GaN系HFET構造の結晶成長に関する研究開発
BiS₂系層状化合物の超伝導特性と結晶構造の相関に関する研究
... 1.5.1 外部圧力効果 外部圧力を印加する方法は装置や方法により様々なものがある。例として、ピストンシ リンダー型の高圧セルでは、金属製のピストンとシリンダーに試料と圧力伝達液体を挟ん で押すことが可能である。この方法では一般的に3-4 GPa程度までの圧力をかけることがで きる。また、本研究で用いたキュービックアンビル型高圧合成装置では６つのアンビルで ...
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GaN ナノコラム光デバイス 氏名岸野克巳 1. 研究目的 GaN 系ナノコラムで発現されるナノ結晶効果を学術的に解明しつつ 高品質ナノ構造の結晶成長を進め それに基づいて革新的なナノコラム光デバイスの研究を推進し 21 世紀の低消費電力エレクトロニクス構築を目指して 光デバイス基盤技術の開拓を行う
... ②InGaN 系ナノコラム発光色はコラム径とコラム周期で制御でき、発光色制御メカニズム の理解を深める。コラム径が異なる規則配列ナノコラム LED を同一基板上に作り、LED 発 光色が変化するか確認し、ナノコラム LED の発光色制御法の開拓を進め、発光径が数十 μm の微小 LED を同一基板上で互いに接近させて配置し、隣り合った LED ...
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損傷制御型ＲＣ系有壁架構の開発研究ー壁脚部にスリットを有する耐震壁の構造性能とひび割れ性 [ PDF
... 62-2 試験体の実験変数は，アンボンド鉄筋の配筋位置と 種類とした．試験体はアンボンド鉄筋の配筋位置の違 いにより O シリーズと I シリーズの 2 通りがある．アン ボンド鉄筋には，D10-SD295とD13-SD490を使用し，各 シリーズを 2 体ずつ，合計 4 体の試験体を製作した．な お，I シリーズでは，2 ...
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宇宙開発委員会 宇宙開発に関する重要な研究開発の評価 LNG推進系飛行実証 プロジェクトの中間評価結果 ［付録3］
... 本プロジェクトは事業開始時の初号機打上げ時期から、既に４年遅れて おり、中小型衛星顧客の信頼・信用の確保が緊急の課題である。 平成２２年度を目途に、ＬＮＧ推進系を含む全てのサブシステムの開発を 完了し、ロケットのＧＴＶ（地上での組立試験）に着手することが重要と考 えている。 ...
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超高Q値SiCフォトニック結晶ナノ共振器に関する研究
... こ の 課 題 に 対 応 す る た め 、 ワ イ ド バ ン ド ギ ャ ッ プ 半 導 体 の 一 つ で あ る SiC を フ ォ ト ニ ッ ク 結 晶 の 材 料 と し て 用 い る こ と を 提 案 し 、 従 来 の 材 料 で は 成 し 得 な か っ た 可 視 領 域 を 含 め た 波 長 550～ 1450 nm に 渡 る 超 広 帯 域 動 ...
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NECの成長を牽引する研究開発
... 本資料に含まれる経営目標は、予測や将来の業績に関する経営陣の現在の推定を表すものではなく、NECが事業戦略を遂行することによ り経営陣が達成しようと努める目標を表すものです。 本資料に含まれる記述は、有価証券の募集を構成するものではありません。いかなる国・地域においても、法律上証券の登録が必要とな ...
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太陽光による水分解を高効率化するナノコンポジット結晶を開発 研究活動 | 研究／産学官連携
... ◆ 酸化物薄膜の中に金属ナノ柱状構造を自己集積化するプロセスを開発した。 ◆ 光触媒を利用した水の電気分解の電極となる金属ナノ柱状結晶を析出させることによっ て水の分解効率が著しく向上した。 ◆ 本プロセスは高効率なエネルギー変換材料やデバイスの作製に役立ち、 二酸化炭素を排出 ...
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摩擦抵抗型乾式組積構造を利用した制振壁の開発に関する研究 [ PDF
... SRB-DUP 構造体の制振効果 SRB-DUP 構造体は，制振壁として用いるとき，木造 や鉄骨造など比較的剛性の低い建物に有効である．図 1 は，建物の主体構造である鉄骨ラーメンの梁位置で SRB-DUP 構造体を接合する工法例で，SRB-DUP 構造 体と梁を鋼材を介して接合している．SRB-DUP ...
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看護学生のためのru-eg 変換による知識の構造化をめざした教授プランの開発に関する研究 [ PDF
... 方略の必要条件あるいは十分条件を示しているもので はない。つまり、本研究では、特定の要因の組み合わ 、 、 せによって 一応の授業目標の達成がなされたものの それらの要因のうち、どの要因の寄与率が高かったの かは、現段階では特定できていない。さらに、本研究 ...
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「海外政府系研究開発機関における研究開発評価システムに関する調査・分析」調査報告書
... が老朽化・陳腐化してきたことから、研究会議を通じたプロジェクト型資金については、当該プロジェクト のために償却される施設・設備の費用など、実施にかかるすべての全経済原価が付与されることとなっ た。これに加えて、国としての研究開発・イノベーションへの投資について、10 年先まで見通した基本方 針を 2004 ...
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損傷制御型RC系有壁架構に用いる水平スリット付耐震壁の開発に関する研究 [ PDF
... N-685-0.10 の結果を示す． 軸力比が大きい S-6 85-0. 25 は残留鉛直ひずみがほと んど生じていないのに対し，軸力比の小さいその他の 試験体では残留鉛直ひずみが ...び割れ押さえ効果は顕著に減少しないといえる．通常 の耐震壁は中立軸深さが浅いため，繰返し載荷により 損傷が壁板上部に進展し，壁中央部の伸びが変形に伴 ...
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コンクリート系非構造壁の取り付け部に介在させる摺動材を用いた摩擦制振システムの開発研究 [ PDF
... ，設けたも のである．またボルト孔の底と水平力伝達ボルトの端 部間にも約 10mm のクリアを設け，架構フレームの層 間変形による垂直変位に追従できるようにした．ファ スナーの固定は既成の PC 版にファスナーの取り付け 位置にコア抜きを行い，ファスナーとして使用する山 形鋼を面座金及び丸座金を介して PC ...
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モジュール 造技術 ( ラ ネート 配線技術など ) 結晶 S 系太陽電池 ( 単結晶 多結晶 ) 住 用民生用公 用メ ソーラー 薄膜 S 系太陽電池 ( 非晶 結晶 ) ( 半導体材料 属電極材料 明電極 材料 ) 化合物結晶系太陽電池 (Ⅲ- GaI P ) 化合物薄膜系太陽電池 (CIS/C
... 【提言1】基本的な技術についての強いグローバル特許 の獲得推進 日本国籍出願人は、グローバル出願件数が、米国、欧州、 中国、韓国及び台湾と比較して多く、グローバル出願比率 も向上しているが、論文発表件数では欧州、米国、中国に 対して後れを取っており、根源的な技術開発が停滞してい る可能性がある。太陽電池の普及が急速に進む中で、今後 ...
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2-6 粉末 X 線構造解析概要 本節では 粉末試料によるX 線回折データを用いて構造解析をおこなうためのリートベルト解析ソフトを紹介し 結晶構造パラメーターから結晶構造モデルを可視化するための結晶構造描画 VESTA の使用方法について解説する リートベルト解析への第一歩構造解析を行
... 構造解析を行うにあたり、単結晶を用いた構造解析が望ましいが、必ずしも測定にかか りうる単結晶が得られるとはかぎらない。この場合、多結晶粉末を用いた粉末回折法によ り構造の精密化を行う。粉末回折データを用いた構造解析は、リートベルト(Rietveld)解析 ...
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エピタキシャル薄膜研究の広がり ( 私見 ) エピ膜と基板結晶の結晶構造が同じで格子定数が近いグループ 例 Si ホモエピ Diamond 型 エピ膜と基板結晶の結晶構造が同じであるが 格子不整合の程度が大きいグループ 例 Ⅳ-Ⅳ 族 Ⅲ-Ⅴ 族化合物半導体 Diamond 型 Zincblende
... - 結晶方位のズレ、結晶の反り、極性評価・・・ ・ZnOバルク単結晶 - アニール処理と結晶性、極性評価、ﾌｧｾｯﾄ面・・・ ・NiSi 2 電極材料 - in-situ高温XRDによる熱膨張係数（粉末と薄膜の違い） ・極薄high- k 膜 - ...
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The Japanese Association for Crystal Growth (JACG) 日本結晶成長学会誌 日本結晶成長学会創立 40 周年記念特集 第４章 Vol. 42, No. 1 (2015) 歴史的結晶の収集 歴史的結晶の収集 歴史的人工結晶展示事業 島村清史 物材機構 世界
... ケイ酸ガドリニウム Gd 2 SiO 5 : Ce 所蔵 日立化成工業 ゲルマニウム酸鉛 Pb 5 Ge 3 O 11 寄贈 電電公社武蔵野電気通信研究所 ザロ一ル・ t-ブチルアルコール C 6 H 4 OHCOOC 6 H 5 · C 4 H 9 OH 寄贈 宇宙航空研究開発機構 ゲルマニウム酸ビスマス Bi 4 Ge 3 O 12 寄贈 日立製作所中央研究所 ...
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Al基近似結晶における半導体形成の可能性に関する研究
... 論文審査の結果の要旨 氏名 北原 功一 本論文は、Al 基正 20 面体準結晶の近似結晶において、第一原理バンド計算と実験に より、半導体形成の可能性を検討したものである。Al-遷移金属系近似結晶において半金 属的なバンド構造を見出し、元素置換により半導体バンド構造を見つけている。元素置 ...
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窒化アルミニウム単結晶基板の開発
... きるため、電界効果トランジスタ（FET）等の電子デバイ スにおいて、ノーマリ・オフ動作が可能であり、省電力化 が期待できる。また、紫外 LED 等の発光デバイスにおいて も、この無極性面上にデバイス作製することで、高効率な 特性が得られることが示唆されている （10）、 （11） 。これらは SiC 基板上に作製されたものであり、同研究グループから、c 面 SiC 基板上 AlN ...
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4H-SiCにおける結晶欠陥の微細構造とデバイス特性への影響に関する研究
... を模式的に表したのが図 2-21 である。 図 2-21(a)において積層欠陥ステップが基底面に交わった部分から図中の手前側にはステップが存 在しないので、積層欠陥ステップの先端部分は（ｂ）に示すように、少しずつ角度を変えながらステ ップを形成することになる。この過程が続けば積層欠陥はらせん転位に変換される。しかし（ｃ）で ...
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テトラジマイト型Bi系トポロジカル絶縁体単結晶の輸送特性と超伝導に関する研究
... 研究を行い、電子状態の解明を試みた。取り扱った物質は基本的にはテトラジマイト型物質である Bi 2 Se 3 とそれを母物質として派生する Bi 2 Te 2 Se(BTS)や Bi 2-x Sb x Te 3-y Se y (BSTS)を取り上げ、良質な単結晶育成の ...
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