Datta&Das型トランジスタ
低転位GaN 基板上縦型トランジスタの開発
... p 型半導体が必須となる。 GaN はイオン注入による p 型の形成が困難であり、Si の パワートランジスタの IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）や DMOSFET（Double-Diffusion Metal Oxide Field-Effect Transistor）など、既存の構造を模擬 することは、現状の GaN のプロセス技術では不可能であ ...
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180°形トランジスタ無整流子電動機の特性について (120°形トランジスタ無整流子電動機との比較): University of the Ryukyus Repository
... Title 180°形トランジスタ無整流子電動機の特性について (120°形トランジスタ無整流子電動機との比較) Author(s) 親盛, 克治; 伊波, 善清 Citation 琉球大学理工学部紀要. 工学篇 = Bulletin of Science & Engineering Division, University of the Ryukyus. Engineering(17): ...
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SNDM測定によるトランジスタ中のドーパントプロファイル計測への応用
... 査 型 キ ャ パ シ タ ン ス 顕 微 鏡 （SCM：Scanning Capacitance Microscopy） (3) や走 査 型 広 が り 抵 抗 顕 微 鏡 （ SSRM ： Scanning Spreading Resistance Microscopy） (4) などの走査型 プ ロ ー ブ 顕 微 鏡 （ SPM ： Scanning Probe ...
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磁気でイオンを輸送する新原理のトランジスタを開発
... ンを移動させることで動作しますが、イオンの駆動には電圧を印加する必要があるため、電力源が確保で きない環境では利用しづらいという問題があります。 ３．そこで NIMS の研究グループは、磁性イオン液体 (２) （1-ブチル-3-メチルイミダゾリウムテトラクロロ フェラート）に注目しました。磁性イオン液体は、これまで“液体の磁石”として研究されていましたが、 ...
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Bis wann? いつまで?( 何時まで?) der Bruder 兄 弟 兄弟 heute 今日 die Telefonnummer 電話番号 das Restaurant レストラン die Visitenkarte 名刺 geöffnet 開いている / 開店している das Hobby 趣
... Ordnen Sie zu! 並び替えなさい。 Die Flasche ist voll. 瓶はいっぱいだ der Gasherd ガスレンジ Wie viel kostet das? それはいくらですか？ der Kühlschrank 冷蔵庫 nur ほんの、ただ～だけ die Pfanne フライパン anstrengend 大変な ...
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スピントランジスタの基本技術を開発 ― 高速・低消費電力、メモリにもなる次世代半導体 ―
... スピンMOSトランジスタの基本技術を開発 ― 高速・低消費電力、不揮発の次世代半導体 ― 本資料は、本年米国ボルチモアで開催のIEDM（International Electron Devices Meeting 2009）における当社講演 “Read/Write Operation of Spin-Based MOSFET Using Highly Spin-Polarized Ferromagnet/MgO ...
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マイクロ波トランジスタと増幅器の設計
... では，マイクロ波回路設計の基礎となるリアクタン ス形インピーダンス整合回路の基本技術及びその増 幅器応用について，スミス図表を利用しながら具体 的な例を交えて解説する．第４章では，トランジス タ電力増幅器の大信号非線形動作の基本的な特性振 る舞いを，第５章は，トランジスタの非線形性及び 増幅器のひずみ特性について基礎的な解説を行なう． ...
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小信号用トランジスタ PNP,NPN コンプリ用 hfe 測定回路 作成レポート 2017 年 9 月 15 日
... 1. はじめに 縦型 FET の IDSS 測定は結構測定しやすいのだが、小信号用のトランジスタの h FE 測定は、気温に敏感 に左右されるので測定が難しい。ペアを揃えるのも難しいが、特にコンプリ揃えるのが至難の業だ。何し ろ、エアコンや扇風機の風が当たっただけでもググッと測定値が動く。室温が 0.1℃変化すると h FE がお ...
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h-BNヘテロ界面を利用した高移動度ダイヤモンドトランジスタの電荷輸送特性の研究
... 室温で１０００ ｃｍ ２ Ｖ －１ ｓ －１ を超える移動度が可能であることを明らかにしている。 審 査 の 要 旨 〔批評〕 ダイヤモンドは、ワイドバンドギャップや高熱伝導率などの際立った特徴から、次世代半導体材料として 期待されている。とくに、ダイヤモンド電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）は、パワーエレクトロニクスや高周波高 出力増幅などの用途で有望である。これまでに、ダイヤモンドＦＥＴの高温動作、高絶縁破壊電界、高電 ...
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トランジスタ一差働増幅器を用いた2線式計算機回路: University of the Ryukyus Repository
... Title トランジスタ一差働増幅器を用いた2線式計算機回路 Author(s) 安冨祖, 忠信 Citation 琉球大学農家政工学部学術報告 = The science bulletin of the Division of Agriculture, Home Economics & Engineering, University of the Ryukyus(9): ...
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Chapter 版 Maxima を用いたダイオード トランジスタの解析について [ 目的 ] 電気通信大学 Ⅲ 類の2 年次後期に実施される理工学基礎実験において ダイオード トランジスタ を実施している この実験項目について 無料ソフトの Maxima を用いることで
... 5-4 トランジスタ特性：IC-VCE について [目的] トランジスタの特性の中の Ic-Vce 特性についての理論グラフを表示する。 ここで、使用する理論は、最もシンプルな回路モデルの Ebers-Moll モデルを使用する。 参考文献 ...
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超高温特異環境トランジスタ開発基礎研究
... 亜離化銅の温度一抵抗率特性 導体接続部の試料形状を棒状とし周囲混度と 試料両端の抵抗を測定する。電糠に負荷抵抗をつ なぎ，この回路の途中に導線を突き合わせにし，開 聞を繰り返すと赤熱した酸化物が生成される。こ の状態を繰り返すと赤熱部は成長する。この過程 では，赤熱部は突き合わせ部を動き回り，その動き の跡に亜画変化銅が作り出されるロ回路を遮断すれ ば生成された大きさの[r] ...
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トランジスタ技術教育のためのカープトレーサ (111) トランジスタ技術教育のためのカーブトレーサー (Ⅲ) 浅野安吉比嘉善一 ACurveTracerfbrtheEducatonofTransistor-Technique(Ⅲ) YasukichiASANO*andZen-ichiHIGA* (R
... トランジスタ技術教育のためのカーブトレーサー(Ⅲ） ０ 浅野安吉比嘉善一 ACurveTracerfbrtheEducatonofTransistor-Technique(Ⅲ） ＹａｓｕｋｉｃｈｉＡＳＡＮＯ＊andZen-ichiHIGA＊ （ReceivedOct､31,1974） ’ WhiIethecurvetracersdiscussediｎＰａｒｔｓ（１）ａｎ[r] ...
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SiC 高チャネル移動度トランジスタ
... n 型 poly-Si を用いた。横型 MOSFET のチャネル長L ch は 100 µm（チャネル幅 W ch は 200 µm）、縦型 MOSFET のチャネル長は 1 µm である。 縦型 MOSFET は、より精度の高いオン抵抗評価と耐圧試 験を行うために、銅タングステンベースのメタルパッケー ジに実装し、電流電圧特性を評価した。比較のために、従 来から用いられている n ...
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RYM002N05 : トランジスタ
... 本製品は一般的な電子機器（ AV 機器、OA 機器、通信機器、家電製品、アミューズメント機器等）への使用を 意図して設計・製造されております。したがいまして、極めて高度な信頼性が要求され、その故障や誤動作が人の生命、 身体への危険もしくは損害、又はその他の重大な損害の発生に関わるような機器又は装置（医療機器 (Note 1) 、輸送機器、 交通機[r] ...
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R6018JNX : トランジスタ
... 本製品は一般的な電子機器（ AV 機器、OA 機器、通信機器、家電製品、アミューズメント機器等）への使用を 意図して設計・製造されております。したがいまして、極めて高度な信頼性が要求され、その故障や誤動作が人の生命、 身体への危険もしくは損害、又はその他の重大な損害の発生に関わるような機器又は装置（医療機器 (Note 1) 、輸送機器、 交通機[r] ...
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R8008ANJFRGTL : トランジスタ
... 極めて高度な信頼性が要求され、その故障や誤動作が人の生命、身体への危険もしくは損害、又はその他の重大な損害 の発生に関わるような機器又は装置（医療機器 (Note 1) 、航空宇宙機器、原子力制御装置等） （以下「特定用途」という） への本製品のご使用を検討される際は事前にローム営業窓口までご相談くださいますようお願い致します。ロームの文 書による事前の承諾を得ることな[r] ...
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４端子MOSトランジスタ
... (2) Yannis Tsividis and Colin McAndrew, Operation and Modeling of the MOS Transistor Third Edition, Oxford University Press, New York, 2011.[r] ...
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