化合物半導体の結晶成長技術、エピ／プロ
RIETI - 汎用技術としての半導体
... 業務設計と組織構造 インターフェイスの抽象化と各モジュールの分権化は、半導体製造装置メーカーの登場 によって強まった。これも最初は半導体メーカーの使っている装置を外販するものだった が、次第に専業メーカーがあらわれ、特に半導体露光装置ではニコン・キャノンの 2 社で ...
25
The Japanese Association for Crystal Growth (JACG) 日本結晶成長学会誌特集 : 固体紫外光源を目指した窒化物半導体結晶成長の最前線 Vol. 41, No. 3 (2014) 解説 昇華法 AlN ウェハー上 HVPE ホモエピタキシャル成長と深紫外
... ウェハーによる吸収 のため波長 290 nm 以下の光がまったく観測されない．加 えて，320 および 450 nm 付近にピークが観測される．こ れは深紫外 LED の活性層からの光による昇華法 AlN 基 板のフォトルミネッセンス光である．一方，昇華法 AlN ウェハー除去後に測定を行うと，HVPE-AlN 基板の高い ...
7
半導体結晶の光学的評価：光学スペクトルから結晶を観る
... ７．フォノン・ラマン散乱 物質に光が入射すると、物質内の不均一性によって散乱という現象が生じる[22]。光散乱は、 大きく分けて、入射光と散乱光のエネルギーが等しい弾性散乱と、エネルギー変化が生じる非 弾性散乱に分類できる。弾性散乱をレイリー(Rayleigh)散乱と呼び、非弾性散乱をラマン ...
24
深紫外発光素子の高効率化にむけたAlGaN系半導体の結晶成長とキャリア再結合過程に関する研究
... 容 の 要 旨 ） 本 論 文 は ，半 導 体 を 用 い た 深 紫 外 固 体 発 光 素 子 の 高 効 率 化 に 向 け て ，半 極 性 AlN バ ル ク 基 板 上 へ の AlGaN/AlN 量 子 井 戸 （ QW） の エ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 を 行 い ， 同 構 造 に お け る 輻 射 再 結 合 確 率 の 増 大 と 偏 ...
4
窒化物半導体の展開－結晶基板とデバイス－
... 来る。このように異質な窒化物系化合物半導体は、従来の 化合物半導体のようなバルク結晶が得られないため、その デバイスは、サファイアなどの全く異なる異種材料からな る異種基板上へのヘテロエピによって登場した。1993 年 ...
10
エピタキシャル薄膜研究の広がり ( 私見 ) エピ膜と基板結晶の結晶構造が同じで格子定数が近いグループ 例 Si ホモエピ Diamond 型 エピ膜と基板結晶の結晶構造が同じであるが 格子不整合の程度が大きいグループ 例 Ⅳ-Ⅳ 族 Ⅲ-Ⅴ 族化合物半導体 Diamond 型 Zincblende
... 27 入射 X 線に含まれる波長のチェック ★ CuK α 1 線の位置より少し低角度側（短波長側）に肩のようなものが現れることがあります。この波長の X 線は「 K 衛 星線（サテライト）」または、「非図表線」と呼ばれています。電子を原子に衝突させたときに生ずる電子孔は、ふつう ...
33
エステル化合物と有機ホウ素化合物を切ってつなげる新反応－ニッケル触媒が安定なエステル化合物を活性化－
... 鈴木—宮浦カップリング反応は、通常パラジウム触媒の存在下で、カップリング剤として有機ホウ素 化合物と有機ハロゲン化物を連結する反応です。両カップリング剤を用意すれば、容易に分子と分子を 連結できることから、最も信頼性の高い合成化学手法として医農薬や有機エレクトロニクス材料、液晶 材料の合成に用いられています。その結果、クロスカップリング反応が 2010 ...
4
高耐圧パワー半導体素子を目指したp型SiC結晶のキャリア寿命に関する研究
... 4H-SiC 結晶のキャリア寿命の改善に取組んだ。結晶中における過剰キャリア密度分布の数値 解析の結果より、エピタキシャル成長層の厚みを増加させることで、キャリア寿命評価における表面再 結合および基板での再結合の影響を低減できることを確認した。そこで、 147 µm の厚膜 p 型 4H-SiC ...
171
Al基近似結晶における半導体形成の可能性に関する研究
... 第４章では、三つめの目的に対する研究成果として、 C 2 相と他の 13 族元素と遷移金属 からなる金属間化合物の電子状態を統一的に記述できる枠組みを見出すことに成功して いる。C 2 相、AlIr、RuAl 2 、RuGa 3 、の価電子帯の形成機構をクラスターと関連付けて ...
2
結晶成長学からの提案
... たリゾチーム・ダイマーである．これらのダイマーは，ステップの進行を妨げ，結晶の成長を阻害す ることがわかっている 6, 7) ．通常，結晶の成長停止(cessation of growth)と呼ばれる現象も，不純物 によると考えられる． ...
15
第 2 章太陽電池の要素技術 ( 中級編 ) 18 太陽電池セルには多くの技術が使われている 図 1 太陽電池セル作製プロセスに使われるさまざまな要素技術 単結晶成長技術 太陽電池セルの作製には 図 1に示すように 多くの要素技術が使われています 太陽電池は半導体デバイスですから まず半導体材料作製
... 図1 の（a）に示すよ うに、るつぼに融液を入れて、上部は高温、下部は低温という温度勾配をつけます。 すると（b）のように、底面から結晶核が発生し、成長して融合し、結晶粒が成長し ていきます。結晶粒と結晶粒の境目には粒界が形成されます。さらに成長すると、 ...
12
図 2 In0.9Ni0.1TaOx NiOx ( 空孔 ) のない安定な多元系酸化物半導体が得られていること,4) X 線回折結晶構造解析と透過電子顕微鏡観察により, InTaO 4 のウォルフラマイト型結晶構造の薄膜もしくは単結晶 1 次粒子が得られていること, 以上を評価することで,PLA 法
... x の薄膜ともに，マクロ的には柱状のモ フォロジー構造を有しているが，かなりポーラスな形態とな っている．アブレート種である，原子・ラジカル・イオン・ クラスタ等は，混合ガス雰囲気分子とも衝突しながら， O 原 子を取り込むことでアブレート時の酸素欠損を補償しつつ， 特有のモフォロジーを形成しながら堆積基板上に成長したと 考えられる．混合ガス雰囲気圧力が上がると（ ...
6
第 1 回窒化物半導体応用研究会平成 20 年 2 月 8 日 講演内容 1. 弊社の概要紹介 2. 弊社における窒化物半導体事業への展開 3. 知的クラスター創生事業での取り組み Si 基板上 HEMT 用 GaN 系エピ結晶結晶成長成長技術技術開発
... ・２０００年（平成１２年） ISO9001取得 ・２００４年（平成１６年） ISO14000取得 ・２００５年（平成１７年） 第３研究棟建設 ・ ２００７年（平成１９年） 窒化物半導体工場竣工 窒化物半導体事業 ...
22
モジュール 造技術 ( ラ ネート 配線技術など ) 結晶 S 系太陽電池 ( 単結晶 多結晶 ) 住 用民生用公 用メ ソーラー 薄膜 S 系太陽電池 ( 非晶 結晶 ) ( 半導体材料 属電極材料 明電極 材料 ) 化合物結晶系太陽電池 (Ⅲ- GaI P ) 化合物薄膜系太陽電池 (CIS/C
... このため 2010 年に入ってからは、買取価格を短期的に 見直すことが行われ、買取価格も大幅に下げた。その結果、 2011 年の設置量は 2010 年と同レベルにとどまった。一方 で、太陽光発電システムの価格は下がり続け、2012 年の 第2四半期には1,776ユーロ/kW（約17万円/kW）に達した。 それを受け、2012 年 6 月には、FIT 制度の修正法案が成立 ...
14
Hall効果測定による化合物半導体中の不純物準位の評価に関する研究
... 第 1 章 序論 1.1 はじめに 現在、 CPU（Central Processing Unit）や DRAM(Dynamic Random Access Memory)な どの LSI（Large Scale Integrated Circuit）の主要構成要素はシリコン（Si）である。シリ コン中に含まれ、半導体デバイスとして動作するために意図的に添加する不純物は、 ppm （ ...
84
半導体製造装置プロセス管理技術
... そ の 他 H - 17 後 工 程 H - 99 そ の 他 第 2 節 特 許 文 献 収 集 の 方 針 と 手 順 半 導 体 製 造 装 置 プ ロ セ ス 管 理 技 術 は 製 造 工 程 に お い て 間 接 的 に 用 い ら れ る 技 術 で あ り 、 半 導 体 製 造 メ ー カ 自 身 が 公 表 し な い 限 り 、 外 部 か ら そ の 内 ...
34
半導体技術分野の重要技術説明資料
... Ⅲ−21 度なサービスが可能になるであろう。 SoC 混載用不揮発性メモリ システムオンチップ（SoC）は今後の電子機器の高付加価値化を支える中核的な半導体デバイ スである。高性能で小型であることから、据え置き型電子機器と並んでモバイル機器に多用され る。そのため、今後ますます、SoCには低消費電力長時間動作と、電源ON・OFFにより瞬時に ...
28
化合物半導体デバイス―限りなき可能性を求めて（その2）―
... 質、低コストの大口径基板の実現だと思われる。基板結晶 の成長が難しく、未だ低コスト、大口径の基板が得られて いないのが実情である。この課題へのソルーションを見い 出したものが市場参入の一番乗りになるものと予想され、 当社もこの難しい課題を解こうと種々の検討を進めている。 ...
8
BiS₂系層状化合物の超伝導特性と結晶構造の相関に関する研究
... 1.5.1 外部圧力効果 外部圧力を印加する方法は装置や方法により様々なものがある。例として、ピストンシ リンダー型の高圧セルでは、金属製のピストンとシリンダーに試料と圧力伝達液体を挟ん で押すことが可能である。この方法では一般的に3-4 GPa程度までの圧力をかけることがで きる。また、本研究で用いたキュービックアンビル型高圧合成装置では６つのアンビルで ...
70
化合物ライブラリとは？
... シオノギ医科学研究所の設立 塩野義製薬医科学研究所は、1988 年の4月に設立された。初代の所 長は、当時京都大学ウイルス研究 所所長であった、京都大学名誉教 授、熊本大学名誉教授の日沼頼夫 博士。 ...
30