文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業
微細加工プラットフォーム
実施機関
ロゴ
問い合わせ：ナノテクノロジープラットフォーム事務局
研究支援部（担当：安田）
E-mail: [email protected]
，
Phone: 052-809-1723
ホームページ
http://www.toyota-ti.ac.jp/kenkyu/nanoplatform/index.html
2017.7
シリコンと各種物質のナノ微細加工によるハイブリッド化ものづくり
豊田工業大学
利用形態と利用料金
1.
技術相談、
2.
技術代行、
3.
技術補助、
4.
機器利用、
5.
共同研究
その他：
２～１０万円の定額伝票払い方式（
2
万円の整数倍。利用者
負担額が定額を超える場合は追加費用が発生）もあります。
支払方法と費用認定は相談に応じ、柔軟に対応します。
表１の対象費目に対し、表２の算出方法で定まる額をご負担頂きます。
・料金表（目安）：
・利用形態：
（詳細については問合せ下さい。）
大学・公的機関 企業
① 装置利用料
② 代行費
対象費目
・その他、出張旅費、宿泊費、食費等は、利用者の負担とする。 ｸﾘｰﾝﾙｰﾑ、研究室所有
装置等の利用
利用者
実費
500～6000
円／時間
1000～6000
円／時間 作業請負
表１
①+②が０～６０万円以下
①+②が６０万１円以上
大学・公的機関 企業
総費用額
利用者
（①+②）×0.75 +③ （①+②）×0.5 +③
（①+②） -15万円 +③
（①+②） -30万円 +③
表２
研究設備
電子ビーム描画装置
クレステックCABL-8200TFE CABL-2000
・Ｓｉ、ガラス等各種基板
（支援登録装置３３台。その他の大学保有装置も利用可能。）
多目的X線回折装置 一式
リガク RINT TTR-3、R-AXIS、Nanoviewer、R-AXIS VII、
マックサイエンス DIP1000
・材料制限は少ない（要相談） ・mmサイズから計測可能
スパッタ（金属、絶縁体） 蒸着装置
芝浦エレテックCFS-4ES（平行平板型）
・所有ターゲット（Ti, Al, Ag,Pd, SiO2,
Al2O3, SiN, Ａｕ）
非接触３次元表面形状・粗さ測定機
Zygo社 NewView 7300 システム（含：フィルム、動的オプ
ション） 白色干渉計、
・材料は不問 ・サイズはステージに載れば可能
利用事例
【基盤技術】
シリコン系プロセス
金
属
高
分
子
化
合
物
半
導
体
カ
ー
ボ
ン
系
磁
性
材
料
シ
リ
カ
系
（研究室群：先端研究者）
（クリーンルーム：技術支援員）
Deep Reactive Ion Etching装置
住友精密工業Multiplex-ASE-SRE-SE
・φ3インチ シリコン用（金属剥き出しサンプルは禁止）
Patterned Ni NPs
a-Si SiO2
Si
To be resonator Cantilever
カンチレバー型振動子の選択結晶化プロセス
103.9kHz
振動子の共振特性
アモルファスＳｉ薄膜堆積後、結晶化促進処理を行い、 カンチレバー型MEMS振動子を試作した。その結晶化 構造と振動子の共振特性との相関を評価した。
CNT on tip
AFM / STM probe
ピエゾ抵抗センサ付きプローブの先端にＣＮＴを成長した。
支援登録装置
【成膜】
・スパッタ（金属，絶縁体）蒸着装置
・電子ビーム（金属）蒸着装置
・分子線エピタキシー装置
・カーボン用プラズマ成膜装置
・原子層堆積装置
【リソグラフィ】
・電子ビーム描画装置
・マスクアライナ装置
・レジスト処理装置（UVキュア，アッシング）
・マスクレス露光装置
【洗浄】
・洗浄ドラフト一式
【熱処理・不純物処理】
・シリコン専用の各種熱処理（酸化，拡散）装置一式
・イオン打ち込み装置
【エッチング】
・Reactive Ion Etching 装置（非Boschプロセス）
・Deep Reactive Ion Etching装置（Boschプロセス）
・気相フッ酸エッチング装置
【その他、後工程】
・ダイシング装置
【計測・分析】
・電界放出形走査電子顕微鏡（FE-SEM）
（電子線後方散乱回折(EBSD)付属）
・デジタルマイクロスコープ
・エリプソメーター
・表面形状測定器（段差計）
・非接触３次元表面形状・粗さ測定機
・シート抵抗測定器
・ライフタイム測定装置
・走査型プローブ顕微鏡
・多目的X線回折装置 一式
・フーリエ変換型赤外分光光度計 一式
・ラマン分光装置 一式
・青色レーザ偏光顕微鏡
発展研究が
『2013年応用物理学会
秋季学術講演会』
Poster Award受賞
マスクレス露光装置大日本科研MX-1204
・5ｍｍ角～150ｍｍ角基板対応
・φ4インチ内の2μｍ L&S 全面描画時間30分程度
クリーンルームを備え、電子線描画や酸化・拡散炉など、微細加工に必要な標準
設備とシリコン系（
3
～
4
インチ対応）素子の半導体プロセス設備を備えており、企業
で実務 経験のある技術職員が技術指導・委託加工に対応する。また、マ ス クレス
露光装置を導入し、最新設備等の充実も図りつつある。
一方、多種多様なナノテクノロジーを持つ研究室群も連携して支援活動を実施す
る 。 研 究 室 群 で は 、 Ⅲ
-
Ⅴ 族 、 カ ー ボ ン 、 磁 気 材 料 等 を 用 い た ナ ノ 構 造 の 加 工 ・形
成・ 評価用の特異的な設備 ・ 装置群を有してお り、先 端研究を推進する研 究者が
支援協力する。プローブ顕微鏡や
X
線計測等による構造評価も迅速に行える。
シリコン微細加工技術と様々な材料のナノ構造体とのハイブリッド化が可能で、
加工・形成・評価等の一連の支援活動が一か所で行えることを特徴とする。
MEMSのSi犠牲層エッチング用に従来は、輸入に頼り高価な
XeF2を使っている。国内生産可能なNOとF
2を用い、F
2 + NO
→ F + FNOのプラズマを使用しない発熱反応により、省エネ
ルギーかつ低コストのエッチングを実現する。
温度によりエッチ
レート、形状、表面
化学組成が変化する。
Gaussian03 B3LYP/6-31 G +(d)
E
tc
h
r
a
te
[
μ
m/
mi
n
]
100
10-1
101
0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
1000/T [K-1]
300 230 27
Temperature, T [°C]
180 110 80 6040
Vertical etch rate, Ev Lateral etch rate, EL
平成24年度『秀いでた
利用６大成果』受賞
③クリーンルーム
利用料
・基本入室料
・ガス、薬品、材料代
実費
田嶋聡美、林俊雄 （名古屋大学）
講習会 の様子
立 体 回 路 基 板 を 、 生 産 性 に 優 れ る フ ォ ト リ ソ グ ラ フ ィ に よ っ て 作 製 可 能 に し た 。 標 準 設 備 （ ス ピ ン コ ー タ 、 平 面 マ ス ク ア ラ イ ナ ） を 使 い 、 垂 直 溝 を 越 え る 配 線パターンを形成した。
幅25µm
40µm 100µm
現像液
壁面パターン
3.現像処理
5. 乾燥
2. 露光（片持ち梁パ ターン形成）
レジスト 支持フィルム
1. 溝付き基板へのレ ジスト膜貼付け
4. リンスと乾燥
UV
水
現像液から水へ
Bドープ
Si 薄膜
111
001 101
