劣化による伝導性の変化
ポリエチレンの紫外線劣化と構造および物性の変化に関する研究
... ガンマ線照射の初期には，架橋によるゲル化の進行が非常に大きく，多量の照射で分子鎖 の切断が起こっていること，電子線照射では，架橋によるゲル化が照射量の増加に伴って 進行し，分子鎖切断による分子量低下は極めて少ないことを明らかにした。 ...
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燃料電池の耐久性 ( コスト低減と並ぶ最重要課題 ) 電圧V/ 作動条件による性能劣化現象の把握 燃料電池の作動条件が劣化に及ぼす影響を研究 ( 電極構造劣化 不純物の作用など ) 作動時間 / h 9 万時間へ? 燃料電池の性能低下 劣化要因とその作用機構が不明なのが問題? 現象解析 モデル化 ナ
... [２]白金微粒子の安定に関する研究 電極中の白金微粒子は長時間の作動や作動条件により粒子径増大などが起こり活性低下の原因になると考えられる。そこ で、モデル電極として高配向性熱分解グラファイト基板上に白金粒子を担持し、硫酸中酸素雰囲気下に置き、原子間力顕 ...
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ローモンタイトの変質によるコンクリート劣化に関する研究
... あるものの、その傾向からはローモンタイトの乾燥湿潤 による劣化の傾向は確認できていない。 しかし、脇坂・阿南 10) が実施したローモンタイト含有 モルタル供試体の自然環境下での曝露試験では、ローモ ンタイトによる劣化発現はローモンタイトの含有量と含 ...
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電気化学法による超伝導FeSeの合成
... 本研究では、電気化学的に合成する超伝導体として、鉄系超伝導体 FeSe に着目した。FeSe は超伝導 が壊れる磁場である H c2 が約 37T と非常に高く、優れた超伝導特性を有する。また、原料の Fe と Se は電 気化学的に非常に堆積しやすく、高価な貴金属を用いないことから、材料費が非常に安価であるというメ リットを有する。あえて難を言えば、 T c =8K ...
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BiS2系層状超伝導体のギャップ対称性 : 有効2軌道モデルの乱雑位相近似による解析
... c の上昇は再現されなかったため、フォノンの効果 を取り入れ、構造のゆらぎを考慮した計算を行う必要がある。 また本論文では、線形化エリアシュベルグ方程式の松原振動数依存性 を落として BCS ギャップ方程式の計算を行っており、この振動数依存性 を落とさず計算を行った時の違いを調べるということが考えられる。計 ...
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太陽電池モジュールの劣化現象と信頼性向上の指針
... シール材，端子箱，ポッティング材などを用いて一体化したも のが太陽電池モジュールである．マスコミなどでは太陽電池 モジュールを太陽電池パネルと呼ぶことが多い．封止材には 長年にわたりエチレン酢酸ビニル共重合樹脂（Ethylene- Vinyl Acetate: EVA）が用いられてきたが，最近ではポリオレ フィンやアイオノマーなどが用いられることもある．裏面材には ...
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周期的温度変化から求めた湿った多孔性物質の温度伝導度(II) : 湿った球形ガラス粒体における実験
... 蒸気が次第に上昇して上部に至りガラス粒子に吸着し， 温度変化測定時においても同じ状態が続い ていたのであ ろう， 即ち， 試料上部は吸着領域， 下部は脱離領域となっていたものと考え られる， ′ １ 試料（ ）では， この点は っきりしない が， 温度伝導度の データか ら考えて， 多分同様な状態になっ （５６）.[r] ...
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明細書 発明の名称絶縁性熱伝導シートの製造方法 絶縁性熱伝導シート及び放熱部材技術分野 000 本発明は 絶縁性熱伝導シートの製造方法と 絶縁性熱伝導シートと 放熱部材とに関する 背景技術 000 モバイルコンピュータ及び携帯電話に代表される電子機器では 処理能力 向上による部材自体の発熱 さらには
... の 積 層 シ ー ト 同 士 、 第 2 の 積 層 シ ー ト 同 士 等 ) を 重 ね 合 わせ て圧 延 し て い る が 、 積 層 数 が 互 い に 異 な る 積 層 シ ー ト 同 士 を 重 ね 合 わせ て圧 延 す る こ と も 可 能 で あ る 。 ００ ０ エ 程 ( ) を 繰 り 返 す 際 に 、 圧 延 方 向 を 変 更 す る こ と が 望 ま し い 。例 ...
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周期的温度変化から求めた湿った多孔性物質の温度伝導度(I) : 位相差及び振幅比から求めた値のくい違いの一般的傾向
... 従 って， 前項で述 べた様に， 試料の時間的平均状態における水蒸気の不飽和領域（即ち蒸発領域） では ”， ｐ＜ＫＩ Ａであるらしいことは， この頃の実験結 Ａ ｐ＞ Ｋ． ， 過飽和領域 （即ち凝結領域） では Ｋ・ 果からも更に強く裏書きされる． 以上のことか ら， Ｋ・ Ａの値の食い違いを生ずる主原因は恐 らく試料中の水分の蒸発．凝結 ｐと Ｋ・ による時間的平[r] ...
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層状超伝導体BiS2系化合物の合成と圧力印加による超伝導特性変化に関する研究
... Aichi Yamashita, Satoshi Demura, Masashi Tanaka, Keita Deguchi, Takuma Yamaki, Hiroshi Hara, Kouji Suzuki, Yunchao Zhang, Saleem James Denholme, Hiroyuki Okazaki, Masaya Fujioka, Takahi[r] ...
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微破壊式手法による下水管渠の劣化診断法の開発
... わかる。 ここで，著者らによる既往の研究 6) より，超音波伝播速 度から中性化深さを推定する方法を以下に示す。実環境 下における下水道管渠は区間により強度が異なる可能性 があるため，この要因を取り除く必要がある。下水道管 渠下部は通常水中にあり，嫌気性条件下で劣化を受けに くい 3) 。 なお， 下部は流水によるすりへり作用を受けるが， ...
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RIETI - 労働規制変化による技術利用変化と生産性に対する影響
... 固定資産、及び各労働者関係性が製造業と異なった関係性を持っている可能性を示している。製造業 の場合、無形固定資産の増加は派遣労働者数を増加させる要素となっていた。しかしサービス業では、 無形固定資産の増加は、どの労働者区分の労働者数にも影響を与えていない。一方で、サービス業で ...
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グラフェンにおけるフォノンの非調和性と熱伝導
... グラフェンの場合、熱伝導率は 600 W/m K 程度に低下することも知られている [2] 。この 理由についても 1.4 節で述べる。 このような特長を活かした、熱に関連するグラフェンの応用例を 2 つ挙げる。1 つは ヒートシンクである。ヒートシンクは電子回路の電流が集中する箇所で発生するジュール 熱を拡散して逃し、半導体を保護するものである。グラフェンはその高い電子移動度から ...
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層状超伝導体BiS2系化合物の合成と圧力印加による超伝導特性変化に関する研究
... EuFBiS 2 については、合成した試料は電気抵抗が半導体的な温度依存性を示しているが、ピストンシリ ンダーセルを用いて高圧力下で電気抵抗測定を行うと、圧力下で絶縁体-金属転移を起こしてゼロ抵抗 が観測された。圧力印加とともに T c は上昇していき、1.8 GPa の圧力下で最高 T c となる 8.6 K が得られ ...
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JAIST Repository: pH変化によるポリロタキサン中のシクロデキストリン運動性の解析
... 移動を証明できなかった。 そこで、α-CD 移動に伴って PRx 末端部位との距離が変化することに着目し、NMR 解析と併せて蛍光共鳴エネルギー移動（FRET）法を含む蛍光分析から解析することを試みた。 【実験方法】 多数のFITC導入α-CD空洞部にPEIとPEGとからなる ABA型トリブロックコポリマー（PEI-b-PEG-b-PEI） ...
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XPSによる超伝導MgB2薄膜の電子状態の研究
... MgB の結晶構造は、金属間化合物の中ではよく知られている AlB -type（P6/mmm）である 。 これは、B元素によって形成される蜂の巣（ハニカム）型格子が、Mg 金属元素によって形成される 三角格子によって挟まれ、これらの面が c軸方向に積み重なった構造である。既存のバンド計算 に よると、MgB の Mg はほぼ＋2価でイオン化している。Mg ...
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周期的温度変化から求めた湿った多孔性物質の温度伝導度(III) : 物質内水蒸気が飽和状態に近い場合の理論的考察
... ， 第１層及び第４層では認め られない， 従ってこの点については多少問題があるが ．もしこれらの土 ， 壌中では地表～３０ｃｍ が時間的平均の蒸発領域であっ たとすれば この節の理論的結果は以上の統 ， 計結果とほぼ一致 していることになる． 筆者はいまのところこの仮定が正 しいことを証明するはっ きり したデータをもってはいないが， 地下水位が特 に高くない 限りは [r] ...
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弱酸性および強酸性の硫酸によるコンクリートの劣化メカニズムに関する研究 [ PDF
... 3.実験結果 図 1 に XRF 分析による硫酸溶液の浸透面からの各 元素の濃度分布を、図 2 に暴露試験体表面からの各元 素の濃度分布をそれぞれ示す。図中の S 元素の左端部 分に試験体の表面位置を赤線で、また、 pH1 溶液浸漬 モルタルでは変色層の境界位置（以降、変色深さ）を、 pH4 ...
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Keysight Technologies 伝導性／放射性エミッションの測定
... 1.1 プリコンプライアンス EMI 測定とフル・コンプライアンス EMI 測定 フル・コンプライアンス測定には、CISPR16-1-1で規定された要件を満たすレシーバ、認定済 みのオープン・エリア・テスト・サイトまたは半電波暗室、アンテナ・タワーおよびEUT信号を 最大化するためのターンテーブルが必要です。最高の確度と再現性を実現するために、多大な労 ...
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有機イソシアナート触媒によるメタクリル酸メチル重合物の電気伝導
... ともに減衰する吸収電流 ( Id ) を生ずる.. ) さらに表 2 の高温側での活性化エネルギ{が本法の触 媒を用いた試料では一様に大きくなっており，主鎖のミ クロブラウン運動が架橋によって阻害され，その効果が イオンの移動 K対する電位障壁l ζ影響をおよぼすためと 考えられる.[r] ...
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