BYCT 4 BYCT 3 BYCT 2 BYCT 1BYCT7BYCT6BYCT5
25. ﾒﾓﾘ ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞ
25.1. ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ ﾒﾓﾘとﾃﾞｰﾀ ﾒﾓﾘ用施錠ﾋﾞｯﾄ
ATmega8U2/16U2/32U2は非ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ(1)のままか、表25-2.で一覧される付加機能を得るためにﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ(0)できる6つの施錠ﾋﾞｯﾄを提 供します。この施錠ﾋﾞｯﾄはﾁｯﾌﾟ消去指令でのみ1に消去できます。
表25-1. 施錠ﾋﾞｯﾄ ﾊﾞｲﾄの内容 ﾋﾞｯﾄ番号 名称
6 5 4
-BLB12 BLB11
意味
ﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ領域に対する保護用ﾌﾞｰﾄ施錠ﾋﾞｯﾄ 応用領域に対する保護用ﾌﾞｰﾄ施錠ﾋﾞｯﾄ 3
BLB02
既定値 (注)
1 (非ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ) 1 (非ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ) 0 (ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ) 1 (非ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ)
注: 0はﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ、1は非ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑを意味します。
7
- 1 (非ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ)
2
BLB01 1 (非ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ)
ﾌﾗｯｼｭとEEPROMﾒﾓﾘに対する一般保護用施錠ﾋﾞｯﾄ 1
LB2 0 (ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ)
0
LB1 0 (ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ)
表25-2. 施錠ﾋﾞｯﾄの保護種別
LB 種別 LB1
保護種別 1
LB2 1
1 ﾒﾓﾘ施錠機能は機能しません。
ﾒﾓﾘ施錠ﾋﾞｯﾄ
直列、並列、またはﾃﾞﾊﾞｯｸﾞWIRE経由ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞに対する保護
0 1
2 ﾌﾗｯｼｭ、EEPROMの更なるﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞ(書き込み)が禁止されます。ﾋｭｰｽﾞ ﾋﾞｯﾄが固定され ます。 (注1)
0 0
3 ﾌﾗｯｼｭ、EEPROMの更なるﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞ(書き込み)と照合(読み出し)が禁止されます。ﾋｭｰｽﾞ ﾋﾞｯﾄとﾌﾞｰﾄ施錠ﾋﾞｯﾄが固定されます。 (注1)
1 0 1
1 1
2
LPM, SPM命令が応用領域をｱｸｾｽすることに対して制限はありません。
SPM命令は応用領域に書くことを許されません。
ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘの応用ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ領域に対する保護 BLB01
BLB02 LB0 種別
0 0
3 SPM命令による応用領域への書き込みと、ﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ領域でのLPM命令による応用領域か
らの読み込みが許されません。 (注2) 1
0
4 ﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ領域でのLPM命令による応用領域からの読み込みが許されません。 (注2) 1
0 1
1 1
2
LPM, SPM命令がﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ領域をｱｸｾｽすることに対して制限はありません。
SPM命令はﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ領域に書くことを許されません。
ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘのﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ領域に対する保護 BLB11
BLB12 LB1 種別
0 0
3 SPM命令によるﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ領域への書き込みと、応用領域でのLPM命令によるﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ
領域からの読み込みが許されません。 (注3) 1
0
4 応用領域でのLPM命令によるﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ領域からの読み込みが許されません。 (注3) 注: 0はﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ、1は非ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑを意味します。
注1: 施錠ﾋﾞｯﾄを書く前にﾋｭｰｽﾞ ﾋﾞｯﾄとﾌﾞｰﾄ施錠ﾋﾞｯﾄを書いてください。ﾃﾞﾊﾞｯｸﾞWIREは全面的に禁止されます。
注2: BLB02=0で、割り込みﾍﾞｸﾀがﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ領域に配置されていると、応用領域での実行時に割り込みが禁止されます。
注3: BLB12=0で、割り込みﾍﾞｸﾀが応用領域に配置されていると、ﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ領域での実行時に割り込みが禁止されます。
25.2. ﾋｭｰｽﾞ ﾋﾞｯﾄ
ATmega8U2/16U2/32U2には3つのﾋｭｰｽﾞ ﾊﾞｲﾄがあります。表25-3.～5.は全てのﾋｭｰｽﾞの概略機能とﾋｭｰｽﾞ ﾊﾞｲﾄ内でどのように配 置されるかを示します。ﾋｭｰｽﾞはﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑされると、論理0として読まれることに注意してください。
表25-3. 拡張ﾋｭｰｽﾞ ﾊﾞｲﾄ一覧 ﾋﾞｯﾄ
名称 意味 既定値 ($F4)
7
- 1 (非ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ)
6
- 1 (非ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ)
5
- 1 (非ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ)
4
- 1 (非ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ)
3
HWBE ﾊｰﾄﾞｳｪｱ ﾌﾞｰﾄ許可。 0 (ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ) HWBﾋﾟﾝ有効
2
BODLEVEL2 1 (非ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ)
低電圧検出(BOD)ﾘｾｯﾄの制御と検出電圧選択。 (注1) 1
BODLEVEL1 0 (ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ)
0
BODLEVEL0 0 (ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ)
注1: BODLEVELﾋｭｰｽﾞの符号化については173頁の表26-4.をご覧ください。
表25-4. ﾋｭｰｽﾞ上位ﾊﾞｲﾄ一覧 ﾋﾞｯﾄ
名称 意味 既定値 ($D9)
7
DWEN (注4) ﾃﾞﾊﾞｯｸﾞWIRE機能許可。 1 (非ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ) ﾃﾞﾊﾞｯｸﾞWIRE不許可 6
RSTDISBL PC1がI/OﾋﾟﾝかまたはRESETﾋﾟﾝかを選択します。 1 (非ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ) PC1はRESETﾋﾟﾝ 5
SPIEN (注1) 直列ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞ許可。 0 (ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ) 直列ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞ許可 4
WDTON (注3) ｳｫｯﾁﾄﾞｯｸﾞ ﾀｲﾏ常時有効。 1 (非ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ) WDTはWDTCSRで許可 ﾁｯﾌﾟ消去からEEPROM内容を保護。
3
EESAVE 1 (非ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ) EEPROMは未保護
2
BOOTSZ1 0 (ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ)
ﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ容量選択。(表24-8.参照) (注2) 1
BOOTSZ0 0 (ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ)
ﾘｾｯﾄ ﾍﾞｸﾀ(応用領域またはﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ領域)選択。
0
BOOTRST 1 (非ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ) 応用領域
注1: SPIENﾋｭｰｽﾞは直列ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞでｱｸｾｽできません。
注2: BOOTSZ1,0既定値は最大ﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ容量になります。156頁の表24-8.をご覧ください。
注3: 詳細については34頁の「ｳｫｯﾁﾄﾞｯｸﾞ ﾀｲﾏ制御ﾚｼﾞｽﾀ(WDTCSR)」をご覧ください。
注4: 施錠ﾋﾞｯﾄやRSTDISBLﾋｭｰｽﾞの設定に拘らず、DWENﾋｭｰｽﾞがﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ(0)された製品の出荷は決してありません。ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ(0) されたDWENﾋｭｰｽﾞは全休止形態でｸﾛｯｸ系の一部を許可します。これは消費電力の増加になってしまいます。
表25-5. ﾋｭｰｽﾞ下位ﾊﾞｲﾄ一覧 ﾋﾞｯﾄ
名称 意味 既定値 ($5E)
7
CKDIV8 (注4) ｼｽﾃﾑ ｸﾛｯｸ 8分周選択。 0 (ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ) 8分周 6
CKOUT (注3) ｼｽﾃﾑ ｸﾛｯｸ出力許可。 1 (非ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ) 不許可
5
SUT1 0 (ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ)
起動時間選択。 (注1)
4
SUT0 1 (非ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ)
3
CKSEL3 1 (非ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ)
2
CKSEL2 1 (非ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ)
ｸﾛｯｸ種別選択。 (注2)
1
CKSEL1 1 (非ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ)
0
CKSEL0 0 (ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ)
注1: SUT1,0の既定値は最大起動時間になります。詳細については19頁の表8-4.をご覧ください。
注2: CKSEL3～0の既定設定は外部ｸﾘｽﾀﾙ用発振器になります。詳細については18頁の表8-1.をご覧ください。
注3: CKOUTはﾎﾟｰﾄC7に出力することをｼｽﾃﾑ ｸﾛｯｸに許します。詳細については21頁の「ｸﾛｯｸ出力緩衝部」をご覧ください。
注4: 詳細については21頁の「ｼｽﾃﾑ ｸﾛｯｸ前置分周器」をご覧ください。
ﾋｭｰｽﾞ ﾋﾞｯﾄの状態はﾁｯﾌﾟ消去によって影響されません。施錠ﾋﾞｯﾄ1(LB1)がﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ(0)されると、ﾋｭｰｽﾞ ﾋﾞｯﾄが固定されることに注意し てください。施錠ﾋﾞｯﾄをﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ(0)する前にﾋｭｰｽﾞ ﾋﾞｯﾄをﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞ(書き込み)してください。
25.2.1. ﾋｭｰｽﾞのﾗｯﾁ
ﾋｭｰｽﾞ値はﾃﾞﾊﾞｲｽがﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞ動作へ移行する時にﾗｯﾁされ、ﾋｭｰｽﾞ値の変更はﾃﾞﾊﾞｲｽがﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞ動作を去るまで無効です。こ れは一旦ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ(0)されると直ぐに効果があるEESAVEﾋｭｰｽﾞには適用されません。ﾋｭｰｽﾞは通常動作での電源投入でもﾗｯﾁされま
160
ATmega8U2/16U2/32U2
25.3. 識票ﾊﾞｲﾄ
全てのATMELﾏｲｸﾛ ｺﾝﾄﾛｰﾗはﾃﾞﾊﾞｲｽを識別する3ﾊﾞｲﾄの識票符号を持ちます。この 符号は直列と並列の両ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞ動作で、またﾃﾞﾊﾞｲｽが施錠されていても読めます。
この3ﾊﾞｲﾄは分離された空間に存在します。ATmega8U2/16U2/32U2の識票ﾊﾞｲﾄに ついては表25-6.で示されます。
25.4. 発振校正値ﾊﾞｲﾄ
ATmega8U2/16U2/32U2には内蔵RC発振器用に1ﾊﾞｲﾄの校正値があります。このﾊﾞｲﾄは識票ｱﾄﾞﾚｽ空間でｱﾄﾞﾚｽ$0000の上位ﾊﾞｲﾄ にあります。ﾘｾｯﾄ中、校正付き内蔵RC発振器の正しい周波数を保証するために、このﾊﾞｲﾄが発振校正(OSCCAL)ﾚｼﾞｽﾀへ自動的に 書かれます。
表25-6. ﾃﾞﾊﾞｲｽの識別番号(ID) 識票ﾊﾞｲﾄ ｱﾄﾞﾚｽ 部品番号 $0000 $0001 $0002
ATmega8U2 $1E $93 $89 ATmega16U2 $1E $94 $89 ATmega32U2 $1E $95 $8A
25.5. ﾍﾟｰｼﾞ容量
表25-7. ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘのﾍﾟｰｼﾞ数とﾍﾟｰｼﾞの語数ﾃﾞﾊﾞｲｽ 全容量 ﾍﾟｰｼﾞ容量 PCWORD ﾍﾟｰｼﾞ数 PCPAGE PCMSB 64ﾜｰﾄﾞ
ATmega8U2 4Kﾜｰﾄﾞ(8Kﾊﾞｲﾄ) PC5～0 64 PC11～6 11 64ﾜｰﾄﾞ
ATmega16U2 8Kﾜｰﾄﾞ(16Kﾊﾞｲﾄ) PC5～0 128 PC12～6 12 64ﾜｰﾄﾞ
ATmega32U2 16Kﾜｰﾄﾞ(32Kﾊﾞｲﾄ) PC5～0 256 PC13～6 13
表25-8. EEPROMﾒﾓﾘのﾍﾟｰｼﾞ数とﾍﾟｰｼﾞの語数
ﾃﾞﾊﾞｲｽ 全容量 ﾍﾟｰｼﾞ容量 PCWORD ﾍﾟｰｼﾞ数 PCPAGE EEAMSB 4ﾊﾞｲﾄ
ATmega8U2 512ﾊﾞｲﾄ EEA1～0 128 EEA8～2 8 4ﾊﾞｲﾄ
ATmega16U2 512ﾊﾞｲﾄ EEA1～0 128 EEA8～2 8 4ﾊﾞｲﾄ
ATmega32U2 1Kﾊﾞｲﾄ EEA1～0 256 EEA9～2 9
25.6. 並列ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞ
本項はATmega8U2/16U2/32U2のﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ用ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘ、ﾃﾞｰﾀ用EEPROM、ﾒﾓﾘの施錠ﾋﾞｯﾄ、ﾋｭｰｽﾞ ﾋﾞｯﾄの並列ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞと照合 の方法を記述します。特記事項を除いて、ﾊﾟﾙｽ幅は最低250nsと仮定されます。
25.6.1. 信号名
この項でATmega8U2/16U2/32U2のいくつかのﾋﾟﾝは並列ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞ 中の機能を表す信号名で参照されます。図25-1.と表25-9.をご覧くださ い。後続の表で示されないﾋﾟﾝはﾋﾟﾝ名によって参照されます。
XA0とXA1ﾋﾟﾝはXTAL1ﾋﾟﾝが正ﾊﾟﾙｽを与えられる時に実行される動作 を決めます。このﾋﾞｯﾄ符号化は表25-12.で示されます。
WRまたはOEﾊﾟﾙｽ送出時、設定された指令が決める動作が実行され ます。各種指令は表25-13.で示されます。
図25-1. 並列ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞ構成図
RESET PD1 PD2 PD3 PD4 PD5 PD6
XTAL1 GND +12V
RDY/BSY OE WR BS1 XA0 XA1
PB7～0 VCC
DATA +5V
PD7