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熱処理による変化 –18 nm

2 山形大学紀要 ( 工学 ) 第 27 巻第 1 号平成 14 年 2 月 配向していたから, 熱処理時に収縮が起った. 得られた熱処理繊維 (Sample 2~8) の30 における密度とともに, 収縮率も測定したので, 結果を Table 1に示した. なお, 非晶部分の密度を 1.335g/

2 山形大学紀要 ( 工学 ) 第 27 巻第 1 号平成 14 年 2 月 配向していたから, 熱処理時に収縮が起った. 得られた熱処理繊維 (Sample 2~8) の30 における密度とともに, 収縮率も測定したので, 結果を Table 1に示した. なお, 非晶部分の密度を 1.335g/

... も以前に行ったことがある.その際に,処理によ る減量率の処理温度依存性に興味ある変化がある ことを見つけている 5) .すなわち,溶融紡糸した ままのPET繊維では,アルカリ処理減量が,処 理温度がガラス転移温度以上になると,急に小さ くなることである.しかも,予め熱処理されて結 晶化度が向上している繊維の場合よりも小さくな る.このような結果が生ずる原因を,アルカリ処 ...

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2 76 MPU (MEF mask error factors) nm 9nmCD 14nmCD 2003 MEF 1.0(alt-PSM ) nmCD 5.5nmCD MPU OPC PSM 193nm 157nm 157nm (ROI) 193nm 157nm Ca

2 76 MPU (MEF mask error factors) nm 9nmCD 14nmCD 2003 MEF 1.0(alt-PSM ) nmCD 5.5nmCD MPU OPC PSM 193nm 157nm 157nm (ROI) 193nm 157nm Ca

... Metrology 計測 リソグラフィ技術および微細化の急速な進歩は、ウェーハおよびマスク計測技術へ挑戦し続けることを意味する。 寸法測定装置の既存の精度は、最も先端ノードでプロセス許容計測を処理すると、多少甘い 20%の測定精度さえ も実現していない。精度は測定装置の装置間マッチングのような短期間、長期間の測定装置変動を含んでいる。ウ ェーハおよびマスク CD 技術は 3D ...

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熱処理シミュレーション利用の現状と将来動向 渡邊陽一 パーカー熱処理工業 熱処理シミュレーションは 1980 年代の理論の構築以来現在に至るまでに数多くの研究開発が行われ 高精度 高速化および利便性が格段に進んだ このシミュレーションの応用技術に焦点を当て これまでの取り組みや成果を整理し今後の展望

熱処理シミュレーション利用の現状と将来動向 渡邊陽一 パーカー熱処理工業 熱処理シミュレーションは 1980 年代の理論の構築以来現在に至るまでに数多くの研究開発が行われ 高精度 高速化および利便性が格段に進んだ このシミュレーションの応用技術に焦点を当て これまでの取り組みや成果を整理し今後の展望

... 5.熱処理シミュレーションに関する研究開発活動の現状と将来 5.1 日本処理技術協会・研究部会の活動 この分野では、 (一社) 日本処理技術協会 47) にお いて、企業や大学から先鋭分子が集まって 1993年に 発足した「冷却剤評価研究部会」 (1993年度~1996年 度)活動に遡るが、その後、焼入れ組織やひずみの制 ...

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熱処理シミュレーション技術の現状と展望 巨東英 埼玉工業大学 Actuality and Scope on Simulation of Heat Treatment by Dong-Ying JU Saitama Institute of Technology Key words : Metallo

熱処理シミュレーション技術の現状と展望 巨東英 埼玉工業大学 Actuality and Scope on Simulation of Heat Treatment by Dong-Ying JU Saitama Institute of Technology Key words : Metallo

... 6) 巨東英, 佐橋真人, 大森隆弘, 井上達雄 , : " 変態・熱・ 力学 による焼戻 し過程のシ ミュレ ーション " ,材 料, Vol.45, No.6,pp.643-649 (1996) 7) T. Inoue, D.Y. Ju and K.Arimoto, "Metallo-thermo- mechanical Simulation of Quenching Process --- ...

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熱処理データベースの構築とシミュレーション技術の向上 Heat Treatment Database, Heat Treatment Simulation, Heat Treatment, Carburizing, Hardness, Residual

熱処理データベースの構築とシミュレーション技術の向上 Heat Treatment Database, Heat Treatment Simulation, Heat Treatment, Carburizing, Hardness, Residual

... 時間 tc は衝突確認の処理時間と停止要求を出力して減 速に入るまでの遅れ時間,これに1秒を加算した時間に なる.最新のパソコンを使用することで衝突確認の処理 時間と停止要求の出力時間は数十 ms 以内の短時間になる ことを確認している. 減速時間 td は速度に比例して変化し,以下の式で表さ れる. td=(v+a・tc)/da da は減速区間での加速度 実際に[r] ...

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JJSLSM Vol.37 No.4(2017) 435 総説 REVIEW ARTICLE 532 nm/1064 nm, 750 picosecond Nd: YAG laser による良性色素性疾患治療 中野俊二 医療法人中野会中野医院 ( 平成 28 年 2 月 29 日受理, 平成 28

JJSLSM Vol.37 No.4(2017) 435 総説 REVIEW ARTICLE 532 nm/1064 nm, 750 picosecond Nd: YAG laser による良性色素性疾患治療 中野俊二 医療法人中野会中野医院 ( 平成 28 年 2 月 29 日受理, 平成 28

... psec,532 nm,0.6 J/cm 2 ,1pass にて照射し た.Laser fluence 調整は皮膚の白色変化(メラノゾームの 空胞変性で現れる immediate whitening phonomenon)が観 察できる出力とした.照射時のスポットサイズは対象の 形に合わせ直径 2 mm から 6 mm の円形スポットを 1 mm 刻みで自由に変更できる.照射直後にクロベタゾールプ ...

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kcal/mol 83kcal/mol 2 63 kcal/mol 83 kcal/mol kcal/mol nm kcal/mol nm

kcal/mol 83kcal/mol 2 63 kcal/mol 83 kcal/mol kcal/mol nm kcal/mol nm

... ダイオードに電流を流しますと、n型半導体部分の伝導帯から接合界面を越えてp型半 導体部分の伝導帯へ電子が移動し、p型半導体部分で伝導帯から価電子帯の正孔の部分へ 電子が移動して電荷を中和します。このとき伝導帯から価電子帯への移動において放出さ れる禁制帯のエネルギーは、通常、熱エネルギーとして発散されます。しかし、禁制帯の エネルギー差は紫外線から赤外線までの波長領域の電磁波のエネルギーに相当しますから、 ...

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九州を中心とした暖地向けイチゴ苗蒸熱処理防除マニュアル2017

九州を中心とした暖地向けイチゴ苗蒸熱処理防除マニュアル2017

... はじめに 施設を利用したイチゴの促成栽培では、最近は化学合成農薬に対する抵抗性の発達に より、病害虫の防除が困難になりつつあります。そのため熱処理をはじめとして物理的・耕種 的な防除方法が開発されていますが、これまでに九州沖縄農業研究センターでは、熱処理 方法として蒸熱処理による防除装置を、(株)FTH との共同研究により開発してきました。こ ...

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Table IHC 自動染色プロトコール ①熱処理 一次抗体の抗原賦活処理として 熱処理 ②インヒビターを 滴 約 μl 加え 分間反応 ③インヒビターを洗浄後 一次抗体を 滴 約 μl 加え 分間反応 ④一次抗体を洗浄後 ビオチン標識 Ig を 滴 約 μl 加え 8 分間反応 ⑤ビオチン標識 I

Table IHC 自動染色プロトコール ①熱処理 一次抗体の抗原賦活処理として 熱処理 ②インヒビターを 滴 約 μl 加え 分間反応 ③インヒビターを洗浄後 一次抗体を 滴 約 μl 加え 分間反応 ④一次抗体を洗浄後 ビオチン標識 Ig を 滴 約 μl 加え 8 分間反応 ⑤ビオチン標識 I

... 数の熟練者で行うことが推奨されている 4 ) .今回の 検討では,DISH 法において 4 名の測定者間で,判 定結果に相違は確認されなかったが,測定値におい ては約 37%の症例で変動係数は 10%を超え,判定者 間にバラツキがみられた.複数検者での測定や目合 わせ,アトラス作製などによる判定の標準化なども 必要と考える. ...

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NEW nm PTFE 10nm G2 G2 G2 KC m 2 G2 10 nm 10 nm PTFE PFA 185 < 1 ppb nm 2 TOC 2 1 PALL NEWS vol.123 April 2016

NEW nm PTFE 10nm G2 G2 G2 KC m 2 G2 10 nm 10 nm PTFE PFA 185 < 1 ppb nm 2 TOC 2 1 PALL NEWS vol.123 April 2016

... 30 nm liquid particle counter" をもとに、日本語版として編集したものである。 半導体デバイスのデザインルールの微細化は年々進んでいく ため、その製造工程中での微小パーティクルの管理レベルも それに伴い厳しくなっている。微小パーティクルを管理して いく上でろ過は重要な役割を担っており、したがって、各製 造プロセス中で適切なフィルターを選定していくことが大切 ...

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RIETI - 労働規制変化による技術利用変化と生産性に対する影響

RIETI - 労働規制変化による技術利用変化と生産性に対する影響

... しかし、こうした先行研究では、とくにヨーロッパにおける、雇用制度慣行に基づいた労働規制の 変化による影響を分析しているために、雇用制度慣行が大きく異なる日本において、同様の帰結が得 られるどうかはわからない。とくに日本では、労働法規制の変化に基づき、正社員(正規労働者) 、 派遣労働者、パートタイム労働者といった各労働者区分ごとのに労働法規制の影響が異なる。そのた ...

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熱処理油カタログ.xls

熱処理油カタログ.xls

... 光輝焼入油(JIS 1種1号、2号) 焼入性 歪 光輝性 洗浄性 光輝焼入油 21.9±2.5 (40℃) 0.118~0.126 4石 ○ ○ ◎ ○ 雰囲気焼入、特に光輝焼入に使用されている歪み なし焼入油。精密部品、ベアリングレース用。 光輝焼入油 S-1050 27.4±2.5 (40℃) 0.118~0.130 4石 ○ ◎ ◎ 一般雰囲気炉による熱処理作業及び精密な熱処理 ...

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博士論文 パワー半導体製造工程における高温熱処理と シリコン結晶欠陥の研究 A study on high-temperature annealing and silicon crystal defects for power semiconductor manufacturing process

博士論文 パワー半導体製造工程における高温熱処理と シリコン結晶欠陥の研究 A study on high-temperature annealing and silicon crystal defects for power semiconductor manufacturing process

... 型デバイスであるGTO(Gate Turn Off)サイリスタやBJT(Bipolar Junction Transistor:バイポーラパワートランジスタ)が開発された。 1970年代には、絶縁ゲートによる電圧制御のパワーMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:金属酸化膜半導体電界効果 ...

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クラス 5 のクリーン度を求められる熱処理に 温度上昇 下降時にも高クリーン度を発揮 クラス 5の清浄空気条件が求められる試料の熱処理から部品 器具の乾燥に活躍するクリーンオーブン 省スペースタイプのタテ型スリム設計 視認性の高い大型 LEDを使用した計装や日本語表示の操作キーなど 使いやすさを一層

クラス 5 のクリーン度を求められる熱処理に 温度上昇 下降時にも高クリーン度を発揮 クラス 5の清浄空気条件が求められる試料の熱処理から部品 器具の乾燥に活躍するクリーンオーブン 省スペースタイプのタテ型スリム設計 視認性の高い大型 LEDを使用した計装や日本語表示の操作キーなど 使いやすさを一層

... 清浄度クラス5のクリーン熱処理 HEPAフィルターと前面吹出し型水平層流 循環方式により高温風が器内を均一に循 環し、つねに清浄度クラス5を実現。風の 流れる距離を最小限におさえ、試料間の 風のよどみをなくし均一な熱処理ができる とともに、風上試料から風下試料への発 塵の影響を低減しました。さらに、操作パ ネルや加熱器をはじめとする各種構成機 器を本体上部にタテ型レイアウトしたスリ ...

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新日鉄住金技報第 396 号 (2013) 技術論文 UDC : 高強度チタン合金 Super-TIX 523AFM の機械的特性に及ぼす熱処理条件の影響 Effect of Heat Treatment Conditions on Mechanic

新日鉄住金技報第 396 号 (2013) 技術論文 UDC : 高強度チタン合金 Super-TIX 523AFM の機械的特性に及ぼす熱処理条件の影響 Effect of Heat Treatment Conditions on Mechanic

... 高強度 Near β型α+β型チタン合金 Super-TIX ® 523AFM(Ti-5Al-2Fe-3Mo)の機械的特性を広範囲に 制御するための基礎知見を得るため,室温の機械的特性に及ぼす熱処理条件の影響を調査した。本合金 はα+β二相高温域での溶体化処理,冷却,時効処理条件などを変化させることにより,0.2%耐力: 400~1 350 MPa,引張強度:1 050~1 700 ...

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荷重および拘束作用下における溶接後熱処理による応力緩和および変形生成機構の解明 名古屋大学 廣畑 幹人

荷重および拘束作用下における溶接後熱処理による応力緩和および変形生成機構の解明 名古屋大学 廣畑 幹人

... は,狭あいで複雑な形状であることが多く,ボルト接合 による補修が困難な場合がある。その際に溶接による補 修の可能性が考えられるが,溶接残留応力が疲労強度に 及ぼす影響や,入熱による熱影響部のぜい化が懸念され る。これに対し溶接後熱処理(PWHT:Post-weld Heat ...

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GaInNAs エピ成長における熱処理が光学特性へ与える影響

GaInNAs エピ成長における熱処理が光学特性へ与える影響

... GaInNAs などの窒化物 III-V 混晶半導体では、窒素混晶 化によるキャリアもしくは励起子の局在化が原因とされる 発光特性の観測が報告されている (9)〜(11) 。このような発光特 性は、窒素混晶化によりポテンシャル揺らぎが生じて形成 された局在状態にキャリアまたは励起子が捕らえられるこ とに起因するものであると考えられている。GaInNAs に おいては、In や As と比較して電子親和力の大きな窒素が ...

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Si基板上GaNのPLスペクトルへの熱処理効果

Si基板上GaNのPLスペクトルへの熱処理効果

... ブロードな理由は、複合欠陥内の準位が強い局在性を有す るため、その遷移が格子振動との強い相互作用を含みスト ークスシフトが大きいためと解釈されている[6]。これに比 して、図2に示した我々の高品質試料のデータは YL 帯も GL 帯も発光ピークの半値幅はバンド端発光の半値幅と同 程度で、極めて狭い発光帯であると言える。このことは、 これらの発光が複合欠陥の深い準位内での遷移ではなく、 伝導帯か価電子帯と深い単一準位間の遷移という解釈の方 ...

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熱処理に伴うシリカガラス中の OH 基濃度変化 2011 年 2 月 福井大学工学研究科博士前期課程 物理工学専攻分子科学講座 浅野仁志

熱処理に伴うシリカガラス中の OH 基濃度変化 2011 年 2 月 福井大学工学研究科博士前期課程 物理工学専攻分子科学講座 浅野仁志

... ガラスについては、 140~460 ppm 程度 OH を含むサンプルを 9 グループに分け、 5 時間で 900、1000、1100、1150℃で熱処理を行った。 III 型同士の接合では、接合界面付近で OH 濃度の低下がみられた。また,90 分熱処理した場合は分布が平坦になった。これは,シリカガラス板同士の接合 が完了し OH が界面間で十分拡散して均一になったためと考えられる。II 型同士, I ...

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加齢によるアキレス腱コラーゲンの可溶性変化

加齢によるアキレス腱コラーゲンの可溶性変化

... total collagen was decreased significantly between 9 and 37 weeks of age, and did not change significantly between 3 and 9 weeks of age. The percentage of the insol- uble collagen to the[r] ...

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