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相対論的光ガイディング

3.1 光ガイディング

3.1.1 相対論的光ガイディング

相対論的光ガイディングの標準的な理論では、電子の横方向の振動運動 の効果のみがηr に含まれる。つまり、n=ne、γ =γL(r) = (1+h~a2i)1/2 ある。しかし、この現象はプラズマ振動の時間スケールで起こるのでレー ザーパルスの長さがプラズマ波長よりも長い、つまり γLcτ ≥λp でなけれ ばこれは効果的ではない。

γL1 = (1+a2)1/2≃1−a2/2と近似できる場合、屈折率は ηr ≃1− ωp2

L2(1−a2

2 ) (3.2)

となる [46]。屈折率分布による光ガイディングは ∂ηr/∂r <0 である必要 があり、これはレーザーの強度分布が Fig.3.2 のようにa2/∂r <0 のと き達成される。

Fig.3.2: 相対論的光ガイディング。a2/r<0なので ∂ηr/r<0とな りレーザーは中心軸に向かって集光する。

規格化されたスポット半径を R=rs/r0 とすると、レーザーパルスの強

度分布が

|~a|2 = (a0r0

rs )2exp(−2r2/r2s) (3.3) のとき、式 3.2を使ってスポット半径の包絡線方程式は

d2R

dz2 = 1

ZR2R3(1− P

Pc) (3.4)

となる。この式の右辺第 1項は真空中での回折の効果を表しており、第 2 項は相対論的自己収束の効果を表している。ここで Pc は相対論的自己収 束が起こる臨界出力で

Pc = 2ce2 r2e

ωL2

ωp2 (3.5)

または

Pc ≃17.4ωL2

ω2p[GW] (3.6)

となる。ここでre =e2/mc2 は古典電子半径である。例えばレーザー波長 λL=0.8µm、プラズマ電子密度ne=1.0×1018cm3 の場合は、Pc≃30TW である。初期 (z=0)条件をdrs/dz=0とすると式 (3.4) の解は

rs2

r02 =1+ (1− P Pc)z2

ZR2 (3.7)

となる。これは P<Pc のとき発散、P=Pc のときrs =r0 のまま、P>Pc のとき収束することを示している。実はこの解は”カタストロフィー な収束を予言している。これは a2 ≪1 の制限内における (1+a2)1/2 ≃ 1−a2/2の近似から来ている。実際には高次の非線形性によりレーザーの 収束は阻害される [46]。

γL1 = (1+a2)1/2 ≃1−a2/2と近似できない場合、スポット半径の方 程式は屈折率

ηr ≃1−ωp2

ωL2(1+a2)1/2 (3.8) を近似せずに扱う。規格化されたスポット半径X =rs/a0r0 は方程式

d2X

dz2 =−V0V

X (3.9)

に従う。ここで

−∂V

X =X3−16X P Pc[(p

1+x2−1) +2 ln 2−2 ln(p

1+X2+1)]

(3.10) であり、またV0 = (a20ZR)2 である。式 (3.10) の右辺第 1 項は真空中の 回折を表している。一方、残りの項はプラズマの相対論的自己収束の効果 を表している。a0 ≪1 (X ≫1) の極限では式 (3.9) は式 (3.4) になる。式 (3.9) は運動している有効ポテンシャルV(X,P/Pc) 内での粒子の位置を記 述している。ポテンシャルV(x) の形状はパラメーター P/Pc に依存して いる。P/Pc >1 のとき、ポテンシャルV(X) X =Xf で最小値をとり、

X(z) についての振動解を持つ。これは振動するスポット半径が rs(z) のガ イディングされたレーザーパルスに相当する[46]。

3.1.2 プラズマ密度チャネル

プラズマ密度チャネルとはプラズマ電子の密度分布をコントロールする ことにより、光ガイディングに最適な屈折率分布を作り出す方法である。

先ず放物線型密度チャネル

ne(r) =n0+∆nr2

r02 (3.11)

を考える。ここで∆n=ne(r0)−n0 である。また、レーザー出力及び規格 化されたベクトルポテンシャルをそれぞれPPca20 ≪1 とする。する とプラズマの屈折率分布はは式 (3.1) においてne0 =n0 とすることにより 近似的に

ηr =1− ω2pL

(1+∆n n0

r2

r20) (3.12)

となる [46]。任意の位置でのガウス型レーザーパルスのスポット半径を rs、強度分布を a2 = (a0r0/rs)2exp(−2r2/r2s) とするとレーザーパルスの 包絡線方程式は

d2R

dz2 = 1

ZR2R3(1− ∆n

ncR4) (3.13)

ここで R=rs/r0 である。右辺第1 項は真空中での回折の効果であり、第 2項はチャネルによる収束効果を表す。これはガウス型レーザーパルスが 整合の取れたスポット半径 rs =r0 のとき、チャネルの深さが ∆n でガイ ディングされることを示している。ここでの ∆nは臨界チャネル深さに等 しく

nc = 1

πrer02 (3.14)

または ∆nc[cm3]=1.13×1020/r2s[µm] である。ここで re =e2/mc2 は古 典電子半径である。例えばrs=20µmの場合、nc=2.8×1017cm3 であ る。式(3.13) の一般解は初期(z =0)条件をdrs/dz=0、rs =ri とすると

2rs2

ri2 =1+ ∆ncr04

nri4 + (1−∆ncr40

nr4i )cos(kosz) (3.15) である。ここで kos = (2/ZR)(∆n/∆nc)1/2 であり、ri は入射時のスポット 半径である。この式から整合の取れたスポット半径は ri =r0、∆n=∆nc であることが判る。もしレーザーパルスがチャネルと整合が取れていない 場合、スポットサイズはrs =rirs2 =∆ncr04/∆nr2i の間で振動し、その平 均値は

hrs2i= (ri2/2)(1+∆ncr40/∆nri4) (3.16) 振動の周期は

λos =2π/kosZR(∆nc/∆n)1/2 (3.17) である。実験と比較しやすくするために、チャネルの最大半径 rch 及び チャネルの端の密度 (最大密度)nch =n0+∆nch を使って表現する。つま り、0<r <rch の範囲で

ne(r) =n0+∆nch r2

rch2 (3.18)

である。n0、∆nch 及びrch は実験によって決定される。この表記を使うと 式(3.13)

d2rs

dz2 = 4

k2Lrs3(1− r4s

rM4 ) (3.19)

と書き直される。ここでrM はマッチングスポット半径と呼ばれ rM = ( rch2

πrench)1/4 (3.20) で与えられ Fig,3.3のようになる。

r n0

nch

Plasma density channel(parabolic) Laser profile(Gaussian)

rch

rM

Fig.3.3: マッチング半径rM とチャネル半径rch

式 (3.19) の解は初期 (z= 0) 条件を drs/dz =0、rs =ri としたとき式 (3.15) で与えられ、このときncr40/∆n=rM4kos =2/ZRM である。ここ でZRM =rLrM2 /2である。もしri 6=rM ならば、スポット半径は rs =rirs =r2M/ri の間で振動し、その平均値はhr2si= (ri2/2)(1+rM4 /ri4)、振動の周 期は λos =2π/kosZRM である。rch >rs のときレーザーパルスはチャ ネル内に閉じ込められる。ri >rM のとき、rch >ri ならば閉じ込められ、

ri <rM のときはrch >r2M/ri ならば閉じ込められ、これは∆nch >1/πreri2 を意味する。整合が取れている場合(ri =rM)、rch >rM ならば閉じ込めら れる。これは

nch> 1

πrer2ch (3.21)

を意味する [46]