無電解めっきによる緻密膜の作製
708 表面技術 技術論文 林 無電解めっき法を用いた Fe 基板への Sn 高含有 (> 30 at.%)ni-sn 薄膜の作製 (2) ~ 錯化剤および浴の安定化に関する検討 ~ a, 遥介 b, 水品愛都 b, 横井健人 b, 河合陽賢 b, 郡司貴雄 a,c, 松本 太 a,c,* a 神奈
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無電解めっきとレーザー照射による有機樹脂板上へのCuマイクロパターン形成
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パルスCVI 法によるリチウムイオン電池用電極の作製
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第 1 号錯体水素化物固体電解質と硫化物ガラス固体電解質のハイブリッド利用による室温動作可能な 4V 級バルク型全固体リチウム二次電池の開発 71 チウム電池を作製し, 室温において電池性能を評価した.. 実験方法 Li 4 (BH 4 ) 3 I 固体電解質はメカニカルミリングおよび熱処 Fig.
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Vol. 66, 4, 技術論文 イオン液体から成膜されたアルミニウム電気めっき膜の陽極酸化によるポーラスアルミナの形成 藤井大地 a, 方雪琴 a, 郡司貴雄 a, 金子信悟 b, 田邉豊和 a, 松本太 a,* b a 神奈川大学工学部 ( 神奈川県横浜市神奈
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PLD法を用いて作製したR(Pr or Nd)-Fe-B系厚膜磁石に関する研究
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第 7 号 Table 1 ガラス基板上の無電解 Cu めっき膜の密着性に対する触媒核の数密度の影響 503 Plating bath and plating conditions. Bath composition CuSO4 5H2O : 0.03 mol/dm3 C10H4N2Na2O8 2H
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パルスCVI 法による導電性多孔質体の作製
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Vol. 63, 4, 無電解 Ni めっきに共析する添加剤とはんだ接合性 土田徹勇起 a, 大久保利一 a, 狩野貴宏 b, 荘司郁夫 b a 凸版印刷 総合研究所 ( 埼玉県北葛飾郡杉戸町高野台南 4 2 3) b 群馬大学大学院工学研究科 (
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シリコンMOSゲートSiO2膜欠陥の詳細解析および水素による絶縁膜劣化モデリング
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石油留分の膜による高度分離技術の開発研究
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電解生成水製造装置の開発および電解生成水の食品加工への応用
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分光測定の高速化によるシャボン玉の膜厚の測定法の確立
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2. 実験方法 2.1 合金作製市販の純度 99.5% の電解鉄 99% のシリコン および 99.99% のアルミニウムを原料として用い 種々の組成を有する Fe Si Al 合金を溶製した 無方向性電磁鋼板では 高磁束密度の観点から Si や Al の含有量は合計で 4wt% 程度に制限されてい
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鉛フリー無電解Niめっき皮膜中の共析物がはんだ実装信頼性に及ぼす影響
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20 m Au 2. 現行のマイクロバンプ形成技術における課題 Au Au Au 2 WB 11 m m 1 m 2008 Au FC m 10 m 30 m OTK Au 表 1 マイクロバンプ形成におけるめっき法の比較 3. 無電解めっきによる Au
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【めっき膜の性質と評価方法】
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無電解析出
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INDEX 貴金属めっき液 表面処理薬品 関連製品 Au 金めっきプロセス / シアン系純金タイプ 2 金めっきプロセス / シアン系ストライク 金めっきプロセス / シアン系合金タイプ Au Ag 金めっきプロセス / ノンシアン純金及び合金タイプ 3 金めっきプロセス / 無電解タイプ 銀めっき
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バナジルフタロシアニン誘導体LB膜の作製と電気特性
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