単結晶シリコン（RM1101-a)
機械研磨加工がシリコン単結晶の微構造に及ぼす影響
... 機械研磨加工がシリコン単結晶の微構造に及ぼす影響 ［研究代表者］高木 誠（工学部機械学科） ［共同研究者］岩田博之（工学部電気学科） 、坂 公恭（総合技術研究所） 研究成果の概要 ...
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異なる基板上に作成したバナジルフタロシアニン単結晶のAnneal処理効果
... 4 38J/m 2 である。石英ガラス は、アルカリハライド系基板のようなクーロン力は持たず、 表面にはファンデルワールス力のようなクーロン力に比 べ非常に小さい吸着エネルギーしか存在しない。本実験結 果から、石英ガラス基板には結品が観察されずアルカリハ ライド系基板に結品成長が観察されることから、吸着工ネ ルギーが大きい方が VOPc は結品化しやすいといえる。前 述[r] ...
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In situウエハ曲率解析によるシリコン上窒化ガリウム成長における応力・結晶品位の制御
... is a time that human beings are producing data in one hour more than in centuries hundreds years ...make a great investment in the field of incorporating devices based on V-III materials with silicon, to ...
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The Japanese Association for Crystal Growth (JACG) 日本結晶成長学会誌特集 : 機能性単結晶の最近の進展 Vol. 42, No. 2 (2015) 総合報告 異種基板上の -Ga 2 O 3 の HVPE 成長 大島祐一 1* ガルシアビジョラ 1
... ５. おわりに HVPE 法により(2̅01) -Ga 2 O 3 の高速成長が可能である こと，およびサファイア c 面オフ基板を用いることで面 内回転ドメインの発生が効果的に抑制可能であることを 述べた．ただし，面内回転ドメインが完全に消えたわけ ではなく，さらなる改善が必要であるし，そのためには 回転ドメイン抑制の具体的な機構にも踏み込む必要があ る．また，そもそも結晶構造の大きく異なる基板上の成 長であり，X ...
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多結晶シリコン太陽電池における三フッ化塩素ガスおよび酸溶液によるテクスチャ化の最適化
... However, the improvement has not been enough by the texture process only with the dry etching.[r] ...
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資源循環 エネルギーミニマム型システム技術 平成 12 年度採択研究代表者 小林光 ( 大阪大学産業科学研究所教授 ) 新規化学結合を用いるシリコン薄膜太陽電池 1. 研究実施の概要昨年度までの研究で シアノイオン (CN - ) は シリコン中 ( 特に多結晶シリコンやアモルファスシリコン中 )
... 電池を室温で2分間浸漬した。この処理の後、室温の超純水で10分間洗浄した。微結晶 シリコン太陽電池は、ガラス/TCO/微結晶p層/微結晶i層/微結晶n層/ZnO/Agの構造を持 ち、微結晶i層の膜厚は約1μmである。HCN水溶液を用いた欠陥消滅処理を施した後に、 裏面電極を形成した。 ...
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The Japanese Association for Crystal Growth (JACG) 日本結晶成長学会誌特集 : 機能性単結晶の最近の進展 Vol. 42, No. 2 (2015) 総合報告 酸化ガリウム単結晶の光 電子デバイス応用 倉又朗人 1* 飯塚和幸 1 佐々木公平 1 輿
... MBE で成長した β-Ga 2 O 3 ホモエピタキシャル膜を用い てショットキーバリアダイオードを試作し，デバイス特 性を評価した 38) ．作製したデバイスの構造模式図を Fig. 26 に示す． β-Ga 2 O 3 ( 010)基板は，FZ 法で育成した Si ド ープ β-Ga 2 O 3 バルク結晶を(010)面でスライスし，研削研 磨， CMP 処理を施して作製した．基板の厚さは 600 μm ...
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屋外環境下における I-V 特性測定方法ガイドライン ( 結晶シリコン太陽電池版 ) 2016 屋外環境下における I-V 特性測定方法ガイドライン ( 結晶シリコン太陽電池版 ) 1. 適用範囲この測定方法は 増加する 50kW 未満の太陽光発電所における点検方法の内 接続箱からストリング単位で
... 今回の測定は太陽電池性能測定用のレファレンスとしての日射測定が目的であるため、それらの特性が太 陽電池モジュールと同等の特性を有すシリコンフォトダイオードを用いた日射センサや産総研で研究している太 陽電池モジュール構造の日射センサ（以下、PVMS と言う。）、JIS C 8904-2 で規定される基準モジュール、ワー キング基準太陽電池が使用可能であるが、どの測定器を用いる場合も、測定に際しては使用する測定器の特 ...
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テトラジマイト型Bi系トポロジカル絶縁体単結晶の輸送特性と超伝導に関する研究
... 研究を行い、電子状態の解明を試みた。取り扱った物質は基本的にはテトラジマイト型物質である Bi 2 Se 3 とそれを母物質として派生する Bi 2 Te 2 Se(BTS)や Bi 2-x Sb x Te 3-y Se y (BSTS)を取り上げ、良質な単結晶育成の プロセスの開拓を試行錯誤しながら成し遂げ、これらの物質キャリアドーピングの機構やそれに伴う電子 状態の変化を、17 T ...
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MBE法によりKBr上に作製されたバナジルフタロシアニン単結晶とそのSHGとTHG
... 試料と実験方法 試料としては， VOPc を用い，その分子構造を図 l に示 す。分子の長径が1.[r] ...
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モジュール 造技術 ( ラ ネート 配線技術など ) 結晶 S 系太陽電池 ( 単結晶 多結晶 ) 住 用民生用公 用メ ソーラー 薄膜 S 系太陽電池 ( 非晶 結晶 ) ( 半導体材料 属電極材料 明電極 材料 ) 化合物結晶系太陽電池 (Ⅲ- GaI P ) 化合物薄膜系太陽電池 (CIS/C
... 【提言4】総合的なシステム関連技術開発の推進 太陽電池市場の 80％以上を占める結晶シリコン系太陽 電池セルは、中国製品が大量に出回ったことにより、低価 格化が進んでいる。今後は、より付加価値を増した総合的 なシステム事業としての取組をより一層進め、管理・監視 技術等を含めたシステム関連の技術開発を推進し、国際的 に特許を取得していくべきである。同時に、システム化に ...
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改良垂直ブリッジマン法によるBi系銅酸化物高温超伝導単結晶の育成に関する研究
... 5倍周期：5ａ≒27．0Å）が4倍周期（：4ａ≒21．6Å）に変化し、部分的に歪んだ構造が多数存在す るようになった為であることが分かった。 又、・これとは別にａｓ－ｇｒＯＷｎ Ｂｉ系超伝導ウイスカー表面近傍には、超伝導発現に重要である ＣｕＯ2面のＣｕの価数が＋2価以下に減少した非超伝導層が15～30Å程度存在していることが分 かった。この非超伝導層の存在はａｓ－ｇｒ[r] ...
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博士論文 パワー半導体製造工程における高温熱処理と シリコン結晶欠陥の研究 A study on high-temperature annealing and silicon crystal defects for power semiconductor manufacturing process
... 影響” ，パワーデバイス用および関連半導体材料に関する研究会（第３回）， 日本学術振興会結晶加工と評価技術第１４５委員会，p. 129-131，(2013). （８）H. Nakazawa, M. Ogino, H. Teranishi, Y. Takahashi, and H. Habuka, “ Crystalline Defects in Silicon Wafer Caused by Nitrogen ...
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シリコン結晶化過程の分子動力学
... Fig. 3-3 Time profile of a/c interface position and potential energy at 2000K. (c) 結晶欠陥 2000K での結晶化の最終状態をFig. 3-4に示す．図中の横線は積層欠陥の境界を示している．Tersoff ポテンシャルでは二面角を考慮しないため，図のように上下対称な積層欠陥を含んでも系のポテ ...
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3.4 結晶系以外の太陽電池単結晶シリコン及び多結晶シリコン以外の材料を用いた太陽電池の総称である 3.5 結晶系太陽電池半導体材料として単結晶シリコン又は多結晶シリコンを用いた太陽電池をいう 3.6 太陽光発電設備光起電力効果によって太陽エネルギーを電気エネルギーに変換し 負荷に適した電力を供給す
... 3.25 太陽電池モジュールの標準太陽電池モジュール出力 公称最大出力又は標準太陽電池モジュール出力として定義される、製造業者の仕様書、技術資料等に記 載された太陽電池モジュール 1 枚当たりの標準試験条件における出力。測定方法は太陽電池モジュールの 種類に応じて、結晶系太陽電池の場合は JISC8918、 JISC8990 又は IEC61215 に、結晶系以外の太陽電池 の場合は JISC8991 又は ...
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切断加工したシリコン単結晶の強度に及ぼす後加工の効果
... 研究成果の概要 シリコン (Si)単結晶はマイクロシステム(MEMS)応用において構造材料として使用されるようになってきたが、その 機械的性質についての基礎データは十分ではない。またシリコン単結晶は高純度で極めて完全性の高い結晶構造を有 ...
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気相法によるZnSe 単結晶成長とその応用
... る。台座としてサファイアを用いているのは、ZnSe 結晶 成長温度である約 1100 ℃において熱的に安定であり不純 物の放出がなく、ZnSe と反応せず、赤外光に対して高い 透過率を有しているためである。種結晶は機械的に固定さ れることなく、台座上に乗せられているだけであり、物理 的固定に伴う応力は生じない。石英アンプル内径とサファ イアロッド台座外径の間には約 ...
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窒化アルミニウム単結晶基板の開発
... きるため、電界効果トランジスタ（FET）等の電子デバイ スにおいて、ノーマリ・オフ動作が可能であり、省電力化 が期待できる。また、紫外 LED 等の発光デバイスにおいて も、この無極性面上にデバイス作製することで、高効率な 特性が得られることが示唆されている （10）、 （11） 。これらは SiC 基板上に作製されたものであり、同研究グループから、c 面 SiC 基板上 AlN エピ層の転位密度 ※3 は 3 ×10 8 /cm 2 ...
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多結晶シリコン太陽電池テクスチャ化処理のための新規混酸溶液の開発
... Thestructuresandreflectanceofthetexturedsurfacesweremainlyinvestigated.Moreover,solarcells werefabricatedusingthetexturedsurfaces,andtheirelectricalperformanceswereevaluated.We confirmed[r] ...
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1.1 市場投入される太陽電池の商品化状況 単結晶 Si 大規模商業生産 多結晶 Si 大規模商業生産 シリコン リボンSi アモルファスSi 小規模 ~ 中規模商業生産 小規模 ~ 中規模商業生産 多結晶 Si 薄膜 小規模商業生産 球状 Si 研究開発段階 ~ 商業生産準備中 太陽電池 III-
... 1.1 市場投入される太陽電池の商品化状況 太陽電池の種類による分類 太陽電池 シリコン III-V族 II-Ⅵ族 多元系 単結晶 Si ‥‥ 大規模商業生産 多結晶 Si ‥‥ 大規模商業生産 多結晶Si薄膜 ‥‥ 小規模商業生産 アモルファス Si ‥‥ 小規模～中規模商業生産 GaAs ‥‥ 宇宙用、集光用 InP ‥‥ 宇宙用 CdTe ‥‥ 小規模～中規模商業[r] ...
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