SiGe（シリコン・ゲルマニウム）による
エネルギーを測る Ⅰ 半導体検出器 ( 高純度ゲルマニウム検出器 シリコンドリフト検出器 ) 伊藤真義 財高輝度光科学研究センター 兵庫県佐用郡佐用町光都 谷田 肇 財高輝度光科学研究センター 兵庫県
... 素子を構成する元素の複数の蛍光 X 線に対応するエス ケープピークが現れます。 エ スケープピ ークの大き さは検出す る X 線 のエネル ギーに依存します。半導体素子の K 吸収端の直上のエネ ルギーでは，光電吸収断面積が大きく光電吸収が素子の表 面付近で起きやすくなるために，エスケープピークも大き くなります。高エネルギーになると素子内部での吸収やコ ンプトン散乱による吸収が多くなるので，エスケープピー ...
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シリコンカーバイドパワーMOSFETsの破壊耐量ならびにそのメカニズムに関する研究
... になることによる熱暴走とそれに伴う寄生 npn トランジスタ動作、である。これら三つの破壊原因は素子に 印加される電圧の値に依存し、たとえば比較的低い印加電圧の場合（論文では 400V）はゲート酸化膜劣 化による破壊が、そして電圧が高くなるに従いノーマリ -オン動作（論文では 600V）、そして熱暴走による npn トランジスタ動作による破壊(論文では ...
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切断加工したシリコン単結晶の強度に及ぼす後加工の効果
... 研究成果の概要 シリコン (Si)単結晶はマイクロシステム(MEMS)応用において構造材料として使用されるようになってきたが、その 機械的性質についての基礎データは十分ではない。またシリコン単結晶は高純度で極めて完全性の高い結晶構造を有 するため、機械的性質に及ぼす微構造の影響を調べるには適している。本研究では、シリコン単結晶の機械的性質が ...
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CPUパッケージに搭載可能なTbps級シリコンフォトニクス光送信器技術
... む す び 本稿ではHPCシステムや高性能サーバにおける Tbps級大容量光インタコネクトに向けたSiフォト ニクス光送信器の開発状況を述べた。温度変動環 境においてSi光送信器の低電力動作を実現するた め，Siハイブリッドレーザーとリング装荷型MZ 光変調器を組み合わせた波長制御フリー光送信器 の構成を提案し，試作チップの評価を通じて25 ∼ 60℃における10 Gbps波長制御フリー動作を実証 ...
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機械研磨加工がシリコン単結晶の微構造に及ぼす影響
... 研究分野：材料工学、材料科学 キーワード：シリコン単結晶、研磨加工、透過型電子顕微鏡 1．研究開始当初の背景 医療や情報など様々な分野において、狭小空間で動作可 能なマイクロシステム(MEMS)の開発が期待される。一般的 に MEMS を構成する微小な機械構造部品の材料としては、 シリコン(Si)単結晶が使用される。しかし、Si 単結晶の 機械加工と、それによる形状変化や微構造変化については ...
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3.4 結晶系以外の太陽電池単結晶シリコン及び多結晶シリコン以外の材料を用いた太陽電池の総称である 3.5 結晶系太陽電池半導体材料として単結晶シリコン又は多結晶シリコンを用いた太陽電池をいう 3.6 太陽光発電設備光起電力効果によって太陽エネルギーを電気エネルギーに変換し 負荷に適した電力を供給す
... 半導体材料として単結晶シリコン又は多結晶シリコンを用いた太陽電池をいう。 3.6 太陽光発電設備 光起電力効果によって太陽エネルギーを電気エネルギーに変換し、負荷に適した電力を供給するために構 成した装置及びこれらに付属する装置の総体のことである。本計算方法では、太陽電池アレイのシステム容量 の合計が1kW 以上50kW 未満の設備を対象としている。 ...
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シリコン結晶化過程の分子動力学
... 1.1.2 シリコン結晶 デバイスとして用いられるシリコンの状態は，単結晶，多結晶，アモルファスの三つに分けら れる．デバイスとしての性能は当然結晶性が高いほど良くなるが，その分コストもかかる．一般 にシリコンの結晶状態を作るには，一度融点 (1690K) 近くまで加熱し融解させた後再結晶化させ るため，1400℃以上の温度に耐えうるルツボや石英プレートを用いなければならず，製造コスト ...
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目次 序論 熱電変換 熱電変換材料とその性能 ナノ構造化による ZT 向上 ナノ構造化バルクシリコン 目的... 1 実験方法 プラズマ CVD によるナノ粒子作製 放電
... 41 4.3 先行研究との比較 Figure 4-9 に本研究(酸化を 4 時間行った Si ナノ粒子を用いた試料)および先行研究 44-47 で 作製された試料の各熱電特性の温度依存性を示す．本研究で作製した試料の電気伝導率は 先行研究で作製された試料に比べ低くなった．Bux ら 44 の先行研究と比較するとキャリア 移動度は同程度であるため電気伝導率の差はキャリア濃度の違いによるものと考えられる． ...
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LSI間を高速･高密度･低消費電力で接続するシリコンフォトニクス光トランシーバー
... シリコン（Si）フォトニクスは，既存の半導体 ま え が き クラウドコンピューティングや超大規模計算を 支えるハイエンドサーバ，次世代スーパーコン ピュータに適応するため，計算機の心臓部である CPUは半導体プロセスの微細化による高速化や， 1チップに複数のCPUコアを搭載するマルチコア化 でその処理能力を増大させている。一方で，その ような高性能システムの実現には，CPUの能力だ ...
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資源循環 エネルギーミニマム型システム技術 平成 12 年度採択研究代表者 小林光 ( 大阪大学産業科学研究所教授 ) 新規化学結合を用いるシリコン薄膜太陽電池 1. 研究実施の概要昨年度までの研究で シアノイオン (CN - ) は シリコン中 ( 特に多結晶シリコンやアモルファスシリコン中 )
... 「新規化学結合を用いるシリコン薄膜太陽電池」 1.研究実施の概要 昨年度までの研究で、シアノイオン(CN － )は、シリコン中（特に多結晶シリコンやアモ ルファスシリコン中）の欠陥準位消滅させ、その結果種々のシリコン太陽電池のエネルギ ー変換効率を向上できることを見出してきた。また、CN － イオンによってシリコン/SiO ...
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TC74HC7266AP/AF 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC7266AP,TC74HC7266AF Quad Exclusive NOR Gate TC74HC7266A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS エクスクルーシブ NOR ゲート
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富山大学工学部紀要第 24 巻 1,2 号 1973 n 型ゲルマニウムの光ピエゾ抵抗効果 市村 昭二 On Photo-piezoresistance Effect in n-type Germanium Shoj.i ICHIMURA A new photo-piezoresistance ef
... あるとして実験結果を説明した。 この理論では非等 方性応力が用いられているので本研究のように等方 的静水圧によるPPRE効果を説明する ことは不可能 である。 η型Ge単結晶の場合、 等方的応力を加えて も電子やホールの易 動度に異方性を生ずる ことはな ...
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3C-SiCの部分転位とシリコンのシャフルセット完全転位の移動度に関する反応経路解析
... 第 4 章では、低温・高応力で生成するとされるシリコンのシャフルセット完 全転位の移動度を調べた。低応力域（ひずみ 0～5%）で安定な S1 型の転位芯と 高応力域 （ひずみ 5～17.5%）で安定な S2 型の転位芯を持つシャフルセット 60° 転位のキンク生成及び移動の活性化エネルギーの応力依存性を得た。結果、 S1 転位は高応力域（ひずみ 5～17.5%）で S2 転位の変化することがわかった。S2 ...
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シリコンにおける非弾性変形開始時の局所力学状態に関する分子動力学的研究
... Systems) が挙げられる．この MEMS 技術を利用してマイクロモーターや加速度セン サー，カプセル内視鏡など広範囲にわたるデバイスの作製が可能となっている． 単結晶シリコンは MEMS において最も共通な構成物質の一つであり，マイクロ・ナ ノスケールでの材料特性の研究が活発に行われている．原子間力顕微鏡を利用した単 結晶シリコンナノワイヤの曲げ試験によって，低温では弾性変形から急にぜい性的な ...
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シリコン超集積化システム第165委員会 プログラマビリティを実現する アーキテクチャとその進化
... 8 プロダクトターム方式は、AND出力から出てくる積項を複数のORゲートで共有するこ とができます。すなわち、場合によっては多入力、多出力回路が効率的に実現でき ます。しかし、ANDゲートの数、ORゲートの入力数にかなり余裕がないと、本当に任 意の論理式は実現できません。先にしめした例では、ANDゲートは4つしかないので 積項が4つを越えると実現できなくなってしまいます。プロダクトターム方式は結線の ...
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工場 倉庫 プラント工法 戸建 住宅 マイホーム工法 屋根用高日射反射率塗料 JIS K 5675 準拠 シリーズ シリーズ 弱溶剤系フッ素樹脂 水系フッ素樹脂 弱溶剤系シリコン樹脂 水系シリコン樹脂 弱溶剤系ポリウレタン樹脂
... 4．塗料は内容物が均一になるように撹拌してください。薄めすぎは隠ぺい力不足・仕上がり不良等が起こりますので注意してください。 5．ハケ塗り仕上げとローラー塗り仕上げが混在する場合、塗付量・表面肌が異なる為に若干の色相差がでますので、ハケ塗り部分は希釈を少なくして塗装してください。 6．ローラー塗りの場合、ローラー目は同一方向に揃えるように仕上げてください。ローラー目により色相が異なって見えることがあります。 ...
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日本マイクログラビティ応用学会誌 Vol. 19 No ( ) 原著論文 高周波磁場による FZ( フローティングゾーン ) シリコン融液内自然対流の制御 宗像鉄雄 染矢聡 Control of Natural Convection in FZ (Floating Zon
... と，自由表面近傍に発生していた表面張力に起因する対流 がほぼ完全に抑制されている．一方，さらに印加電流密度 を増加させ，（1/2）J 0 に達すると，表面張力に起因する 対流はほぼ完全に消滅し，高周波磁場によって駆動される 対流が顕著となる．これらの結果は，高周波磁場による対 流制御では，誘導コイルに印加する電流を変化させること により，自然対流の抑制効果および逆向きではあるが対流 ...
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リチウムイオン電池用シリコン電極の1粒子の充電による膨張の観察に成功
... ４．実験の結果、充電反応に伴うシリコンの体積膨張は、理論的に推定されてきた値より大きな膨張を示す ことが明らかとなった。これは、リチウムとシリコンの合金化反応がアモルファス相などを形成しながら 進むためと考えられるが、その詳細なメカニズムについては、更なる検討が必要である。現在、自動車用 途や携帯電話用途でのリチウムイオン電池の規格が定められ、従来、評価の中心であった質量あたりのエ ...
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豊田工業大学ナノテクノロジープラットフォーム LeafLetシリコンと各種物質のナノ微細加工によるハイブリッド化ものづくり
... 設備とシリコン系（ 3 ～ 4 インチ対応）素子の半導体プロセス設備を備えており、企業 で実務 経験のある技術職員が技術指導・委託加工に対応する。また、マ ス クレス 露光装置を導入し、最新設備等の充実も図りつつある。 一方、多種多様なナノテクノロジーを持つ研究室群も連携して支援活動を実施す る 。 研 究 室 群 で は 、 Ⅲ - Ⅴ 族 、 カ ー ボ ン 、 磁 気 材 料 等 を 用 い た ナ ノ 構 造 の ...
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In situウエハ曲率解析によるシリコン上窒化ガリウム成長における応力・結晶品位の制御
... This work has been devoted to the clarification of basic growth mechanism of GaN on Si employing AlN buffer layer and AlN interlayers, including the stress behavior of both GaN and AlN[r] ...
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