25.6. 並列ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞ
本項はATmega8U2/16U2/32U2のﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ用ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘ、ﾃﾞｰﾀ用EEPROM、ﾒﾓﾘの施錠ﾋﾞｯﾄ、ﾋｭｰｽﾞ ﾋﾞｯﾄの並列ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞと照合 の方法を記述します。特記事項を除いて、ﾊﾟﾙｽ幅は最低250nsと仮定されます。
25.6.1. 信号名
この項でATmega8U2/16U2/32U2のいくつかのﾋﾟﾝは並列ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞ 中の機能を表す信号名で参照されます。図25-1.と表25-9.をご覧くださ い。後続の表で示されないﾋﾟﾝはﾋﾟﾝ名によって参照されます。
XA0とXA1ﾋﾟﾝはXTAL1ﾋﾟﾝが正ﾊﾟﾙｽを与えられる時に実行される動作 を決めます。このﾋﾞｯﾄ符号化は表25-12.で示されます。
WRまたはOEﾊﾟﾙｽ送出時、設定された指令が決める動作が実行され ます。各種指令は表25-13.で示されます。
図25-1. 並列ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞ構成図
RESET PD1 PD2 PD3 PD4 PD5 PD6
XTAL1 GND +12V
RDY/BSY OE WR BS1 XA0 XA1
PB7～0 VCC
DATA +5V
PD7
162
ATmega8U2/16U2/32U2
25.7. 並列ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞ手順
25.7.1. 並列ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞ動作への移行
次に示す方法がﾃﾞﾊﾞｲｽを並列ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞ動作にします。
① VCCとGND間に4.5～5.5Vを印加します。
② RESETをLow(0)にし、XTAL1を少なくとも6回、交互に(High/Low)切り替えます。
③ 161頁の表25-11.で一覧されるProg_enableﾋﾟﾝを全てLow(0)に設定し、最低100ns待ちます。
④ RESETに11.5～12.5Vを印加します。+12VがRESETに印加されてしまった後100ns以内のProg_enableﾋﾟﾝのどんな動きも、ﾃﾞﾊﾞｲｽ のﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞ動作への移行を失敗させます。
⑤ 新規指令送出前に少なくとも50μs間待ちます。
25.7.2. 効率的なﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞへの考慮
設定した指令とｱﾄﾞﾚｽはﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞ中、維持されます。効率的なﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞを行うために次を考慮すべきです。
■ 複数のﾒﾓﾘ領域を読み書きする時に指令設定は一度だけ必要です。
■ ﾁｯﾌﾟ消去後のﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘと(EESAVEﾋｭｰｽﾞがﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ(0)されている場合を除き)EEPROM全体の内容は$FFなので、値が$FFの ﾃﾞｰﾀ書き込みを飛ばします。
■ ｱﾄﾞﾚｽ上位ﾊﾞｲﾄはﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘで新規256語(ﾜｰﾄﾞ)枠、EEPROMで新規256ﾊﾞｲﾄ枠の読み書き前に一度だけ必要です。この考慮は 識票ﾊﾞｲﾄ読み出しにも適用されます。
25.7.3. ﾁｯﾌﾟ消去
ﾁｯﾌﾟ消去はﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘ、EEPROM(注1)、施錠ﾋﾞｯﾄを消去します。施錠ﾋﾞｯﾄはﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ ﾒﾓﾘが完全に消去されてしまうまでﾘｾｯﾄ(消去) されません。ﾋｭｰｽﾞ ﾋﾞｯﾄは変更されません。ﾁｯﾌﾟ消去はﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘやEEPROMが再書き込みされる前に実行されなければなりませ ん。
注1: EESAVEﾋｭｰｽﾞがﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ(0)されていると、EEPROMはﾁｯﾌﾟ消去中、保護されます。
「ﾁｯﾌﾟ消去」指令設定
① XA1をHigh(1)、XA0をLow(0)に設定します。これは指令設定を許可します。
② BS1をLow(0)に設定します。
③ DATAを$80(1000 0000)に設定します。これはﾁｯﾌﾟ消去指令です。
④ XTAL1に正ﾊﾟﾙｽを与えます。これはﾁｯﾌﾟ消去指令を設定します。
⑤ WRに負ﾊﾟﾙｽを与えます。これはﾁｯﾌﾟ消去を開始します。RDY/BSYがLow(0)になります。
⑥ 次の指令を設定する前にRDY/BSYがHigh(1)になるまで待ちます。
(訳注) 原書に於いて、ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘ ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞ時のｱﾄﾞﾚｽ指定が拡張ｱﾄﾞﾚｽまで指定するようになっています。然しながらﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞ 時のｱﾄﾞﾚｽ指定は語(ﾜｰﾄﾞ)単位で行うため、64K語(128Kﾊﾞｲﾄ)までの場合は16ﾋﾞｯﾄ幅以内なので、基本的に拡張ｱﾄﾞﾚｽ指定 は必要ない筈です。これは128K語(256Kﾊﾞｲﾄ)用のﾃﾞﾊﾞｲｽ記述を複写し、修正を忘れたものと思われます。けれども、将来の 展開を予想し、64K語(128Kﾊﾞｲﾄ)を越えるﾃﾞﾊﾞｲｽ用の回路を採用したため、拡張ｱﾄﾞﾚｽの明示的な指定が必要になった、と 考えることもできます。
本書では原則的に原書に従いますが、独自追加部分は拡張ｱﾄﾞﾚｽ指定なし、として記述しました。
25.7.4. ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘ書き込み (図25-3.ﾀｲﾐﾝｸﾞを参照)
ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘはﾍﾟｰｼﾞで構成されます(160頁の表25-7.参照)。ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘへ書く時にﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ ﾃﾞｰﾀはﾍﾟｰｼﾞ緩衝部にﾗｯﾁされます。こ れは同時に書かれることをﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ ﾃﾞｰﾀの1ﾍﾟｰｼﾞに許します。次の手順は完全なﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘの書き込み方法を記述します。
Ａ. 「ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘ書き込み」指令設定
① XA1をHigh(1)、XA0をLow(0)に設定します。これは指令設定を許可します。
② BS1をLow(0)に設定します。
③ DATAを$10(0001 0000)に設定します。これはﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘ書き込み指令です。
④ XTAL1に正ﾊﾟﾙｽを与えます。これはﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘ書き込み指令を設定します。
Ｂ. ｱﾄﾞﾚｽ下位ﾊﾞｲﾄ (ｱﾄﾞﾚｽ ﾋﾞｯﾄ7～0) 設定
① XA1をLow(0)、XA0をLow(0)に設定します。これはｱﾄﾞﾚｽ設定を許可します。
② BS2をLow(0)、BS1をLow(0)に設定します。これは下位ｱﾄﾞﾚｽ(ﾊﾞｲﾄ)を選択します。
③ DATAにｱﾄﾞﾚｽ下位ﾊﾞｲﾄ($00～$FF)を設定します。
④ XTAL1に正ﾊﾟﾙｽを与えます。これはｱﾄﾞﾚｽ下位ﾊﾞｲﾄを設定します。
Ｃ. ﾃﾞｰﾀ下位ﾊﾞｲﾄ設定
① XA1をLow(0)、XA0をHigh(1)に設定します。これはﾃﾞｰﾀ設定を許可します。
② DATAにﾃﾞｰﾀ下位ﾊﾞｲﾄ($00～$FF)を設定します。
③ XTAL1に正ﾊﾟﾙｽを与えます。これはﾃﾞｰﾀ下位ﾊﾞｲﾄを設定します。
Ｄ. ﾃﾞｰﾀ上位ﾊﾞｲﾄ設定
① BS1をHigh(1)に設定します。これは上位ﾊﾞｲﾄを選択します。
② XA1をLow(0)、XA0をHigh(1)に設定します。これはﾃﾞｰﾀ設定を許可します。
③ DATAにﾃﾞｰﾀ上位ﾊﾞｲﾄ($00～$FF)を設定します。
④ XTAL1に正ﾊﾟﾙｽを与えます。これはﾃﾞｰﾀ上位ﾊﾞｲﾄを設定します。
Ｅ. 語(ﾜｰﾄﾞ)ﾃﾞｰﾀをﾍﾟｰｼﾞ一時緩衝部に設定
① BS1をHigh(1)にします。これは上位ﾊﾞｲﾄを選択します。
② PAGELに正ﾊﾟﾙｽを与えます。これは語ﾃﾞｰﾀをﾍﾟｰｼﾞ一時緩衝部にﾗｯﾁ(設定)します。
Ｆ. 緩衝部全体が満たされるか、または(必要な)全てのﾃﾞｰﾀが緩衝部内に設定されるまで、Ｂ～Ｅを繰り返し
ｱﾄﾞﾚｽ内の下位ﾋﾞｯﾄがﾍﾟｰｼﾞ内の語(ﾜｰﾄﾞ)位置を指示する一方、上位ﾋﾞｯﾄがﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘ内のﾍﾟｰｼﾞをｱﾄﾞﾚｽ指定します。これは次頁 の図25-2.で図示されます。ﾍﾟｰｼﾞ内の語ｱﾄﾞﾚｽに8ﾋﾞｯﾄ未満が必要とされる場合(ﾍﾟｰｼﾞ容量<256)、ｱﾄﾞﾚｽ下位ﾊﾞｲﾄの最上位(側)ﾋﾞｯﾄ がﾍﾟｰｼﾞ書き込み実行時のﾍﾟｰｼﾞ ｱﾄﾞﾚｽに使用されることに注意してください。
Ｇ. ｱﾄﾞﾚｽ上位ﾊﾞｲﾄ (ｱﾄﾞﾚｽ ﾋﾞｯﾄ15～8) 設定
① XA1をLow(0)、XA0をLow(0)に設定します。これはｱﾄﾞﾚｽ設定を許可します。
② BS2をLow(0)、BS1をHigh(1)に設定します。これは上位ｱﾄﾞﾚｽ(ﾊﾞｲﾄ)を選択します。
③ DATAにｱﾄﾞﾚｽ上位ﾊﾞｲﾄ($00～$0F/$1F/$3F)を設定します。
④ XTAL1に正ﾊﾟﾙｽを与えます。これはｱﾄﾞﾚｽ上位ﾊﾞｲﾄを設定します。
Ｈ. ｱﾄﾞﾚｽ上位拡張ﾊﾞｲﾄ (ｱﾄﾞﾚｽ ﾋﾞｯﾄ23～16) 設定
① XA1をLow(0)、XA0をLow(0)に設定します。これはｱﾄﾞﾚｽ設定を許可します。
② BS2をHigh(1)、BS1をLow(0)に設定します。これは上位拡張ｱﾄﾞﾚｽ(ﾊﾞｲﾄ)を選択します。
③ DATAにｱﾄﾞﾚｽ上位ﾊﾞｲﾄ($00)を設定します。
④ XTAL1に正ﾊﾟﾙｽを与えます。これはｱﾄﾞﾚｽ上位拡張ﾊﾞｲﾄを設定します。
Ｉ. ﾍﾟｰｼﾞ書き込み
① BS1をLow(0)に設定します。
② WRに負ﾊﾟﾙｽを与えます。これはﾃﾞｰﾀのﾍﾟｰｼﾞ全体の書き込みを開始します。RDY/BSYがLow(0)になります。
③ RDY/BSYがHigh(1)になるまで待ちます。
Ｊ. ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘ全部が書かれるか、または(必要な)全ﾃﾞｰﾀが書かれてしまうまで、Ｂ～Ｉを繰り返し Ｋ. ﾍﾟｰｼﾞ書き込み終了
① XA1をHigh(1)、XA0をLow(0)に設定します。これは指令設定を許可します。
② DATAを$00(0000 0000)にします。これは無操作指令です。
③ XTAL1に正ﾊﾟﾙｽを与えます。これは無操作指令を設定し、内部書き込み信号がﾘｾｯﾄされます。
164
ATmega8U2/16U2/32U2
図25-2. ﾍﾟｰｼﾞで構成されたﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘのｱﾄﾞﾚｽ指定 PCMSB
PCPAGE PCWORD PAGEMSB ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ ｶｳﾝﾀ
ﾍﾟｰｼﾞ 命令語(ﾜｰﾄﾞ)
ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ ﾒﾓﾘ ﾍﾟｰｼﾞ
ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘ内のﾍﾟｰｼﾞ ｱﾄﾞﾚｽ ﾍﾟｰｼﾞ内の語(ﾜｰﾄﾞ)ｱﾄﾞﾚｽ
PCWORD (PAGEMSB～0)
$00
$01
$02
PAGEEND
～
注: PCPAGEとPCWORDは160頁の表25-7.で一覧されます。
図25-3. ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘ書き込みﾀｲﾐﾝｸﾞ
$10 ｱﾄﾞﾚｽ下位 ﾃﾞｰﾀ下位 ｱﾄﾞﾚｽ上位
DATA XA1 XA0 BS1
XTAL1 WR RDY/BSY RESET OE
ﾃﾞｰﾀ上位 H
LH LH LH LH LH LH LH 12VL
L BS2
PAGEL
H LH L
xx xx
Ａ Ｂ Ｃ Ｆ Ｄ Ｅ Ｇ Ｈ
注: xx値は無関係です。A～Iは前記ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞを参照してください。
拡張ｱﾄﾞﾚｽ I
25.7.5. EEPROM書き込み
EEPROMはﾍﾟｰｼﾞで構成されます(160頁の表25-8.参照)。EEPROMを書く時にﾃﾞｰﾀはﾍﾟｰｼﾞ緩衝部にﾗｯﾁされます。これは同時に書 かれることをﾃﾞｰﾀの1ﾍﾟｰｼﾞに許します。ﾃﾞｰﾀ用EEPROMﾒﾓﾘの書き込み方法は次の通りです。(指令、ｱﾄﾞﾚｽ、ﾃﾞｰﾀ設定の詳細につ いては163頁の「ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘの書き込み」を参照。図25-4.ﾀｲﾐﾝｸﾞ参照。)
１. EEPROM書き込み指令$11(0001 0001)を設定します。 (「ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘ書き込み」のＡを参照) ２. ｱﾄﾞﾚｽ上位ﾊﾞｲﾄ($00～$01/$01/$03)を設定します。 (「ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘ書き込み」のＧを参照) ３. ｱﾄﾞﾚｽ下位ﾊﾞｲﾄ($00～$FF)を設定します。 (「ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘ書き込み」のＢを参照)
４. ﾃﾞｰﾀ ﾊﾞｲﾄ($00～$FF)を設定します。 (「ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘ書き込み」のＣを参照)
５. ﾃﾞｰﾀをﾗｯﾁします(PAGELに正ﾊﾟﾙｽを与えます)。 (「ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘ書き込み」のＥを参照) Ｌ. 緩衝部全体が満たされるまで３～５を繰り返します。
M. EEPROMﾍﾟｰｼﾞ書き込み
① BS2をLow(0)、BS1をLow(0)に設定します。
② WRに負ﾊﾟﾙｽを与えます。これはEEPROMﾍﾟｰｼﾞ書き込みを開始します。RDY/BSYがLow(0)になります。
③ 次のﾍﾟｰｼﾞを書く前に、RDY/BSYがHigh(1)になるまで待ちます。
図25-4. EEPROM書き込みﾀｲﾐﾝｸﾞ
$11 ｱﾄﾞﾚｽ上位 ｱﾄﾞﾚｽ下位 ﾃﾞｰﾀ DATA
XA1 XA0 BS1 XTAL1 WR RDY/BSY RESET OE
H LH LH LH LH LH LH 12VL
LH L BS2
PAGEL
H LH L
xx xx
Ａ Ｇ Ｂ Ｃ Ｅ M
L
25.7.6. ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘ読み出し
ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘの読み出し方法は次の通りです。(指令とｱﾄﾞﾚｽ設定の詳細については163頁の「ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘの書き込み」を参照。) １. ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘ読み出し指令$02(0000 0010)を設定します。 (「ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘ書き込み」のＡを参照)
２. ｱﾄﾞﾚｽ拡張ﾊﾞｲﾄ($00)を設定します。 (「ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘ書き込み」のＨを参照)
３. ｱﾄﾞﾚｽ上位ﾊﾞｲﾄ($00～$0F/$1F/$3F)を設定します。 (「ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘ書き込み」のＧを参照) ４. ｱﾄﾞﾚｽ下位ﾊﾞｲﾄ($00～$FF)を設定します。 (「ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘ書き込み」のＢを参照)
５. BS1をLow(0)、OEをLow(0)に設定します。ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘ語(ﾜｰﾄﾞ)の下位ﾊﾞｲﾄが直ぐにDATAで読めます。
６. BS1をHigh(1)に設定します。ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘ語(ﾜｰﾄﾞ)の上位ﾊﾞｲﾄが直ぐにDATAで読めます。
７. OEをHigh(1)に設定します。DATAはHi-Zになります。
25.7.7. EEPROM読み出し
EEPROMの読み出し方法は次の通りです。(指令とｱﾄﾞﾚｽ設定の詳細については163頁の「ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘの書き込み」を参照。) １. EEPROM読み出し指令$03(0000 0011)を設定します。 (「ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘの書き込み」のＡを参照)
２. ｱﾄﾞﾚｽ上位ﾊﾞｲﾄ($00～$01/$01/$03)を設定します。 (「ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘの書き込み」のＧを参照) ３. ｱﾄﾞﾚｽ下位ﾊﾞｲﾄ($00～$FF)を設定します。 (「ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘの書き込み」のＢを参照)
４. BS1をLow(0)、OEをLow(0)に設定します。EEPROMのﾊﾞｲﾄ ﾃﾞｰﾀが直ぐにDATAで読めます。
５. OEをHigh(1)に設定します。DATAはHi-Zになります。
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ATmega8U2/16U2/32U2
25.7.8. ﾋｭｰｽﾞ ﾋﾞｯﾄ書き込み (訳注:原書での拡張/上位/下位ﾋｭｰｽﾞ項を1つに纏めました。)
各ﾋｭｰｽﾞ ﾊﾞｲﾄの書き込み方法は次の通りです。(指令とﾃﾞｰﾀ設定の詳細については163頁の「ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘの書き込み」を参照。) １. ﾋｭｰｽﾞ ﾋﾞｯﾄ書き込み指令$40(0100 0000)を設定します。 (「ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘ書き込み」のＡを参照)
２. ﾃﾞｰﾀ下位ﾊﾞｲﾄを設定します。0=ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ,1=非ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ(消去)です。 (「ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘ書き込み」のＣを参照) ３. BS1とBS2を右表の目的ﾊﾞｲﾄに対応する設定にします。
４. WRに負ﾊﾟﾙｽを与え、RDY/BSYがHighになるまで待ちます。
５. ３.でHighに設定したBS1、BS2をLow(0)に戻します。これはﾃﾞｰﾀ下位ﾊﾞｲﾄを選択します。
表A. ﾋｭｰｽﾞ ﾊﾞｲﾄ対応BS1,BS2設定 ﾋｭｰｽﾞ ﾊﾞｲﾄ BS2
下位ﾊﾞｲﾄ Low(0) BS1 Low(0) High(1) 拡張ﾊﾞｲﾄ
上位ﾊﾞｲﾄ
High(1) Low(0) Low(0)
図25-5. ﾋｭｰｽﾞ書き込みﾀｲﾐﾝｸﾞ
$40 $40 ﾃﾞｰﾀ
DATA XA1 XA0 BS1
XTAL1 WR RDY/BSY RESET OE
H LH LH LH L H LH LH 12VL
LH L
PAGEL H
L
xx xx
Ａ Ｃ 下位ﾋｭｰｽﾞ書き Ａ Ｃ
ﾃﾞｰﾀ
上位ﾋｭｰｽﾞ書き
BS2 H
L
$40 ﾃﾞｰﾀ xx
Ａ Ｃ 拡張ﾋｭｰｽﾞ書き
25.7.9. 施錠ﾋﾞｯﾄ書き込み
施錠ﾋﾞｯﾄの書き込み方法は次の通りです。(指令とﾃﾞｰﾀ設定の詳細については163頁の「ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘの書き込み」を参照。) １. 施錠ﾋﾞｯﾄ書き込み指令$20(0010 0000)を設定します。 (「ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘの書き込み」のＡを参照)
２. ﾃﾞｰﾀ下位ﾊﾞｲﾄ(としてﾃﾞｰﾀ)を設定します。0=ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ,1=無変化です。LB保護種別3が設定(LB1とLB2がﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ(0))されると、ど の外部的なﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞ動作種別によってもﾌﾞｰﾄ施錠ﾋﾞｯﾄはﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞできません。 (「ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘの書き込み」のＣを参照) ３. WRに負ﾊﾟﾙｽを与え、RDY/BSYがHighになるまで待ちます。
施錠ﾋﾞｯﾄはﾁｯﾌﾟ消去の実行によってのみ解除(1)できます。
25.7.10. ﾋｭｰｽﾞ ﾋﾞｯﾄと施錠ﾋﾞｯﾄの読み出し
ﾋｭｰｽﾞ ﾋﾞｯﾄと施錠ﾋﾞｯﾄの読み出し方法は次の通りです。(指令設定の詳細については163頁の「ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘの書き込み」を参照。) １. ﾋｭｰｽﾞ ﾋﾞｯﾄと施錠ﾋﾞｯﾄの読み出し指令$04(0000 0100)を設定します。 (「ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘの書き込み」のＡを参照)
２. BS1とBS2をLow(0)、OEをLow(0)に設定します。ﾋｭｰｽﾞ下位ﾋﾞｯﾄの状態が直ぐにDATAで読めます。(0=ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ) ３. BS1とBS2をHigh(1)、OEをLow(0)に設定します。ﾋｭｰｽﾞ上位ﾋﾞｯﾄの状態が直ぐにDATAで読めます。(0=ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ)
４. BS1をLow(0)、BS2をHigh(1)、OEをLow(0)に設定します。拡張ﾋｭｰ ｽﾞ ﾋﾞｯﾄの状態が直ぐにDATAで読めます。(0=ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ) ５. BS1をhigh(1)、BS2をLow(0)、OEをLow(0)に設定します。施錠ﾋﾞｯﾄの状態が直ぐにDATAで読めます。(0=ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ)
６. OEをHigh(1)に設定します。DATAはHi-Zになります。
図25-6. ﾋｭｰｽﾞ,施錠ﾋﾞｯﾄ読み出し中のBS1, BS2との関係
DATA 拡張ﾋｭｰｽﾞ ﾊﾞｲﾄ
施錠ﾋﾞｯﾄ 0
ﾋｭｰｽﾞ上位ﾊﾞｲﾄ 1
0 1
BS2 BS1 0
1 ﾋｭｰｽﾞ下位ﾊﾞｲﾄ