低コストⅢ-Ⅴ/Si 光電子集積デバイス
京都大学 卓越大学院プログラム 先端光 電子デバイス創成学 募集要項 平成 31(2019) 年度 京都大学大学院横断教育プログラム推進センター 先端光 電子デバイス創成学卓越大学院
... 「先端光・電子デバイス創成学」卓越大学院プログラムについて ■ プログラムの目的 IoT (Internet of Things)革命、ウェアラブル情報機器、車の自動運転や電動化、スマートグリッ ドなど、現在、人類社会はエレクトロニクスを中心とする大きな変革期を迎えています。このような ...
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1 薄膜 BOX-SOI (SOTB) を用いた 2M ビット SRAM の超低電圧 0.37V 動作を実証 大規模集積化に成功 超低電圧 超低電力 LSI 実現に目処 独立行政法人新エネルギー 産業技術総合開発機構 ( 理事長古川一夫 / 以下 NEDOと略記 ) 超低電圧デバイス技術研究組合(
... 論理集積回路の省エネ化には、CMOS トランジスタの動作電圧低減が有効とされていますが、従来 のバルク CMOS では動作特性ばらつきのためにこれが困難でした。このため、ばらつきの小さい トランジスタ構造への切り替えが世界的な潮流となっています。今回、LEAP 独自の SOTB と呼ぶ 低ばらつきトランジスタを用いて、ばらつきの影響を受けやすく超低電圧動作が最も困難な SRAM で、動作電圧が ...
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とになる LED での自然放出では, 自然 に電子が高エネルギー準位から低エネルギー準位へと遷移するが, 共振器内の発光部のように, 高いエネルギーを有する電子だけでなく, 光も多く存在する場合, その光が, 次の電子の遷移を 誘導 する この電子の遷移に伴う光の放出を 誘導放出 と呼ぶ ( 図 1
... 3．LD の応用先 LD は我々の社会に広く浸透しており，最も 代表的な例は，1.3 ～ 1.5 μm という長い波長 帯で動作する LD と光ファイバー，受光素子を 組み合わせた光通信システムである。今では大 陸間を結ぶ地球規模で設置され，大容量高速通 信が可能である。筆者が大学を卒業した頃（1989 年）に，光ファイバーによる海底ケーブル（当 初，約 4 千回線分の能力）が利用され始めた。 当時の国際電話は音声に遅延が生じて会話しづ ...
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書き換え可能なゲート素子を持つデバイスを用いた行列計算専用集積回路の設計
... まず、 PeakVHDL というソフトウェアで VHDL により回路機能を記述した HDL ファイル (*.vhd) というファイルを作成する。そして、構文解析と機能検証を行なう。 もし、 VHDL 構文の記述がおかしければ、コンパイル中にエラーメッセージが出る。 その場合は正しい文章に書き直し、再度コンパイルする。そして、この機能検証を実 行するために、テストベンチをおこなう。これは、デバイスの入力ポートにデータを ...
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GaNの特長とパワーデバイス応用に向けての課題 GaNパワーデバイスの低コスト化技術 大面積 Si 上 MOCVD 結晶成長技術 Si 上大電流 AlGaN/GaNパワー HFET GaN パワーデバイスのノーマリオフ動作 伝導度変調を用いたAlGaN/GaNトランジスタ - Gate Inject
... GaNの結晶成長に用いられる基板 ■ ＧａＮでは異種基板上へのヘテロエピタキシャル成長を行う必要がある ■ 結晶性とコストにトレードオフが存在 ３．８４ ４．７６ (２．７４) ３．０７ ３．１９ 格子定数 (A) ...
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俯瞰区分と研究開発領域3.3.1 超低消費電力 ( ナノエレクトロニクスデバイス ) ス応用 245 ⑴ 研究開発領域の簡潔な説明従来よりも桁違いの超低消費電力を可能とするナノエレクトロニクスデバイスを実現し 集積回路への適用を目指す 新材料の特性を理論的 実験的に確認し システム最適設計によるデバ
... 俯瞰区分と研究開発領域 ＩＣＴ・エレクトロニクス応用 でにグラフェンに関する論文の 34％は中国からで、米国の 19％を越えている。また中国 からのグラフェン技術に関する特許は世界のグラフェン関連特許の 38％を占めている。 科学技術省がオーナーとなり、工業界−大学−研究機関によるグラフェンの商品化をサポー トする目的の研究共同組合、 China Innovation Alliance of the Graphene ...
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GaN ナノコラム光デバイス 氏名岸野克巳 1. 研究目的 GaN 系ナノコラムで発現されるナノ結晶効果を学術的に解明しつつ 高品質ナノ構造の結晶成長を進め それに基づいて革新的なナノコラム光デバイスの研究を推進し 21 世紀の低消費電力エレクトロニクス構築を目指して 光デバイス基盤技術の開拓を行う
... さなシフトは、ナノコラム細線化によるナノ結晶効果(格子歪の緩和効果)の発現を示唆し ている。 (a)-2 ナノテンプレート選択成長法 a12,a129,a171 ナノコラムレーザでは、活性層への光閉 じ込め効果を高めるため、ｎ型領域に AlGaN クラッドを活用する必要がある。しかしな がら、Al と N 間の高い結合エネルギーのた めに Ti マスク上で AlN 核成長が発生しやす く、Ti マスク選択成長法では、Al ...
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400Gbit/s用光トランシーバに搭載可能な8ch集積光受信モジュール
... IEEE802.3bsにて規定されている400GbEの規格では、 50Gbit/s 超の伝送速度を実現するために、従来の NRZ （Non-Return to Zero）信号ではなく、PAM4（4-Level Pulse Amplitude Modulation）信号を用いる変調方式 が採用されている。PAM4変調された8つの光信号は、 PD にて光電変換され、トランスインピーダンスアンプ ...
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CMOS集積回路プロセスで作るマイクロ熱電発電デバイス
... 41 早稲田大学・渡邉孝信「CMOS集積回路プロセスで作るマイクロ熱電発電デバイス」 まとめ 現在のシリコン集積回路技術で製造可能な、スケーラブルな微小熱電発電デバ イスのコンセプトを紹介した。 ...
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Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学 基礎編 2010_5 [互換モード]
... ント ルゲ ト コントロールゲート （ワード線） CG 90nm CG Inter-poly dielectric フローティングゲ 電荷蓄積層 FG FG ート(電荷蓄積層) Si基板 Tunnel oxide Si基板 22 NANDフラッシュメモリの 動作原理 動作原理 フラッシュメモリのセル構造比較 NOR AG-AND NROM NAND フラッシュメモリのセ[r] ...
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大口径電子デバイス用エピ基板の開発
... LAST POWER プロジェクト 42ヶ月間、欧州多国間14企業参加 STMcroelectronicsが中心となり、先進的なSiC及びGaN/Siのコスト効率と信頼性の統合を開発, NEULAND プロジェクト ドイツの企業6社（Aixtronなど）が参加 研究費 €4.2 ...
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第 7 章 これからの 太 陽 電 池 ( 上 級 編 ) 79 低 コストな 太 陽 電 池 を 目 指 して 材 料 ウェハー 化 コストを 下 げるには 図 は 7 年 における 住 宅 用 太 陽 光 発 電 システム 価 格 (6 円 /kwh)のコスト 内 訳 を 示 したものです この
... のようなミニバンドが生まれ、バンドギャップを人工的に制御することができます。 光をあてると、いくつかのミニバンド間の遷移が起きるので、広い波長範囲の光 を吸収し、効率よく電気に変えることができます。理論的には60％を超える高効率 が期待されていますが、サイズのそろったドットを均一に並べることが技術的に難 ...
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2018 年度中期経営計画 電子デバイス事業 2016 年 5 月 26 日富士電機株式会社電子デバイス事業本部 2016 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 1
... ●技術力に立脚した顧客とのパートナーシップ強化による物量確保 ●価格下落を超える原価低減によるコスト競争力強化 ◆研究開発 ●次世代機種ＨＡＭＲの製品開発に着手し、２０２０年度に量産開始 ...
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高速（100G/200G/400G用）外部変調器内蔵LDチップ搭載4ch集積送信デバイス
... 10. 結 言 今回我々は、小型100Gbit/s光トランシーバQSFP28に 搭載可能な、外部変調器内臓 LD チップ搭載4ch 集積送信 デバイスを開発した。レーザの偏光特性を利用した当社独 自の光合波器設計と高精度･高密度実装技術を用いること により小型化を実現し、内製の電界吸収型変調器集積レー ...
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大口径電子デバイス用エピ基板の開発
... →Si基板は、既存のデバイスプロセスラインの活用が可能となることなど、 基板そのもののコスト競争力 を 有する。既存のSiデバイス製造ラインを活用することで、デバイスメーカの 膨大な設備投資が不要 となる。 SiC：1,600円/ｃｍ ２ 以上 Si ：８０円/ｃｍ ２ 以下 ...
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脳を探る 光・電子技術
... 光デバイス １．目的 光ファイバ通信，光ディスク(CD, MO, DVD)，バーコードリーダー，スキャナ，レーザプリンタには半導体レーザ，フォトダイオードをはじめとする 光デバイスが使われている．本実験により発光ダイオード，半導体レーザ，PIN フォトダイオード，アバランシェフォトダイオードの動作原理を理解し， ...
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DN05052JP - 120 VAC、低コスト、調光可能、リニア、並列と直列の切替えCCRを使用したLED照明回路
... CCR2 とQ2を流れる電流を大きくすることが望ま しい場合は、ダーリントン接続された2個1組のPNP トランジスタ(2個のMMBT5401Lデバイスを使用す ることが可能)またはP型FETを使用して、ベース電 流を小さくし、より大きいゲインを達成することも できます。回路に影響を与えずに、CCR1と並列に 複数のCCRを追加することもできます。 ...
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フレキシブルシートデバイスを実現するためには 電子的機械的機能を有する機能性繊維状基材を高速連続製造するとともに その繊維状基材を製織によって大面積集積化する 織物製造技術を模して応用発展させた新たな製造技術の創出が必要である つまり 将来のメーター級大面積デバイスの高機能化 低コスト化のためには
... c. 要素研究での取り組み 平成 20 年度は繊維状基材表面に加工するパターン仕様に関して調査を行い、 3 種類の繊維状基材に対して平板型モールドを用いたインプリント実験を実施 した。4 種類の平板型モールドを製作し、テフロン PFA 中空チューブ 6,7) 、石英 ファイバ 8,9) の表面には配線パターンを、ナイロンファイバー 10,11) には製織ガイ ド構造の加工に成功した。平成 21 年度は平板モールドを利用したスライド式 ...
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研究の背景光共振器は光の閉じ込めと共振による先鋭化や増幅を可能にし レーザーや光スイッチ 光導波路 センシングなど多くの光デバイスにおいて重要な役割を担います ポリマー材料からなる光共振器は 溶液プロセスにより簡便かつ低コストで作製可能であり 柔軟な構造特性をもつことから 近年活発に研究開発が進めら
... 粒子からの発光スペクトルを測定すると、いずれもスパイク状の共鳴発光スペクトル（WGM 発光） 注 8) が観測されまし た（図２）。濃度の上昇に伴い、WGM 発光の波長範囲も大きく変化しました。 それぞれの発光色を示すマイクロ球体共振器を複数個連結し、球体間における光の伝搬と波長変換特性につい て検討しました。その結果、同色の球体間では伝搬はほとんど起きないものの、緑→黄、緑→橙、緑→赤の発光色 ...
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1 県中央部 県南部地域の電子部品デバイス関連産業の集積を 活用した航空機や自動車の成長ものづくり分野 輸送機及び電 2 秋田大学の革新的低コスト複合材料成形技術を活用した航空機 ( 一 部除く ) 子デバイス関連産業基本 や自動車の成長ものづくり分野 3 鉱山 木材産業で培われたリサイクルと大型機
... ①山形県の大学や研究機関などが保有する世界最先端の有機エ レクトロニクス・バイオ技術を活用した先進ものづくり分野 ②山形県の自動車、航空機、ロボット、環境・エネルギー、医療・福 祉・健康、食品・農業用機械における産業の集積を活用した成長も のづくり分野 ...
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