博博博博 士士士士 論論論論 文文文文 概概概概 要要要要
8
0
0
全文
(2) Ｎｏ.1 カ ー ボ ン ナ ノ チ ュ ー ブ （ CNT） は 軽 量 か つ 超 高 強 度 と い う 優 れ た 特 性 を 有 し て いるだけでなく、グラフェンシートより構成されるため、電気伝導性・熱伝導性 に 秀 で て い る 。C N T は 、銅 に 比 べ て 2 桁 以 上 大 き な 電 流 密 度 を 得 る こ と が 可 能 で あ り 、C N T を 高 密 度 に 束 ね る こ と に よ り 銅 よ り も 低 い 抵 抗 率 を 実 現 で き る 。構 造 的安定性が高いため、溶液中で動作させる電気二重層キャパシタや高信頼性が必 要 で あ る 集 積 回 路 （ LSI） の 配 線 と し て 期 待 さ れ て い る 。 グ ラ フ ェ ン シ ー ト 1 枚 か ら 構 成 さ れ る 単 層 C N T の 2 / 3 は 半 導 体 で あ り 、そ の 優 れ た 特 性 か ら 同 ゲ ー ト 幅 に換算した場合、既にシリコントランジスタを凌いでいる。さらに、量子細線や 超 伝 導 体 と し て の 性 質 も 有 し て お り 、 単 層 CNT の 応 用 の 可 能 性 は 非 常 に 幅 広 い 。 しかし、実用的なデバイス構造の形成（束ねて所望の電流を得る等）には、単層 CNT を 高 密 度 で 一 方 向 に 成 長 さ せ る 必 要 が あ る 。 し か し 、 そ の 成 長 方 向 を 完 全 に 制御することは現時点では困難である。さらに、単層カーボンナノチューブ成長 の触媒となる金属微粒子の寿命が短いので、数ミリメートルに長く伸ばし大量合 成することも困難である。 このような背景の基、本研究では先端放電型リモートプラズマ化学気相堆積 （ CVD） 法 に よ り 、 工 業 応 用 に と っ て 重 要 で あ る 低 温 で の 数 ミ リ メ ー ト ル 長 の 垂 直 配 向 単 層 C N T の 合 成 を 行 い 、そ の 成 長 機 構 を 明 ら か に し た 。電 子 デ バ イ ス に 応 用 す る た め の 基 礎 と な る 、ナ ノ サ イ ズ の ビ ア 構 造 へ の 単 層 C N T 合 成 に つ い て も 報 告 す る 。 さ ら に 、 金 属 的 性 質 を 有 す る 二 層 CNT お よ び 多 層 CNT を 合 成 し 、 そ の 電 気 二 重 層 キ ャ パ シ タ お よ び L S I 配 線 と し て の 特 性 を 評 価 し た 。本 論 文 は 以 下 の 6 章で構成される。 第 1 章では、研究背景および従来の研究の課題を説明し、本研究の位置付けと 目 的 を 示 し 、さ ら に 論 文 全 体 の 概 要 を 述 べ た 。さ ら に C N T の 基 本 的 な 構 造 お よ び 性質を解説した。従来の単層カーボンナノチューブ合成方法（アーク放電、レー ザ ー 蒸 発 お よ び 熱 C V D ） に は 以 下 の 問 題 が あ っ た 。 ( ⅰ ) プ ロ セ ス が 高 温 、（ ⅱ ） 触 媒 等 の 不 純 物 の 混 入 、（ ⅲ ） 基 板 へ の 直 接 成 長 が 困 難 、（ ⅳ ） 触 媒 に 対 す る 生 成 効率が低い、といった問題がある。この課題を解決するための本研究のコンセプ ト に つ い て 説 明 す る と 共 に 、 CNT の 応 用 デ バ イ ス を 示 し た 。 第 2 章 で は 、 本 研 究 で 使 用 す る 先 端 放 電 型 リ モ ー ト プ ラ ズ マ CVD 装 置 を 示 し 、 こ の 装 置 に よ る 高 密 度 ・ 垂 直 配 向 単 層 C N T の 低 温 合 成 に つ い て 述 べ た 。先 端 放 電 型 リ モ ー ト プ ラ ズ マ C V D 装 置 の 特 徴 は 、反 応 チ ャ ン バ ー 内 に ア ン テ ナ が あ り 、そ のアンテナの先端にプラズマを固定して生成でき、リモートプラズマとすること が で き る 点 に あ る 。熱 C V D の よ う に ガ ス を 熱 分 解 す る た め に 高 温 を 使 用 す る 必 要 が な い の で 、 CNT の 低 温 合 成 が 可 能 と な る 。 さ ら に 触 媒 や 生 成 物 へ の ダ メ ー ジ や エ ッ チ ン グ も 防 ぐ こ と が で き る 。 結 果 と し て 、 600℃ と い う 低 温 で 単 層 CNT の 垂 直 配 向 合 成 を 確 認 し た 。触 媒 と し て は 、S i ウ ェ ー ハ 上 に A l 2 O 3 / F e / A l 2 O 3 の よ う に 触 媒 で あ る F e を A l 2 O 3 で サ ン ド イ ッ チ し た 構 造 を 用 い た 。実 験 に よ る 検 証 か ら 、.
(3) Ｎｏ.2 こ の サ ン ド イ ッ チ 構 造 が 垂 直 配 向 単 層 CNT の 成 長 に 大 き な 役 割 を 担 っ て い る こ とを示した。 垂 直 配 向 単 層 C N T は 5 時 間 以 上 の 成 長 で 1 m m 以 上 伸 び る が 、成 長 速 度 は 時 間 と 共 に 徐 々 に 減 少 す る こ と が 分 か っ た 。こ れ は 、成 長 し て い る 単 層 C N T 自 身 に よ り、原料であるカーボンラジカルの拡散距離が長くなり、拡散律速成長が起きて いるためであることをパターン成長実験により証明した。また、パターン成長に よ り 、成 長 速 度 減 少 の 改 善 を 行 え る こ と を 示 し 、2 0 時 間 の 合 成 で 5 m m の 単 層 C N T を 実 現 し た 。 ま た 、 合 成 温 度 の 最 適 化 に よ っ て 、 パ タ ー ン な し で 7 mm 以 上 に 単 層 CNT を 伸 長 で き る こ と を 示 し た 。 従 来 の 方 法 で は 、 触 媒 の 寿 命 が 短 く 2-3 mm の 合 成 が 限 度 で あ る が 、本 方 法 に よ り 数 十 時 間 の 触 媒 寿 命 を 達 成 し 、5mm 以 上 の 合成が可能となった。 第 3 章 で は 、第 2 章 に お い て 得 ら れ た 垂 直 配 向 単 層 C N T の 成 長 モ ー ド を 明 ら か に す る た め に 、マ ー カ ー 成 長 法 を 提 案 お よ び 実 践 し 、単 層 C N T が 根 元 成 長 モ ー ド に よ り 成 長 し て い る こ と を 示 し た 。C N T は 先 端 成 長 ま た は 根 元 成 長 に よ り 成 長 す る 。 こ の 2 つ の モ ー ド は CNT 中 の 触 媒 の 位 置 に よ り 区 別 さ れ る 。 単 層 CNT の 成 長 モ ー ド 解 明 は さ ら な る 単 層 C N T の 制 御 成 長 に は 必 須 で あ り 、実 際 第 2 章 で の パ ターン成長は根元成長モードを基礎に考案したものである。また、従来の方法で は 、 1 本 1 本 の 単 層 CNT を 透 過 型 電 子 顕 微 鏡 （ TEM） に よ り 観 察 し 、 触 媒 の 位 置 を 特 定 す る し か な か っ た が 、マ ー カ ー 成 長 に よ り 大 量 の 単 層 C N T の 成 長 モ ー ド を 明らかにすることが可能となった。 次 に 、 マ ー カ ー 成 長 に よ り 得 ら れ た 層 状 単 層 CNT の 成 長 機 構 に つ い て 議 論 し 、 単 層 C N T の カ イ ラ リ テ ィ 制 御 に 必 要 な 要 因 を 決 め る 方 法 を 提 案 し た 。マ ー カ ー 成 長 に よ り 層 状 に 成 長 し た 単 層 C N T 膜 の 第 一 層 を 除 去 す る こ と に よ っ て 、第 二 層 の 先 端 を T E M に よ っ て 観 察 し た 結 果 、そ の 先 端 は キ ャ ッ プ さ れ て い る こ と を 明 ら か に し た 。つ ま り 、第 二 層 の 単 層 C N T の 成 長 時 に 新 た に キ ャ ッ プ が 形 成 さ れ 新 規 の 単 層 C N T が 同 じ 触 媒 上 に 成 長 し て い る こ と を 示 し た 。ラ マ ン 分 光 測 定 に よ り 、第 一 層 と 第 二 層 は 同 一 の カ イ ラ リ テ ィ 分 布 を 有 し て い る こ と が 判 明 し た 。こ の 場 合 、 単 層 C N T の カ イ ラ リ テ ィ 状 況 に は 2 つ の 可 能 性 が 考 え ら れ る 。（ ⅰ ） １ つ の 触 媒 か ら 成 長 し た 2 本 の 単 層 C N T が 同 じ カ イ ラ リ テ ィ を 持 っ て い る 場 合 。こ れ は 単 層 CNT の エ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 で あ り 、 あ る 特 定 の 結 晶 方 位 を 持 つ 触 媒 は 、 同 じ カ イ ラ リ テ ィ の 単 層 C N T を 成 長 さ せ る と い う も の で あ る 。（ ⅱ ） １ つ の 触 媒 か ら 成 長 し た 2 本 の 単 層 C N T は 必 ず し も 同 じ カ イ ラ リ テ ィ を 持 っ て い な い が 、層 全 体 の カ イラリティの熱統計分布が同じ場合。どちらの状況になっているかを確認するこ とによって、カイラリティ制御にとって重要な要因が触媒の結晶方位か、または 成長環境のどちらであるかの知見が得られることを示した。 第 4 章 で は 、垂 直 配 向 二 層 C N T の 高 選 択 成 長 お よ び そ の 電 気 二 重 層 キ ャ パ シ タ 特 性 を 示 し た 。 二 層 CNT は 2 つ の 単 層 CNT が 同 心 円 状 に 配 置 さ れ た 構 造 を し て.
(4) Ｎｏ.3 お り 、 構 造 安 定 性 が 高 い 。 単 層 CNT は CNT の 中 で 最 も 小 さ い 径 を 有 し て い る の で 、電 気 二 重 層 キ ャ パ シ タ へ 応 用 が 期 待 さ れ て い る が 、こ の 章 で は 二 層 C N T が 単 層 CNT と 同 程 度 の キ ャ パ シ タ 容 量 を 有 し て い る こ と を 示 し た 。 二 層 CNT の 高 選 択成長は前処理温度を最適化にすることによって実現できることを見出した。成 長 さ せ た CNT の 約 90%が 二 層 CNT で あ る こ と が 分 か っ た 。 90%の 選 択 性 は 、 垂 直 配 向 二 層 C N T の 中 で は 現 時 点 に お い て 世 界 で 最 も 高 い 値 で あ る 。ま た 、こ の 垂 直 配 向 二 層 CNT の 電 気 二 重 層 キ ャ パ シ タ 特 性 を 測 定 し た 。 二 層 CNT で は 容 量 と し て 83 F/g が 得 ら れ 、 こ の 値 は 以 前 報 告 さ れ た 単 層 CNT の 容 量 と ほ ぼ 同 じ 値 で あ る 。 以 上 よ り 、 二 層 CNT は 単 層 CNT よ り も 構 造 安 定 性 が 高 い 分 、 実 際 の キ ャ パシタ応用に適切な材料に成り得ることを明らかにした。 第 5 章 で は 、L S I ビ ア 配 線 応 用 を 目 的 と し た C N T 合 成 お よ び そ の 電 気 的 特 性 を 示 し た 。 ま ず 、 シ リ コ ン LSI プ ロ セ ス の 許 容 温 度 で あ る 400℃ 以 下 で の CNT 低 温 成 長 を 行 い 、 そ の 電 気 的 特 性 を 評 価 し た 。 CNT は 390℃ に お い て 垂 直 配 向 し 、 内 部 は 中 空 構 造 に な っ て お り 結 晶 性 の 良 い C N T を 確 認 し た 。ビ ア ホ ー ル か ら 成 長 し た C N T の 電 気 的 特 性 を 化 学 機 械 研 磨（ C M P ）処 理 前 後 に つ い て 行 っ た 。そ の 結 果 、 CMP に よ り 平 坦 化 処 理 を 行 っ た 方 が 低 い 抵 抗 値 を 示 し た 。 こ れ は 、 CMP に よ り C N T の 内 層 の グ ラ フ ェ ン シ ー ト が 露 出 し 、複 数 の 内 層 が 金 属 と 接 触 し 電 気 伝 導 に 寄与したためである。 次 に 、配 線 応 用 へ の 技 術 開 発 と し て 、ナ ノ サ イ ズ ビ ア ホ ー ル へ の 単 層 C N T 成 長 を 示 し た 。 電 子 線 リ ソ グ ラ フ ィ 技 術 を 基 礎 と し て 、 直 径 100-550 nm の SiO2 ビ ア ホ ー ル を 形 成 し 、そ の 孔 底 に 用 意 し た 触 媒 か ら 単 層 C N T を 成 長 さ せ る こ と に 成 功 し た 。孔 の 直 径 が 小 さ く な る 程 、単 層 C N T の 成 長 速 度 が 低 下 す る こ と を 見 出 し た 。 ビ ア ホ ー ル に 埋 め 込 ん だ 単 層 CNT は 配 線 の み な ら ず 縦 型 ト ラ ン ジ ス タ の 開 発 に も繋がると期待できる。 さらに、細孔のビア底に確実に触媒金属を導入するための技術として、イオン 注 入 法 の 可 能 性 を 検 証 し た 。 集 束 イ オ ン ビ ー ム （ FIB） に よ り 、 SiO2 膜 へ Ni イ オ ンを打ち込み、膜表面に高密度な微粒子が形成されることを確認した。微粒子サ イズおよび密度はイオン注入後のアニールにより制御できることを示し、垂直配 向 CNT の 成 長 も 確 認 し た 。 今 後 、 ビ ア 底 へ の 触 媒 形 成 に 適 用 す る 。 第 6 章 で は 、本 研 究 で 得 ら れ た 成 果 を 総 括 し た 。今 後 は 、本 研 究 で 確 立 し た C N T 成長技術を発展させ、実際のデバイスに要求される性能を満たすことのできる、 よ り 高 度 な C N T 成 長 に 関 す る 研 究 が 求 め ら れ る 。特 に 、配 線 応 用 に お い て は C N T の高密度化技術の開発が必須である。トランジスタ応用などの半導体応用には、 完全なカイラリティ制御が必要であるが、より現実的には、まず半導体および金 属の作り分けが重要となる。電気二重層キャパシタおよび配線応用では、完全金 属 な 垂 直 配 向 単 層 C N T を 用 い る こ と で 性 能 の 飛 躍 的 向 上 が 期 待 で き 、本 研 究 は そ の基礎となるものである。.
(5) Ｎｏ.1. 早稲田大学 博士（ 博士（工学） 学位申請 研究業績書 氏 名. 岩崎孝之. 印 （２００８ 年 ２ 月 現在）. 種 類 別 論文 ○ ○. ○. ○. ○. 題名、. 発表・発行掲載誌名、. 発表・発行年月、. 連名者（申請者含む）. T. Iwasaki, J. Robertson, H. Kawarada, “Mechanism Analysis of Interrupted Growth of Single-Walled Carbon Nanotube Arrays”, Nano. Lett, in press 2008. T. Iwasaki, S. Mejima, T. Koide, R. Morikane, H. Nakayama, T. Shinada, I. Ohdamari, H. Kawarada, “Vertically Aligned Carbon Nanotube Growth from Ni Nanoparticles Prepared by Ion Implantation”, Diam. Relat. Mater, in press 2008. T. Iwasaki, T. Maki, D. Yokoyama, H. Kumagai, Y. Hashimoto, T. Asari, H. Kawarada, “Highly Selective Synthesis of Vertically Aligned Double-Walled Carbon Nanotubes by a Controlled Heating Method and Their Electric Double-Layer Capacitor Properties”, phys. stat. sol. (RRL) 2, 53-55, 2008. T. Iwasaki, R. Morikane, T. Edura, M. Tokuda, K. Tsutsui, Y. Wada, H. Kawarada, “Growth of Dense Single-walled Carbon Nanotubes in Nano-sized Silicon Dioxide Holes for Future Microelectronics”, Carbon, 45, 2351-2355, 2007. T. Iwasaki, G. Zhong, H. Kawarada, “Low-Temperature Growth of Vertically Aligned Single-Walled Carbon Nanotubes by Radical CVD”, New. Diam. Front. C. Tec, 16, 177-184, 2006.. ○. T. Iwasaki, G. Zhong, T. Aikawa, T. Yoshida, H. Kawarada, “Direct Evidence for Root Growth of Vertically Aligned Single-Walled Carbon Nanotubes by Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition”, J. Phys. Chem. B, 109, 19556-19559, 2005.. ○. 岩崎孝之, 岩崎孝之 鐘国倣, 川原田洋, “先端放電型マイクロ波プラズマCVDによる単層カーボン ナノチューブ配向成長”,プラズマ・核融合学会誌, 81, 665-668, 2005.. 論文 （国際 会議）. T. Iwasaki, R. Morikane, G. Zhong, T. Edura, K. Tsutsui, Y. Wada, H. Kawarada, “Fabrication of Nano-sized Single-Walled Carbon Nanotube Vias for Electronic Device Applications”, NSTI Nanotech 2006 proceedings, 2006.. 論文 D. Yokoyama, T. Iwasaki, T. Yoshida, S. Sato, T. Hyakushima, M. Nihei. Y. Awano, H. （共著） Kawarada, “Low Temperature Grown Carbon Nanotube Interconnects Using Inner Shells by Chemical Mechanical Polishing”, Appl. Phys. Lett, 91, 263101, 2007. G. Zhong, T. Iwasaki, J. Robertson, H. Kawarada, “Growth Kinetics of 0.5 cm Vertically Aligned Single-Walled Carbon Nanotubes”, J. Phys. Chem. B, 111, 1907-1910, 2007. G. Zhong, T. Iwasaki, H. Kawarada, “Semi-Quantitative Study on the Fabrication of Densely Packed and Vertically Aligned Single-Walled Carbon Nanotubes”, Carbon, 44, 2009-2014, 2006..
(6) Ｎｏ.2. 早稲田大学 博士（ 博士（工学） 学位申請 研究業績書 種 類 別. 題名、. 発表・発行掲載誌名、. 発表・発行年月、. 連名者（申請者含む）. G. Zhong, T. Iwasaki, K. Honda, Y. Furukawa, I. Ohdomari, H. Kawarada, “Very High Yield 論文 （共著） Growth of Vertically Aligned Single-Walled Carbon Nanotubes by Point-Arc Microwave Plasma CVD”, Chem. Vap. Deposition, 11, 127-130, 2006. G. Zhong, T. Iwasaki, K. Honda, Y. Furukawa, I. Ohdomari, H. Kawarada, “Low Temperature Synthesis of Extremely Dense and Vertically Aligned Single-Walled Carbon Nanotubes”, Jpn. J. Appl. Phys, 44, 1558-1561, 2005. G. Zhong, T. Iwasaki, H. Kawarada, I. Ohdomari, “Synthesis of Highly Oriented and Dense Conical Carbon Nanofibers by a DC Bias-Enhanced Microwave Plasma CVD Method”, Thin solid films, 464-465, 315-318, 2004. 国際講演. T. Iwasaki and H. Kawarada, “Cutting of Layered Single-Walled Carbon Nanotubes: Investigation of Interface Structure and Fabrication of Short Single-walled Carbon Nanotube Arrays”, 2007 MRS Fall Meeting, Boston, USA, November 2007. T. Iwasaki, T. Maki and H. Kawarada, “Growth of Half-Centimeter Long Single- and Double-Walled Carbon Nanotubes by Radical CVD”, Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces, Tokyo, Japan, November 2007. T. Iwasaki, T. Koide, R. Morikane, S. Mejima, H. Nakayama, T. Shinada, I. Ohdomari, and H. Kawarada, "Vertically Aligned Carbon Nanotubes from Ni Catalysts Implanted by Focused-Ion-Beam", 18th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides, Berlin, Germany, September 2007. T. Iwasaki, D. Yokoyama, T. Yoshida, S. Sato, M. Nihei, Y. Awano, H. Kawarada, “Low Temperature Radical Chemical Vapor Deposition of Vertically Aligned CNTs using Size-classified Co Particles for LSI Multi-layer Interconnects”, 1st International Conference on New Diamond and Nano Carbons, Osaka, Japan, May 2007. T. Iwasaki, T. Koide, R. Morikane, S. Mejima, H. Nakayama, T. Shinada, I. Ohdomari, H. Kawarada, “Synthesis of Carbon Nanotubes from Focused Ion Beam Implanted Ni Catalysts”, 1st International Conference on New Diamond and Nano Carbons, Osaka, Japan, May 2007. T. Iwasaki, G. Zhong, H. Kawarada, "Enhanced Growth of Millimeter Long Vertically Aligned Single-Walled Carbon Nanotubes by Edge Growth", Nanotube 2006, Nagano, Japan, June 2006. T. Iwasaki, G. Zhong, T. Yoshida, T. Aikawa, R. Morikane, H. Kawarada, "Millimeter Long Vertically Aligned Single-Walled Carbon Nanotubes by an Ultra Long Lifetime of Catalysts", NSTI Nanotech 2006, Boston, U.S.A., May 2006. T. Iwasaki, T. Yoshida, T. Aikawa, G. F. Zhong, I. Ohdomari, H. Kawarada, "Synthesis of Millimeter Long Vertically Aligned Single-Walled Carbon Nanotubes by Point-Arc Microwave Plasma CVD", 2005 AIChE Annual Meeting, Cincinnati, USA, October 2005..
(7) Ｎｏ.3. 早稲田大学 博士（ 博士（工学） 学位申請 研究業績書 種 類 別 国際講演. 題名、. 発表・発行掲載誌名、. 発表・発行年月、. 連名者（申請者含む）. T. Iwasaki, Y. Yoshida, T. Aikawa, R. Hosaka, K. Honda, G. Zhong, Y. Furukawa, I. Ohdomari, H. Kawarada,"Low Temperature Synthesis of Vertically Aligned and Very Dense Single-Walled Carbon Nanotubes by Antenna-Edge Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition", 2004 MRS Fall Meeting, Boston, USA, November 2004. T. Iwasaki, G. Zhong, I. Ohdomari, H. Kawarada, "Structural Investigation of Conical Carbon Nanofibers", The 9th International Conference on New Diamond Science and Technology, Tokyo, Japan, March 2004.. 国内講演. 岩崎 孝之, 孝之 小出 敬, 森金 亮太, 目島 壮一, 中山 英樹, 品田 賢宏, 大泊 巌, 川原田 洋,"集束イオンビームによる打ち込み Ni 触媒からの CNT 成長", 2007 年春季第 54 回応用 物理学会学術講演会, 青山学院大学, 2007 年 3 月. 岩崎孝之, 岩崎孝之 真木翼, 吉田剛, 相川拓海, 野末竜弘, 近藤大雄, 川端章夫, 佐藤信太郎, 二瓶 瑞久, 粟野祐二, 川原田洋, “長尺カーボンナノチューブ合成のための先端放電型ラジカ ル CVD 条件最適化と CO2 の効果”, 第 32 回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム, 名城大学, 2007 年 2 月. 岩崎 孝之, 孝之 鍾 国倣, 相川 拓海, 吉田 剛, 川原田 洋, "高密度・垂直配向単層カーボンナ ノチューブの成長機構解明", 第 29 回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム, 京都 大学, 2005 年 7 月. 岩崎孝之，吉田剛，相川拓海，保坂亮太，本多光太郎，鐘国倣，古川行夫，大泊巌，川 岩崎孝之 原田洋, “先端放電型マイクロ波プラズマ CVD による垂直配向・高密度単層カーボンナノ チューブの低温合成”, フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム, 東京大学, 2004 年 7 月. 岩崎 孝之, 孝之 保坂 亮太, 鍾 国倣, 大泊 巌, 川原田 洋,"マイクロ波プラズマ CVD 法によ る垂直配向円錐型カーボンナノファイバの作製", 第 17 回ダイヤモンドシンポジウム, 青 山学院大学, 2003 年 11 月. 岩崎 孝之, 孝之 保坂 亮太, 鍾 国倣, 大泊 巌, 川原田 洋, "マイクロ波プラズマ CVD 法によ る垂直配向円錐型カーボンナノファイバの作製", 秋季第 64 回応用物理学会学術連合講 演会, 福岡大学七隈キャンパス, 2003 年 8 月.. 著書. その他 特許. 川原田洋, 岩崎孝之, 岩崎孝之 “ナノカーボンハンドブック 超微細配線を指向した単層CNT合成 方法の開発”, 3章3節2項6. pp351-356, 2007年7月.. 川原田洋, 岩崎孝之, 岩崎孝之 特願 2007－152632,「単層カーボンナノチューブ製造方法、半導体 配線構造の製造方法」.
(8)
(9)
関連したドキュメント
建築設備シミュレーションソフトウェアの 継続的開発法に関する研究 Strategy for continuous development of building environmental simulation software with open source approach..
[r]
Enhanced recovery process of calcium oxide and metals from steelmaking slag with net carbon sequestration, 13 th International Conference on Greenhouse Gas
第7777章 章 章 章 参加者 参加者 参加者 参加者の の の評価 の 評価 評価 評価と と と調整 と 調整 調整
Horikoshi Characteristics of multivalent impurity doped C60 films grown by MBE 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Tokyo, Japan, September 3-8, 2006..
[r]
19th Mendeleev Congress on General and Applied Chemistry (2011. 9, Volgograd) Katsuyuki Takahashi and Hiroyuki Nishide.. Radical Polymer Brushes on Al Prepared by
[r]
