博 士 論 文 概 要

Graduate School of Advanced Science and Engineering Waseda University

博 士 論 文 概 要

Doctoral Thesis Synopsis

論 文 題 目

Development of Electrically Conducting Vanadium Oxides and Their Physical Properties

電気伝導性 V 酸化物の開発と物性

申 請 者 (Applicant Name)

Kazuma FUNAHASHI

舟橋 一真

Department of Advanced Science and Engineering, Research on Physics and Applied Physics A

December, 2018

No. 1

遷 移 金 属 酸 化 物 の 電 子 相 関 に 起 因 す る 豊 か な 電 子 物 性 の 解 明 は 、 固 体 物 理 に お け る 重 要 な 課 題 で あ る と と も に 、そ の 特 異 な 電 子 物 性 は エ ネ ル ギ ー 貯 蓄 、変 換 、 そ し て 利 用 へ の 新 規 な ア プ ロ ー チ と し て 期 待 さ れ て い る 。 例 え ば 遷 移 金 属 イ オ ン が 複 数 の 価 数 を 取 り 得 る 性 質 、す な わ ち d 電 子 の 授 受 が 容 易 で あ る 性 質 は 、Li/Na イ オ ン バ ッ テ リ ー の 電 極 な ど の エ ネ ル ギ ー 貯 蓄 へ の 応 用 が 期 待 さ れ る 。 ま た 、 そ の 強 い 電 子 相 関 に 起 因 し て ス ピ ン が 持 つ 特 異 な エ ン ト ロ ピ ー は 熱 電 発 電 素 子 な ど の エ ネ ル ギ ー 変 換 デ バ イ ス へ の 応 用 が 期 待 さ れ て い る 。 そ の 他 に も 、 遷 移 金 属 酸 化 物 特 有 の 金 属 ― 絶 縁 体 転 移 温 度 前 後 に お け る 電 気 抵 抗 の 急 激 な 変 化 を 利 用 し た ボ ロ メ ー タ（ 微 小 温 度 差 を 感 知 す る 赤 外 線 セ ン サ ー ）や ス マ ー ト ・ウ ィ ン ド ウ（ 温 度 差 で 調 光 す る 窓 ）、磁 気 熱 量 効 果 を 利 用 し た 磁 気 冷 凍 庫 と い っ た エ ネ ル ギ ー 利 用 デ バ イ ス も 考 案 さ れ て い る 。 さ ら に 、 こ れ ら の 物 性 は 元 素 固 融 置 換 な ど の b o tto m -up 的 ア プ ロ ー チ や 外 場 （ 電 場 ・ 磁 場 ・ 応 力 な ど ） 印 加 な ど の to p -d o wn 的 ア プ ロ ー チ を 施 す こ と で 、 応 用 に 向 け た さ ら な る 最 適 化 も 可 能 で あ る 。

本 研 究 で は 、 こ れ ら 遷 移 金 属 酸 化 物 の 中 で も 特 に 電 気 伝 導 性 を 有 す る も の に 注 目 す る 。電 気 伝 導 性 を 有 す る 遷 移 金 属 酸 化 物 は 、19 8 6 年 の 銅 酸 化 物 の 高 温 超 電 導 の 発 見 以 来 、そ の 電 子 相 関 に 起 因 す る 様 々 な 物 理 現 象 が 盛 ん に 研 究 さ れ て き た 。 近 年 、 電 気 伝 導 性 遷 移 金 属 酸 化 物 の 中 で 、 そ の 軌 道 自 由 度 と 電 荷 自 由 度 が 低 温 に お い て 整 列 す る 物 質 群 が 発 見 さ れ た 。 典 型 的 な 例 は ペ ロ ブ ス カ イ ト 型 Mn 酸 化 物 で あ り 、軌 道/電 荷 整 列 状 態 と 強 磁 性 金 属 相 の 競 合 が 磁 場 印 加 時 に 電 気 抵 抗 を 抑 制 す る 超 巨 大 （ コ ロ ッ サ ル ） 磁 気 抵 抗 効 果 が 観 測 さ れ て い る 。 そ れ 以 外 に も 、Ti、 V、Fe、Co、Ni、Ru 酸 化 物 に お い て 軌 道/電 荷 整 列 が 報 告 さ れ て お り 、 軌 道/電 荷 整 列 が 電 気 特 性 や 磁 気 特 性 な ど に 大 き な 影 響 を 与 え る こ と が 知 ら れ て い る 。 こ の こ と は 、軌 道/電 荷 自 由 度 を 意 図 的 に 制 御 す る こ と で 、こ れ ら の 物 質 に 特 有 な 物 性 を 制 御 で き る 可 能 性 を 示 唆 し 、 遷 移 金 属 酸 化 物 を エ ネ ル ギ ー 関 連 デ バ イ ス 応 用 へ と 昇 華 す る 新 し い ア プ ロ ー チ と 見 る こ と が で き る 。 さ ら に 、 最 近 の 研 究 に よ り 、 比 較 的 高 い 電 気 伝 導 度 （~ 1 0³Ω^{- 1}cm^{- 1}） を 有 す る 軌 道/電 荷 整 列 V 酸 化 物 で 、 軌 道/ 電 荷 揺 ら ぎ が フ ォ ノ ン 熱 伝 導 度 を 著 し く （ 通 常 物 質 の 1 0 %程 度 ） 抑 制 す る 普 遍 的 な 振 る 舞 い が 発 見 さ れ た 。こ れ は 、軌 道/電 荷 揺 ら ぎ に よ り 音 響 フ ォ ノ ン が 強 く 散 乱 さ れ る こ と を 示 唆 し 、軌 道/電 荷 整 列 の 制 御 に よ る 熱 電 材 料 に 最 適 な 高 電 気 伝 導 性 低 熱 伝 導 性 材 料 の 実 現 が 期 待 さ れ る 。

上 記 の 背 景 を 踏 ま え 、 本 研 究 で は V 酸 化 物 に お い て 、 元 素 置 換 に よ る 高 電 気 伝 導 性 物 質 の 開 発 、軌 道/電 荷 整 列 に お い て 電 気 伝 導 性 を 示 す 特 異 な 基 底 状 態 の 解 明 、 そ し て 熱 電 材 料 開 発 を 目 指 し た 、 外 場 に よ る 軌 道/電 荷 整 列 の 抑 制 を 試 み た 。

本 論 文 は 全 5 章 か ら な り 、 以 下 に 各 章 の 概 要 を 述 べ る 。

第 1 章 で は 、 本 研 究 の 背 景 と 目 的 、 論 文 の 構 成 に つ い て 述 べ た 。

第 2 章 で は 、 ス ピ ン ダ イ マ ー 系 斜 方 晶 Sr2VO4 に お け る 、 ド ー ピ ン グ の 効 果 に つ い て 議 論 す る 。 斜 方 晶 Sr2VO4 は 、 そ の 磁 化 率 温 度 依 存 性 が 典 型 的 な sp in- gap

No. 2

の 振 舞 い を 示 す こ と が 知 ら れ て い る 。 こ れ は 、V^{4 +}イ オ ン （3d¹） が ダ イ マ ー を 組 み 、sp in-s in gl e t に な る た め と 考 え ら れ て い る 。 こ う し た sp in-g a p 状 態 が ド ー ピ ン グ に よ っ て ど の よ う に 変 化 す る か は 興 味 深 い 問 題 で あ る が 、 ス ピ ン ダ イ マ ー 系 に 対 し て は ほ と ん ど 研 究 が な さ れ て い な い 。 本 研 究 で は そ の ド ー ピ ン グ 効 果 を 明 ら か に す る た め に 、 sp in-s i ng let を 形 成 す る V サ イ ト を 非 磁 性 イ オ ン で 置 換 し た Sr2V1 -xTxO4（T = Ti, Nb） の 合 成 を Flo at in g Zo n e 法 に よ っ て 試 み 、cm ス ケ ー ル の 単 結 晶 合 成 に 成 功 し た 。 得 ら れ た 単 結 晶 試 料 を も ち い て 、 磁 化 率 、 電 気 抵 抗 率 、 光 学 反 射 率 を 測 定 し 、 ド ー ピ ン グ に よ る 効 果 を 調 べ た 。 そ の 結 果 、 母 物 質 に お け る 、 磁 化 率 の sp in-g ap の 振 る 舞 い に 対 し て 、Ti と Nb の ド ー ピ ン グ は Curie-Weis s 成 分 の 増 加 に つ な が る こ と が 分 か っ た 。 ま た 、 こ の Ti ド ー ピ ン グ に よ る Curi e-Wei ss 成 分 の 増 加 率 は 、局 在 し た 非 磁 性 の Ti^{4 +}を sp in- si n gl e t ダ イ マ ー の V^{4 +} サ イ ト に 置 換 す る モ デ ル で 定 量 的 に 説 明 さ れ た 。 一 方 、Nb ド ー ピ ン グ は Ti ド ー ピ ン グ よ り も Curie-Wei s s 成 分 の 増 加 率 が 数 倍 高 か っ た 。 さ ら に 、 絶 縁 体 の 母 物 質 の 電 気 抵 抗 が 室 温 で 1 0⁷Ωcm で あ っ た も の が 、5 %の Nb ド ー ピ ン グ に よ り 1 0 Ωcm ま で 減 少 す る こ と を 見 出 し た 。 こ れ ら の 実 験 結 果 は Nb イ オ ン の 空 間 的 に 広 い 4d 軌 道 が 隣 接 V イ オ ン の 3d 軌 道 と 混 成 し て い る こ と を 示 唆 し て お り 、 こ の 混 成 に よ る V イ オ ン の e 軌 道 の 電 子 の 再 配 置 が V ダ イ マ ー 内 の 強 い 反 強 磁 性 相 互 作 用 を 切 る こ と に つ な が っ た と 考 え ら れ る 。ま た 、Nb ド ー プ 試 料 の 電 気 抵 抗 率 と 光 学 反 射 率 は 異 方 性 を 示 し 、a 軸 方 向 の 伝 導 率 が 高 く な っ た 。 こ の こ と は 、 他 の 軸 に 比 べ て a 軸 方 向 に 伸 び る V-V の 伝 導 パ ス が 多 い た め で あ る と 考 え ら れ る 。

第 3 章 で は 、 軌 道/電 荷 整 列 V 酸 化 物 Ba1 -xSrxV1 3O1 8の 、 磁 気 輸 送 特 性 に よ る 基 底 状 態 の 解 明 に つ い て 議 論 す る 。 多 く の 場 合 、 軌 道/電 荷 整 列 状 態 は 絶 縁 的 で 、 有 限 の 電 荷 ギ ャ ッ プ が 開 く が 、 六 方 晶 Ba1 -xSrxV1 3O1 8 の V 三 量 体 秩 序 を 伴 う 軌 道 整 列 状 態 に お い て は 導 電 性 を 示 す 異 常 な 基 底 状 態 で あ る こ と が 分 か っ て い る 。 本 研 究 で は 、単 結 晶 Ba1 -xSrxV1 3O1 8の 低 温 に お け る 磁 気 輸 送 特 性 を 調 べ る こ と に よ っ て 、 軌 道 整 列 に 伴 う 異 常 な 伝 導 状 態 の 性 質 を 解 明 す る こ と を 目 的 と し た 。 そ の 結 果 、1 0K 以 下 に お い て の み 正 の 磁 気 抵 抗 を 示 し 、 磁 場 の 二 乗 に 比 例 し て 増 加 し 、 や が て 飽 和 す る 振 る 舞 い を 示 し た 。 ま た 、 絶 対 値 は 磁 場 方 向 に 依 存 せ ず 、 電 流 方 向 に 若 干 依 存 す る 結 果 と な っ た 。 こ の 磁 気 抵 抗 を Lo ren t z 力 に よ る 軌 道 効 果 と 仮 定 し て 、two -c ar ri er mo d el に よ る 解 析 を 行 っ た と こ ろ 、 キ ャ リ ア 移 動 度 は 遷 移 金 属 酸 化 物 の 中 で は 比 較 的 高 い 1 0³cm²/Vs と 算 出 さ れ た 。two -c arr ie r mo d el に 従 う と 、1 0K 以 上 に お け る 磁 気 抵 抗 の 抑 制 は 、 熱 励 起 或 い は バ ン ド シ フ ト に よ り 、 圧 倒 的 多 数 に な っ た キ ャ リ ア に 起 因 す る と 考 え ら れ る 。 こ れ ら の 結 果 か ら Ba1 -xSrxV1 3O1 8 の 基 底 状 態 は 、高 移 動 度 の わ ず か な 電 子 と ホ ー ル の 半 金 属 状 態 で あ る と 示 唆 さ れ る 。 さ ら に 、 キ ャ リ ア 数 の 情 報 を 得 る た め に 、Hall 測 定 を 行 っ た 。 そ の 結 果 、Hall 係 数 は 低 温 に お い て 、 ほ と ん ど の 場 合 で 負 で あ り 、 多 数 キ ャ リ ア が 電 子 で あ る こ と が 分 か っ た 。 ま た 、 絶 対 値 は 8 0 K 付 近 の 転 移 温 度 以 下 に お い て

No. 3

増 加 す る が 、 正 の 磁 気 抵 抗 が 見 ら れ た 1 0 K 以 下 で は 異 常 が 見 ら れ な か っ た 。Hall 係 数 か ら 見 積 も ら れ る キ ャ リ ア 数 は 、 磁 気 抵 抗 測 定 と 電 気 抵 抗 率 測 定 か ら 見 積 も ら れ る キ ャ リ ア 数 よ り も 少 な く と も 1 桁 大 き な 値 と な っ た 。 こ の こ と か ら 、 Ba1 -xSrxV1 3O1 8 の 異 常 な 低 温 相 で は 、 低 移 動 度 で キ ャ リ ア 数 の 多 い 電 子 が 、 半 金 属 状 態 の 高 移 動 度 で キ ャ リ ア 数 の 少 な い 本 質 的 な キ ャ リ ア と 共 存 し て い る も の と 考 え ら れ る 。

第 4 章 で は 、 応 力 に よ る 軌 道/電 荷 整 列 の 抑 制 に つ い て 議 論 す る 。 電 荷 自 由 度 に 電 場 が 、 ス ピ ン 自 由 度 に 磁 場 が 外 場 と し て 働 く よ う に 、 軌 道 自 由 度 に は 応 力 が 外 場 と し て 働 く こ と が 知 ら れ て い る 。 例 え ば 、 軌 道 自 由 度 を も つ Mn 酸 化 物 の 光 学 反 射 率 に お い て 、 劈 開 面 で 見 ら れ た Drud e 成 分 が 、 機 械 的 に 研 磨 し た 面 で は 消 失 す る こ と が 報 告 さ れ て い る 。 こ れ は 見 方 を 変 え る と 、 研 磨 に よ る 残 留 応 力 に よ っ て 、軌 道 整 列 物 質 の 物 性 を 制 御 で き る 可 能 性 を 示 す 例 と 言 え る 。し か し な が ら 、 光 学 反 射 率 か ら 得 ら れ る 情 報 は 表 面 か ら 波 長 （1 μm） 程 度 の 情 報 で あ り 、 残 留 応 力 に よ る 影 響 が ど の 程 度 の ス ケ ー ル に 及 ぶ か は 明 ら か で な い 。 そ こ で 、 本 研 究 で は 、 残 留 応 力 が 軌 道 自 由 度 に 及 ぼ す 影 響 を マ ク ロ な 物 理 量 と し て 観 測 す る こ と を 目 的 と し た 。 比 較 的 大 型 （cm ス ケ ー ル ） の 単 結 晶 が 得 ら れ て い る 軌 道/電 荷 整 列 V酸 化 物 BaV1 0O1 5を 研 磨 に よ っ て 薄 板 に 整 形 し 、電 気 抵 抗 率 と 磁 化 率 を 測 定 し た 。 BaV1 0O1 5は 1 23 K で V 三 量 体 軌 道 整 列 相 転 移 を 起 こ し 、 電 気 抵 抗 率 は 1 0³ 倍 に 増 大 す る 不 連 続 な 跳 び を 示 し 、磁 化 率 も sp in-s in gl e t 形 成 時 に 三 量 体 に 寄 与 し な い V イ オ ン の 磁 性 由 来 と 考 え ら れ る 、不 連 続 な 跳 び を 示 す 。複 数 の BaV1 0O1 5に 機 械 的 研 磨 を 施 し た と こ ろ 、電 気 抵 抗 率 の 跳 び が 、研 磨 前 に 比 べ て 1 0%程 度 に 抑 え ら れ 、 相 転 移 の 抑 制 を 確 認 し た 。 こ の 結 果 か ら 、 研 磨 の 残 留 応 力 に よ り 転 移 を 抑 制 さ れ た 低 抵 抗 率 の 層 と 応 力 の 効 果 が 及 ば ず に 転 移 し た 高 抵 抗 率 の 層 か ら な る 並 列 抵 抗 体 を 仮 定 し た モ デ ル を 立 て た と こ ろ 、 転 移 が 抑 制 さ れ た 層 は 、 研 磨 し た 最 表 面 か ら 1m 程 度 の 厚 み を 持 つ こ と が 見 積 も ら れ た 。 ま た 、 電 気 抵 抗 率 よ り も Bul k- se ns it iv e な 磁 化 率 測 定 を 行 っ た と こ ろ 、 厚 み 4 2 μm の 研 磨 試 料 の 磁 化 率 温 度 依 存 性 は そ れ ぞ れ の 軸 に つ い て 、研 磨 前 に 比 べ て 1 0 %程 度 変 化 す る 結 果 と な っ た 。 こ の 結 果 は 、 研 磨 に よ る 残 留 応 力 が 、 相 転 移 を 数 μm 程 度 の 厚 み を 持 っ て 抑 制 す る こ と を 示 唆 し 、 電 気 抵 抗 率 の 結 果 か ら 見 積 も ら れ た 厚 み と 矛 盾 し な い 。 研 磨 し た 最 表 面 は 研 磨 に よ る 欠 陥 が 生 じ た こ と で 残 留 応 力 を 生 み 、 こ の 応 力 に よ っ て 最 表 面 か ら 数m 程 度 の 厚 み を 持 っ て 軌 道 整 列 が 乱 さ れ 、 電 気 抵 抗 率 や 磁 化 率 に 変 化 を 及 ぼ し た と 考 え ら れ る 。 さ ら に 、 熱 電 応 用 を 考 慮 し て 応 力 が 熱 電 特 性 に 与 え る 影 響 を よ り 定 量 的 に 評 価 す る た め に 、 一 軸 圧 力 を 加 え な が ら 熱 起 電 力 の 温 度 依 存 性 を 測 定 可 能 な 装 置 の 立 ち 上 げ を 行 っ た 。そ の 結 果 、BaV1 0O1 5 に 1×1 0^{- 4}程 度 の 引 張/圧 縮 ひ ず み を 加 え る こ と に よ っ て Seeb e ck 係 数 が 2 %程 度 変 化 す る こ と を 見 出 し た 。

第 5 章 で は 、 研 究 の 総 括 を 行 い 、 本 研 究 で 明 ら か に な っ た こ と を ま と め る 。

No.1

早稲田大学 博士（工学） 学位申請 研究業績書

(List of research achievements for application of doctorate (Dr. of Engineering), Waseda University)

氏 名

(Full Name)

(seal or signature )

（

As of January, 2019

(By Type) 題名、 発表・発行掲載誌名、 発表・発行年月、 連名者（申請者含む）(theme,

journal name, date & year of publication, name of authors inc. yourself)

○論文

○論文

論文

論文

論文

論文

Kazuma Funahashi, Yu Kakesu, Tomomasa Kajita, Yoshihito Obata, Yumiko Katayama, Kazunori Ueno, Takehito Suzuki, Joseph George Checkelsky, and Takuro Katsufuji, “Magnetotransport Properties of the Orbital-Ordered State of Ba1-xSrxV13O18”, Journal of the Physical Society of Japan 88, 024708 (2019).

Kazuma Funahashi, Tadashi Higashide, Takashi Ueno, Kaito Tasaki, Yasuhiro Tahara, Masahiro Adachi, Takuo Saiki, Tomomasa Kajita, and Takuro Katsufuji, “Doping effect on orthorhombic Sr2VO4 with s = 1/2 dimers”, Physical Review B 98, 184422 (2018).

Kazuma Funahashi, Naoki Tanaka, Yoshiaki Shoji, Naoki Imazu, Ko Nakayama, Kaito Kanahashi, Hiroyuki Shirae, Suguru Noda, Hiromichi Ohta, Takanori Fukushima, and Taishi Takenobu, “Highly air- and moisture-stable hole-doped carbon nanotube films achieved using boron-based oxidant”, Applied Physics Express 10, 035101 (2017).

Jiang Pu, Kazuma Funahashi, Chang-Hsiao Chen, Ming-Yang Li, Lain-Jong Li, and Taishi Takenobu, “Highly Flexible and High-Performance Complementary Inverters of Large-Area Transition Metal Dichalcogenide Monolayers”, Advanced Materials 28, 4111 (2016).

Yuka Tsuboi, Feijiu Wang, Daichi Kozawa, Kazuma Funahashi, Shinichiro Mouri, Yuhei Miyauchi, Taishi Takenobu and Kazunari Matsuda, “Enhanced photovoltaic performances of graphene/Si solar cells by insertion of a MoS2 thin film”, Nanoscale 7, 14476 (2015).

Kazuma Funahashi, Jiang Pu, Ming-Yang Li, Lain-Jong Li, Yoshihiro Iwasa, and Taishi Takenobu, “Large-area WSe2 electric double layer transistors on a plastic substrate”, Japanese Journal of Applied Physics 54, 06FF06 (2015).

No.

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種 類 別 By Type

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講演

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講演

講演

講演

講演

講演

講演

講演

講演

舟橋 一真, 東出 唯志, 植野 卓嗣, 田崎 海渡, 田原 康博, 足立 雅弘, 斎木 琢夫, 梶田 倫正, 勝藤 拓郎, 「ダイマー系Sr2VO4 のドーピング効果」, 日本物理学会 2018年秋季 大会, 9pB206-4, 京都, 2018年9月.

舟橋 一真, 掛巣 佑, 鈴木 健士, 勝藤 拓郎, 「Ba1-xSrxV13O18の磁気輸送現象」, 日本物理 学会 第73回年次大会, 22aK403-1, 千葉, 2018年3月.

Kazuma Funahashi，Yu Kakesu，Takehito Suzuki，Joseph George Checkelsky, and Takuro Katsufuji, “Magnetotransport properties of Ba1-xSrxV13O18”, The 18th Taiwan-Japan-Korea Symposium on Strongly Correlated Electron Systems, P27, Taiwan, February 2018.

Kaito Kanahashi, Kazuma Funahashi, Takuya Miyauchi, Naoki Tanaka, Yoshiaki Shoji, Masatou Ishihara, Masataka Hasegawa, Ko Nakayama, Hiroyuki Shirae, Suguru Noda, Hiromichi Ohta, Takanori Fukushima, and Taishi Takenobu, “Environmentally stable carrier doping into graphene thin films by extraordinary molecular Lewis acid”, 12th Japan-China Joint Symposium on Conduction and Photoconduction in Organic Solids and Related Phenomena, Japan, October 2016.

舟橋 一真，梶田 倫正，神崎 達也，勝藤 拓郎, 「BaV10O15の軌道整列の外的制御」, 日 本物理学会 2016年秋季大会, 13aJB-5, 金沢, 2016年9月.

金橋 魁利, 舟橋 一真, 宮内 拓也, 田中 直樹, 庄子 良晃, 石原 正統, 長谷川 雅考, 福 島 孝典, 竹延 大志, 「超ルイス酸によるナノカーボン薄膜への正孔ドーピング」, 第77 回 応用物理学会 秋季学術講演会, 15p-A33-3, 新潟, 2016年9月.

Kaito Kanahashi, Kazuma Funahashi, Takuya Miyauchi, Naoki Tanaka, Yoshiaki Shoji, Masatou Ishihara, Masataka Hasegawa, Ko Nakayama, Hiroyuki Shirae, Suguru Noda, Hiromichi Ohta, Takanori Fukushima, and Taishi Takenobu, “Air-stable carrier doping into nano-carbon materials by extraordinary molecular Lewis acid”, Seventeenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes and Low-Dimensional Materials - NT16, Austria, August 2016.

Kazuma Funahashi, Naoki Tanaka, Yoshiaki Shoji, Ko Nakayama, Kaito Kanahashi, Hiroyuki Shirae, Suguru Noda, Takanori Fukushima, and Taishi Takenobu, “Environmentally Stable Carrier Doping into Carbon Nanotube Films by Extraordinary Molecular Lewis Acid”, The 50th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium, 3P-17, Tokyo, February 2015.

Jiang Pu, Kazuma Funahashi, Chang-Hsiao Chen, Ming-Yang Li, Lain-Jong Li, and Taishi Takenobu, “High-Performance Complementary Inverters of Large-Area Transition Metal Dichalcogenide Monolayers”, The 50th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium, 2P-43, Tokyo, February 2015.

Takuya Miyauchi, Naoki Tanaka, Yoshiaki Shoji, Kazuma Funahashi, Kaito Kanahashi, Masatou Ishihara, Masataka Hasegawa, Takanori Fukushima, and Taishi Takenobu, “Environmentally Stable Carrier Doping into Graphene Films by Extraordinary Molecular Lewis Acid”, The 50th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium, 2P-30, Tokyo, February 2015.

No.

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種 類 別 By Type

題名、 発表・発行掲載誌名、 発表・発行年月、 連名者（申請者含む）(theme, journal name, date & year of publication, name of authors inc. yourself)

講演

講演

講演

講演

講演

Kazuma Funahashi, Jiang Pu, Lain-Jong Li, Yoshihiro Iwasa, and Taishi Takenobu, “Flexible Transistor and Inverter of Large-Area WSe2 Thin Film”, 27th International Microprocesses and Nanotechnology Conference, Fukuoka, November 2014.

Kazuma Funahashi, Jiang Pu, Yijin. Zhang, Yoshifumi. Wada,Jacob Tse-Wei Wang, Lain-Jong Li, Yoshihiro Iwasa, and Taishi Takenobu, “Flexible & Stretchable Logic Circuits based on Large-area TMDC Thin films”, International Workshop on Field-Effect Transistors and Functional Interfaces 2014, 32, Chiba, October 2014.

舟橋 一真, 蒲 江, Lain-Jong Li, 岩佐 義宏, 竹延大志, 「大面積 WSe2 薄膜を用いた Flexible logic circuits」, 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 17p-B1-3, 北海道, 2014年9 月.

Jiang Pu, Kazuma Funahashi, Chang-Hsiao Chen, Lain-Jong Li, Yoshihiro Iwasa, and Taishi Takenobu, “Flexible and Stretchable Thin-film Transistors of Transition Metal Dichalcogenides”, 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 19a-A4-4, 北海道, 2014年9月.

Kazuma Funahashi, Jiang Pu, Lain-Jong Li, Yoshihiro Iwasa, and Taishi Takenobu, “Flexible CMOS inverters using WSe2 thin films”, The 46th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium, 2P-44, Tokyo, March 2014.