Scheme 3・ 15 D'4の合成
以上のようにスルホンアミド基とアルキル基が
syn
をとるピネンスルホンアミド誘導体D
シリ ーズを合成した(Figure3剛 4)。﹀︒﹀ 話
.......OBz単 , . ‑ O
H0 y
倒02S、 NH2OANH202S、N~e
Oっふ 、S、
NH2 D1
Figure 3・4
Syn
ピネンスルホンアミド誘導体D
シリーズ3‑2・・・
4
E 1の合成ブェンコンに対しローソン試薬を作用させチオカルボニル4 1へ変換した(Scheme3‑ 16)100これ に対し
Tf20
をトリイソブチルアミン(TIBA)
存在下で作用させる事で転位反応が進行し、目的とす るエキソオレブイン 4 2を5 4 %、エンドオレブイン 4 3を1 1 %の収率でそれぞれ得た1104 同
Lawesson崎両
0同 当 卜 J P J P
Reagent TIBA
3個
山 由
c ーー H
ー 2 ー C ーー 1
揖
2
・
一‑‑‑ toluene
Fenchone 1300C
41 0 oc to rt
40 h 3.5 h 42: 54% 43: 11%
34%
Scheme 3欄 16 ブェンコンの
Tf
化によるカンファー骨格への転位4 2に対しアンモニア水を作用させ窒素を導入し、
mCPBA
を用いた酸化によりスルホンアミドE 1を得た。
; t
NH7003 aC q.E '; t
mCPBA CH2CI2 EB之 手
rt 6h 1.5 h
43 87% 44 53% E1
3開2聞5 キ ラ ル ス ル ホ ン ア ミ ド 合 成 ま と め
以上の試みから以下のキラルスルホンアミド
9
種および、水駿基を有するキラルスルホンアミド7
種を合成した( F i g u r e3
・5 )
。次節でこれらを用いた不斉6
冗"アザ電子環状反応を検討する。訴 と
0 4長。手どま
. IMe ~ "I/~~~ o固 め ら
Y 'MeB #
u O~~. 0...../ O~~ uR( 0?8‑." , 028、
o i >
、NHU2U'NH2 u2u'NH2 V2"'NH2 V2v'NH~ r¥'Me ~"~'NH2 -~-'NH2 ‑ I'IIM2 ‑NH2
81 83 84 86 87 C1 01 02 E1
。
子
OH忌
O H 2 / O H 9 1 i f HH E N ; ! ?改
o H h O H2 02S'N~e 02S'NH~H 0っ4、ゑNH2 02S、N
"n‑12
8・2 日'5 c・2 c・3 c・4 D・3 D・4
Figure 3
欄5
合成したキラルスルホンアミドおよび水酸基を有するキラルスノレホンアミド3
・3
キラルスノレホンアミドを用いた不斉アザ電子環状反応上記で合成したキラノレスルホンアミドを用い、不斉アザ電子環状反応を試みた。すなわち、不斉 源を N伎に持たせたアザトリエンのアザ電子環状反応においてその不斉を転写し、生成物である ジヒドロピリジン
2
位の立体化学を制御することが目的であるO 方法として二種類検討した。すな わち、①速度論的支配による熱的アザ電子環状反応の逆旋的回転の旋回方向の制御を目的とし、酸 の存在下でのスノレホンアミドとジエナ…ノレとのイミン形成によるアザトリエンの調製およびそれ に続く竜子環状反応(MethodA
,Figure 3
・6 )
、および、②アザトリエンの平衡反応を用いた生成物 の熱力学的安定性に基づく立体化学の制御を目的とした加温条件として、ワンポット反応によるア ザトリエンの調製およびそれに続く電子環状反応(MethodB
,Figure 3
・7 )
である。なお、ジエナー ルとスノレホンアミドとのイミン形成にはプロトン駿またはルイス酸が必要で、あり、Pd(O)
触媒を用 いたワンポット反応では酸が必要ないことが確認されているO また、スルホンアミドを用いたアザ 電子環状反応はワンポットピリジン合成の実現の擦に既に検討されており、その際メタンスルホン アミドや国柑担持のスノレホンアミドを用いている120 今回合成したスルホンアミドはこれまでに用 いてきたスルホンアミドに比べて嵩高く、立体障害のために反応性がそれらと異なる可能性がある。....,LO ;;;;=¥̲̲̲̲̲COっEt
ー . . . . Y s / ' N ' V
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r 玄
Figure 3
・6Method A
速度論的支配に基づく立体制御手
n 3 4 M
P R
4
Figure 3 ‑7 Method B
熱力学的安定性に基づく立体制御開
37‑
上記で合成したキラノレスルホンアミド
9
種を用い、アザ電子環状反応を試みた( T a b l e3
・1 )
。その 結果、全てにおいてジヒドロピリジンの異性体48
はTLC
で同一スポットであったため、NMR
によりその存在比を判断した。
MethodA
において、B
シリーズは1‑2 . 2 : 1
とよい選択性とは言えず、Bl
を用いた際に84%
、2 . 2 : 1
と最もよい割合でジヒドロピリジンが得られた( E n t r y1 ‑ 5 ) 0 C
やD
は2 . 0
嗣3 . 2: 1
とA
よ りもより選択性を与えた( E n t r y6
・8 )
。これはB
が不斉点から炭素を一つ挟む一級スノレホンアミド であるのに対し、C
,D
は直接不斉点l
こ結合しているニ級スルホンアミドであることから、スルホ ンアミド基から不斉点までの距離が立体選択性に影響を与えたと考えられる。三級スノレホンアミド であるEl
を用いた場合はアザトジエン49
が得られた。このようなN
位に電子吸引基を持つ基質 で、アザ電子環状反応が進行せずアザトリエンが単離されたことはこれまでで初めてであり、その 立体障害のため電子環状反応が進行しなかったと考えられる。なお、49
は単離後クロロホルム中 室温で放置することで環化し48
(1 : 1)を与えることが確認され、選択性がよくないことから立体 化学の制御に関してはEl
は適していないと考えられた。これらの結果から、N
位の嵩高い置換基 によりアザ電子環状反応の反応性および旋回方向を制御できることが判明した。また、Cl
を用いo o C
,‑ 4 0 o C
,欄78
0C
で反応したが、イミン形成が遅くなるのみで収率、選択性の向上は見られなか った。一方、
MethodB
の場合ではEl
を除き生成物の割合は1: 1
であり、El
は1:
1.4
と選択性は よくなかった。これは当初の予想通り熱力学条件において電子環状反応の平衡が生じ、その結果MethodA
とは異なる割合に収束した結果と考えられる。この1:1
の割合は生成する2
つのジヒド ロピリジンの熱力学的安定性にほとんど差がないことを示しており、MethodB
による不斉誘起は 困難と考えられる。Table 3
・1
キラルスルホンアミドを用いたアザ電子環状反応A ぷl~~ ~.
+ R*叫 YTbM(OSTCりl3J 2 L
3
ーーーー‑叩叩叩担ー Ph' "v"" ~C02Et
THF, rt
P h h 0 3 2 E t 45
B Ph ....... 々47
〆 、
SnB+u s 4 8λ
C02Et Pd(PhCNLiCI )zCI3祖2 +DMF, 80 oC 48 49
Entry 2 3 4 5 6 7 8 9
R*S02NH2
ゑ o p O T B S0 5 o F 3 h R M E / 0 8 5 J Z O B 必
A Condition 4h 6h 6h 3h 9h 2h 4h 6.5 h 48 Yield 84% 62% 71% 89% 44% 33% 79% 0%
(Ratio) (2.2: 1) (1 : 1) (1.3 : 1) (1 : 1) (1 : 3.0) (1 : 2.0) (1 : 3.2)
49: 13%
四 時 四 時 四 四 日 『 四 回 目 四 四 国
B Condition 2 h 55 oC, 2 h 1 h 1 h 1.5 h 50 min 1 h 1 h 48 Yield 34% 43% 55% 58% 48% 61% 28% 42%
(Ratio) (1 : 1) (1 : 1) (1 : 1 ) (1 : 1 ) (1 : 1 ) (1 : 1.4)
次に、水酸基を有するスルホンアミド 7穏を用い、同条件でアザ電子環状反応を検討した
( T a b l e
3
・2 )
。カンブアースルホンアミドを用いたジヒドロピリジンの選択性は、MethodA
では1.0‑2 . 0 :
1
と先ほどよりも選択性は悪くなりMethod B
では1
網1.5:1
と低い選択性であった。しかしな がら、MethodA
においてC'.D'
を用いた場合、ジヒド口ピリジンの異性体混合物48
とともに三ル化していると考えられた。また三級アルコール
C ' 4
では48
は得られず、50
とともにアザトリ エンがアミノアセタール化した51
も得られた。これは立体障害により電子環状反応が進行し難く、三級アルコールの求核性が高いためアミノアセタールが選択的に得られたと考えられた。
T a b l e 3
剛2
水酸基を有するキラルスノレホンアミドを用いたアザ電子環状反応A Ph'
二~^" ~<
' v " 'C02Et + 附 則 Y7b1(LAOSTCりi3 E担吹 ぢ 心
F Rぢ O
f Ri ら
45
B
r
r.ur、 lPd(PhCN)2C12 +しiCI Ph~C02Et
DMF, 80 oC 48 50 51
Entry 2 3 4 5 6 7
士山吉山里
OH E N f E rろ
/OHF i i ; : ? "
R*S02NH2│O 2 O 2 ' H,〆/' Oっ2S、NH?'''112 ‑"‑'N 8・2 8・5 c・2 c・3 C'4 0・3 ・。4 A Condition 4h 4h 8h 9h 9h 1 h 1 h
ハJYν
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