CVT 法による ZnSe 結晶成長
気相法によるZnSe 単結晶成長とその応用
... る。PVT 法は、単純な昇華法であり比較的大型の結晶が得 やすいが、結晶品質に問題があった。またアンドープ成長 であるため得られる単結晶は高抵抗であり、LED 用基板と して用いるためには、結晶成長後に不純物である Al（アル ミニウム）を結晶中に導入して導電性を付与することが必 要であった。一方、CVT ...
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The Japanese Association for Crystal Growth (JACG) 日本結晶成長学会誌特集 : 機能性単結晶の最近の進展 Vol. 42, No. 2 (2015) 総合報告 異種基板上の -Ga 2 O 3 の HVPE 成長 大島祐一 1* ガルシアビジョラ 1
... EFG 法による 2 インチ基板が市販されている．しかしな がら，EFG 法による -Ga 2 O 3 単結晶の育成には高価なイ リジウム製のルツボやダイが必要であり，基板が大口径 化するほどコストが急増するという問題がある．その１ つの解決策は， -Ga 2 O 3 の単結晶膜をサファイアのよう な安価で大口径な基板上に形成し， -Ga 2 ...
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報道発表資料 2000 年 2 月 17 日 独立行政法人理化学研究所 北海道大学 新しい結晶成長プロセスによる 低欠陥 高品質の GaN 結晶薄膜基板作製に成功 理化学研究所 ( 小林俊一理事長 ) は 北海道大学との共同研究により 従来よりも低欠陥 高品質の窒化ガリウム (GaN) 結晶薄膜基板
... 形成を行えることになるわけです。 4. 研究成果の意義 低結晶欠陥（転位）GaN 基板は、短波長発光素子、特にレーザー寿命を飛躍的 に改善する方法として待ち望まれたものです。短波長レーザーは、光ディスクの記 録密度の向上、微細加工装置の小型化・高精度化など様々な工業分野において有望 視されています。低欠陥・高品質の基板を低コスト、かつ生産性良く供給すること は、短波長レーザーの開発を大いに進歩させることにつながります。 ...
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2. 研究の実施状況 (1) 高品質 AlN 厚膜単結晶の作製 1-1 液相成長法サファイア基板上の AlN 膜の成長において, 下図左に示すように今年度当初の段階では, 部分的な AlN 結晶の侵食も見られ, 基板上への全面に成長は至らなかったが, サファイア基板の設置方法, 窒素ガスの吹き込み方
... サファイア基板上の AlN 膜の成長において，下図左に示すように今年度当初の段階では，部分的な AlN 結晶の侵食も見られ，基板上への全面に成長は至らなかったが，サファイア基板の設置方法， 窒素ガスの吹き込み方法ならびに微量成分（酸素，炭素など）の濃度について検討した結果，大口 径（2.5 インチ）基板上全面への AlN 成長技術を確立することができた． ...
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中国乾燥地ポプラ造林木の肥大成長と二次木部内結晶分布との関連性
... 結品の分布はテリハドロとペキンハコヤナギのすべての構成要素である道管要素，木部繊 維，放射柔細胞，軸方向柔細胞に確認された。 以上のことから，中国乾燥地ポプラ造林地では水分条件を改善することによって，二次木部 内に生成する結晶の少ないポプラ材を生産できると考えられる。また 水分条件を改善しなく てもペキンハコヤナギを造林していくことによって，より結晶の少ないポプラ材を生[r] ...
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解 説 ハイドライド気相成長法による高品質 GaN 結晶の育成 碓井 彰 1 砂川 晴夫 1 鷲見 紀彦 1 山本 一富 1 耿 慧遠 1 山口 敦史 2 Growth of High Quality GaN by Hydride Vapor Phase Epitaxy Akira USUI 1,H
... なければならない．HVPE 法による GaN の選択成長に関し ては ，当時報 告例がな かった が，HVPE 法で 試したと こ ...ろ，比較的簡単に実現することができた．そこで，3.1の手 法で 作製 したサ ファ イア基 板上 に MOVPE 法で成 長し ...
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The Japanese Association for Crystal Growth (JACG) 日本結晶成長学会誌特集 : 機能性単結晶の最近の進展 Vol. 42, No. 2 (2015) 総合報告 酸化ガリウム単結晶の光 電子デバイス応用 倉又朗人 1* 飯塚和幸 1 佐々木公平 1 輿
... 倉又・飯塚・佐々木・輿・増井・森島・後藤・熊谷・村上・纐纈・マンホイ・上村・東脇・山越 ：酸化ガリウム単結晶の光・電子デバイス応用 136 – 30 – 日本結晶成長学会誌 Vol. 42, No. 2, 2015 動で行った． Fig. 17 より，電流密度 1 kA/cm 2 ( If＝900 mA)の大電流駆動においても光出力が飽和してないこと が分かる． If＝900 mA ...
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結晶Si太陽電池モジュール発電性能劣化に関するメカニズム解明と加速試験法確立
... 5.2.1. 太陽電池モジュール構成部材 本章で用いた太陽電池モジュールの構成部材を表5.1に示す。また太陽電池モジュールの 外観を図5.1に示す。太陽電池モジュールは400 mm×400 mmの4セルミニモジュールとした。 太陽電池セルは、サイズが156 mm×156 mm、セル厚さが t = 180 μm、3本バスバーのp型 の多結晶シリコンセルでPID対策をしていないセルと対策してあるセルを使用した。配線材 ...
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2. X 線による三軸応力測定理論 2. 1 デバイリングによる応力測定法結晶構造をもつ物質にX 線が入射したとき, 式 (1) に示すBraggの条件を満たす結晶において回折現象が生じる. 2d sinθ= nλ (1) ここで, d : 格子面間隔 θ:bragg 角 n : 整数 λ:x 線の
... 前に0.175 rad(10° )を超えている．これは通常の軸 受の Rdq (0.017 ～0.070rad)よりはるかに大きい数 値である． Rdq の大きい表面の突起接触部に生じる接 触圧力は，いずれの荷重条件でもSUJ2材が支えられ る限界値を超えると推測される．したがって，荷重の 増加は局所的な接触圧力には影響を与えず，真実接触 面積の増加にのみ影響を与えることがX線による分析 でも認められた．これが， σ eq ...
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深紫外発光素子の高効率化にむけたAlGaN系半導体の結晶成長とキャリア再結合過程に関する研究
... は 結晶 の 性 質上 の 問題 か ら， 劈 開 方向 が 一意 に 決定 さ れ るた め ， 面内 偏 光 度の よ り正 確 な制 御 が 不可 欠 とな る ．そ こ で ，本 章 では 理 論計 算 と 実験 結 果 を比 較 し なが ら 議論 を 行い ， 実 際の 素 子作 製 時お け る 構造 設 計指 針 を提 示 し てい る ． その 結 果， 半 極性 （r 面）AlGaN/AlN QW で ...
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パワーデバイス応用のための表面活性化手法による単結晶SiC の接合
... 本論文では、以上の成果をもとに、下記のような極薄バワーデバイス、およ び、All-SiC MEMS 製造の新規プロセスを提案した。 すなわち、極薄デバイスについては、高品位 SiC 単結晶ウエハの薄化のため の SiC キャリアウエハとの直接接合ならびに分離プロセスを行うことが必要で ある。しかし、従来の親水化処理に基づく SiC のウエハ接合はいずれも 1000℃ 近い高温処理が必要で、かつ界面には SiO 2 ...
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高効率Geベース多接合太陽電池に向けたInGaAs/GaAsP超格子の設計・評価および結晶成長に関する研究
... （高効率Geベース多接合太陽電池に向けたInGaAs/GaAsP超格子の設計・評 価および結晶成長に関する研究） 氏 名 藤井 宏昌 Terrestrial application of III-V based multi-junction solar cells under concentrated sunlight is an innovative solar photovoltaics concept ...
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混合研究法による助産師の心的外傷体験の実態：PTSD，レジリエンス，心的外傷後成長との関連
... 点満点でレジリエンスのレベルを測定する。尚，本研 究でのα係数は.94であった。 ４）PTGを測定する尺度：PTGI-J-SF Taku, Calhoun, Tedeschi, et al. （2007）によって信頼 性 ・ 妥 当 性 が 検 証 さ れ た Posttraumatic Growth In- ventory – Short Form の日本語版（以下 PTGI-J-SF）を 用いた。PTGI-J-SF の基となる ...
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ラット上皮成長因子(EGF)受容体に関する研究 : RACE法によるEGF受容体3'末端cDNAのクローニング
... 0.7 kbの cDNAはチロシンキナーゼドメインをコードする らしいがその配列は明らかでない.ラットの全長 型EGFRのチロシンキナーゼドメインをコードす る3 ' 側のC 末領域(上記⑤)からポリ A までの配 列に関しては全く報告されていない(国1 c ). 本研究は，ラット EGFRの未知C末端部分のアミ ノ酸配列を明らかにすることを目的とし，既知の リガンド結[r] ...
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ナノ多結晶ダイヤモンド球状圧子による微小破壊強度評価技術
... 発した。これは球状のNPD圧子を試料に押し込み、弾性変 形によって亀裂が発生する荷重を破壊強度（耐亀裂性）の 指標とする方法である。この評価技術のポイントは、高強 度で等方的な機械特性を有するNPDを圧子に用いた点であ る。これにより、ダイヤモンド関連材料に対しても圧子を 破損することなく、高精度にかつ簡便に微小破壊強度を評 価できるようになった。この評価技術を用いて、各種の工 ...
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動的計画法による確率的経済成長モデルの数値解析
... 6 外生的状態変数 Z t の動学過程の離散化については近年さまざまな研究が報告されている。持続性が高 い AR 過程 （あるいは固有値が 1 に近い値をとる過程）については Tauchen （1986）法が効果的でないこ とが報告されている （Tauchen, 1986, Tauchen and Hussey, 1991, および Flodén, 2008）。もちろん，持続性 が高い AR ...
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改良垂直ブリッジマン法によるBi系銅酸化物高温超伝導単結晶の育成に関する研究
... 5倍周期：5ａ≒27．0Å）が4倍周期（：4ａ≒21．6Å）に変化し、部分的に歪んだ構造が多数存在す るようになった為であることが分かった。 又、・これとは別にａｓ－ｇｒＯＷｎ Ｂｉ系超伝導ウイスカー表面近傍には、超伝導発現に重要である ＣｕＯ2面のＣｕの価数が＋2価以下に減少した非超伝導層が15～30Å程度存在していることが分 かった。この非超伝導層の存在はａｓ－ｇｒ[r] ...
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薄膜結晶成長の基礎2.dvi
... 分子線エピタキシ (molecular beam epitaxy: MBE) などの成長条件では，結晶表 面に入射した原子 ( あるいは分子，以下同様 ) は，結晶表面を拡散によって動き回る が， 2 度と蒸発することなく結晶化する．その過程で起きる 2 次元核生成は，過飽和 度が非常に高いため，平衡状態から大きく外れている．前節の議論のように平衡状態 ...
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薄膜結晶成長の基礎3.dvi
... 図 3.4: 原子をバネでつないだ結晶格子のモデル．格子が歪む前には，ステップ位置 の原子には矢印の力が隣接原子から働く [4] ． は何も生じないはずである．半無限の原子層の場合には，そのエッジのステップの部 分以外では余計な力は打ち消しあって働かないはずだから，結局ステップのところに だけ力の双極子が並ぶことになる．このことは次節で具体的な弾性格子のモデルを見 ...
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薄膜結晶成長の基礎4.dvi
... なデコボコは消えて，表面は (1.25) 式で表されるこの温度の相関長 ξ 程度の幅をもっ たステップでできた状態になる ( 図 4.2) ．ここからステップの運動によるゆっくりと した緩和がはじまる． 全体が大きな平らな面であれば，その上にあるステップで囲まれた島や穴のうち小 さいものから順に収縮して消滅し，面全体が平らになっていくであろう．環境相との ...
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