CdTe/CdZnTe半導体の現状
RIETI - 半導体生産方式におけるＵＭＣＪの強さを分析：トヨタ生産方式の半導体版？
... 女たちのレベルは、我が国同業他社の一般技能者を相当に凌駕している。 17 そして、このことを 裏打ちするかのように、ＴＳＭＣ出身の優秀なオペレーターのうちの少なからざる人々が、他社に 生産管理者として異動していくということであった。 18 これらの点に関し、我が国製造業では、同業他社のみならず他業種においても、未だに組 ...
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目次 第 1 部半導体デバイスモデリング... 5 第 1 章序章 研究背景 研究目的 半導体デバイスモデリングとは... 9 第 2 章半導体デバイスの劣化現象 Hot-Carrier-Injection (HCI) とは.
... 文献 [6] で報告されているバイアス電圧に対する最大電界分布を観ると、バイアス電圧 (V GS , V DS ) に対してピーク値を持ち、温度依存性を持っていることが分かる (図 3.12) 。正 確な最大電界関数モデルを求めるためには、 2 次元ポアソン方程式に基づいて導出しなけれ ばならないが、導出過程で様々な境界条件を必要とし、その結果，実験により抽出しなけれ ...
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半導体試験・測定システム
... 第１章 半導体試験・測定 システムの特許技術動向調査の目的と方法 第１節 半導体試験・測定システムの特許技術動向調査の目的 近年、日本近隣の東アジア半導体企業は、半導体製造において世界的価格競争力を獲得 しつつある。その価格競争力を支える要素技術の一つは、開発期間に占める試験・測定時 ...
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窒化物半導体の展開－結晶基板とデバイス－
... 欠陥を低減するために、結晶成長の際の最表面にピット状 の窪みを形成し、その形状を維持して厚く成長するという ものである。その結果、成長の進行と共に、転位は窪みの 中心部分に集合し、その周辺の領域の転位密度を低減する 事が出来る。この手法により、数百 µm 径程度の広さの低 転位領域を形成する事が出来る。もちろんその後、研磨加 ...
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様式 研究成果の概要 窒化アルミニウム (AlN) などの窒化物半導体は, ワイドギャップ半導体として次世代の発光素子, 太陽電池およびハイパワー半導体素子として注目され, 世界的に開発競争が激しい研究分野である. 素子として適応できる窒化物半導体の組成領域を拡大し, その性能を最大限に
... 3 の炭素熱還元窒化挙動について検討し， ZrO 2 を添加すると Al 2 O 3 の蒸発速度が飛躍的に増大することを明らかにした．この現象を 利用して， Al 2 O 3 -ZrO 2 -C 混合ペレットを原料として用いた新しい昇華再結晶法を開発した． 高周波誘導加熱炉内に Al 2 O 3 -ZrO 2 -C 混合ペレットを設置し，2173 K の成長温度で SiC ...
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半導体産業の東アジア域内における棲み分けと分業
... 企業にとって，ファウンドリー専業メーカーの一番のメリットは，ファブレス企業と競合し ない点である。 前述のように，1980 年代にはすでにアメリカで半導体設計専業のファブレス企業が現れ ていたが，TSMC が設立される以前はウエハー加工を行っていたのは IDM のみだったため， IDM に製造を委託するしかなかった。しかし，IDM ...
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ワイドギャップ半導体の光学的特性評価
... た量が異なるという期待どおりの結果であった。転位線 の侵入深さは、 #8000 で 2~300 ナノメートルであったの に対して #4000 では 400 ナノメートルと後者の方が深く まで転位が侵入していたが、 #8000 研磨でも、長時間研 磨（最終試料厚さが薄い）により転位線がより深くまで 到達していることが認められたため精査が必要である。 ラマンスペクトルならびに PL ...
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ワイドギャップ半導体の光学的特性評価
... 3．研究の方法 GaN 系試料として、サファイア基板上ならびに Si 基 板上にヘテロ成長した GaN 単結晶薄膜、HVPE 法によ ってヘテロ成長した後、基板から剥離したバルク単結晶 を用意した。結晶成長は約 1000℃の高温で行われるた め、基板との熱膨張係数差により、加工前のサファイア 基板上試料は圧縮歪みを、 Si 基板上試料は引っ張り歪 ...
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半導体技術分野の重要技術説明資料
... Ⅲ−21 度なサービスが可能になるであろう。 SoC 混載用不揮発性メモリ システムオンチップ（SoC）は今後の電子機器の高付加価値化を支える中核的な半導体デバイ スである。高性能で小型であることから、据え置き型電子機器と並んでモバイル機器に多用され る。そのため、今後ますます、SoCには低消費電力長時間動作と、電源ON・OFFにより瞬時に ...
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第 7 章有機薄膜太陽電池の基礎 目次 第 7 章有機薄膜太陽電池の基礎 有機薄膜太陽電池の原理 有機薄膜太陽電池の構造 有機半導体活性層 半導体 有機半導体と活性層 太陽
... 7.6 ウェットプロセスでの有機薄膜太陽電池 7.6.1 ウェットプロセスの重要性 有機薄膜太陽電池は他の太陽電池と比べて低コストに作製できるという利点があ る。それは有機薄膜太陽電池では電子輸送層、活性層を溶液プロセスにより塗って 作るということが可能であるためである。しかしながら、金属電極作製には真空蒸 着やスパッタなどの真空プロセスを用いることが主流である。そのため製膜コスト ...
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半導体結晶の光学的評価：光学スペクトルから結晶を観る
... る（誘電関数の振動子強度 f に相当する）。さらには、基底関数と光の偏光ベクトル e との関係 から、光学遷移の偏光選択則を導出することができるが、ここでは誌面の都合上省略する。 ５．バンド構造に対する格子歪み効果 結晶のバンド構造を評価する際に、格子歪みによるバンド構造の変化に関する知見は極めて ...
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Microsoft PowerPoint - 第2回半導体工学
... 炭素と水素の結合 メタンの例 Q：メタンの分子式はCH 4 である。炭素原子の中で， 結合に寄与している電子の量子状態を答えなさい。 また，下記の図は炭素 Cの基底状態の電子配置であ ...
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Microsoft PowerPoint - 第11回半導体工学
... GaAs、GaInPおよびGaNの各バンドの有効質量と透明になる電子-正孔対濃度 GaAs Ga 0.5 In 0.5 P GaN 伝導帯電子の有効質量 m e /m 0 0.067 0.105 0.2 価電子帯軽い正孔の有効質量 m lh /m 0 0.082 0.14 0.33 価電子帯重い正孔の有効質量 m hh /m 0 0.45 0.48 1.66 ...
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太陽電池と半導体ｐｎ接合
... • 一方、V OC と記したのは 開放電圧 です。開放電圧は、 図の❷に示すように、太陽電池から電流を取りださ ずに電圧計で測定した電圧です。 • 取りだせる電力は、実際の電圧－電流関係が曲線 状になっているので、点線で示した長方形の面積 VOC×ISCより小さな電力しか取りだせません。 • 図の❸に示すように、太陽電池に負荷抵抗RLをつ ...
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Al基近似結晶における半導体形成の可能性に関する研究
... 第４章では、三つめの目的に対する研究成果として、 C 2 相と他の 13 族元素と遷移金属 からなる金属間化合物の電子状態を統一的に記述できる枠組みを見出すことに成功して いる。C 2 相、AlIr、RuAl 2 、RuGa 3 、の価電子帯の形成機構をクラスターと関連付けて 説明するモデルを見出し、価電子バンド数に関する規則を見つけた。さらに、AlIr に対 ...
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パーソナルコンピュータを用いた半導体中トラップの評価システムの製作
... 1 .はじめに 現代の半導体産業における、デバイスの集積度と 歩留まりの向上は、数年前に比べ確実に進歩してい る。その背景には、デ八、イスの基板として使われる S i や GaAs なとの半導体材料の品質向上とウェ ーハー中に含まれる欠陥密度の抵下と減少などがあ げられる。さらにデバイスの集積度の向上と歩留ま りを向上させるために現在も研究が行なわれている。 しかし、[r] ...
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1.WSTS 2018 年春季半導体市場予測について <2018 年 6 月 5 日 ( 火 )15:00 公表文 > 〇 WSTS(WORLD SEMICONDUCTOR TRADE STATISTICS: 世界半導体市場統計 ) の 2018 年春季半導体市場予測会議が 5 月 22 日 ~24
... 〇 WSTS（WORLD SEMICONDUCTOR TRADE STATISTICS：世界半導体市場統計）の2018年 春季半導体市場予測会議が、5月22日～24日の3日間、ウィーンで開催された。予測会議は 年2回、5月と11月に開催される。WSTSに加盟している半導体メーカは現在43社である。 〇 ...
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半導体製造装置プロセス管理技術
... 法 の 発 明 で あ る が 「 プ ロ グ ラ ム あ る い は 記 憶 媒 体 特 許 」 と し て 取 得 す る こ と に よ っ て 、特 許 権 行 使 の 対 象 を 広 げ る こ と が で き る 。な ぜ な ら 、 「 製 造 方 法 」の 発 明 と 「 プ ロ グ ラ ム あ る い は 記 憶 媒 体 」 で は 、 訴 訟 の 相 手 方 が ...
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米中摩擦懸念も IoT ビッグデータなどの情報爆発で構造変化続く 半導体: 産業のコメから社会基盤全体のコメへ改めて拡大続く 半導体製造装置: 半導体生産増受け前工程中心に 2019 年も拡大 産業用ロボット: インダストリ 4.0 無人化 省力化需要高まる 工作機械: 高機能自動車 半導体製造に不
... も本格拡充させている。また研削工程を省くスカイビング加工機などは多品種少量生産効 率を格段に向上させる可能性を秘めている。さらに 3D 金属加工機も投入が始まり、ソディ ック、松浦機械（未上場）は専用機を販売、従来では加工不可能な形状の金型製作が可能と なっている。さらにレーザー加工機もファイバーレーザー搭載で多機能な加工で威力を発 揮、アマダ、三菱電機など、レーザー発振器も内製し、さらなる機能向上を図っている。こ ...
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半導体設計支援（EDA）技術
... A の研究・開発を行うだけの成果が期待できなければ強化する意味がない。汎用 的なツールでは既存の ED A ベンダがきわめて優位であり、コストを考慮すればそれ以上の成 果を上げるのは難しいと思われる。しかし、用途を特化して既存ツールにない独自ツールの 開発に注力すれば、ED A のみならず、ED A ...
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