Title
トランジスタ技術教育のためのカーブトレーサー（3）
Author(s)
浅野, 安吉; 比嘉, 善一
Citation
琉球大学教育学部紀要 第二部(18): 75-79
Issue Date
1975-03
URL
http://hdl.handle.net/20.500.12000/934
Rights
トランジスタ技術教育のためのカーブトレーサー(Ⅲ）
０ 浅野安吉比嘉善一 ACurveTracerfbrtheEducatonofTransistor-Technique(Ⅲ） ＹａｓｕｋｉｃｈｉＡＳＡＮＯ＊andZen-ichiHIGA＊ （ReceivedOct､31,1974） ’ WhiIethecurvetracersdiscussediｎＰａｒｔｓ（１）ａｎｄ（Ｕ）oftheformerpapersofthesametitleare theomesfortheconveuutional剛bipolartransistor〃respectiveIy,ｉｎｔｈｉｓｐａｐｅｒ（IⅡ）thecurvetracerfor theunipolartransistorknownasafieldeffecttransistor（FET）orametaloXidesemiconductor（ＭＯＳ ｏｒＭＯＳＴ）ｉｓdiscussed・Ｔｈｅｔｒａｃｅｒｉｎｔｂｅｌａｔｔｅｒｐａｐｅｒｕｓｅｓａlsothesimilar剛equivalentelectronicrot‐ aryswitch”&onsistingoflCJ-KMaster-SIaveFｌｉｐ－ＦＩｏｐａｎｄＤＴＬＮＡＮＤｇａｔｅａｓｗｅＩｌａｓｉｎ（Ⅱ）ofthe formerones,ｂｕｔｉｎ（ⅡI）ｉｔｉｓｉｍｓｅｒｔｅｄｂｅｔｗｅｅｎｅａｃｈｔａｐｏｆａｐotentialdivideramdthegateoftheunipolar transistorundertestinordertosupplythestaircaseinputvoltagetoit,thoughin(11）therotaryswitch issettoexchangebias-resistorsstepbystepintheimputcircuitofanemitterfOllowerwhichsupplies thestaircaseinputsignalcurrent（ratherthanvoltage化othebipolartransistorundertest、Moreove『 fｏｒｔｈｅｔｒａｃｅｒｉｎ（、）thecaremustbetakentocorrespondtoeachtypeofunipolartransistor,especially MOST，namely，、DepIetiontype”orWEnhancementtype"withN-channelorP-channelrespectively． まえがきとするのに対して，いわゆる電圧機器である単極性トラ ンジスターを対象とする（ⅡI）においては，これを，分 ｌ）２） 論文（１），（Ⅲ）で述べたカーブトレーサーは，双圧器の各タップと，供試単極住トランジスターのゲート 極性トランジスターを対象としたものであるが，今回のの間に挿入し，タップを順次切替えることによって生ず （Ⅲ）のそれは，単極性トランジスター，いわゆるる階段波電圧を，ゲートに加える方法をとっている。 FieldEfectTraIEistorFEDおよび，Metalなお，当然ながら，ＦＥＴ，特にＭＯＳＴ,の各タイプ， OxisideSemiconductor（ＭＯＳｏｒＭＯＳＴ)を対即ち，Ｎチャンネル，ｐチャンネルと共に，デプリーシ 象としたものである。（111)においても，（、)の場合と同ヨン型，エソハンスメン卜型のそれぞれに対応するよう考帥､４)，５） 様,ICJ-KMaster-slaveFlip-FlopとＤＴＬ慮がなされている。 ＮＡＮＤゲートからなる《,等価電子的ロータリースイッチ”を 原理 使用しているが,いわゆる電流磯器といわれる双極性トラ ンジスターのための（Ⅲ）においては，これを，エミッ 上途のように，（Ⅱ)，（、）の場合の主要な差異は， ターフオロワーの入力回路のバイアス抵抗の切替に使用供賦トランジスターの入力信号の作成方法と，その加え し，それによって，エミッターフオロワーの出力に生ず方とにあるので，その部分だけを，原理的に図示すれば， る階段波電流を，供試トランジスターの入力信号電流第１図（ａ），（ｂ）のようになる。 ＊ＴｈｅＳｅｃｔｉｏｎｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓｉｎｔｈｅＦａｃｕｌｔｙｏｆＴｅｃｈｎｉｃａｌＥｄｕｃａｔｉｏｎＤｔｈｅＣollege ofEduCationofRyuIq'ｕＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ． ◎ ②-75-琉球大学教育学部第１８集 へ ＢＪＴ ｕｎｄｅｒＴＵｓｔ J･ＦＥＴ ｕｎｄｅｒＴｂｓｔ Ｃ 、 １２汁４ｎＧ７ＨＢｉ
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。ＶＨｏ ＧＧ－ ０ ハノ Ⅳ (a） (b） 第１図カーブトレーサーの原理図 （a）は供拭トランジスターがＢＪＴの場合 （bリは供試･トランジスターがＦＥＴの場合 回路構成とその各部の機能 上述のように，全回路構成は,（Ⅱ）の場合とほぼ同様 であるので，主な相違部分，即ち，階段波作成と，それ の供試トランジスターへの適用回路とについてのみ，第 ２図に，その実際の回路の詳細を示す。 なお，各部の機能の重複部分については，（11）に詳 述してあり，また，相違部分については，上記の原理図 により，多言を要しないものと思われるので，ここには 省略する。 写真２．は，供試トランジスターのゲートに加ふべき階級 心 結 果 １０，ｓｅｃ･ 写真２．供拭トランジスターのゲートに加うべき階段 波電圧ＶＧｓを示す。 写真1.は製作したカーブトレーサーを，松下通信工業 製オシロスコープＶＰ－５４６Ａに接いで曲線を描かせて いる状況である。 ,?1蟻舟､ ￣ 鰯 写真３～７は，写真１．の装瞳で描かせた供試トランジ スターのＶＧｓをパラメーターとするＩｐ－ＶｓＤ静特 性曲線群である：写真３は東芝製２ＳＫ３０Ａ写真４は 同じく東芝製３ＳＫ２２に対するもので，両者共Ｓｉ接 合型（Ｊ－ＦＥＴ），Ｎチャンネル，規格表の指定は， デプリーシヨンモード（Ｄモード）であるから．通常使 用さるべきＶＧＳは負であるが，写真には，故意に正の部 分まで，僅に示してある。 写真１製作したカープトレーサを，オシロスコープ ＶＰ-546Ａに接続し,カーブを描かせている状況。一J76-⑤ 短巳 ｅ ■８ R3lI5K JVVミニ Ｒ４ｏ４Ｋ ヘヘハニ Ｒ４２２Ｋ ハヘハ行 Ｒ小１１Ｋ
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IＣｂＧＮＤ R躯 ５０Ｋ GＮＤ 第２図ＦＥＴまたはＭＯＳＴを供試トランジスターとする場合の階段波入力信号電圧の作成，各タイプに応ずろ適用回路構成部分 の詳細を示す。．琉球大学教育学部第１８集 ２４６８０ ３２１０ （く』ら・閂潰圏入マュニ （くＥ）二 ｉ ｑ少 、 轤鰄礫ハマュニ １Ｊ ５Ｈ１［ ５８Ⅲ ドレインーソース間電圧Vps(V） ２ＳＫ３０Ａ（東芝），Ｓｉ接合型，Ｎチャン ネル，Ｄモード，の出力特性曲線群
写輿６３:K、経;《糯ml8さﾙﾝﾈﾙ，
（Ｄ＋Ｅ）モード，の出力特性曲線群を示す。 写真３． 写真７は，日電製３ＳＪｌｌに対するもので，規格表によれ ば同じくＳｉＭＯＳ，Ｐチャンネル，エンハンスメントモ ード（Ｅモード〕である：写真は，それに対応し，－ＶＣｓ に対する特性曲線群ＩＤ－ＶＳＤが示されている。 ６ ４ （くミ）。『 ２ 繧銅閃マュニ 三ｓ目 ０ ｒＩＬ ５ｔ！ ドレインーソース間電圧ＶＤｓ（V） 写真４３ＳＫ２２（東芝），Ｓｉ接合型，Ｎチャンネ ル，、モード，の出力特性曲線群。衛
や△」 写真５，６は東芝製３ＳＫ４４に対するもので，規格表 によれば，ＳｉＭＯＳ，Ｎチャンネル，（Ｄ＋Ｅ）モ ードである：５はＤモード部分を，６はＥモード部分 を重点的に示している。 ドレインーソース間電圧ＶＤｓ(V） ３ＳＪｌｌ（日電），ＳｉＭＣＳ，Ｐチャンネル， Ｅモード，の出力特性曲線群を示す。 写真７ 鰯 （く自ら二 ６ あとがき （１），（Ⅲ）のカーブトレーサーに，（、)のそれを 加える事により，ＢＪＴ，Ｊ－ＦＥＴ，ＭＯＳ，あるいは ＭＯＳＴと，より広い範囲のトランジスターの測定が可 能となって，トランジスターの技術教育に，一段と威力 を加える事と思う。ゼィ
、△二 ２ ０ 『】 】尼 ドレインーソース間電圧ＶＤｓ（Ｗ ３ＳＫ４４（東芝），ＳｉＭＯＳ，Ｎチャンネル， (Ｄ＋Ｅ）モード，の出力特性曲線群を示す。 写真５ -７８－文 献 1）浅野安吉，井津元世士郎，木下紀男：日本産業技 術教育学会誌１４号（１９７３年３月）Ｐ，６３ ２）浅野安吉，比鵜善一：琉球大学教育学部紀要 第１７架第二部（１９７３年１２月）ＰＬ１０３ ３）電気学会（佐藤達男）：電子回路工学 4）MiltonSKiver：Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒａｎｄｌｎｔｅ－ ｇ｢atedElectronics1FouthDditiom 5）ＢＪａｍｅｓＡｎｇｅｌｏ：ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ： ＢＪＴｓ，ＦＥＴｓ，ａｎｄＭＩＣＲＯＣＩＲＣＵＩＴＳ． 、 6）ＣＱ出版：股新ＦＥＴ（電界効果トランジスタ） 規格表１９７３． の ③ －７９－
