SiC結晶成長と物性制御
In situウエハ曲率解析によるシリコン上窒化ガリウム成長における応力・結晶品位の制御
... This work has been devoted to the clarification of basic growth mechanism of GaN on Si employing AlN buffer layer and AlN interlayers, including the stress behavior of both GaN and AlN[r] ...
187
に資する十分な成果が得られたと判断される 1. 研究プロジェクトの設定および運営 1-1. プロジェクトの全体構想本研究プロジェクトは 半導体結晶を構成する原子の核スピンに関わる新たな物性を調べ 量子情報処理等への応用可能性を探索するものである 半導体物性との関連における核スピンの研究は 1980
... NTT 物性科 学研究所・村木グループ（物理研究・結晶成長グループ）が、核スピン制御に関する研究の 中核を担っており、特に村木グループの持つ結晶成長技術によって、本研究に不可欠な高品 質半導体（主に GaAs 系）を安定的に供給することが可能となっていた。ここにナノプロー ブの操作・開発を得意とする橋本グループ（ナノ ...
9
微視結晶組織を制御した金属ナノ構造とその表面プラズモンの光学特性に関する研究-香川大学学術情報リポジトリ
... ③ 固体ターゲットがあれば、CVD 法などでは必須の原料ガス化過程が不要 ④ 大面積化が容易で、各種金属薄膜や光学薄膜の量産に適している ⑤ 数 nm から数m まで、広いダイナミックレンジで膜厚制御が可能 本研究では、高周波（Radio-frequency: RF）マグネトロンスパッタリング法を採用 した。RF スパッタリング法は、高周波電源を用いて、高周波電力をターゲットに印加 ...
104
The Japanese Association for Crystal Growth (JACG) 日本結晶成長学会誌特集 : 機能性単結晶の最近の進展 Vol. 42, No. 2 (2015) 総合報告 異種基板上の -Ga 2 O 3 の HVPE 成長 大島祐一 1* ガルシアビジョラ 1
... また，どのようなデバイスを作るにしても，多くの場 総合報告 1 国立研究開発法人物質・材料研究機構光学単結晶グループ 〒305-0044 茨城県つくば市並木 1-1 1 Optical Single Crystals Group, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan ...
7
深紫外発光素子の高効率化にむけたAlGaN系半導体の結晶成長とキャリア再結合過程に関する研究
... 大 と 偏 光 度 の 制 御 を 実 現 し て い る ．ま た ，AlGaN QW に お け る 非 輻 射 再 結 合 過 程 を 定 量 的 に 論 じ て お り ， 全 ６ 章 か ら な っ て い る ． 第 １ 章 は 序 論 で あ り ， 本 論 文 の 背 景 と 目 的 ， そ し て 本 論 文 の 構 成 に つ い て 述 べ て い る ． 深 紫 外 光 は ， 水 や ...
4
The Japanese Association for Crystal Growth (JACG) 日本結晶成長学会誌特集 : 固体紫外光源を目指した窒化物半導体結晶成長の最前線 Vol. 41, No. 3 (2014) 解説 昇華法 AlN ウェハー上 HVPE ホモエピタキシャル成長と深紫外
... 小さい（4‐5 cm -1 ）ピークを示した．文献より，ストレ スフリーAlN では E 2 (high)ピークが 657.4±0.2 cm -1 に 観測されることから 21) ，残留歪の無いホモエピタキシャ ル成長および HVPE-AlN ウェハー作製ができたことが分 かった．このことはホモエピタキシャル AlN 層の平坦性 が高く，かつピットおよびクラックフリーであることか らも理にかなった結果である．高分解能 X ...
7
目次 1. はじめに. 人工陶歯 3 3. ジャケットクラウン 4 4. 陶磁器におけると結晶問題. メタル焼付け用 低融ポーセレン Weinsteinらの発明.1 原料. ポーセレン粉末の作製方法と物性.3 メタル用のポーセレン粉末とその特性
... そこで，ソーダ長石（NaAlSi 3 O 8 ）やフラックス成分（CaO，ZnO，B 2 O 3 ）の添加が行われ， 1250～1300℃から900～980℃への低融化が図られた．表１に示した中融，低融ポーセレンは，共 に半透明性を示し，審美性に優れたジャケットクラウンが得られるが，それらの熱膨張係数は８ppm ／℃以下である．これら低熱膨張性のポーセレンに適応できるメタルは，高Pt合金に限られ，この ...
9
The Japanese Association for Crystal Growth (JACG) 日本結晶成長学会誌 日本結晶成長学会創立 40 周年記念特集 第４章 Vol. 42, No. 1 (2015) 歴史的結晶の収集 歴史的結晶の収集 歴史的人工結晶展示事業 島村清史 物材機構 世界
... 最後となりますが，今回の企画展の企画，運営に多大な ご協力をいただきました国立科学博物館の宮脇律郎氏，門 馬綱一氏，南部留美氏，物質・材料研究機構の大島祐一氏， 川村史朗氏に深く御礼と感謝を申し上げます． ...
5
2. 研究の実施状況 (1) 高品質 AlN 厚膜単結晶の作製 1-1 液相成長法サファイア基板上の AlN 膜の成長において, 下図左に示すように今年度当初の段階では, 部分的な AlN 結晶の侵食も見られ, 基板上への全面に成長は至らなかったが, サファイア基板の設置方法, 窒素ガスの吹き込み方
... AlN 成長における N 2 -CO アニールによる AlN 緩衝層制御 第 74 回応用物理学会秋季学術講演会, 京都府京田辺市, 9 月 16-20 日, (2013) (14) Kohei Ueno, Jitsuo Ohta, Hiroshi Fujioka, Masaharu Oshima, Hiroyuki Fukuyama ...
7
報道発表資料 2000 年 2 月 17 日 独立行政法人理化学研究所 北海道大学 新しい結晶成長プロセスによる 低欠陥 高品質の GaN 結晶薄膜基板作製に成功 理化学研究所 ( 小林俊一理事長 ) は 北海道大学との共同研究により 従来よりも低欠陥 高品質の窒化ガリウム (GaN) 結晶薄膜基板
... しかしながら、こうした III 族窒化物半導体を結晶成長するにあたって、現在格 子定数が合致する適当な下地基板が存在せず、サファイア（Al2O3）、炭化シリコ ン（SiC）などが主に利用されています。その結果、形成された III 族窒化物半導 体には、基板との格子定数差に起因した非常に多くの結晶欠陥（転位）が発生しま ...
6
目次. 目次 第 1 章緒言 1.1. 高分子の結晶化と高分子材料物性 1.2. 添加剤が高分子材料の特性に与える影響 1.3. 本研究の目的 1.4. 本研究において用いる実験手法 1.5. 本論文の構成 1.6. 参考文献 第 2 章ポリ乳酸の結晶化に及ぼす可塑
... 3.4. 結論 PLLA/SAE において形成される結晶構造とそのモルフォロジーについて低温から高温まで幅 広い結晶化温度(0–120ºC)によって検討を行った. 高温による結晶化では, α 晶が形成される温 度が homo–PLLA よりも低温側にシフトし, 可塑剤の添加によって結晶型の制御が可能である ことを示した . 一方で, ...
157
微視結晶組織を制御した金属ナノ構造とその表面プラズモンの光学特性に関する研究-香川大学学術情報リポジトリ
... 一方で、表面プラズモン共鳴において、金属の相互作用が非常に強いことは、同時に光 学的損失も大きいことを意味しており、光導波路における伝搬距離やセンサの感度、太陽 電池の光電変換効率に大きな影響を及ぼす。このような光損失の要因の1つに、自由電子の 振動が金属内の格子欠陥や結晶粒界によって妨げられることが挙げられる。この改善策と ...
4
窒化物半導体の展開－結晶基板とデバイス－
... 組成比率を上げる必要があるため、 結晶格子が大きくなり、内部応力が増大し、この内部電界 も大きくなる。このため発光効率が低下し、長波長の光デ バイスの実現が困難であった（図 6、図 7）。これに対する 解決策は既に知られていた。それは、窒化ガリウム結晶に おいて C 面以外の面を用いる事である。C 面は極性面と呼 ばれ、C 面に垂直方向に内部電界が発生し、最も分極の影 響が大きい。しかし、C ...
10
The Japanese Association for Crystal Growth (JACG) 日本結晶成長学会誌特集 : 機能性単結晶の最近の進展 Vol. 42, No. 2 (2015) 総合報告 酸化ガリウム単結晶の光 電子デバイス応用 倉又朗人 1* 飯塚和幸 1 佐々木公平 1 輿
... SIMS 測定によりエピ中に含まれる不純物について調べ た．Fig. 25 に結果を示す．グラフの右側に各元素のバッ クグランドを矢印で示しているが， C，H，Sn，Si につ いては SIMS のバックグランド以上の範囲では信号は検 出されなかった． Cl のみが 10 16 cm -3 の濃度で有意に観測 された．膜厚 12 μm のエピ膜の I-V および C-V 測定によ る電気特性評価より残留キャリア濃度は 10 13 cm ...
11
結晶成長学からの提案
... 時間と共に幅広い結晶化条件をトレースするため，結晶が晶出しやすい．２節で，蒸気拡散法が 結晶化条件のスクリーニングに適した手法であると述べたのは，その理由による．ただし，タンパク 質水溶液は空気相と常に接触しているため，その表面では常に酸化反応が進行する．経験のある 方はよくご存じの通り，タンパク質水溶液の表面に変性したタンパク質の膜が張った状態になる． ...
15
気相法によるZnSe 単結晶成長とその応用
... 。この方法は、輻射冷却を利用するこ とで、種結晶を局所的最低温度とすることにより熱的に安 定化し、再昇華によるボイド発生を抑制しようというもの である。石英アンプル下端に両端面を研磨したサファイア 製ロッドよりなる台座を配置し、種結晶は台座上に配置す る。台座としてサファイアを用いているのは、ZnSe 結晶 成長温度である約 1100 ...
9
形質転換成長因子-β1による血管内皮前駆細胞の分化制御に関する研究
... 結果：血管内皮前駆細胞にTGF-1を7日間投与すると敷石状の形態は平滑筋細胞様の紡錘 状に変化した。RT-PCR法でCD31やvWFの発現が低下し、内皮細胞としての性質が減弱する ことが示された。免疫ブロット法では収縮型平滑筋細胞のマーカーである -smooth muscle actin、calponin、caldesmonが発現するようになった。この変化は成熟内皮細胞 ...
2
結晶
... BaTiO 3 に代表されるペロブスカイト型酸化物強誘電体は ABO 3 の化学式で表され、頂点共有した BO 6 酸素八面体の三次 元ネットワークの空隙に A サイト原子が充填された構造を持 つ。ペロブスカイト型酸化物強誘電体は、A サイト及び B サ イトの陽イオンの種類に応じて、極めて多様な構造相転移を 示す。例えば BaTiO 3 が立方晶（常誘電性）→ 正方晶（強誘 電性） → 斜方晶（強誘電性）→ 菱面体（強誘電性）の複雑 ...
7
薄膜結晶成長の基礎3.dvi
... 算をしなくてはならない． 結晶に働く力 さて，結晶に働く力にはどんなものがあるかと言うと，結晶の表面に外部からの接 触や外場によって働く力を別にしても，表面の吸着原子から働く力，結晶内の転位や 不純物による力，表面にステップなどがあって平らでなくなったために原子間力のバ ...
14
薄膜結晶成長の基礎4.dvi
... おわりに 結晶の平衡形はシンプルなものだが，それでも表面自由エネルギーの異方性を反映 しているので，原子レベルのいろいろな情報が含まれている．実際の結晶やその表面 のステップなどが見せるさまざまな形は，結晶がどのように育ってきたかを反映して さらに多彩である．形態形成の仕組みを知ることは結晶形の制御にとっては不可欠の ...
13