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多結晶シリコンインゴットは

JAIST Repository: スパッタ非晶質シリコン膜の瞬間結晶化による高品質多結晶シリコン薄膜形成

JAIST Repository: スパッタ非晶質シリコン膜の瞬間結晶化による高品質多結晶シリコン薄膜形成

... (4)図 5 に、スパッタ a-Si を用いて作製した poly-Si 膜の表面写真を示す。フラッシュラ ンプ光に、分散パルスによる疑似的なミリ 秒光を用い、分散パルスの周期を系統的に変 化させて照射を行った。その結果、poly-Si 膜表面にマクロな縞模様が形成され、この縞 模様の間隔が、分散パルスの周期によって変 化していることが分かる。従って、この縞模 様の間隔から、横方向結晶化速度の導出が可 ...

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高品質無転位ゲルマニウムシリコン固溶体バルク単結晶の育成と基礎物性の解明

高品質無転位ゲルマニウムシリコン固溶体バルク単結晶の育成と基礎物性の解明

... TOUR : Tohoku University Repository コメント・シート 本報告書収録の学術雑誌等発表論文本ファイルに登録しておりません。なお、このうち東北大学 在籍の研究者の論文で、かつ、出版社等から著作権の許諾が得られた論文、個別に TOUR に登録 ...

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ナノ多結晶ダイヤモンド球状圧子による微小破壊強度評価技術

ナノ多結晶ダイヤモンド球状圧子による微小破壊強度評価技術

... 状のリングクラックとなる。いずれにしてもSCDに対して 円形のリングクラック得られない。NPD結晶体で 劈開性がないため、円形に近いリングクラックが得られる。 しかし、形状がやや歪むことが多く、複数のリングクラッ クが発生することもある。このため、ダイヤモンド材料に 対して、ヘルツの破壊強度の算出に必要なリングクラッ ...

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JAIST Repository: レーザー照射自己誘導エネルギー強度分布によるシリコン薄膜の周期的構造形成およびその結晶性に関する研究

JAIST Repository: レーザー照射自己誘導エネルギー強度分布によるシリコン薄膜の周期的構造形成およびその結晶性に関する研究

... 結果と考察 1) 周期的エネルギー強度分布(学位論文 2 章) 本研究で、まず、周期的表面構造を持った Si に対して発生する周期的エネルギー強度分布を 理論計算により見積もった。その結果、周期的表面構造の格子ベクトルと k G と入射レーザーの電界 ベクトル E G が平行な場合、 Rayleigh の回折条件式(1)から見積もられる周期幅付近に周期的エネルギ ...

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多結晶Fe-Mn-Cオーステナイト合金の微視的塑性変形

多結晶Fe-Mn-Cオーステナイト合金の微視的塑性変形

... される.一方,引張方向に [uvw] 軸をもつ結晶, (hkl) の極円 PAQB 上に限定されるため,回 折円 PUQV と円 PAQB との交点 P と Q で生じる. P および Q ,それぞれ,イメージングプ レートにおいて引張軸と平行な直線から α だけ傾いた R および T として観測される.つまり, Fig.2 ...

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屋外環境下における I-V 特性測定方法ガイドライン ( 結晶シリコン太陽電池版 ) 2016 屋外環境下における I-V 特性測定方法ガイドライン ( 結晶シリコン太陽電池版 ) 1. 適用範囲この測定方法は 増加する 50kW 未満の太陽光発電所における点検方法の内 接続箱からストリング単位で

屋外環境下における I-V 特性測定方法ガイドライン ( 結晶シリコン太陽電池版 ) 2016 屋外環境下における I-V 特性測定方法ガイドライン ( 結晶シリコン太陽電池版 ) 1. 適用範囲この測定方法は 増加する 50kW 未満の太陽光発電所における点検方法の内 接続箱からストリング単位で

... り、測定機会、札幌で 1,680 時間/年、那覇でも 2,107 時間/年に増加し、上述の年間の作業可能な時間(2,920 時間)に対して 57~72%程度まで I-V 特性測定が可能となり大幅に測定の機会が増加する。 一方で、700W/m 2 以下の放射照度測定において、入射角依存性や、分光感度の差異により、放射照度計に ...

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切断加工したシリコン単結晶の強度に及ぼす後加工の効果

切断加工したシリコン単結晶の強度に及ぼす後加工の効果

... 上記2種類の方法で切断加工した Si 単結晶ウエハ試 料を用い、その後加工として切断面をアルミナ微粉末で バフ研磨することで、SD法およびBD法による切断加 工で生じた凹凸形状を除去し、切断面を平滑にした。 後加工前後において、機械的性質を4点曲げ試験によ り測定し、切断面の表面形状をマイクロスコープで、内 部の微構造をTEMで観察した。なおTEM観察用薄片 試料集束イオンビーム(FIB)を用いて作製した。 ...

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フェムト秒パルスレーザを用いた多結晶ダイヤモンドに対する平坦化加工技術の開発

フェムト秒パルスレーザを用いた多結晶ダイヤモンドに対する平坦化加工技術の開発

... 4. PCD に対するレーザ加工実験 〈 4・1〉 パルス幅 レーザ加工,熱加工とレーザアブ レーション加工の境目パルス幅が 10ps 前後であるとされ ている.加工面の平滑化に有効なパルス幅を確認するため に,レーザのパルスエネルギを 2µJ,繰り返し周波数を 1MHz,送り速度を 100 mm/min,ならびに横送り量を 1 µm に設定し,□ 0.2 mm の範囲に対してレーザ加工を行った. 図 3 ...

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JAIST Repository: セルロースナノペーパー上の結晶化シリコン薄膜による薄膜トランジスタの作製

JAIST Repository: セルロースナノペーパー上の結晶化シリコン薄膜による薄膜トランジスタの作製

... 剛性が低い CNP の扱いを容易にするために、ガラス基板上に CNP 膜を形成し、その上に他の膜 の形成を連続的に行った。CNP 、ホロセルロースパルプ由来のセルロースナノファイバー懸 濁液から作製した。まず、スギチップを無水酢酸・過酢酸水素水混合液、5wt%水酸化カリウ ム水溶液で処理し、 ウォータージェットシステムで機械的解繊処理した。 その後、 その 0.33wt% ...

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1.1 市場投入される太陽電池の商品化状況 単結晶 Si 大規模商業生産 多結晶 Si 大規模商業生産 シリコン リボンSi アモルファスSi 小規模 ~ 中規模商業生産 小規模 ~ 中規模商業生産 多結晶 Si 薄膜 小規模商業生産 球状 Si 研究開発段階 ~ 商業生産準備中 太陽電池 III-

1.1 市場投入される太陽電池の商品化状況 単結晶 Si 大規模商業生産 多結晶 Si 大規模商業生産 シリコン リボンSi アモルファスSi 小規模 ~ 中規模商業生産 小規模 ~ 中規模商業生産 多結晶 Si 薄膜 小規模商業生産 球状 Si 研究開発段階 ~ 商業生産準備中 太陽電池 III-

... Q-Cells、本格生産4年目にして生産量世界第2位、SolarWorldによるShellの太陽 光発電事業買収 • 太陽光発電システム製造・販売事業の急拡大 • 新たなビジネスモデルとして、太陽光発電システムによる大型発電事業の成立 ...

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革新的超硬質材料の創製 ~バインダレス ナノ多結晶ダイヤモンド・ナノ多結晶cBN~

革新的超硬質材料の創製 ~バインダレス ナノ多結晶ダイヤモンド・ナノ多結晶cBN~

... 2. 開発コンセプトとアプローチ 工具用途に汎用されている焼結ダイヤモンド(以下、 Poly Crystalline diamond :PCDと記す)や焼結cBN(以下、 Polycrystalline cubic Boron Nitride:PcBNと記す)、ダイ ヤモンドやcBNの粉末をコバルトなどの金属や硬質セラミッ クスをバインダーとして圧力5-6 GPa、温度1300-1500℃の ...

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機械研磨加工がシリコン単結晶の微構造に及ぼす影響

機械研磨加工がシリコン単結晶の微構造に及ぼす影響

... シリコン (Si)単結晶マイクロシステム(MEMS)応用において構造材料として使用されるようになってきたが、そ の機械加工についての基礎データ十分でない。またシリコン結晶高純度で極めて完全性の高い結晶構造を有 ...

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IRUCAA@TDC : 下顎前歯部ジルコニア多結晶体オールセラミックブリッジのフレームワーク連結部デザインに関する検討

IRUCAA@TDC : 下顎前歯部ジルコニア多結晶体オールセラミックブリッジのフレームワーク連結部デザインに関する検討

... mm および5. 0mm の3種類とし,断面形態を3種 類(TypeⅠ,Ⅱ,Ⅲ)とした(図2)。TypeⅠの断面 形態,下顎中切歯のコーピング外形におさまる二 等辺三角形(高径:底辺=2:1)とした。この二等 辺三角形の上端とコーピング上端を合わせることに より連結部の位置の基準とした。三角形の中心を高 径と幅径の1/2の交点に設定し基準点とした。Type Ⅱ TypeⅠと同じ高径,幅径であるが,最大幅径 ...

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IRUCAA@TDC : 正方晶ジルコニア多結晶体と前装陶材の焼付強さに及ぼす中間層セラミックスの影響

IRUCAA@TDC : 正方晶ジルコニア多結晶体と前装陶材の焼付強さに及ぼす中間層セラミックスの影響

... で,SB 930℃で 焼 成 し,他 の 条 件 SB の メ ー カー指定のプログラムで焼成した。その後,両者に ボディ陶材(セラビアン ZR-A 3,ノリタケ)を厚 さ約2. 0mm になるように築盛し,メーカー指定の プログラムで焼成した。作製した試料包埋用リン グに固定し,万能試験機(島津オートグラフ AG-I 20kN,CHS:0. 5mm/min)に て せ ん 断 試 験 ...

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バクテリアにおけるシリコンの役割

バクテリアにおけるシリコンの役割

... 6. シリコンと環境 最後にシリコンの環境における役割について考えた い。シリコン淡水,海水域において水質保全の観点か らも重要な機能を持つことが分かってきている。珪藻の 増殖,河川・海域に流入するシリコン濃度に依存して いるため,岩石や土壌中のシリカの溶出により供給され る可溶性ケイ酸の供給状態が変化すると大きく影響を受 ...

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5 シリコンの熱酸化

5 シリコンの熱酸化

... ハを使いかつ酸化・アニール条件を適正化してその発生を抑制する。可動性イオンの 最大原因作業環境から入り込む Na + であり、対策クリーンルームの管理である。 Si結晶境界面のダングリングボンド(不対電子対)大部分酸素原子と結合するが残 されたもの水素原子でターミネイト (terminate:終端)する。そのためにICパケージの ...

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IRUCAA@TDC : 正方晶ジルコニア多結晶体と前装陶材の焼付強さの検討 : 中間層セラミック

IRUCAA@TDC : 正方晶ジルコニア多結晶体と前装陶材の焼付強さの検討 : 中間層セラミック

... 成績および考察:有限要素解析の結果,荷重イン プラント周囲の皮質骨および海綿骨に伝達されてお り,下顎管まで達しているのを確認した。下顎管の ひずみ量を比較すると,皮質骨がより厚いモデルの 方が小さな値を示した。このことから,インプラン ト埋入部位における厚い皮質骨高い緩衝能力を有 することが示唆された。皮質骨が薄い場合に,特 に神経損傷のリスクが高い症例として細心の注意を ...

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博士論文 パワー半導体製造工程における高温熱処理と シリコン結晶欠陥の研究 A study on high-temperature annealing and silicon crystal defects for power semiconductor manufacturing process

博士論文 パワー半導体製造工程における高温熱処理と シリコン結晶欠陥の研究 A study on high-temperature annealing and silicon crystal defects for power semiconductor manufacturing process

... Infrared spectroscopy:フーリエ変換赤外分光) 分析、SIMS(Secondary Ion Mass Spectrometry:二次イオン質量)分析、電子線回折により行った。測定器 、透過X線トポグラフィ理学製XRT-150、断面X線トポグラフィ 理学XRT-100、断面TEM 、EDXと電子線回折日本電子製JEM- ...

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モジュール 造技術 ( ラ ネート 配線技術など ) 結晶 S 系太陽電池 ( 単結晶 多結晶 ) 住 用民生用公 用メ ソーラー 薄膜 S 系太陽電池 ( 非晶 結晶 ) ( 半導体材料 属電極材料 明電極 材料 ) 化合物結晶系太陽電池 (Ⅲ- GaI P ) 化合物薄膜系太陽電池 (CIS/C

モジュール 造技術 ( ラ ネート 配線技術など ) 結晶 S 系太陽電池 ( 単結晶 多結晶 ) 住 用民生用公 用メ ソーラー 薄膜 S 系太陽電池 ( 非晶 結晶 ) ( 半導体材料 属電極材料 明電極 材料 ) 化合物結晶系太陽電池 (Ⅲ- GaI P ) 化合物薄膜系太陽電池 (CIS/C

... 1. はじめに 近年、従来の化石燃料によるエネルギー利用から、環境 にやさしい再生可能エネルギーへの移行が進められてい る。さらに、福島第一原子力発電所の事故をきっかけと して、世界的に原子力発電に対する見直しの動きがあり、 ますます再生可能エネルギーが注目されている。そうした 中で、豊富な太陽エネルギーを利用する太陽光発電に対す る期待がこれまで以上に高まっている。タービン発電機の ...

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IRUCAA@TDC : 正方晶ジルコニア多結晶体(TZP)とチタンおよびチタン合金の摩耗特性

IRUCAA@TDC : 正方晶ジルコニア多結晶体(TZP)とチタンおよびチタン合金の摩耗特性

... 目的:ジルコニアセラミックス,特に正方晶ジルコ ニア結晶体(TZP)金属材料を凌駕する強度 を有するとともに高い靭性を持つことから,架工義 歯やインプラントアバットメントなど,急速にその 臨床応用が広まっている。しかし,チタン製インプ ラント体に対してジルコニア製アバットメントを, アバットメントスクリューを介して締結し機能させ た場合に,インプラント体とアバットメントの摩耗 ...

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