「EUV」中間評価報告書（案）.PDF

「極端紫外線（

EUV）露光システム開発プロジェクト」

中間評価報告書

平成１７年８月

独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構

研究評価委員会

目 次

はじめに

1

分科会委員名簿

2

審議経過

3

評価概要

4

研究評価委員会におけるコメント

7

研究評価委員会委員名簿

8

第１章 評 価

１．プロジェクト全体に関する評価結果

1-1

１．１ 総論

１．２ 各論

２．個別テーマに関する評価結果

1-18

２．１ 光源技術

（１）高出力・高品位 EUV 光源技術および EUV 光源評価技術

（２）集光ミラー汚染・損傷評価技術および集光ミラー汚染・損傷防止技術

（３）光源技術の実用化の見通し

２．２ 装置技術

（１）EUV 露光装置用非球面加工・計測技術

（２）EUV 露光装置コンタミネーション制御技術

（３）装置技術の実用化の見通し

３．評点結果

1-34

第２章 評価対象プロジェクト

１．事業原簿

2-1

２．分科会における説明資料

2-2

参考資料１ 評価の実施方法

参考資料

1-1

1

はじめに

独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構においては、被評価プロジェク

ト毎に当該技術の外部の専門家、有識者等によって構成される研究評価分科会を研究

評価委員会によって設置し、同分科会にて被評価対象プロジェクトの研究評価を行い、

評価報告書案を策定の上、研究評価委員会において確定している。

本書は、

「極端紫外線（EUV）露光システム開発プロジェクト」の中間評価報告書で

あり、第５回研究評価委員会において設置された「極端紫外線（EUV）露光システム

開発プロジェクト」

（中間評価）研究評価分科会において評価報告書案を策定し、第

６回研究評価委員会（平成１７年８月１８日）に諮り、確定されたものである。

平成１７年８月

独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構

研究評価委員会

2

「極端紫外線（

EUV）露光システム開発プロジェクト」

中間評価分科会委員名簿

（平成１７年６月現在）

氏名

所属

分科会

会長

柴田

し ば た

直

ただし

国立大学法人東京大学大学院

新領域創成科学研究科 基盤情報学専攻

教授

分科会

会長代理

渡部

わたなべ

俊

しゅん

太郎

た ろ う

国立大学法人東京大学 物性研究所

_{副所長／教授}

伊藤

い と う

順司

じゅんじ

独立行政法人産業技術総合研究所 企画本部

副本部長

大木

お お き

茂久

しげひさ

日本電信電話株式会社

マイクロシステムインテグレーション研究所

ネットワーク装置インテグレーション研究部

主幹研究員

岸本

きしもと

隆正

たかまさ

株式会社野村総合研究所

技術・産業コンサルタント部

技術戦略コンサルタント室

室長

佐藤

さ と う

了 平

りょうへい

国立大学法人大阪大学

先端科学イノベーションセンター

教授

渋谷

し ぶ や

眞人

ま さ と

東京工芸大学 工学部 光情報メディア工学科

教授

分科会

委員

戸所

とどころ

義博

よしひろ

国立大学法人奈良先端科学技術大学院大学

知的財産本部

特任教授

敬称略、五十音順

3

審議経過

l 第１回 分科会（平成１７年４月２０日）

公開セッション

１．開会、資料の確認

２．分科会の公開について

３．評価の実施方法について

４．評価報告書の構成について

５．プロジェクトの概要説明

非公開セッション

６．プロジェクトの詳細説明

７．今後の予定、その他

l 第２回 分科会（平成１７年６月１５日）

公開セッション

１．開会、資料の確認

２．評価の進め方について

非公開セッション

３．実施者側補足説明

公開セッション

４．評価報告書（案）の審議及び確定

５．閉会

l 第６回 研究評価委員会（平成１７年８月１８日）

4

評価概要

１．総 論

１）総合評価

半導体技術は我が国の基幹技術であり、hp 45nm 以細の大量生産品向けリソグラフ

ィ技術の開発を目的とした本プロジェクトは、我が国 IT 産業の競争力強化に直結す

るもので、国家プロジェクトとして極めて有意義である。研究開発成果も、中間目標

をほぼ達成し、ロードマップのタイミングにあわせて着実に成果をあげており、実用

化シナリオを含む今後の展開も大いに期待できる。

社会的及び事業的・技術的効果を強く意識した研究開発が実施されており、産学の

協力のもとに、他の関連プロジェクトである文科省のリーディングプロジェクトや

ASET、MIRAI プロジェクト等との連携体制が確立され、十分なシナジー効果が見て取

れる。世界の動向に柔軟に対応した試作機開発などに見られるように、マネジメント

も戦略的になされている。事業の位置づけ・必要性、研究開発マネジメント、研究開

発成果は適切であり、高く評価される。

そして、光源、光学系という要素技術開発に特化してきた結果、装置システム全体

としての計画に着手できる段階になった。是非 SFET の開発を加速するとともに、α

機に向けた技術開発を着実に進め、実用化技術に繋げていただきたい。また、本技術

をチップ試作に適用し、トータル製造プロセスとして技術を確立していくことが重要

であり、つくば R&D センター（仮称）や半導体メーカとの連携が必須である。

さらに、本開発終了後の日本半導体業界の競争力を確保するためには、本最先端技

術の開発成果を国内メーカによる LSI 開発に繋げるための戦略を、国はきちんと用意

する必要がある。なお、技術的難易度を考慮すると、技術を日本ですべて開発するこ

とに拘らず、海外の技術活用も検討すべきである。

２）今後に対する提言

本プロジェクトは、日本が技術立国を進める上での基幹技術開発であり、順調な成

果を上げているので、今後実用化を目指し、特許固めも含め、基盤技術開発を加速し

て頂きたい。そのために、トータルシステムとしての技術検証を重点的に進める必要

があり、SFET の開発を加速し、実用化に向けた技術開発をつくば R&D センター（仮称）

等との綿密な連携で進めることが重要である。SFET の成果がどれだけ実用化にフィー

ドバックできるかが今後のプロジェクト推進のひとつの鍵となる。世界との競争に優

位を保つことが重要であり、柔軟で大胆な施策が望まれる。

２．各 論

１）事業の位置付け・必要性について

半導体 VLSI 技術は、情報化社会を支える根幹技術であり、特に量産工場において

極微細パターンを大量かつ高精度に形成する露光装置開発は、わが国の基幹産業を生

み出す技術開発である。特に、hp 45nm 以細の大量生産品向けリソグラフィ技術とし

5

て EUV は本命の一つであり、我が国ＩＴ産業の競争力強化のために産学官の力を結集

して技術開発を行う本プロジェクトは、NEDO の事業として極めて有意義なものである。

EUV リソグラフィには、これまでの技術の延長線上にない数多くの新規技術開発が

要求され、巨大な投資が必要である。これを民間活動のみで行うことは、経済的にも

技術的にも非常に困難である。また、本技術開発の成果は半導体製造の数世代に渡っ

て適用可能であり、他の産業、事業分野への波及効果が大きく、公共性も高い。この

事情は欧・米とも同様であり、優れた民間の技術力に官のリーダシップと学の力を総

合し、国家的に取り組むべき重要なテーマである。

ただし、本プロジェクトの成果が日本の半導体産業全体の競争力強化につながるた

めには、国内メーカによる LSI システム開発との連携を図る国としての戦略が必須で

ある。

２）研究開発マネジメントについて

「hp 45nm 以細の複数世代にわたり使えるリソグラフィは、EUV しか無い。

」という

認識のもと、各技術開発項目のターゲットは実用化の観点から具体的な数字として明

確に設定されており、また中間評価時点での達成度もきちんと数値で提示されている。

競合動向を踏まえた計画変更も柔軟かつ着実に行なわれており、他のプロジェクトと

の連携もよくマネジメントされている。実施体制としては、実用化・事業化に向けて

国内で最適な企業ならびに研究者が担当し、利益が相反する同じ分野の会社間、ある

いは装置、デバイスメーカを強いリーダシップでまとめ上げることにより、短期間で

高い成果を出している。以上のように、研究開発マネジメントとしては極めて優れた

体制と評価できる。

ただし、SFET とα機の開発をほぼ並行して進める時に、力が分散しないよう、注意

深いマネジメントを望む。SFET の成果を十分にフィードバックすることが重要であり、

α機の開発に決して拙速になってはならない。

また、２つの光源技術開発は今後の進捗に応じて、どちらかの技術に集約していく

べきだが、その際、選択しなかった技術に関しては次の技術開発につなぐべく、きち

んとした技術継承の道筋をつけていただきたい。

候補技術の絞り込み、実施体制の最適化等、今後困難な決断が必要になると予想さ

れるが、さらなる強力なマネジメントによるプロジェクト推進を期待する。

３）研究開発成果について

中間目標は、１年前倒しでほぼ達成され、未達成の項目も方針がはっきりしてお

り、近く達成の見込みと判断できる。現在までの成果に基き最終目標、実用化に向け

た課題を明示しており、実用機へ至る技術開発も、納得の行くシナリオが提示されて

いる。また、ここで検討開発されている技術は、この分野だけでなく周辺の技術領域

にも波及するポテンシャルを有しており、中間評価として十分な成果が上がっている

と結論できる。

特許・論文発表とも適切に行われているが、今後特許に関しては、関連技術を含め

6

た体系的特許調査ならびに権利関係の調査を基礎に、万全の戦略で特許化を進めてい

ただきたい。特に、プロセス開発、デバイス試作への応用等で重要な特許の出てくる

ことを期待する。

４）実用化、事業化の見通しについて

実用化に至る技術開発に関しては、事業化のターゲット、市場規模、解決すべき課

題とその解決方針など、十分に納得のいくシナリオが提示されており、本プロジェク

トの開発から、民間での実用化のための技術開発へのつながりは、明確になっている

と評価できる。実用化のためには長寿命化、安定化、コストダウンが必要であるが、

実用化を意識した妥当な製品価格を目指して開発が進められており、まだ不確定要素

はあるが、実用化の見通しは有ると判断される。

ただし、リソグラフィは、それだけで完結するものではなく複雑な VLSI を試作し

てみて初めて技術の真価が評価できる。是非とも早い時期から検討を進め、このプロ

ジェクトへのフィードバック体制を実現してほしい。

設定したコスト実現のためには EUV 露光装置の市場予測を含めた事業化に対するシ

ナリオの継続的な見直しと、それに基づく課題の変更を検討する必要がある。また、

光源と装置を一体化したフルセットモデルを想定しているが、光源あるいは装置の部

分的なモジュール事業なども想定される。

ただし、本プロジェクトは、技術的にはまだまだ研究開発すべき項目があり、まだ

全体としてコストダウンを十分に議論できるレベルには至っていない。むしろコスト

の観点から技術開発にブレーキがかからないよう、十分注意する必要がある。

7

研究評価委員会におけるコメント

第６回研究評価委員会（平成１７年８月１８日開催）に諮り、了承された。研究評

価委員から以下のコメントが出された。

● 日本の半導体産業の復活のためには、本最先端技術を含め、これらの開発成果

を国をあげての技術開発につなげていくための戦略が必要である、との提言は

妥当である。

● ただし、量産機までの開発段階においては、諸外国と摩擦にならないよう、国

が関与する部分と民間が自主開発する部分を明確にした展開が望まれる。

8

研究評価委員会委員名簿

（合計 13 名） （敬称略、五十音順） 委員長 曽我 直弘 滋賀県立大学 学長 委員 伊東 弘一 大阪府立大学 大学院工学研究科 教授 稲葉 陽二 日本大学 法学部 教授 大西 優 株式会社カネカ 顧問 尾形 仁士 三菱電機株式会社 上席常務執行役 開発本部長 黒川 淳一 横浜国立大学 大学院工学研究院 教授 小柳 光正 東北大学 大学院工学研究科 教授 佐久間 一郎 東京大学 大学院新領域創成科学研究科 教授 冨田 房男 放送大学 北海道学習センター 所長 西村 吉雄 東京工業大学 監事 架谷 昌信 愛知工業大学 工学部 機械学科 教授 平澤 泠 東京大学名誉教授 吉原 一紘 アルバック・ファイ株式会社 技術顧問 理事

この章では、分科会の総意である評価結果を枠内に掲載している。なお、枠の

下の○、●、

●

が付された箇条書きは、評価委員のコメントを原文のまま、参考と

1-1

1．プロジェクト全体に関する評価結果

1．1 総論

１）総合評価

半導体技術は我が国の基幹技術であり、hp 45nm 以細の大量生産品向けリソグ

ラフィ技術の開発を目的とした本プロジェクトは、我が国 IT 産業の競争力強化

に直結するもので、国家プロジェクトとして極めて有意義である。研究開発成果

も、中間目標をほぼ達成し、ロードマップのタイミングにあわせて着実に成果を

あげており、実用化シナリオを含む今後の展開も大いに期待できる。

社会的及び事業的・技術的効果を強く意識した研究開発が実施されており、産

学の協力のもとに、他の関連プロジェクトである文科省のリーディングプロジェ

クトや ASET、MIRAI プロジェクト等との連携体制が確立され、十分なシナジー効

果が見て取れる。世界の動向に柔軟に対応した試作機開発などに見られるよう

に、マネジメントも戦略的になされている。事業の位置づけ・必要性、研究開発

マネジメント、研究開発成果は適切であり、高く評価される。

そして、光源、光学系という要素技術開発に特化してきた結果、装置システム

全体としての計画に着手できる段階になった。是非 SFET の開発を加速するとと

もに、α機に向けた技術開発を着実に進め、実用化技術に繋げていただきたい。

また、本技術をチップ試作に適用し、トータル製造プロセスとして技術を確立し

ていくことが重要であり、つくば R&D センター（仮称）や半導体メーカとの連携

が必須である。

さらに、本開発終了後の日本半導体業界の競争力を確保するためには、本最先

端技術の開発成果を国内メーカによる LSI 開発に繋げるための戦略を、国はきち

んと用意する必要がある。なお、技術的難易度を考慮すると、技術を日本ですべ

て開発することに拘らず、海外の技術活用も検討すべきである。

＜肯定的意見＞

○

半導体技術は、いうまでも無く国の根幹を支える基幹技術であり、いかなる理

由があっても世界で後塵を拝する立場となってはならない。そのもっとも重要

な部分がリソグラフィであり、ここに日本の代表的な光学メーカ、光源メーカ

を中心に NEDO のバックアップで国家プロジェクトとして進められていること

はまことに重要である。困難なテーマであるが、順調に進行しており決して後

退することの無いよう、十全の予算を投入して全力で推進すべきである。やや

もすれば、参加企業のエゴが衝突して必ずしもスムーズに進んでいない国家プ

ロジェクトが散見される中、本プロジェクトは全体の統一が計られ、十分なシ

ナジー効果が見て取れる。是非この分野で、世界をリードする技術を完成させ

ていただきたい。そのためにも、NEDO は十分な資金的バックアップをすべきで

ある。

○

必要とされるプロセスファクターk からして hp 45 nm 以細のノードでは EUV リ

1-2

ソが必要である。しかしこれまでの光リソの延長でない新技術が必要となる。

新技術を短期的に開発するため中核となる EUVA プロジェクトのみならず、文科

省リーティングプロジェクトの基礎研究、ASET、MIRAI プロジェクトのプロセ

ス・計測技術との連携体制が確立しており、オールジャパンのプロジェクトと

なっている。

○

hp 45nm 大量生産品向けリソグラフィ技術の開発を目的とした本プロジェクト

は、我が国ＩＴ産業の競争力強化に直結するものであり、国家プロジェクトと

して極めて有意義である。研究開発成果も目標を凌ぐレベルに達していて順調

に進捗している。また、世界の動向に柔軟に対応した試作機開発などに見られ

るように、ＰＬによるマネジメントも戦略的になされている。実用化シナリオ

を含む今後の展開も大いに期待できる。総じて、優れたプロジェクトと評価で

きる。

○

天然資源の乏しい日本においては、原料を加工して付加価値を与える技術、特

に、ハードウェアの製造技術の競争力強化が必須である。この観点から、LSI

技術は現在および将来においても核となる技術であることは間違いなく、基盤

技術として日本の産業を支えるべき技術である。したがって、

「極端紫外線（EUV）

露光システム開発プロジェクト」は国が率先して取り組むべき必須の開発項目

であり、その成功への期待は極めて大きい。

○

本プロジェクトは半導体産業のみならずエレクトロニクス産業の発展のために

必要なテーマであり、ロードマップのタイミングにあわせて着実に成果をあげ

ており、非常に高く評価できる。本プロジェクトがなければ、過去数十年に渡

って継続してきたエレクトロニクス産業の発展が阻害されるリスクがあり、今

後もさらに一層強化を図るべきテーマである。

○

高度情報化社会の発展のコアである超高集積半導体の実現を国家的戦略として

位置づけ、産学が協力して早期に超難関技術開発に取り組むプロジェクトとし

ては非常に高く評価できる。

特に、単に技術開発だけではなく、事業性の評価と社会的及び事業的・技術的

効果を強く意識して、開発及びマネジメントを実施しており、評価は高い。

○

日本が、広く IT 技術で世界の第一線であるためには、半導体の微細化技術も世

界第一線であることが必要である。現在の微細化技術トレンドから考えて、本

プロジェクトで開発する極端紫外線露光システム（EUVL）は、非常に重要な技

術である。当初の技術目標をほぼ達成していること、世界をリードする結果を

得ていること、他のプロジェクトと連携もなされていること、実用化へのつな

がりが明確なことから、プロジェクトの成果は非常に高く評価できる。

○

NEDO としての事業の位置づけ、研究開発マネジメント、研究開発成果、すべて

適切であり、成果が出ており、高い評価をしたい。

＜問題点・改善すべき点＞

1-3

●

世界の動向を見て、急遽 SFET 開発に踏み切ったのは、光源、光学系という要素

技術開発に特化するあまり、やはり露光システムを組むという、全体システム

構想の計画に少し甘い点があったと判断せざるを得ない。幸い現在計画中の

SFET は性能的には、世界のトップレベルである。是非研究資金追加によって加

速すべきである。基礎技術ではリードしており、一挙に優位に立てるチャンス

である。

●

最終目標の達成に向けて、候補技術の見極めと絞り込み、および重点投資など

をさらに進めて行くことが必要と思われる。

●

本プロジェクトの検討対象は露光装置である。委員会でも議論となったが、汎

用的な露光装置である以上、開発を終了した装置は他国の半導体メーカに販売

せざるを得ない。この様な状況の下、日本の半導体業界の競争力を確保するこ

との重要性、各業界の利益の比較衡量、日本の将来に対する考え方等を基礎と

する深い考察の下、経産省には国としての明確な戦略を本開発計画に比し前倒

しで用意していただきたい。

●

技術的難易度を考慮すると、日本ですべての技術を開発することに拘る必要は

ない。海外の技術を活用することも検討すべき。

●

国家的事業として位置づけて、プロジェクトとして推進している点を高く評価

したが、そうであるならばコンペティターとデッドヒートの状況にあり、これ

を圧倒的にリードするための戦略・施策がまだ不十分であり、より具体的に明

確にして推進する必要がある。

同時に、リスクマネジメントの観点から、各技術開発をとらえ直す必要がある。

方式としてこの方法しか無い(大変危険、かつこの分野の総意か?!)のであれば、

もっと加速させて、早期に見極めることが必要である。

●

実用化、事業化については、半導体市場、露光装置市場ともに厳しい見方をし

たうえで、方策を考えるべきである。

＜その他の意見＞

•

LSI の製造は、総合技術である。リソグラフィも、マスク技術・レジスト技術、

さらにエッチング技術との整合がとれて始めて実用に近づく。しかしこれだけ

ではまだ不十分で、実際のデバイス構造に適用して、始めて実用化する。さま

ざまな回路構造を持つデバイスでは、量産において予想もしなかった問題が発

生する。そこを先取りし、問題の解決を図り、その技術ノウハウの蓄積と特許

化が、今後の LSI ビジネス展開の要となる。早期に、SOC チップ試作に適用し、

トータル製造プロセスとして技術を確立していくことが重要である。

（綺麗なレ

ジストパターンの電子顕微鏡写真をいくらデモしてもらっても、LSI 生産に役

立つかどうかわからない。

）この意味でも、MIRAI プロジェクトとの連携、早期

の半導体メーカとの試作連携が必須である。この点、是非 NEDO が音頭をとって、

スムーズな連携をリードしてもらいたい。

1-4

•

さらに大事なことは、作る道具は出来たが、生産する有力な LSI システムの製

品が無いと言う恐ろしい事態であり、現在の半導体メーカの現状を鑑みると十

分あり得ることである。EUVA,MIRAI とリンクした、

「最先端半導体技術に基づ

くシステム LSI 研究開発コンソーシアム」といったプロジェクトを平行して進

めるべきである。最先端技術を、システム開発者（メーカの設計者個人や大学・

公的研究機関の研究者等）に開放し、自由なアイデアで回路開発を任せる。回

路・システム設計は、自らのアイデアを最先端 VLSI システムとして実証できる

とともに、EUVA、MIRAI は、新規開発技術検証のテストツールデバイスとして

利用できる。こういったプロジェクトで、EUVA、MIRAI で新たに開発した、最

先端技術を使わないと決して実現できない新たなシステムアイデアが見出され

れば、これは大きなビジネス展開につながる。システム開発は、個人のアイデ

アの競争である。千も二千もの異なったプロジェクトが並行して走り、どれか

ひとつが当たれば良いのである。ここに、新規開発技術を早い時期から広く開

放する意味がある。

さもなければ、せっかく開発した EUV 装置のお得意先は、海外企業のみという

ことになりかねない。是非検討いただきたい。

1-5

２）今後に対する提言

本プロジェクトは、日本が技術立国を進める上での基幹技術開発であり、順調

な成果を上げているので、今後実用化を目指し、特許固めも含め、基盤技術開発

を加速して頂きたい。そのために、トータルシステムとしての技術検証を重点的

に進める必要があり、SFET の開発を加速し、実用化に向けた技術開発をつくば

R&D センター（仮称）等との綿密な連携で進めることが重要である。SFET の成果

がどれだけ実用化にフィードバックできるかが今後のプロジェクト推進のひと

つの鍵となる。世界との競争に優位を保つことが重要であり、柔軟で大胆な施策

が望まれる。

＜今後に対する提言＞

•

これは、日本が技術立国を進める上での基幹技術開発であり、いかなる困難が

あっても実用化に漕ぎ着けねばならない。幸いにも中間評価の段階では、世界

を一歩リードできる成果がいくつも得られている。実用化に向けて、加速する

ことはあっても減速はありえない。特に光源の高効率化、デブリ・損傷防止技

術は実用化の鍵となる。是非実用化を目指した基盤技術開発を加速し、特許固

めをしっかりとして頂きたい。またこれと平行して、露光装置、即ちトータル

システムとしての技術検証を、是非重点的に進めて頂きたい。そのためにも、

SFET を追加資金で加速するとともに、これを用いたレジスト技術、露光プロセ

ス等、実用化に向けた技術開発を MIRAI プロジェクト等との綿密な連携で進め

ることが重要である。これは、実際のレジストプロセスでの脱ガスによるミラ

ーの寿命の検証にもつながる。これとほぼ並行して進められるα機へのフィー

ドバックも重要である。

•

予想される導入時期に対し、開発の歴史はあまりに浅い。このギャップを埋め

るため、予算及び人員の投入により、開発を加速する必要がある。

•

本プロジェクトは、世界との競争に勝つか負けるかが決定的に重要であり、中

間的な成果を期待すべきものではない。この観点から、競争に勝つための柔軟

で大胆な施策が重要である。たとえば、実用レベルの装置開発に向けた全体予

算の大幅な拡充や、ユーザ（デバイス）側プロジェクトとの効果的な連携策を

実行することが必要である。

•

計画審議の段階においても露光装置の開発を全面に出すべきとの意見を提出し

た。

この観点から、

今回新たに加えられた SFET の開発計画に賛成するとともに、

その成功に向けた積極的な支援の必要性を進言する。

•

非常に重要なテーマであり、着実に実用化されるようプロジェクトを強化・継

続させるべき。ただし、技術的な難易度を考慮すると、すべての技術を国内に

閉じて開発する必要はない。可能ならば、光源技術について海外との協力、あ

るいはテーマのシェアを検討すべき。

•

次年度以降の研究開発は当然続行させるとともに、もっと加速する方法を提言

1-6

し、推進する必要がある。

•

技術立国日本の将来が、一つの方式の成否に依存していることはあり得ないこ

とで、本方式を本命として開発を進めながら、他の方式の可能性を調査し、リ

スク回避の二重・三重の策を立案する必要があり、それはプロジェクトマネー

ジャーの最も大きな責任範囲である。

•

順調な成果を上げており、研究開発は続行するべきである。EUVL 技術は、次世

代だけでなく次次世代までも含めた技術でなくてはならない。そのあたりの将

来像も明確にして技術開発をすすめるべきである。

•

プロジェクトを加速して、つくばＲ＆Ｄセンターにα機を設置し、半導体微細

化の研究開発を是非とも進めるべきである。

＜その他の意見＞

•

実用化には、実際にレジストプロセスへの適用が必須である。そのためにも

SFET は重要であり、この SFET を用いた実験からどれだけ問題点を拾い上げ、

α機開発にフィードバックするかが、今後のプロジェクト推進のひとつの鍵と

なる。この意味からも、α機開発に決して拙速とならず、SFET の成果がフィー

ドバック出来るよううまくプラニングして頂きたい。

1-7

１．２ 各論

1）事業の位置付け・必要性について

半導体 VLSI 技術は、情報化社会を支える根幹技術であり、特に量産工場にお

いて極微細パターンを大量かつ高精度に形成する露光装置開発は、わが国の基幹

産業を生み出す技術開発である。特に、hp 45nm 以細の大量生産品向けリソグラ

フィ技術として EUV は本命の一つであり、我が国ＩＴ産業の競争力強化のために

産学官の力を結集して技術開発を行う本プロジェクトは、NEDO の事業として極め

て有意義なものである。

EUV リソグラフィには、これまでの技術の延長線上にない数多くの新規技術開

発が要求され、巨大な投資が必要である。これを民間活動のみで行うことは、経

済的にも技術的にも非常に困難である。また、本技術開発の成果は半導体製造の

数世代に渡って適用可能であり、他の産業、事業分野への波及効果が大きく、公

共性も高い。この事情は欧・米とも同様であり、優れた民間の技術力に官のリー

ダシップと学の力を総合し、国家的に取り組むべき重要なテーマである。

ただし、本プロジェクトの成果が日本の半導体産業全体の競争力強化につなが

るためには、国内メーカによる LSI システム開発との連携を図る国としての戦略

が必須である。

＜肯定的意見＞

○

半導体 VLSI 技術は、情報化社会を支える根幹技術であり、特に量産工場におい

て極微細パターンを大量かつ高精度に形成する露光装置開発は、わが国の基幹

産業を生み出す技術開発である。国家プロジェクトとして、総合力を結集して

取り組むべき技術開発であり、NEDO の事業としての妥当性、事業目的の妥当性

は、いまさらいうまでも無い。特に本プロジェクトは、極限の光リソグラフィ

に挑戦するもので、産官学の連携なくしては決して成り立ち得ないものである。

たとえば、EUV の発光ひとつを取り上げても、物理学の深い知見なくしては技

術開発は不可能であり、文科省のリーディングプロジェクトとの連携によって、

例えば CO

2

レーザ励起等の新たな成果が出ている。さらに、露光装置、光学技

術で世界に冠たる日本の二大メーカに高い技術力をもつ光源メーカが参加する

ことで、このプロジェクトが成り立っている。優れた民間の技術力に、官のリ

ーダシップと学の力が総合され、初めて成功に導かれるプロジェクトである。

○

半導体デバイス・露光装置ともに日本のシェアは漸減している。その中で最近

のリソの歴史の中で KrF リソ、ArF リソ(一部 F

2

レーザの NEDO プロジェクトの

技術が生かされている)は基本的に民間の投資で行われた。しかし EUV リソはこ

れまでの技術の延長線にない新技術が必要とされる上に、巨大な投資が必要で

あり、とうてい個別民間企業の努力ではなし得ない。この事情は欧・米とも同

様であり、国の関与は必須である。投じた予算は次世代のハイテク産業の育成

に大きく貢献する。

1-8

○

hp 45nm 以細の大量生産品向けリソグラフィ技術として EUV は本命の一つであ

り、我が国ＩＴ産業の競争力強化のために産学官の力を結集して技術開発を行

う本プロジェクトは NEDO の事業として極めて有意義である。

○

一時栄華を誇った日本の半導体産業は、新興国との競争に負け、製造会社は少

数に統合された状態になっている。このことと、LSI 技術の重要性を鑑みれば、

NEDO は経産省と深く連携しつつ日本の国策として半導体産業の復興を担うべ

き役割を担っている。また、本プロジェクトの成果は半導体製造の数世代に渡

って適用可能な技術であり、ROI も極めて高いということができる。

○

エレクトロニクスの発展には必要不可欠なテーマであり、国家的に取り組むべ

き重要なテーマである。また、日本企業は、それを支えるコア技術を持ち、産

業界の期待に答えられる素地を持っているが、一企業では実現困難な技術でも

ある。従って、NEDO の事業として極めて有効なテーマであり、事業目的も適切

と判断される。

○

国家的事業であり、NEDO が取り組む事業性としては高い妥当性がある。実用化

までには基礎的知見が必要であり、NEDO の関与が必要である。また、本開発に

よる波及効果が、他の産業、事業分野にも大きく及ぶため、公共性が高い。事

業目的としては、全ての面で妥当である。

○

極端紫外線露光システム（EUVL）の開発には、幅広い技術を結集しなくてはな

らず、民間活動のみで行うことは経済的にも技術的にも非常に困難である。ま

た、次世代微細化技術の他の候補に比べて、スループットなどを含めて実用性

の高い技術と位置付けられ、日本の IT 技術を発展させる上で重要であり、公共

性は非常に高いと考えられる。本プロジェクトへの投資に見合った、事業化に

よる経済的な効果が得られると考えられる。国際的な EUVL 開発動向を十分に踏

まえて開発が行われている。また他の科学技術への波及効果も考えられ、本技

術の開発は有意義である。

○半導体はエレクトロニクス産業の基盤技術であり、半導体の中でも次世代リソグ

ラフィ技術は、その基盤技術であることから、NEDO の事業、国家の事業にふさ

わしいテーマである。

＜問題点・改善すべき点＞

●

プロジェクトの性質から、露光装置に特化したチーム構成になっている。しか

し、リソグラフィは、VLSI 製造工程に適用して初めてその真価を発揮するもの

である。今後は、MIRAI をはじめ各デバイスメーカとの連携をもっと強化し、

製造現場でのデータをフィードバックできる運営が望まれる。ただし、この連

携は注意深く進める必要がある。デバイスメーカは、導入すれば即座に使える

装置を期待しており、問題点解決をすべて装置メーカに押し付けてくる場合が

ある。極限の光リソグラフィ開発に取り組むプロジェクトであることをよく理

解し、協調しながらトータルプロセス技術を構築できるデバイスメーカとパー

1-9

トナーを組むべきである。

●

問題点を挙げるとすれば、技術面ではなく国の政策としての考え方がある。先

に述べた問題点と同旨ではあるが、極めて大切であると考えるので再述したい。

本プロジェクトの目的は露光装置技術の開発にある。一方で、半導体製造には

製造プロセス技術が必要である。しかし、現時点で競争力のある他国メーカの

製造プロセス技術を侮ってはいけない。これらのメーカが、当プロジェクトで

開発に成功した露光装置技術を入手することは、これを販売する露光装置メー

カの収益を向上させることに資するとしても、日本の半導体産業全体の底上げ

ひいては競争力強化には到底つながらないと思われる。このような、予想され

る状況に対応するための戦略が必要であり、そのために経産省と NEDO による深

い見識に基づいた検討を早期に進めることが求められるのである。

●

欧米が協調路線を取っているのに、日本が排他的な姿勢をとれば、技術開発を

遅らせるリスクがある。現在、情報交換という形で国際協調体制をとっている

が、国内に閉じこもってしまっては、開発スケジュールが遅れるリスクがある。

従って、国際連携のための活動が疎かにならないように活動してもらいたい。

●

本事業の加速、目標達成の観点から、基本計画の改訂を提言しているが、その

理由がキャッチアップになるのか、圧倒的にリードする方策がないのか、その

ための加速策は何か、等を再考する必要がないかを議論して、計画改訂に盛り

込む必要がある。

●

次世代だけではなく次次世代までの技術として使われることで、投じた予算に

たいする十分な効果を引き出せると考えられる。hp 45nm あるいは hp 32nm へ

の取り組みとしては十分な成果を出しているが、hp 22nm 以細を考慮したとき

の必要な技術についても可能性を検討し、それを念頭において開発を行うべき

である。

＜その他の意見＞

•

NEDO の関連プロジェクト（ASET,MIRAI）との有機的結合が重要。

1-10

２）研究開発マネジメントについて

「hp 45nm 以細の複数世代にわたり使えるリソグラフィは、EUV しか無い。

」と

いう認識のもと、各技術開発項目のターゲットは実用化の観点から具体的な数字

として明確に設定されており、また中間評価時点での達成度もきちんと数値で提

示されている。競合動向を踏まえた計画変更も柔軟かつ着実に行なわれており、

他のプロジェクトとの連携もよくマネジメントされている。実施体制としては、

実用化・事業化に向けて国内で最適な企業ならびに研究者が担当し、利益が相反

する同じ分野の会社間、あるいは装置、デバイスメーカを強いリーダシップでま

とめ上げることにより、短期間で高い成果を出している。以上のように、研究開

発マネジメントとしては極めて優れた体制と評価できる。

ただし、SFET とα機の開発をほぼ並行して進める時に、力が分散しないよう、

注意深いマネジメントを望む。SFET の成果を十分にフィードバックすることが重

要であり、α機の開発に決して拙速になってはならない。

また、２つの光源技術開発は今後の進捗に応じて、どちらかの技術に集約して

いくべきだが、その際、選択しなかった技術に関しては次の技術開発につなぐべ

く、きちんとした技術継承の道筋をつけていただきたい。

候補技術の絞り込み、実施体制の最適化等、今後困難な決断が必要になると予

想されるが、さらなる強力なマネジメントによるプロジェクト推進を期待する。

＜肯定的意見＞

○

hp 45nm 以細の複数世代にわたり使えるリソグラフィは、EUV しか無いと言う判

断は正しい。この世代の VLSI システムは SoC デザインの競争であり、VLSI 設

計の立場から言うとパターン設計に制限の加わることはシステムデザインの自

由度を狭めることになり、受け入れがたい。したがって、液浸と複雑な OPC を

組み合わせる技術では、高度なシステムの実現は困難である。たとえメモリの

ような繰り返しパターンであっても、周辺回路はメモリセルと同じピッチ作る

必要があり、OPC で性能を出すのは困難となる。

「hp 45nm 以細は、EUV しか無

い」という認識のもと、各技術開発項目のターゲットは実用化の観点から具体

的な数字として明確に設定されており、また中間評価時点での達成度もきちん

と数値で提示されている。しっかりとしたリーダシップの元にプロジェクトは

着実に成果を上げていると判断できる。また、当初の 17 年度末終了の計画をさ

らに 2 年延長し、実用化を加速するのも、世界の情勢から考えて妥当な判断で

ある。

○

今のところ全ての点で、健全。特に多くの企業が有機的な協力体制にある。

○

開発目標や計画については、競争相手の技術分析などが十分になされており、

それを踏まえて意欲的に設定されており評価できる。ライバルの開発動向の変

化に対応して、２種類の仕様の異なる試作機を相次いで開発し導入する決断や、

文科省リーディングプロジェクトの成果の取り込みなどに見られるように、特

1-11

に情勢変化に対応した柔軟で戦略的なマネジメントが優れており高く評価する。

○

SFET の開発が設定されたことにより、個別の光源技術およびミラー作製・評価

技術の成果が有効に統合される素地ができたと考える。装置としての統合とい

う具体的な目標が設定されたので、検討の進捗管理もより具体的に行えるよう

になり、計画達成に資するだろう。

○

光源の開発目標等、海外の技術動向を踏まえて的確な目標設定がなされている。

また、競合動向を踏まえた計画変更も着実に行なわれている。技術開発内容か

ら考えると、研究予算も効率的に使われていると評価できる。実施体制として

は、各テーマごとに国内で最適な企業ならびに研究者が担当しており、極めて

理想的な体制と評価できる。海外の競合企業等の動向を踏まえて情勢変化にも

適切に対応している。

○

研究開発目標及び開発計画は概ね妥当と判断。実用化、事業化に向けて各分野、

企業のポテンシャルを考慮して編成されているとともに、厳しい議論がなされ

ている事が読み取れるので、事業体制も妥当と判断。

○

半導体微細化トレンドにたいして適切なスケジュールで開発がすすめられてい

る。EUVL 開発における開発課題のなかで、本プロジェクトで扱うべき課題の選

択は適切である。中間目標がほぼ達成されており、マネジメントが適切に行わ

れていると考えられる。他のプロジェクトとの連携がなされている。

○

利益が相反する同じ分野の会社間、あるいは装置、デバイスメーカを強いリー

ダシップでまとめ上げて、短期間で高い成果を出している。

＜問題点・改善すべき点＞

●

SFET とα機の開発をほぼ 1 年の間をおいて平行して進めることに異論は無いが、

力が分散して虻蜂取らずにならないよう、注意深いマネジメントを望む。SFET

は、装置システムの開発・プロセス開発の観点から必須であり、またα機の重

要性も言うまでも無い。α機には、十分な人と時間をかけて、納得のいくもの

を出してほしい。SFET の成果をフィードバックするために、例え少し導入の時

期を遅らせてでも、技術的に十分納得できるものを開発したほうが良いのでは

ないか。とにかく、目に見える成果を急ぐあまり、技術開発の本質を見誤らな

いように注意していただきたい。もうひとつ気になるのが、高価な反射光学系

の汚染である。残留ガスの影響等の研究が進み、Ru 膜が保護膜としてあがって

いるが、この研究はもっと加速する必要があると考える。詳しくは対応する項

で述べる。

●

一方で、装置技術開発は資金があれば結果が出るというものではない。特に、

開発費ではなく時間が必要な局面もあるはずであるから、税金によってまかな

われている財政面の背景を考慮しつつ、意味のある投資を行っていただきたい。

●

現時点で判断できる状況ではないが、開発の効率的推進を考えると、２つの光

源技術開発は今後の進捗に応じて、どちらかの技術に集約していくべきだと思

1-12

われる。

●

加速計画の妥当性に疑問があり、コンペティターを圧倒的に凌駕する方策、計

画を再考すべきと考える。

＜その他の意見＞

•

要素技術は、着実に成果を上げており、今後これらをインテグレートして装置

として仕上げていく訳であるが、トータルシステムとしてのバランスの取れた

技術判断・決断を期待する。また、光源等の要素技術では、LPP、DPP 二つの技

術が並行検討されており、いずれ二者択一がなされるが、その際、選択しなか

った技術に関しては是非次のことを明確化してほしい。つまり、

「何と何が、ブ

レークスルー技術として出来上がれば、確実に実用化できる技術である。

」とい

う項目をきちんとドキュメント化し、次の技術開発につなげてほしい。

•

最終目標の達成と実用化に向けて、候補技術の絞り込みや実施体制の最適化な

どで困難な決断が必要になると思われるので、今後さらなる強力なマネジメン

トがなされることを期待する。

•

マスクは本プロジェクトで扱わなくても十分な開発がされていることが明確と

なるように、報告がまとめられると良い。EUVL の開発スケジュールに余裕はな

く、他のプロジェクトとの引き続いてのさらなる密接な連携が必要と考える。

1-13

３）研究開発成果について

中間目標は、１年前倒しでほぼ達成され、未達成の項目も方針がはっきりし

ており、近く達成の見込みと判断できる。現在までの成果に基き最終目標、実用

化に向けた課題を明示しており、実用機へ至る技術開発も、納得の行くシナリオ

が提示されている。また、ここで検討開発されている技術は、この分野だけでな

く周辺の技術領域にも波及するポテンシャルを有しており、中間評価として十分

な成果が上がっていると結論できる。

特許・論文発表とも適切に行われているが、今後特許に関しては、関連技術

を含めた体系的特許調査ならびに権利関係の調査を基礎に、万全の戦略で特許化

を進めていただきたい。特に、プロセス開発、デバイス試作への応用等で重要な

特許の出てくることを期待する。

＜肯定的意見＞

○

各項目とも、数値目標に対し現在の到達地が数値で示されており、十分に達成

されていると判断できる。一部 17 年 1 月の時点で、17 年度末に達成すべきタ

ーゲット未達のものもあるが、達成のための明確なシナリオが提示されており、

問題はない。また、最終ターゲット、さらに実用機へ至る技術開発も、現在ま

での研究成果に基づき、納得の行くシナリオが提示されている。

○

目標はほぼ達成され、未達成の項目も方針がはっきりしており、近く達成の見

込み。成果は世界水準であるが、市場創造を語るには早すぎる。世界的な動向

が重要である。このところ、開発の遅れを急速につめ、超えつつある。特許・

論文発表とも適切に行われている。

○

目標の達成度や課題解決の方針は明確であり、特許出願数や成果発信も十分で

ある。特に、実用性に優れたＥＵＶ光源用の CO2 レーザ励起技術、および露光

装置用のミラー加工・計測技術等で我が国独自の高い成果が生み出されている

ことを高く評価する。

○

全体としての成果は良好であると判断される。光源技術においては、多くの検

討項目で目標値を計画より前倒しで達成しており評価できる。また、加工・計

測装置技術においても、具体的な装置開発の下に成果を積み上げておりその努

力を高く評価したい。ここで検討開発されている技術は、この分野だけでなく

周辺の技術領域にも波及するポテンシャルを有していると思う。

○

光源並びに装置技術に関する研究開発は、当初計画をほぼ予定通り達成してい

ると思われる。光源技術は、既に世界最高水準のレベルであり、加工測定技術

も計画どおりの進捗を達成している。

○

個々の成果は目標を概ね前倒し達成しており、評価できる。また成果に基づい

た最終目標、実用化に向けた課題を明示しており、評価できる。

○

ほぼ中間目標を達成している。多くの世界的な成果、日本独自の成果を出して

おり評価できる。現在の開発が進めば、最終的な目標への到達は可能と考えら

1-14

れる。

○

中間目標値を１年前倒しで概ねクリアしており、短期間で成果をあげているこ

とは高く評価できる。

＜問題点・改善すべき点＞

●

特許に関しては、手元の資料だけでは判断できないが、万全の戦略で特許化を

進めていただきたい。論文発表に関しては、ノウハウの開示とならないように

十分注意されることを望む。

●

一方、特許調査が不十分である印象を受けた。本来は開発前段階で十分検討し

ておくべき事柄であるが、開発費の一部を投入して関連技術を含めた体系的特

許調査ならびに他者権利抵触性の調査をしっかりと実施すべきである。また、

残された個別技術の課題は真に解決が困難な領域に存するものと考えられる。

開発検討項目の取捨選択を行いリソースの効率的な集中が望まれる。

●

全体の目標の達成度は総合評価が出来ないので評価ができない。SFET の早期実

現とリソグラフィーの総合評価を早期に実施する必要がある。特許戦略に関し

て、基本特許と周辺特許とのマップを作成し、特許的優劣と優位化戦略を明確

にして推進する必要がある。

●

到達見込みとなっている開発項目のいくつかは、数字的に見ると中間目標とは

多少離れており、注力して開発を継続して頂きたい。

●

α機レベルの中間目標 10w、β機レベルの最終目標 50w から、実用機レベル 115w

にはさらなる研究開発が必要であり、今後の進展に期待する。

＜その他の意見＞

•

今後、プロセス開発、デバイス試作への応用等で重要な特許の出てくることが

期待される。SFET を用いたプロセス実験とあわせて、十分な特許取得を検討し

てほしい。

1-15

４）実用化、事業化の見通しについて

実用化に至る技術開発に関しては、事業化のターゲット、市場規模、解決すべ

き課題とその解決方針など、十分に納得のいくシナリオが提示されており、本プ

ロジェクトの開発から、民間での実用化のための技術開発へのつながりは、明確

になっていると評価できる。実用化のためには長寿命化、安定化、コストダウン

が必要であるが、実用化を意識した妥当な製品価格を目指して開発が進められて

おり、まだ不確定要素はあるが、実用化の見通しは有ると判断される。

ただし、リソグラフィは、それだけで完結するものではなく複雑な VLSI を試作

してみて初めて技術の真価が評価できる。是非とも早い時期から検討を進め、こ

のプロジェクトへのフィードバック体制を実現してほしい。

設定したコスト実現のためには EUV 露光装置の市場予測を含めた事業化に対す

るシナリオの継続的な見直しと、それに基づく課題の変更を検討する必要があ

る。また、光源と装置を一体化したフルセットモデルを想定しているが、光源あ

るいは装置の部分的なモジュール事業なども想定される。

ただし、本プロジェクトは、技術的にはまだまだ研究開発すべき項目があり、

まだ全体としてコストダウンを十分に議論できるレベルには至っていない。むし

ろコストの観点から技術開発にブレーキがかからないよう、十分注意する必要が

ある。

＜肯定的意見＞

○

実用化に至る技術開発のシナリオに関しては、現在までの研究成果に基づき、

十分に納得のいくものが提示されている。即ち、産業技術としての適用可能性

の明確化、実用化に向けての課題とその課題解決の方針は、明確に示されてい

る。

○

ほぼゼロから出発し、発足後 2 年のプロジェクトの実用化可能性を論ずるのは

早すぎる。むしろ実用化しなければならないプロジェクトと言うべきである。

そのためには長寿命化、安定化、コストダウンがなされなければならない。次

世代半導体プロセスの中心技術であるから、実用後の経済効果は大きい。

○

事業化のターゲット、市場規模、シナリオおよび解決すべき課題などが明確に

述べられている。

○

事業導入に向けたシナリオは一応策定されている。また、

「実用化に向けた自主

開発が各社で行われており、これら成果を統合して事業化を進展させる」との

計画については、是非その実行を期待したい。

○

実用化を意識した製品価格を目指して技術開発を行なっており、既存の装置等

と比較しても、妥当なターゲット設定と思われる。コストダウンに寄与する加

工・計測技術を開発しており、極めて効果的なテーマ設定である。着実に成果

を生んでおり、事業化までのシナリオは適正と判断される。波及効果は、装置

及び半導体だけに留まらない。エレクトロニクス産業にいたる効果を評価すべ

1-16

きであり、さらに大きな効果が期待される。

○

実用化、事業化に向けた見通しは種々の仮定の下で明示されており、評価でき

る。これが実用化、事業化出来ればその効果は計り知れないことが明示されて

おり、十分評価出来る。

○

本プロジェクトの開発から民間の実用化の技術開発へのつながりは明確になっ

ており評価できる。産業化された場合の経営的な見通し、日本経済への波及効

果の検討がなされており、評価できる。

○

不確定要素はあるが、実用化の見通し有り。

＜問題点・改善すべき点＞

●

リソグラフィは、それだけで完結するものではなく複雑な VLSI を試作してみて

初めて技術の真価が評価できるものである。これは、EUVA プロジェクトの範囲

を超えるものであるが、是非とも早い時期から検討を進め、このプロジェクト

へフィードバックできる体制を NEDO が音頭をとって実現してほしい。

●

現在のプランでは、光源と装置を一体化したフルセットモデルに基づいている

が、実際の事業においてはこれは楽観的過ぎるという印象を受ける。現在の技

術レベルでの彼我の優劣に基づいて、光源か、あるいは装置かの部分的な勝利

を想定したモジュール事業モデル（連合）なども想定するともっとリアリティ

が出てくるのではないか。

●

日本という高い視点からの事業化シナリオの検討が必須である。事業化した露

光装置を全世界に売りシェア 70%を確保すれば、ROI の考察も含め本プロジェク

トの目標は達成されるかもしれない。しかし、これでは日本の半導体産業の競

争力強化に資することにはならない。半導体製造メーカはかえって打撃を被る

かもしれない。困難な課題ではあるが、国の資金を用いてプロジェクトを進め

る以上、経産省、NEDO およびプロジェクト参加各社が、日本の半導体産業競争

力の強化という観点から実質的な事業化戦略を立案すべきである。

●

現時点では、すべての技術を国内で調達する形になっているが、将来的には、

モジュールとして、海外の技術を活用することも想定しておくべきではないだ

ろうか？

●

個々の事業化で内部で詳細な検討を行われていることを信じるが、数々の新技

術、世界最高の技術、及び物理・化学的な限界に近い技術の組み合わせで実現

しようとしている製品が設定したコストで出来るとはとても信じ難く、事業化

に対するシナリオを継続的に見直し、それに基づく課題の見直しを行いながら

進めることを提言する。

●

本プロジェクトとは離れて、下記のような問題点はあるが、本プロジェクトに

おいて実施された、非常にレベルの高い研究開発マネジメント力により克服さ

れることを期待する。

・ウエハ量産用として、光以外のリソグラフィ技術は実用化された例がないため、

1-17

実用化には多くの困難な問題点が存在すると予測される。

・露光装置の市場は、２００２年、２００３年：３０億ドル、２００４年：５１

億ドルと２０００年以前に比べて縮小している。

EUV 露光装置の市場を予測

する上で考慮が必要である。

・これまで、ムーアの法則にしたがって、半導体微細化が進められ、半導体市場

は着実な成長をとげてきた。しかし、半導体微細化は４５

nm 以細では、急速

に難しくなっており、半導体製造コストが高くなりすぎると、４５

nm 半導体

の実現が難しくなる可能性も存在する。

＜その他の意見＞

•

技術的にはまだまだ研究開発すべき項目があり、まだ全体としてコストダウン

を十分に議論できるレベルには至っていない。むしろコストの観点から技術開

発にブレーキがかからないよう、十分注意する必要がある。しかし、CO

2

レーザ

の導入や、有効なミラーダメージ防止技術の開発等、コストダウンにつながる

研究も進んでいる。複雑な OPC 導入によるマスクセット価額の高騰を考えると

十分にペイすると予想される。

1-18

２．個別テーマに関する評価結果

２．１ 光源技術

（１）高出力・高品位 EUV 光源技術および EUV 光源評価技術

１）成果に関する評価

レーザ法、放電法のいずれの方法においても、日本独自の技術が提案・開発さ

れており、世界最高レベルの EUV パワーの出力に成功している。またこれに基づ

き、最終目標達成に向けた方策が具体的に提示されていることは高く評価でき

る。このまま計画通り進捗すれば、世界最高水準で実用化に足る技術が達成され

ると予想される。

ただし、本プロジェクト終了後、実用化に必要な 115W 光源に到達するには、

まだ様々な技術的困難が予想される。今後、得られる成果を基に、十分議論して

進める必要がある。さらに、特許調査に基づく具体的な特許戦略の策定は必ず実

施してほしい。

また、現在レーザ法と放電法を並行して開発しているが、時期を見極めて、一

本化して集中開発を行うのか、並行開発を行うのか、より明確にして進める必要

がある。

＜肯定的意見＞

○

レーザ法、放電法の両方に十分な成果が上がっている。レーザ法では、集光点

パワーのみ 17 年度末の目標値 10W を未達だが、CO

２

レーザ励起で達成の見通し

が得られている。放電法では、既に 19W で目標クリア。全体として前倒しで進

んでいる。前者は世界トップのデータであり、後者も世界のトップクラスのデ

ータと肩を並べた成果である。

○

LPP で光源を YAG から CO

２

レーザに変えたことは、コスト・信頼性からみて評価

できる。DPP でもコンパクト化により大電流／短パルス化に成功し、目標を達

成している。LPP では Xe ドロップレットで新しい方式を採用した。

○

LPP および DPP のいずれの方法においても世界最高レベルの EUV パワーの出力

に成功しており、また、最終目標達成に向けた方策が具体的に提示されている

ことを高く評価する。

○

計画を約一年前倒しで達成する成果がでている。また、日本独自の技術も提案・

開発されており頼もしい。

○

レーザ法並びに放電法は、ほぼ目標を達成しており、海外にも対抗できるレベ

ルに達している。このまま計画通り進捗すれば、世界最高水準で実用化に足る

技術を達成すると予想される。

○

世界最高レベルの技術開発(LPP①CO

2

+YAG、②Xe ドロップレット供給方式、DPP

③新構造放電ヘッド、④新集光光学系方式、⑤Sn ガス放電方式、等)がなされ

ており、これまでの成果は大いに評価できる。

○

ＬＰＰにおいてプリパルスレーザを用いる方法など、日本独自の技術を開発し、

1-19

世界最高水準の出力を達成しており、高く評価できる。

光源評価は国際的な協力をおこなっており評価できる。

○

１年前倒しで目標を達成し、レーザ法で世界最高値、放電法で世界に並ぶデー

タを達成したことは高く評価できる。

＜問題点・改善すべき点＞

●

いずれの方法においても Sn を使うこと。EUV リソの中で最も信頼性が高く、実

用化に近い技術が確立されつつある。

●

中間目標は達成されると考えられるが、その後実用化に必要な 115W 光源にどの

ように到達するかが見通せない。悲観的ではないが、これから得られる成果を

基に十分議論する必要がある。先にも述べたが、特許調査とこれに基づく具体

的な特許戦略の策定は必ず実施してほしい。

●

開発競争という意味で２方式の並行開発はよいが、LPP、DPP のプロジェクトに

おける選択、判断基準、判断時期、等があいまいであり、開発を加速するとい

う観点で、一本化による集中開発を行うのか、開発投資を up して並行開発を行

うのか、より明解にして進める必要がある。

●

二つの光源方式で効率の定義が異なるのは誤解を生じる、国際的な慣習で仕方

ない面もあるとしても、平等な定義における比較も併記するべきである。

●

集光点パワー115W（最終年度目標は 50w）を達成するには、さらなる研究の進

展が必要。

＜その他の意見＞