回路の導体部品およびその製造 方法” ，特開平

11-307727

7.

水野潤，筒井謙，江面知彦，和田恭雄，庄子習一、船津高志，石田博之，山本 宏， “樹脂製基板の接合方法及びこの接合方法を用いたソーティング装置” ，特開

2005-42073

 

8.

水野純ホジェリオ，江面知彦， “マイクロミラー、及び、電極形成方法” ，特願

2006-110893