単結晶シリコンの抵抗率
機械研磨加工がシリコン単結晶の微構造に及ぼす影響
... 機械研磨加工がシリコン単結晶の微構造に及ぼす影響 ［研究代表者］高木 誠（工学部機械学科） ［共同研究者］岩田博之（工学部電気学科） 、坂 公恭（総合技術研究所） 研究成果の概要 ...
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屋外環境下における I-V 特性測定方法ガイドライン ( 結晶シリコン太陽電池版 ) 2016 屋外環境下における I-V 特性測定方法ガイドライン ( 結晶シリコン太陽電池版 ) 1. 適用範囲この測定方法は 増加する 50kW 未満の太陽光発電所における点検方法の内 接続箱からストリング単位で
... り、測定機会は、札幌で 1,680 時間/年、那覇でも 2,107 時間/年に増加し、上述の年間の作業可能な時間（2,920 時間）に対して 57～72%程度まで I-V 特性測定が可能となり大幅に測定の機会が増加する。 一方で、700W/m 2 以下の放射照度測定においては、入射角依存性や、分光感度の差異により、放射照度計に ...
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1.1 市場投入される太陽電池の商品化状況 単結晶 Si 大規模商業生産 多結晶 Si 大規模商業生産 シリコン リボンSi アモルファスSi 小規模 ~ 中規模商業生産 小規模 ~ 中規模商業生産 多結晶 Si 薄膜 小規模商業生産 球状 Si 研究開発段階 ~ 商業生産準備中 太陽電池 III-
... • フィードイン・タリフの継続性あるいはタリフ設定価格の見直し次第（政治判断） ☆ 政府 /政治の動き • 再生可能エネルギー法の改正（太陽光発電システムに関してフィードイン・タリフの値上 げ）による、太陽光発電システム導入量の拡大と雇用の拡大 ...
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第 3 号 Ni 基単結晶超合金のクリープ寿命に及ぼすアルミ拡散コーティングの影響 31 Table 1 Chemical compositions (mass ) of single crystal superalloys examined in this study. Alloys Ni Co
... は破断寿命(時間)，LMP と略す)の関係をプロットした． TMS138 のベア材の LMP は，本研究で検討した厚さの範 囲では，試験片厚さに関わらず一定であり，その平均値は 31.0 であった．一方，コーティング材では，アルミ拡散 コーティング材，PtAl コーティング材のいずれにおいて も，ベア材よりも LMP が低下しており，その低下率は試験 ...
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気相法によるZnSe 単結晶成長とその応用
... それらの中で比較的大型で高品質の結晶を得ることので きる可能性の高いと考えられる方法として、気相法である PVT（Physical Vapor Transport ；物理的輸送）法と CVT（Chemical Vapor Transport ；化学的輸送）法があ る。PVT 法は、単純な昇華法であり比較的大型の結晶が得 ...
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資源循環 エネルギーミニマム型システム技術 平成 12 年度採択研究代表者 小林光 ( 大阪大学産業科学研究所教授 ) 新規化学結合を用いるシリコン薄膜太陽電池 1. 研究実施の概要昨年度までの研究で シアノイオン (CN - ) は シリコン中 ( 特に多結晶シリコンやアモルファスシリコン中 )
... 電池を室温で2分間浸漬した。この処理の後、室温の超純水で10分間洗浄した。微結晶 シリコン太陽電池は、ガラス/TCO/微結晶p層/微結晶i層/微結晶n層/ZnO/Agの構造を持 ち、微結晶i層の膜厚は約1μmである。HCN水溶液を用いた欠陥消滅処理を施した後に、 裏面電極を形成した。 ...
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低抵抗n型SiC結晶中に発生するダブルショックレー型積層欠陥に関する研究
... 本論文は、広禁制帯幅半導体であるSiC（炭化珪素）単結晶の低抵抗化と高品質 化を目指して、独自手法によるSiCインゴット結晶成長と、低抵抗n型SiCで特異的 に発生する積層欠陥に関する研究をまとめたもので、6章からなる。 第1章では、電力変換機器で用いられる半導体パワーデバイスの重要性とパワーデバイ ...
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結晶シリコン太陽電池の パッシベーティングコンタクト技術 1 産業技術総合研究所太陽光発電研究センター 先進プロセスチーム 2 Fraunhofer-ISE 松井卓矢 1, 海汐寛史 1,Martin Bivour 2,Martin Hermle 2, 齋均 1
... まとめ SHJセルの研究開発では、ウェーハの薄型化による高V oc 化を実証し、薄 型セルでも比較的高い発電効率を得た（ e.g. η>22%@55 ミクロン）。 SHJセルのa-Si:H(p) 正孔コンタクト層をnc-Si:H(p) に置き換えることで J sc の改善（ +1.4%）を得た。パッシベーション性能も向上したため、V oc 、 ...
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テトラジマイト型Bi系トポロジカル絶縁体単結晶の輸送特性と超伝導に関する研究
... 研究を行い、電子状態の解明を試みた。取り扱った物質は基本的にはテトラジマイト型物質である Bi 2 Se 3 とそれを母物質として派生する Bi 2 Te 2 Se(BTS)や Bi 2-x Sb x Te 3-y Se y (BSTS)を取り上げ、良質な単結晶育成の ...
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データ シート V 0 V 電圧ソースの極性反転法により 材料に流れるバックグランド電流の効果を除去できるため 再現性に優れ 正確な高抵抗 高抵抗率の測定が可能になる 改良された高抵抗測定 多くのテスト アプリケーションでは 高いレベルでの材料抵抗 ( 表面または体積 ) が求められ
... 電圧ソースの極性反転法により、材料に流れるバックグランド電流の効果を除去できるため、再現性に優れ、正確な高抵抗、高抵抗率の測定が可能になる 改良された高抵抗測定 多くのテスト・アプリケーションでは、高いレベルでの材料抵抗（表 面または体積）が求められています。従来、このような測定では ...
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(1-3) 微細構造や薄膜でのトポロジカル超伝導安井 Anwar 寺嶋 (A01) 米澤 前野らは ライデン大学との共同研究で Sr 2 RuO 4 のマイクロリングの磁気抵抗の量子振動から 単結晶では初めて Little- Parks 振動を観測しました ( 図 3)[23] さらに リング面に平
... では初めての超伝導を発見し、トポロジカル超伝導の 出現可能性を指摘しました。今年度は、試料合成法の 改良により超伝導転移温度と Sr 欠損量との関係を明ら かにしました ( 論文投稿中 )。また、Sr 欠損の秩序化に よる長周期構造とドーピングによる電子状態の変化を 調べるためのバンド計算を行いました。実際の試料に ...
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切断加工したシリコン単結晶の強度に及ぼす後加工の効果
... 研究成果の概要 シリコン (Si)単結晶はマイクロシステム(MEMS)応用において構造材料として使用されるようになってきたが、その 機械的性質についての基礎データは十分ではない。またシリコン単結晶は高純度で極めて完全性の高い結晶構造を有 ...
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シリコン結晶化過程の分子動力学
... 4.4 結晶核の臨界サイズ 4.3.2節のグラフより，結晶核のサイズが一定値以上になること急激に結晶化が進行し，最終的 に結晶がクラスター全体まで成長するという様子が観察された．そこで各セットについて結晶核 ...B15 のシード原子セットでは，原子数 110 を超えるサイズ ...
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In situウエハ曲率解析によるシリコン上窒化ガリウム成長における応力・結晶品位の制御
... [9] A. Yamamoto, M.R. Islam, T.-T. Kang, and A. Hashimoto,Recent advances in InN-based solar cells: status and challenges in InGaN and InAlN solar cells, physica status solidi (c) 7, 1309(2010). [10] M. Mathew, H. ...
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3.4 結晶系以外の太陽電池単結晶シリコン及び多結晶シリコン以外の材料を用いた太陽電池の総称である 3.5 結晶系太陽電池半導体材料として単結晶シリコン又は多結晶シリコンを用いた太陽電池をいう 3.6 太陽光発電設備光起電力効果によって太陽エネルギーを電気エネルギーに変換し 負荷に適した電力を供給す
... じて、第十一章「その他」第二節「日射に関する地域の区分と日射量等」に定める値とする。 太陽電池アレイの方位角𝑃 𝛼,𝑖 とは、太陽電池アレイの法線方向の水平部分が真南に対して西回りに振れた 角度であり、表 A.1 のようにその数値を丸める。 太陽電池アレイ𝑖の傾斜角𝑃 𝛽,𝑖 ...
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The Japanese Association for Crystal Growth (JACG) 日本結晶成長学会誌特集 : 機能性単結晶の最近の進展 Vol. 42, No. 2 (2015) 総合報告 異種基板上の -Ga 2 O 3 の HVPE 成長 大島祐一 1* ガルシアビジョラ 1
... 3 単結晶の育成には高価なイ リジウム製のルツボやダイが必要であり，基板が大口径 化するほどコストが急増するという問題がある．その１ つの解決策は， -Ga 2 O 3 の単結晶膜をサファイアのよう な安価で大口径な基板上に形成し， -Ga 2 O 3 のテンプレ ...
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革新的超硬質材料の創製 ～バインダレス ナノ多結晶ダイヤモンド・ナノ多結晶cBN～
... 角谷 均 ＊ 原野 佳津子 Hitoshi Sumiya Katsuko Harano 1. 緒 言 自動車や航空機、医療機器や電子機器などの各産業分野に おいてコスト低減や生産性向上が推進される中、耐久性の高 い難削材料の適用が進んでいる。このような背景でさらに強 まっている加工技術の高速・高能率化の要求や被削材の難削 ...
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窒化アルミニウム単結晶基板の開発
... 放射線性等の特性に対する要求が厳しさを増している。こ の要求に対し、材料物性上の限界を迎えたシリコン（Si） に代わって、炭化シリコン（SiC）を基板としたデバイス が実用化されつつあるが、次々世代の高性能化に向けて、 さらに絶縁破壊電界が大きく高周波動作可能な基板材料の 開発が求められている（図 1）。一方、医療分野における殺 ...
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図 2 In0.9Ni0.1TaOx NiOx ( 空孔 ) のない安定な多元系酸化物半導体が得られていること,4) X 線回折結晶構造解析と透過電子顕微鏡観察により, InTaO 4 のウォルフラマイト型結晶構造の薄膜もしくは単結晶 1 次粒子が得られていること, 以上を評価することで,PLA 法
... ディフラクトメーター法なので， 「薄膜」試料に対して は回折強度が得にくい→この問題の解決には薄膜試料専用の 斜入射 X 線回折装置を用いる必要がある．2) ナノ粒子堆積薄 膜の一部もしくは大部分が非晶質系であるため回折強度が得 られない，もしくはナノ粒子の中心部は結晶質であっても表 面は乱れの大きな層と考えられるため， 粒径が小さければ ...
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5 シリコンの熱酸化
... 他の熱処理温度の最高温度範囲に属する。従って熱酸化を行なうと同時に幾つかの熱 処理効果が同時に行なわれる。また本来それよりも低温で行なうべき処理の後では熱 酸化するとそれ以前の処理が無効になる。それ故に熱酸化はウェーハプロセスの初期、 トランジスタ形成以前 (FEOL)で使うプロセス技術である。金属配線で使用するAlの融 ...
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