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無電解めっきによる緻密膜の作製

708 表面技術 技術論文 林 無電解めっき法を用いた Fe 基板への Sn 高含有 (> 30 at.%)ni-sn 薄膜の作製 (2) ~ 錯化剤および浴の安定化に関する検討 ~ a, 遥介 b, 水品愛都 b, 横井健人 b, 河合陽賢 b, 郡司貴雄 a,c, 松本 太 a,c,* a 神奈

708 表面技術 技術論文 林 無電解めっき法を用いた Fe 基板への Sn 高含有 (> 30 at.%)ni-sn 薄膜の作製 (2) ~ 錯化剤および浴の安定化に関する検討 ~ a, 遥介 b, 水品愛都 b, 横井健人 b, 河合陽賢 b, 郡司貴雄 a,c, 松本 太 a,c,* a 神奈

... 薄 自体は H 2 O 2 で溶解しないことを示している。浴(表 1(C)) で Ni-Sn 薄膜では,小さなピンホール,クラックが入って いるにも関わらず,重量が減少しないは,厚くめっきされ ているため,クラックなどが表面に見られるが,そのクラッ クは Fe 基板まで達しておらず,H 2 O 2 水溶液は基板に触れて いないと考えることができる。5 ...薄 ...

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無電解めっきとレーザー照射による有機樹脂板上へのCuマイクロパターン形成

無電解めっきとレーザー照射による有機樹脂板上へのCuマイクロパターン形成

... 置 模 式 図 を 示 し て い る 。 電 解 C u め っ き 試 料 を a )空 気 中 お よ び b )2 回 蒸 留 水 中 に 保 持 し た ち 、パ ル ス N d - YA G レ ー ザ ー( G C R - 1 3 0 - 1 0 、S p e c t r a - P h y s i c s 、 波 長 5 3 2 n m 、周 波 数 1 0 H z ...

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パルスCVI 法によるリチウムイオン電池用電極の作製

パルスCVI 法によるリチウムイオン電池用電極の作製

... を部分充填することにより高導電性多孔質体を 作製し、これを集電体として利用して、気相原料から負 極活物質として熱分解炭素、正極活物質として硫化チタ ンを充填することにより、リチウムイオン二次電池電極 を作製した。得られた電極は、活物質層内部に三次元的 導電ネットワークを有しており、良好な電気的接触を保 持しながら電極を厚肉化し、容量を向上させることが可 能になるものと期待された。 ...

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第 1 号錯体水素化物固体電解質と硫化物ガラス固体電解質のハイブリッド利用による室温動作可能な 4V 級バルク型全固体リチウム二次電池の開発 71 チウム電池を作製し, 室温において電池性能を評価した.. 実験方法 Li 4 (BH 4 ) 3 I 固体電解質はメカニカルミリングおよび熱処 Fig.

第 1 号錯体水素化物固体電解質と硫化物ガラス固体電解質のハイブリッド利用による室温動作可能な 4V 級バルク型全固体リチウム二次電池の開発 71 チウム電池を作製し, 室温において電池性能を評価した.. 実験方法 Li 4 (BH 4 ) 3 I 固体電解質はメカニカルミリングおよび熱処 Fig.

... =-3 を上回る高いリチウムイオン伝導率を示す 5) .錯体水 素化物は,その構成元素に軽元素を選ぶことができるため, 軽量材料を設計することができる.また,リチウムイオン 輸率はほぼ 1 である.最も卑な電位を有し,高容量である 金属リチウム電極と安定な界面を形成する.結晶構造中水 素は,錯イオン中心元素と強固な共有結合によって安定 ...

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Vol. 66, 4, 技術論文 イオン液体から成膜されたアルミニウム電気めっき膜の陽極酸化によるポーラスアルミナの形成 藤井大地 a, 方雪琴 a, 郡司貴雄 a, 金子信悟 b, 田邉豊和 a, 松本太 a,* b a 神奈川大学工学部 ( 神奈川県横浜市神奈

Vol. 66, 4, 技術論文 イオン液体から成膜されたアルミニウム電気めっき膜の陽極酸化によるポーラスアルミナの形成 藤井大地 a, 方雪琴 a, 郡司貴雄 a, 金子信悟 b, 田邉豊和 a, 松本太 a,* b a 神奈川大学工学部 ( 神奈川県横浜市神奈

... Al めっきおよび陽極酸化評価 作製されためっきおよび陽極酸化表面及び断面観察 は,エネルギー分散型 X 線分光検出器(EDX,EMAXEvolution X-Max,HORIBA)を備えた電界放出型電子顕微鏡(FE-SEM: 日立製 SU-8010)を用いて行った。Al ...

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PLD法を用いて作製したR(Pr or Nd)-Fe-B系厚膜磁石に関する研究

PLD法を用いて作製したR(Pr or Nd)-Fe-B系厚膜磁石に関する研究

... 法 ヒーティングパターンイメージを図 2.6 に示しており,通常熱処理方法だと 数 100 K/min 程度昇温時間が必要なに対して,PA 法は試料を短時間で熱処 理することが可能である。赤外線イメージ炉内側には金めっきが施されてお り,赤外線を反射して外に逃がさないようにしている。さらに,試料を入れる ...

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第 7 号 Table 1 ガラス基板上の無電解 Cu めっき膜の密着性に対する触媒核の数密度の影響 503 Plating bath and plating conditions. Bath composition CuSO4 5H2O : 0.03 mol/dm3 C10H4N2Na2O8 2H

第 7 号 Table 1 ガラス基板上の無電解 Cu めっき膜の密着性に対する触媒核の数密度の影響 503 Plating bath and plating conditions. Bath composition CuSO4 5H2O : 0.03 mol/dm3 C10H4N2Na2O8 2H

... 因によって密着性が低下している可能性が考えられる 22) . 触媒活性化前処理条件を変化させたときめっき密着 性は,触媒核数密度が約 7000 number/mm 2 以上になると 低下する傾向が見られた.触媒核数密度が多くなった場 合,めっき初期析出が他条件に比べて早く急激に起こ ...

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パルスCVI 法による導電性多孔質体の作製

パルスCVI 法による導電性多孔質体の作製

... 池単位体積、及び重量当たりエネルギー密度が高い等 特徴を有し、小型・軽量化が要求される携帯用機器 電源として実用化され、又、電気自動車電源として 適用も期待されている。電池高容量化においては、よ り容量大きい電極材料(活物質)を開発することが重 要であるが、電極構造改良という点からアプローチ ...

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Vol. 63, 4, 無電解 Ni めっきに共析する添加剤とはんだ接合性 土田徹勇起 a, 大久保利一 a, 狩野貴宏 b, 荘司郁夫 b a 凸版印刷 総合研究所 ( 埼玉県北葛飾郡杉戸町高野台南 4 2 3) b 群馬大学大学院工学研究科 (

Vol. 63, 4, 無電解 Ni めっきに共析する添加剤とはんだ接合性 土田徹勇起 a, 大久保利一 a, 狩野貴宏 b, 荘司郁夫 b a 凸版印刷 総合研究所 ( 埼玉県北葛飾郡杉戸町高野台南 4 2 3) b 群馬大学大学院工学研究科 (

... により,基板に対する実装前最終表面処理として電解 めっき処理重要度が増している。最終表面処理には,主に はんだ実装信頼性やワイヤーボンディング接続信頼性が求め られ,特に,複数回熱履歴がかかるような Flip-Chip(FC)実 装場合においては,耐リフロー性が要求される。従来,高 いレベルではんだ実装信頼性が要求される場合においては, ...

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シリコンMOSゲートSiO2膜欠陥の詳細解析および水素による絶縁膜劣化モデリング

シリコンMOSゲートSiO2膜欠陥の詳細解析および水素による絶縁膜劣化モデリング

... Si midgap を0としており、 0.6∼1.2eV はおよそ Si 伝導帯近傍となる。トラップサイトエネルギー分布を変える と、リーク電流バイアス依存性は大きく異なる。エネルギー分布を E t ...Si midgap から伝導帯付近まで E t =0.0∼0.6eV とした場合比較を 行った。ここでは Huang-Rays ...

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石油留分の膜による高度分離技術の開発研究

石油留分の膜による高度分離技術の開発研究

... 2.1.3 石油精製プロセス用分離技術に関する研究(大津研究室) 1)はじめに われわれは、芳香族/非芳香族炭化水素系分離例として、リフォーミュレートガソリン 中ベンゼン除去を分離対象に想定して、ベンゼン選択透過型スイープガス式蒸留法(SGMD 法, 広義パーベーパレーション法)を検討してきた。SGMD ...

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電解生成水製造装置の開発および電解生成水の食品加工への応用

電解生成水製造装置の開発および電解生成水の食品加工への応用

... ORP 高低を測定することが重要であると考えられた。 以上ことから、本研究で開発した電解生成水製造装置から得られる電解生成水は、食品調理加 工に応用すると、主要作物食味特性改変に有効であった。特に、食品関連加水分解酵素活性へ影 ...

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分光測定の高速化によるシャボン玉の膜厚の測定法の確立

分光測定の高速化によるシャボン玉の膜厚の測定法の確立

... 0nm 波長領域で動作する CCD アレイ検出器を 搭載したオーシャンオプティクス社製小型マルチチャンネル分光器 USB 2 0 0 0+XR1−ES を用いた。この分光器は写真1に示すように、正面右側 SMA 9 0 5コネクタ穴に入射させた光を波長分解能1. 5nm で分光した結果を右側 USB ...

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2. 実験方法 2.1 合金作製市販の純度 99.5% の電解鉄 99% のシリコン および 99.99% のアルミニウムを原料として用い 種々の組成を有する Fe Si Al 合金を溶製した 無方向性電磁鋼板では 高磁束密度の観点から Si や Al の含有量は合計で 4wt% 程度に制限されてい

2. 実験方法 2.1 合金作製市販の純度 99.5% の電解鉄 99% のシリコン および 99.99% のアルミニウムを原料として用い 種々の組成を有する Fe Si Al 合金を溶製した 無方向性電磁鋼板では 高磁束密度の観点から Si や Al の含有量は合計で 4wt% 程度に制限されてい

... -1 間であった。一 方、 1Si3Al 合金と 4Al 合金では、本研究で実施したすべてひずみ速度において一様 伸びと局部伸び両方を示した。全て Fe–Si–Al 合金において、引張応力と ...0.2%耐力組成とひずみ速度依存性を検討したが、上述と同様 ...

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鉛フリー無電解Niめっき皮膜中の共析物がはんだ実装信頼性に及ぼす影響

鉛フリー無電解Niめっき皮膜中の共析物がはんだ実装信頼性に及ぼす影響

... 3.5 はんだ実装信頼性評価(時効処理) 電解 Ni/Pd/Au めっきにおいて,時効処理して作製し た供試材に対する高速シェア試験結果を Fig. 8 に示した。 Fig. 8 より,浴 E はんだ破壊モード割合が 70% を示 し,全て試料中で最も高い耐時効性を示した。Fig. 9 は 時効処理後における浴 A∼F ...

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20 m Au 2. 現行のマイクロバンプ形成技術における課題 Au Au Au 2 WB 11 m m 1 m 2008 Au FC m 10 m 30 m OTK Au 表 1 マイクロバンプ形成におけるめっき法の比較 3. 無電解めっきによる Au

20 m Au 2. 現行のマイクロバンプ形成技術における課題 Au Au Au 2 WB 11 m m 1 m 2008 Au FC m 10 m 30 m OTK Au 表 1 マイクロバンプ形成におけるめっき法の比較 3. 無電解めっきによる Au

...  一方、Auは耐食性に優れ、高い接続信頼性が期待 できる。ただし、微細化に対応した形成法に課題があ る。現行 Au マイクロバンプ形成法は、スタッド法と電 解めっき 2 つが利用されている。スタッド法は、WBを 応用したもので圧着したワイヤを適当な長さで切断し、 バンプを形成する。ただし、バンプサイズがワイヤ径に依 存するため、ある一定大きさから微細化することは難 ...

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【めっき膜の性質と評価方法】

【めっき膜の性質と評価方法】

... 〜2.4×10 -6 Ωcm 程度である。めっき技術により作製された金属は、溶製金属 に比べ高い抵抗率を示す。 理想的な 3 次元的に規則配列した結晶では、電子は抵抗なく移動することが 出来るが、実在材料では、転位や空孔など格子欠陥、不純物が電子移動 抵抗として作用する。溶質原子、不純物、結晶不完全性による抵抗率は、残留 ...

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無電解析出

無電解析出

... 反応は継続し、めっき時間に応じて任意厚さめっき皮膜が得られる。電解 めっきと言えば自己触媒に起こるめっきを意味することが多いが、貴金属めっ きでは置換めっきが起こりやすく、工業的に実用化されている例も多い。しか ...

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INDEX 貴金属めっき液 表面処理薬品 関連製品 Au 金めっきプロセス / シアン系純金タイプ 2 金めっきプロセス / シアン系ストライク 金めっきプロセス / シアン系合金タイプ Au Ag 金めっきプロセス / ノンシアン純金及び合金タイプ 3 金めっきプロセス / 無電解タイプ 銀めっき

INDEX 貴金属めっき液 表面処理薬品 関連製品 Au 金めっきプロセス / シアン系純金タイプ 2 金めっきプロセス / シアン系ストライク 金めっきプロセス / シアン系合金タイプ Au Ag 金めっきプロセス / ノンシアン純金及び合金タイプ 3 金めっきプロセス / 無電解タイプ 銀めっき

... 上記例以外にも、お客様使用条件に最適な電極開発を積極的に進 めています。 低負荷で使用される用途において、弊社で独自に開発した耐食性高 い特別な中間層を導入することで、電極寿命増大に成功。 電解によるめっき液中有機添加剤成分酸化分解が激しい用途に ...

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バナジルフタロシアニン誘導体LB膜の作製と電気特性

バナジルフタロシアニン誘導体LB膜の作製と電気特性

... パナジルフタロシアニン誘導体 LB 膜の作製と電気特性 1 5 構造解析および電気特性により検討を行った。 紫外・可視吸収スペクトルより、側鎖の違う V O PcLB 膜は 600~800nm の可視光領域で変化が見 られた。側鎖がフタロシアニン環の相互作用に強ぐ 影響することが示唆された。また、累積一週間後、 再び測定を行ったが、ピーク減少・シフト等は見ら れず、良好[r] ...

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