プロジェクトの目的 プロジェクトの目的 プロジェクトの目的 プロジェクトの目的

　　 　　 　　

　　

・ ・・ ・EUV露光システム（光源・装置）の基盤技術を開発 露光システム（光源・装置）の基盤技術を開発 露光システム（光源・装置）の基盤技術を開発 露光システム（光源・装置）の基盤技術を開発 　 　

　 　 ・ ・・ ・EUVLの早期実現を目指す の早期実現を目指す の早期実現を目指す の早期実現を目指す

　　　　

事業原簿 P.3-6

Ⅰ.事業の位置づけ ２．目的・位置づけ

3/28 事業原簿 P.4,5

Ⅰ.事業の位置づけ

２．目的・位置づけ

hp45nmノード ノード ノード ノードでの での での でのArF液浸の解像力 液浸の解像力 液浸の解像力 液浸の解像力

高 高 高

高k₁値を要求する複雑な値を要求する複雑な値を要求する複雑な値を要求する複雑なlogicパターンは、パターンは、パターンは、パターンは、45nmノードでは解像は困難。ノードでは解像は困難。ノードでは解像は困難。 単ノードでは解像は困難。単単単 純な

純な 純な

純なFlash等のパターンは低等のパターンは低等のパターンは低等のパターンは低k₁値で解像可値で解像可値で解像可値で解像可 。しかし、低。しかし、低。しかし、低。しかし、低k₁値に起因する複雑な値に起因する複雑な値に起因する複雑な値に起因する複雑な OPCが必要で、マスクコストが極めて高価。が必要で、マスクコストが極めて高価。が必要で、マスクコストが極めて高価。が必要で、マスクコストが極めて高価。一方、一方、一方、一方、EUVLははははk₁値が値が値が値が0.82と高く、と高く、と高く、と高く、

OPCも超解像も不要で、マスク描画コストは低い。も超解像も不要で、マスク描画コストは低い。も超解像も不要で、マスク描画コストは低い。も超解像も不要で、マスク描画コストは低い。

解像度 解像度解像度

解像度=k₁・λ・λ/NA・λ・λ

k₁; プロセスファクタプロセスファクタプロセスファクタプロセスファクタ λ

λλ

λ; 波長波長波長波長、、NA=nsinθ、、 θθθ, n; 屈折率、屈折率、屈折率、屈折率、θθ;θθ光取り込光取り込光取り込光取り込 み角み角み角

み角

解像度向上　　 解像度向上　　 解像度向上　　

解像度向上　　λλλλを小、を小、を小、を小、NAを大、超解像を用いてを大、超解像を用いてを大、超解像を用いてkを大、超解像を用いて ₁を小、を小、を小、を小、

　　しかし、小 　　しかし、小 　　しかし、小

　　しかし、小k₁　　　　単純なパターン　　　　　　単純なパターン　　単純なパターン　　単純なパターン　　 　　

出所 出所 出所

出所:ASML　　　　A. Chen氏氏氏氏

要求される要求される要求される要求されるNA値値値値

液浸領域 液浸領域 液浸領域 液浸領域

OK

解像度解像度 解像度解像度(hp) nm ArF液浸を用液浸を用液浸を用液浸を用

い、各ノードの い、各ノードの い、各ノードの い、各ノードの デバイスの解 デバイスの解 デバイスの解 デバイスの解 像に要求され 像に要求され 像に要求され 像に要求され るる

るるNA値値値値

4/28

EUVリソグラフイ装置、プロセスの諸課題 リソグラフイ装置、プロセスの諸課題 リソグラフイ装置、プロセスの諸課題 リソグラフイ装置、プロセスの諸課題

Ⅱ．マネジメント

１．事業の目標 ^事業原簿P.8

・・・

・ミラー枚数の少ない設計ミラー枚数の少ない設計ミラー枚数の少ない設計ミラー枚数の少ない設計

・

・・

・ケーラー照明ミラーの開発ケーラー照明ミラーの開発ケーラー照明ミラーの開発ケーラー照明ミラーの開発 多層膜鏡の反射率は 多層膜鏡の反射率は 多層膜鏡の反射率は 多層膜鏡の反射率は70%70%70%以下70%以下以下以下

・超低欠陥反射マスク

・超低欠陥反射マスク

・超低欠陥反射マスク

・超低欠陥反射マスク

・欠陥検査修正

・欠陥検査修正

・欠陥検査修正

・欠陥検査修正

・新ペリクル技術

・新ペリクル技術

・新ペリクル技術

・新ペリクル技術

透過型マスクが使えない 透過型マスクが使えない透過型マスクが使えない 透過型マスクが使えない

・高パワー

・高パワー・高パワー

・高パワー ・低デブリ・低デブリ・低デブリ・低デブリ

・低

・低・低

・低エタンデュエタンデュエタンデュエタンデュ

・

・・・ 高繰り返し高繰り返し高繰り返し高繰り返し ・高安定性・高安定性・高安定性・高安定性 新光源の開発 新光源の開発 新光源の開発 新光源の開発

・真空

・真空

・真空

・真空内高速移動内高速移動内高速移動内高速移動ｽﾃｰｼﾞｽﾃｰｼﾞｽﾃｰｼﾞｽﾃｰｼﾞ

・

・・

・超精密超精密超精密アライメント超精密アライメントアライメントアライメント

・チャック

・チャック

・チャック

・チャック ・温度制御・温度制御・温度制御・温度制御 真空中での露光 真空中での露光 真空中での露光

真空中での露光 薄薄薄薄膜レジスト膜レジスト膜レジスト膜レジスト

・表層イメージング技術

・表層イメージング技術・表層イメージング技術

・表層イメージング技術

・アウトガス制御

・アウトガス制御

・アウトガス制御

・アウトガス制御

・ラインエッジラフネス制御

・ラインエッジラフネス制御

・ラインエッジラフネス制御

・ラインエッジラフネス制御

・・・

・高精度非球面ミラー光学系高精度非球面ミラー光学系高精度非球面ミラー光学系高精度非球面ミラー光学系

・研磨製造技術

・研磨製造技術・研磨製造技術

・研磨製造技術

・計測技術

・計測技術・計測技術

・計測技術

レンズ光学系が使えない レンズ光学系が使えない レンズ光学系が使えない レンズ光学系が使えない

自主開発自主開発自主開発 自主開発 ASET EUVA 照明光学系

照明光学系 照明光学系 照明光学系

レジスト レジスト レジスト レジスト マスク マスク マスク マスク

露光システム 露光システム 露光システム 露光システム 投影光学系 投影光学系 投影光学系 投影光学系

EUV光源光源光源光源

・コンタミ制御

・コンタミ制御・コンタミ制御

・コンタミ制御

5/28

1999 2003 2004 2005

光　源 光　源光　源 光　源

装　置 装　置装　置 装　置

光学計測光学計測 光学計測光学計測

総合評価 総合評価 総合評価 総合評価

マスク／

マスク／

マスク／

マスク／

レジストレジスト レジストレジスト

2000 2001 2002 2006

導入評価　 導入評価　 導入評価　 導入評価　 4 W 10 W

2007

NEDO委託研究委託研究委託研究委託研究

光学計測技術 光学計測技術 光学計測技術 光学計測技術

（

（（

（NEDO基盤促委託研究）基盤促委託研究）基盤促委託研究）基盤促委託研究）

マスク・レジストプロセス　（自主研究）

マスク・レジストプロセス　（自主研究）

マスク・レジストプロセス　（自主研究）

マスク・レジストプロセス　（自主研究）

ASET

MIRAI マスク計測技術マスク計測技術マスク計測技術マスク計測技術

50 W

α α α α機機機機 　 　 　 　

EUVA

_{民間自主研究民間自主研究民間自主研究民間自主研究}

NEDO委託研究委託研究委託研究委託研究

SFET フォーカス21

文部科学省リーディングプロジェクト 文部科学省リーディングプロジェクト 文部科学省リーディングプロジェクト 文部科学省リーディングプロジェクト

「極端紫外（ＥＵＶ）光源開発等の先進半導体製造技術の実用化｣

「極端紫外（ＥＵＶ）光源開発等の先進半導体製造技術の実用化｣

「極端紫外（ＥＵＶ）光源開発等の先進半導体製造技術の実用化｣

「極端紫外（ＥＵＶ）光源開発等の先進半導体製造技術の実用化｣

　 　 　

　日本の 日本の 日本の 日本のEUVL開発体制と 開発体制と 開発体制とEUVAプロジェクト 開発体制と プロジェクト プロジェクト プロジェクト

つくばR&Dセンター

Ⅰ.事業の位置づけ

２．目的・位置づけ ^事業原簿P.7

6/28

LPPと と とDPPの光源構造と課題 と の光源構造と課題 の光源構造と課題 の光源構造と課題

DPP^{(放電生成プラズマ放電生成プラズマ放電生成プラズマ放電生成プラズマ)} 2010年年年年 hp45nm量産量産量産量産

真空容器真空容器真空容器 真空容器

デブリシールド デブリシールド デブリシールド デブリシールド 放電

放電放電 放電 ガス ガスガス ガス

電 電 電 電 極極 極極

中間集光点 中間集光点中間集光点 中間集光点:IF

EUV

パルスパルスパルス パルス 電源 電源電源 電源

真空ポンプ 真空ポンプ 真空ポンプ 真空ポンプ

スペクトル純化 スペクトル純化 スペクトル純化 スペクトル純化

プラズ プラズ プラズ プラズママママ (発光点発光点発光点発光点)

30mm

LPP^{(レーザ生成プラズマレーザ生成プラズマレーザ生成プラズマレーザ生成プラズマ)} 液体液体液体

液体Xe供給システム供給システム供給システム供給システム　　多層膜コート　　多層膜コート　　多層膜コート　　多層膜コートC1集光ミラー集光ミラー集光ミラー集光ミラー Xe ジェットジェットジェットジェット

プラズマプラズマ

プラズマプラズマ(発光点発光点発光点発光点) レーザビームレーザビームレーザビームレーザビーム 中間集中間集

中間集中間集 光点 光点 光点 光点:IF

EUV

Xeをををを-液化し、ノズ液化し、ノズ液化し、ノズ液化し、ノズ ルを通してジェット ルを通してジェット ルを通してジェット ルを通してジェット

化化

化化 _{低速粒子低速粒子低速粒子低速粒子}

高速イオン 高速イオン 高速イオン 高速イオン 高速中性粒子 高速中性粒子 高速中性粒子 高速中性粒子

損傷損傷 損傷損傷

汚染 汚染汚染 汚染

反 射 率 低 下 反 射 率 低 下 反 射 率 低 下 反 射 率 低 下 プ

ラズ プ ラ ズ プ ラ ズ プ ラズ マママ マ

デブリデブリ デブリデブリ

LPP発光発光発光発光

2009年年年年 115Wが必要が必要が必要が必要 放電部

放電部放電部

放電部 集光ミラー集光ミラー集光ミラー集光ミラー

放電部材 放電部材 放電部材 放電部材

Ⅱ.マネジメント

１．事業の目標 ^事業原簿P.9, 10,11

ドキュメント内 「EUV」中間評価報告書（案）.PDF (ページ 192-200)