新技術説明会　様式例

無線電力伝送用受電レクテナ

( アンテナと回路の融合技術 )

金沢工業大学 工学部 電気電子工学科 教授 伊東健治

令和３年２月２５日

無線電力伝送技術

・電磁誘導方式 (kHz): コイルで誘起される磁場を利用 伝送距離： mm 〜 cm

・共鳴送電方式 (MHz) ：共振器間の結合 伝送距離： cm 〜 m 、

・電磁波方式（ GHz ）：電磁波による伝送（今回の説明対象システム）

伝送距離：回線設計により遠距離も（成層圏、宇宙）

➔ スマートフォン、工場内のセンサーへの非接触給電

バッテリーフリーの保守用センサー（屋内）、ドローンなど（屋外）

総務省にて「空間伝送型ワイヤレス電力伝送システム」として制度化予定

・第１ステップ（屋内：制度化作業中）、第２ステップ（屋外）

・周波数： 920MHz(RFID), 2.4GHz(ISM 帯 , WiFi) 、 5.7GHz(ISM 帯 , WiFi)

マイクロ波での無線電力伝送の動向

金沢工業大学での無線電力伝送への取り組み

主に、受電用のレクテナ（アンテナ＋整流器：電波を受信し、直流を出力）の高効率化を研究。

１．大電力伝送用

2.4GHz

〜

24GHz

帯受電レクテナ（受電電力：

1W

〜

10W

クラス）

・ドローンなどの移動体、工業設備などでの非接触給電

・内閣府

SIP

「

IoE

社会のエネルギーシステム」で研究（研究代表：名大 天野教授）

・回路機能を実現したアンテナと半導体の直接接続技術により究極の高効率化（世界トップ）

・製品化でネックとなる整流用半導体として

GaAs

整流器

IC

（

WIN Semiconductor

社）を開発済 ２．エネルギーハーベスティング用受電レクテナ（受電電力：

nW

〜

mW

クラス）

・

IoT

や保守用センサ類のバッテリレス化。

RFID

の高性能化（動作距離延伸）。

・

JST CREST

「

Super Steep

トランジスタ と

Meta Material

アンテナによる

nW

級環境

RF

発電技術 の創出」で研究（研究代表：電通大 石橋教授）

・

1kΩ

を超える高インピーダンスアンテナの実現による究極の高感度化（世界トップ）

・製品化でネックとなる整流用半導体として

SOI-CMOS

整流器

IC

（

Global Foundry

社）を開発済

先鋭的な電波研究を支える日本有数の研究環境

・ミリ波までの主要測定機器（ネットワークアナライザ他），

・大電力波源（200W, 2.4GHz,5.8GHz）

・集積回路組み立て用ダイボンド、ワイヤボンド設備

・ADS, CADENCE, EM-PRO, FEKOなどの設計環境を保有

[主要設備]

・大型電波暗室：１、小型電波暗室：２

・無線電力伝送用電波暗室：１

教育としての研究：

先鋭的な研究課題を取り組むなかで，学生は理論検討・

シミュレーション・製作・検証・改善・論文発表のサイクルを経験．

無線電力伝送に関わる研究者(出身企業)：

教授 伊東健治 無線電力伝送・RF回路（三菱電機）

研究員 坂井尚貴 無線電力伝送 共同研究者

教授 牧野滋 メタマテリアルアンテナ （三菱電機）

教授 野口啓介 小型アンテナ

4

無線伝送実験用電波暗室の概要（2019年５月竣工）

送電

(200W max)

受電

(10W max)

不燃 吸収体面

(ICM006A)

無線送電

低背吸収体面

(IS-V023)

低背吸収体面

(IS-V023)

低背吸収体面

(IS-V023)

吸収特性

ICM006A +フェライト

IS-V023 +フェライト

[email protected],ANT利得20dBでの

電力密度18mW/cm

²

・2.4GHz、5.8GHzの200W増幅器導入

・回転台あり

・フェライトにより30MHz以上で対応

１．大電力伝送用受電レクテナ 受電レクテナの役割と研究の狙い

受電レクテナ

マイクロ波

受電 レクテナ

送信アンテナ

受電レクテナ：長距離の無線電力伝送に適するマイクロ波伝送の受電素子

・受電アンテナと整流回路からなる。マイクロ波電力を直流電力に変換。

・多数のレクテナを配置し、所望電力を得る：

[例] 1W受電レクテナ X 電力効率70% X 100素子＝ 70W

研究の狙い：受電レクテナの大電力化・高効率化

[例] 5W受電レクテナ X 電力効率80% X 18素子＝ 72W

➔

受電システムの小型・軽量化、低コスト化、定消費電力化。

40 50 60 70 80 90 100

0.1 1 10

電力変換効率 (%)

入力電力 (W)

従来の受電レクテナの問題点（効率低下要因）

整流ダイオードの効率

整流回路の電力変換効率

(1)

整流回路の電力変換効率は、整流ダイオードの効率よりも低下。大電力であるほど顕著．

この効率低下は、「整流回路の回路部」の損失に起因。

(2)

高調波の閉じ込め、昇圧、整合などの機能を有する回路部により、アンテナからのマイクロ 波電力を整流用ダイオードに印加。しかし回路の損失によりダイオードに届く前に減衰し効 率が低下します．

(3)

今回，この「整流回路の回路部」を不要とし，受電アンテナに整流ダイオードを直接接続。

「整流回路の回路部」の損失を抑制し、高効率化。

効率低下

本研究(高効率化技術)による5.7GHz帯受電レクテナ

基板表面 基板裏面

高調波の 閉じ込め

受電アンテナ(昇圧)

短絡スタブ

(整合)

ダイオード

直流出力

直流出力 基板表面

基板裏面

ダイオード

受電レクテナの構成と写真

（大きさ：32mm x 11mm）

(1)

新たな構造の受電アンテナにより「整流回路の回路部」の機 能を実装。アンテナ効率の劣化は2%未満。受電アンテナに整 流ダイオードを直接接続。回路損失を抑制。

(2)

マイクロ波電力1W入力時92.8%の電力変換効率を実現。世界 トップ性能。回路損なしの整流ダイオードの効率を実現。

(3)

アンテナと回路を一体化することで部品点数を究極まで削減

➔

後述の整流器ICとの組み合わせで２点

40 50 60 70 80 90 100

0.1 1 10

電力変換効率

( %)

入力電力 (W)

KIT(本研究)

KIT(別研究)

整流ダイオード の効率

( 次項で説明 )

主要データ(5.7GHz帯受電レクテナ)

f=5.6–5.9GHz

f=17.0–17.5GHz Normalized impedance: 500 W

Fundamental frequency f

0

: 5.75 GHz

・ : f

⁰

+ : 3f

0

Measured Z

a

Simulated Z

a

0

−10

−20 Gain(dBi)

0 ° 180 °

270 ° 90°

: Measured Gain : Simulated Gain

z x

y

z x

y

1 180 °

270 °

90 ° V

dc

(V)

10

0 °

0 20 40 60 80 100

16 20 24 28 32

Input power P

ⁱⁿ

(dBm)

R e c tif ic a tion e ff ic ien c y ( % )

92.8 %

(P

in

=30 dBm) R

^L

=890 W, f

⁰

=5.75 GHz

0 10 20 30 40

16 20 24 28 32

Input power P

in

(dBm)

D C o u tp u t v o lt a g e V

dc

(V)

29 V

(P

in

=30 dBm) R

L

=890 W, f

0

=5.75 GHz

: Simulated : Measured

: Simulated : Measured

・アンテナ利得：2.3 dBi

・アンテナ効率: 96.9%

・回路機能実装にともなうアン テナ効率低下量：2%未満

・アンテナインピーダンス：

整合、高調波処理機能実現

・整流器へ1W入力時に 整流効率：92.8%

出力電圧：29V

動作デモ

5.8GHz 帯受電レクテナを用いるミニ 4 駆走行デモ

[実用化での最大の課題] 整流用半導体の調達

W級整流器に適用可能な市販ダイオード ➔

なし

従来の代替案：GaAs/GaN FET増幅器構成による同期型整流器➔大型，低効率

新たな代替案：E-pHEMTによるGated anode diode（マイクロ波領域では初の発表）

50 60 70 80 90 100

1 10

GaAs GaN

This work

DV[10]

SS[7]

SS[7]

SS[6]

SY[8]

SY[9]

Rectifier type BR：Bridge SS：Single shunt

DV：Double voltage SY：Synchronous

Rectification efficiency (%)

Input power (W) SS[4]

FET MC

dc output

Vg RF

input

Phase shifter

S G

MC D

L L

0 0.5 1 1.5

0 100 200 300 400

C urrent I

j,

I

ds

(m A)

Voltage Vj, Vds (V)

E-pHEMT Diode

V

j

= V

ds

= V

gs

G S D I

j

V

j

= V

ds

V

gs

E-pHEMT Anode

Cathode

-20 -40 -60 -80 -100 600 400 200

Modeled Measured

Current Id(μA

) Voltage Vj(V)

0.5 1.0 1.5 -15 -10 -5

0

Current Id(mA) Imax= 490 mA

@1.3 V

Si-SBD

(HSMS282P) GaAs-SBD GAD with E-pHEMT (This paper)

fc 30 GHz 334 GHz 253 GHz

Vbr(100 mA) 22.4 V 28 V 13.7 V Imax 107 mA/pF 564 mA/pF 1170 mA/pF

小信号用FETを使用

・高周波特性はGaAs SBD同等

・ブレークダウン電圧は劣るが，大 電流動作に適する．

12

5.7GHz帯5W整流器IC

・5.1 W入力時に整流効率77.9%,出力電圧39.8V

(トップ性能)

・整合回路損失を除くと85%程度

==>アンテナへとダイオードの直接接続構成評価中

E-PHEMT ダイオードを用 いる 5.8GHz 帯倍電圧整流器 MMIC

5.8 GHz band voltage-doubler rectifier MMIC with E-PHEMT diode

小松郁弥

伊東健治

坂井尚貴

Fumiya Komatsu Kenji Itoh Naoki Sakai

金沢工業大学

Kanazawa Institute of Technology

１．まえがき

無線電力伝送の広範な応用のためには，レクテナの高 効率化，大電力化が課題である．ノーマリーオフ特性を 有する

FET

のゲート端子とドレイン端子を接続して構成 する

FET

ダイオードは大電流密度が特長であり，大電力 化に適する．筆者らは

MOSFET

により，その効果を確認 している

[1]

． ここではより高耐圧である

0.5μm E-PHEMT

ダ イ オ ー ド

(WIN Semiconductor

社

PD50-10)

を用 い る

5.8GHz

帯整流器

MMIC

の試作結果を報告する．

2．構成と設計

図

1

に

E-PHEMT

ダイオードの静特性を，図

2

に

E-

PHEMT

ダイオード

(Wg=1.2mm)

のモデル示す．

ON

時の微

分 抵 抗 が

10

％ 増 加 す る 条 件 で の 最 大 電 流 は

425mA

(355mA/mm)

であり，通常の

SBD

と比較して大電流特性が

得られている．回路設計にあたっては上記モデルをもと に，ダイオードの直列段数，ゲート幅および電源インピ ーダンスを最適化

[2]

している．図

3

に

5.8GHz

帯倍電圧整 流器

MMIC

の構成を示す．整流素子に直列に

3

段接続し

た

E-PHEMT

ダイオードを用い，高耐圧としている．倍電

圧回路とすることにより，不平衡入力とし，直流出力の 高インピーダンス動作による高効率動作を狙っている．

また，ダイオードの容量に対し整合回路を設けている．

3．評価結果

図

4

に

5.8GHz

帯倍電圧整流器

MMIC

の外観を示す．

1.2mm

角である．図

5

に入出力特性を示す．入力電力

36.8dBm (4.8W)

のとき整流効率

74.9%

，出力電圧

34.5V

で ある．これは

5.8GHz

帯整流器としてトップ性能である．

整合回路の挿入損失は

0.85dB

であり，これを補正すると ダイオード単体の整流効率は

88.4%

である．今後，アンテ ナと整流用ダイオード

MMIC

との直接整合によるレクテ ナの高効率化を検討する予定である．

4．むすび

本報告では

E-PHEMT

ダイオードの高電流特性と大電力 化の効果について示した．本研究の一部は，内閣府総合 科学技術・イノベーション会議の戦略的イノベーション 創造プログラム

(SIP)

「

IoE

社会のエネルギーシステム」

(

管理法人

:JST)

によって実施された．

参考文献

[1] S.Yanagihara, K.Itoh, et.al., “The 2.4 GHz band SOI- CMOS bridge rectifier IC”, IEEE WPTC2017.

[2]

坂井，伊東他，信学技報

WPT2019-42.

Rs ₁ 0.75 Ω Rs ₂ 1.20 Ω Is 460 pA

n 1.62

Vbr 16.1 V Cj0 0.75 pF

Cj Rj Rs 1

Rs 2

図 3 5.8GHz 帯倍電圧整流器 MMIC の構成 図 1 E-PHEMT ダイオードの静特性

図 2 E-PHEMT ダイオードのモデル

図 4 5.8GHz 帯倍電圧整流器 MMIC の外観

E-PHEMT diode

1 .2 m m

1.2mm RF

input

port DC

output port

Thermal via-hole

20 30 40 50 60 70 80

25 30 35 40

R e ct if ic at io n e ff ic ie n c y ( % )

Input Power (dBm)

0 10 20 30 40 50

25 30 35 40

O u tp u t v o lt ag e (V )

Input Power (dBm) Measured Simulated RL=330Ω

Cdc L

CL RF

input

port DC

output port E-PHEMT Diode x6 Matching

circuit

GAD with E-pHEMT x6 Input

port

Output port Thermal

via-hole

0 10 20 30 40 50 60 70 80

20 25 30 35 40

Rec ti fi c a ti o n e ff ic ie n c y (% )

Input power (dBm)

0 10 20 30 40 50 60

25 30 35 40

O u tp u t v o lt a g e (V)

Input power (dBm) Simulated

Measured

Simulated

Measured

整合回路含め

1mm角に集積化

ブリッジダイオードチップ

40 50 60 70 80 90 100

0.1 1 10

電力変換効率

(%)

入力電力

(W)

アンテナ一体5.7GHz帯受電レクテナの開発ロードマップ@金沢工大

GaN GAD (VB=100V)

1Wにおける

世界最高効率

(92.8 %)

10W

における 断トツの 世界最高値

西安電子科技大

(GaN SBD)

GaAs SBD

アンテナ基板

GaN GAD

アンテナ基板(放熱)

GaAs/GaN SBD

アンテナ基板

回路 基板

[従来構造]

GaAs SBD (VB=25V)

早期実用化が可能な研究成果

GaAs GAD (VB=13V)

GaAs GAD

アンテナ基板（放熱）

三菱

(GaAs SBD)

金沢

工大

金沢

工大 名大/金沢工大

2020

年度上期

: 1 W 92.8% 2020

年度下期

: 5 W, 85% 2022

年度

: 10 W, 85%

IC

GaAs GAD

GaN GAD

0 10 20 30 40 50 60 70

18 20 22 24 26 R ec ti fi ca ti o n ef fi ci e n cy ( % )

Frequency (GHz) Simulated

Measured

0 2 4 6 8 10 12

18 20 22 24 26

O u tp u t v o lt ag e (V )

Frequency (GHz) Simulated

Measured 0

10 20 30 40 50 60 70

15 20 25 30

Input power (dBm) R ec ti fi ca ti o n ef fi c ie n cy ( % )

Simulated Measured

0 5 10 15 20 25 30

15 20 25 30

O u tp u t v o lt ag e (V )

Input power (dBm) Simulated

Measured

Smoothing Capacitor C L

Matching circuit Input

port

Output port

GAD with E-pHEMT x4

dc block L C ^dc

GAD with E-pHEMT x4

Output C ^dc port

L

C L

0.85 mm

0 .7 5 m m

Input port

Gated Anode Diode(GAD)を用いる20GHz帯整流器IC

・空間伝送損失を抑制するためには、アンテナの高利得化が可能なミリ波が有利。

・周波数としてはISM帯(24GHz)、5G(28GHz帯)が候補。

・20GHzにおいて入力電力

26.8dBm (0.48W)のと き整流効率 60.1%，出力電圧 16.6V を得た。

2. エネルギーハーベスティング用受電レクテナ - JST CREST他での成果

特長：

1kΩ

を超える高インピーダンスアンテナの実現による究極の高感度化（世界トップ）

折り返しダイポールアンテナ 微小ループアンテナ

メタマテリアル技術による薄型化高インピーダンスアンテナ

整流素子：市販

SBD(μW

～

mW

動作

)

，

SOI-CMOS IC(nW

～

μW

動作

) (1) AM放送波用1MHz帯受電レクテナ

•

ループアンテナ（

370kΩ

）＋市販

SBD /SOI-CMOS IC (nW

動作

) (2) DTV

用

500MHz

帯受電レクテナ

•

折り返しダイポールアンテナ

(2

ｋ

Ω)

＋市販

SBD(μW

動作

,

全

ch

カバー

) (3) RFID

用

920MHz

帯受電レクテナ

•

折り返しダイポールアンテナ

(2

ｋ

Ω)

＋市販

SBD(μW

～

mW

動作

)

•

双ループアンテナ

(2

ｋ

Ω)

＋市販

SBDSBD(μW

～

mW

動作

)

•

微小ループアンテナ

(27kΩ)+SOI-CMOS ICSBD(sub-μW

動作

)

• AMC

基板上の折り返しダイポールアンテナ

(20

ｋΩ)＋

SOI-CMOS IC

（厚さ

4mm, sub-μW動作）

(4) WiFi用2.4GHz帯受電レクテナ

•

３導体折り返しダイポールアンテナ(10ｋΩ)＋SOI-CMOS IC （sub-μW動作）

• AMC

基板上の折り返しダイポールアンテナ

(10

ｋ

Ω)

＋

SOI-CMOS IC

（厚さ

4mm, sub-μW

動作）

40nm SOI-CMOS 整流器ICを開発し、

これを用い2.4GHz帯および920MHz帯レ クテナを開発。高インピーダンスアンテ ナによりトップ性能を実現。サブμWで の動作確認。

RF Energy Harvesting 基本技術開発

微小ループアンテナ

SOI-CMOS

整流器IC

920MHz帯レクテナ S.Tsujita, et.al., APMC2019

微小ループアンテナと整流器ICを直接接続、26kΩの 共振インピーダンスを実現し、高感度化。サブμW領域 での動作を確認。920MHz帯レクテナとしてトップ性能。

0 5 10 15

2.3 2.4 2.5

V_sim V_meas V_sim_withL

Frequency (GHz)

R e c ti fi c a ti o n e ff ic ie n c y ( % )

Measured

Simulated

2.4GHz帯レクテナ S.Tsuchimoto, et.al., WPTC2019

3導体折り返しダイポールアンテナ(3-FDA)で10kΩ

の高インピーダンス実現。誘導性とし整流器チップを 直接整合。2.4GHz帯レクテナとしてトップ性能。

寸法: 52mm X 26mm

3-FDA

整流器IC

RF

入力

DC

出力

寸法：

46mm X 40mm

微小ループアンテナ

整流器

IC

M. Stoopman 2014

J. Yi 2007 G. Papotto

2005 S. Mandal

2007

Measured Calculated

Measured

Calculated

アンテナ利得

-10 0

Gain(dBi)

整流器IC

Theory 1.8 dBi Calculated

0.7 dBi @0°

Measured 1.1 dBi @0°

This study

誘導性インピーダンスとした高インピーダ ンス・メタマテリアルアンテナと40nm SOI-

CMOS 整流器ICにより2.4GHz帯および 920MHz帯レクテナを開発。高効率特性を

確認。金属板上での高効率動作も実証。

メタマテリアルアンテナを用いる高感度レクテナ

920MHz

帯

レクテナ

4

メタマテリアルアンテナを用いるレク テナ

整流器

IC

DC出力 RF入力

RF

入力

DC

出力

SOI-CMOS整流器IC(2段)とレイアウト(PAD除く)

周波数

900MHz 2.4GHz

大きさ

122mm X50mm 43mm X30mm

インピーダンス 16kΩ 10kΩ

ANT利得@自由空間 1.9dBi 3.5dBi

@金属板上 3.2dBi 6.6dBi

SOI-CMOS整流器IC 3段 2段

出力電圧@自由空間

0.54V@-30dBm 0.27V@-30dBm

@金属板上 0.60V@-30dBm 0.39V@-30dBm

効率@自由空間

53%@-30dBm 37%@-30dBm

@金属板上 72%@-30dBm 78%@-30dBm

Cdc

CL

Two stage CCP RF input port

DC output port 66μm

37μm

2.4GHz

帯 レクテナ

0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2

-40 -35 -30 -25 -20

Output voltage (V)

Input power (dBm)

0 10 20 30 40 50 60 70 80

-40 -35 -30 -25 -20

Efficiency (%)

Input power (dBm)

Free

space Free

space On

metal

On metal

0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6

900 910 920 930 940

Output voltage (V)

Frequency (MHz)

0 20 40 60 80 100

-40 -35 -30 -25 -20

Efficiency(%)

Input Power (dBm)

Free space On

metal

0 0.2 0.4 0.6 0.8

-40 -35 -30 -25 -20

Output voltage(V)

Input Power (dBm)

Free space On

metal

0 0.1 0.2 0.3 0.4

2.36 2.38 2.4 2.42 2.44

Output Voltage(V)

Frequency(GHz)

0 20 40 60

-40 -30 -20 -10

Rectification efficiency(%)

Input power(dBm)

KIT-LOOP 2019

S.Mandal 2007 M.Stoopman

2014

G.Papotto 2007

J.Yi 2007 This work

金沢で共振インピーダンス330kΩのループ アンテナとSOI-CMOS整流器ICを用いたAM ラジオ放送波から発電。関東(NHK, 500kW) での平野部全域での動作に相当。

環境RF信号からの発電実験

RFID送信機(1W, 920MHz)からの室内発電。壁

を挟んだ25mの距離で発電。またメタマテリアル レクテナでは金属板上での発電を確認。

ループアンテナ 正面

(19ターン)

0 10 20 30 40

-70 -60 -50 -40 -30

E ff ic ie n c y ( % )

Input power (dBm)

0.001

0.01 0.1 1

10 20 30 40

Output voltage (V)

Distance (km)

Open

Matched load

calculated

measured

RFID送信機

RFID送信機

レクテナ

メタマテリアル・レクテナ

(自由空間)

メタマテリアル・レクテナ

(金属板上)

実用化に向けた課題：法制化

• 総務省にて「空間伝送型ワイヤレス電力伝送システム」として制 度化予定。法制化時期に合わせたシステム検討。

• 周波数： 920MHz(RFID), 2.4GHz(ISM 帯 ) ,5.7GHz(ISM 帯 )

• 第１ステップ（屋内：制度化作業中）、第２ステップ（屋外）

• 法制化が不要な非放射のシステムでの利用の検討

（例：電子レンジなど高周波加熱装置への付加）

企業への期待

• 早期の社会実装に向けたシステム化。

• 様々な応用が考えられるなかで、送電、受電で の電源系含めたシステム化が可能な企業との 研究を期待。

• 電力伝送チップセットとしての商流を期待する企

業 に つ い て は IC 化 。 弊 学 の 技 術 で reference

design を構築可能。

本技術に関する知的財産権

産学連携の経歴

• 2009 年 -2021 年 企業と共同研究実施

( 合計６社から受託、現在４社、３社検討中 )

• 2016 年 - JST CREST （微弱電力受電）

• 2018 年 - 内閣府 SIP( 大電力受電 )

1983年３月 同志社大学 工学部 電子工学科 卒業

1983年４月 三菱電機株式会社入社（情報電子研究所 配属）

1997年３月 東北大学 工学研究科 後期博士課程 修了，博士（工学）

1997年10月 情報技術総合研究所から通信システム統括事業部へ異動 2003年10月 モバイルターミナル製作所 第一技術部長

2009年9月 金沢工業大学工学部 教授

学会活動、受賞：

[IEEE]

2002-present Technical Program Committee Member of IEEE MTT-S International Symposium 2004-2008 Associate Editor of IEEE Trans. MTT

2006-2008，2010，2012-2014 IEEE MTT-S elected ADCOM member 2014 IEEE MTT-S N. Walter Cox Award

2017 IEEE FELLOW [日本学術会議]

2008-2010 日本学術会議URSI-C委員長 [電子情報通信学会]

2014

和文論文特集号「大学発マイクロ波論文特集号」編集委員長

General chair of Thailand Japan MicroWave 2014 (TJMW2014，信学会エレクトロニックソサエティ マイクロ波研究会主催) 2015 General chair of Vietnam Japan MicroWave 2015 (VJMW2015，信学会エレクトロニックソサエティ マイクロ波研究会主催) 2017 General chair of Vietnam Japan MicroWave 2017 (VJMW2017，信学会エレクトロニックソサエティ マイクロ波研究会主催)

受賞：関東地方発明表彰発明奨励賞

2件, 近畿地方発明表彰発明奨励賞，第50回オーム技術賞

著書「モバイル通信の無線回路技術」（電子情報通信学会，共著）、無線通信の基礎技術(オーム社、共著)、マイクロ波伝送・回路デバイスの基礎（オー ム社、共著）

伊東健治 略歴

お問い合わせ先

金沢工業大学

産学連携局 産学連携東京分室

ＴＥＬ ０３ － ５７７７ － １９６４

ＦＡＸ ０３ － ５７７７ － １９６５

e-mail iuctky＠mlist.kanazawa-it.ac.jp