• 検索結果がありません。

超高真空用スリット機構の

超高真空実験用スパッタ蒸着源の聞発

超高真空実験用スパッタ蒸着源の聞発

... Electron Diffraction;LEED)な どを使用 して ,団 体表 面領域の分析 ,そ して特に金属薄膜の成長過程 ,お よび シリサイ ドの形成過程の研究を行 うために超高真空装置 用のスパ ッタ源の製作を行 い ,そ のスパ ッタ源を用いて , 金属並びに半導体の薄膜生成実験を行った。 1.1 スパ ッタ リングの薄膜形成過程 電界 によ り加速 [r] ...

14

商品特長 1. パワースリット構造 が実現する高打出しの飛びクラウンの パワースリット と ソールリブの相乗効果で クラウンのたわみの最大化を追求することで 高打出しを実現し ビッグキャリーの飛びを生み出します 上記はドライバーイメージ図です FW UT も同様の構造です 2. ヘッドスピードを上げ

商品特長 1. パワースリット構造 が実現する高打出しの飛びクラウンの パワースリット と ソールリブの相乗効果で クラウンのたわみの最大化を追求することで 高打出しを実現し ビッグキャリーの飛びを生み出します 上記はドライバーイメージ図です FW UT も同様の構造です 2. ヘッドスピードを上げ

... メーカー希望小売価格は、ドライバーが 1 本 58,000 円+税、フェアウェイウッド(#3、5、7)が 1 本 32,000 円+税、ユーティ リティ(U2、3、4、5)カーボンシャフト仕様が 1 本 27,000 円+税、スチールシャフト仕様が 1 本 23,000 円+税です。 なお既に、近藤共弘選手、宮里藍選手ほか、多く当社契約選手が同ドライバーを使用開始しており、その飛距離性能 ...

5

移植した幹細胞の高感度イメージングが可能な研究用試薬、幹細胞ラベリング用超低毒性量子ドット「Fluclair™」試薬の開発

移植した幹細胞の高感度イメージングが可能な研究用試薬、幹細胞ラベリング用超低毒性量子ドット「Fluclair™」試薬の開発

... ン 低毒性量子 ッ Fluclair TM 試薬開発 名古屋大学大学院工学研究科生命分子工学専攻 馬場 嘉信 教授 湯川 博 特任講 師 同研究科応用物質化学専攻 鳥本 司 教授 同大学院医学系研究科医療技術学専攻 石川 哲也 教授 研究 ープ 国立研究開発法人日本医療研究開発機構 (AMED) 支援 ※1 下 4K 8K プ や太陽電池 応用 い 最先端 量子 ッ 技術 ...

2

M I Y U K I 真空バルブ Vacuum 高排気を考慮したコンダクタンス設計 逆圧 大気圧 / 真空 でも余裕のあるシール性能 Valves 総合カタログ

M I Y U K I 真空バルブ Vacuum 高排気を考慮したコンダクタンス設計 逆圧 大気圧 / 真空 でも余裕のあるシール性能 Valves 総合カタログ

... BAR 特 長 GAR 特 長 ■構造がシンプルなバタフライバルブ。 ■排気特性に優れたゲートバルブ。 ■25A~250Aまで幅広い口径に対応。 ■80A~400Aまで幅広い口径に対応。 ■金属摺動部が無く低パーティクルを実現。 ■停電時もフルクローズシール可能。 ■極低騒音で開閉およびコントロール動作。 ■極低騒音で開閉およびコントロール動作。 ...

124

3B-a2 SMES 先進超電導電力変換システム用 SMES 冷却システム Study of cryogenic system in advanced superconducting power conditioning system 槙田康博 ( 高エネ機構 ); 新冨孝和 ( 日大 ); 津田理

3B-a2 SMES 先進超電導電力変換システム用 SMES 冷却システム Study of cryogenic system in advanced superconducting power conditioning system 槙田康博 ( 高エネ機構 ); 新冨孝和 ( 日大 ); 津田理

... E-mail: [email protected] 1.はじめに イットリウム系(Y 系)電導コイルを実機に適用する際,パ ンケーキコイルを複数積層する構成を想定している.Y 系線 材は線材幅が選択可能であり,幅広線材を使用する場合,運 転電流は大きくなるが,パンケーキ数を減らすことができる.し かしながら線材幅が広くなると,長手方向に流れる電流が幅 ...

17

JAIST Repository: STM真空ギャップ中の電子定在波測定の高感度化とその応用

JAIST Repository: STM真空ギャップ中の電子定在波測定の高感度化とその応用

... STM 真空ギャップ中電子定在波測定感度化とその応用 亀田 宗伸(富取研究室) 次世代集積化半導体デバイス製造を実現するためには、原子レベルで平坦かつ欠陥がなく、有機物・ 金属に汚染されていない Si 表面を作成することが必要である.Si 水素終端化は、Si 表面活性なダングリング ...

2

高速繰り返しパルス磁石と高フィネスFabry Pérot共振器を用いた真空複屈折の探索

高速繰り返しパルス磁石と高フィネスFabry Pérot共振器を用いた真空複屈折の探索

... この節では磁石系について述べる。まず磁石系全体セットアップを図 3.20 に示す。 クリーンブース外に設置された駆動電源から流れる電流は電圧同軸ケーブルを介して磁 石直上電極まで運ばれる。電極と磁石は自作した同軸ロッドを用いて接続されており電 極まで 流れた電流は磁石に伝えられる。この際、電極低圧側はカレントトランス内を通しているため、 ...

139

適応同定と予測制御を用いた半導体製造用超精密ステージの高速・高応答制御手法

適応同定と予測制御を用いた半導体製造用超精密ステージの高速・高応答制御手法

... SPIDER 同定モデルは 2 次 ARX モデルであ るため積分項、粘性項を考慮にいれている。よって摩擦変化つまり静止摩擦から動摩擦へ 変化 , 動摩擦から静止摩擦へ変化時にストライベック領域を経由する。 このストライ ベック領域において摩擦特性(摩擦状態遷移)が変化する。つまり対象が変動したとみ なし忘却要素が 1 ...

104

自動車足回り用超高強度鋼板の溶接部の疲労強度向上  (児玉真二,石田欽也,松田和貴,小川正裕)(7.15 MB)

自動車足回り用超高強度鋼板の溶接部の疲労強度向上  (児玉真二,石田欽也,松田和貴,小川正裕)(7.15 MB)

... ここでは,疲労強度に及ぼす継手形式影響について述 べた。その結果,重ね隅肉継手に対し,突合せ継手は疲労 強度観点で極めて有効であることが確認された。しかし, 突合せ継手を現状アーク溶接にて安定して製造するは 困難であるため,今後,部材精度向上ため成形技術や レーザアークハイブリッド溶接等接合プロセス等総合 ...

10

研究用 RNAscope / BaseScope ~ 超高感度 in situ ハイブリダイゼーションシステム ~ RNAscope Multiplex Fluorescent Assay: Three-plex detection of glutaminergic neurons, Vglut1

研究用 RNAscope / BaseScope ~ 超高感度 in situ ハイブリダイゼーションシステム ~ RNAscope Multiplex Fluorescent Assay: Three-plex detection of glutaminergic neurons, Vglut1

... TM アッセイに最適化されたハイブリオーブン本体 (ワーク保障あり)と、システム性を高めたスライドホルダーや洗浄トレイ一式 セット品になります。 Code ...x さ ) , 重量 321710 HybEZ TM II Hybridization System With EZ-Batch TM Slide System ¥563,000 28 x 40 x 21 cm , ...

12

JAIST Repository: ギガ帯域インターネットにおける電子指紋の超高速・高精度検出と超高速検索

JAIST Repository: ギガ帯域インターネットにおける電子指紋の超高速・高精度検出と超高速検索

... さらに計算基盤として,GPGPU 利用や Network on Chip を実現するため階層型相 互結合網についても研究を行った.現実相 互結合網は,コア間結合,チップ間結合,ボ ード間結合,キャビネット間結合など,階層 によって物理的特性が大きく異なる.つまり, チップ内コア間結合は,非常に高速で低消費 電力,低レイテンシである反面,キャビネッ ...

7

金属を超高純度化すると?

金属を超高純度化すると?

... Torr 真空中 で溶融することによって、鉄純度を高め、インゴット にするというである。その溶解炉は図 1 に、溶製した 純度鉄インゴットは図 2 に示すとおりである。純 鉄インゴット純度は 34 種不純物元素を分析して ...1.4ppm ...

5

4K超高精細映像のための伝送手法の確立

4K超高精細映像のための伝送手法の確立

... と 接続交渉 • 設定時影響が甚大でリスクが大きい 一点目設計経路 ISP と接続交渉は, VLAN 接続で使用,使用する日時およびネットワーク帯域 打診を行い,接続可否と実際工数について検討 する必要がある.また,この交渉は設計した経路にあ たる全て ISP ...

15

[1] 太陽高エネルギー粒子加速機構の解明

[1] 太陽高エネルギー粒子加速機構の解明

... 器ネットワークにより観測を行い、これまで10例 太陽フレア中性子からベキ加速描像を得た。 05 年 9 月 7 日に起こった X17 クラス太陽フレ ア時に、メキシコとボリビア2箇所で、初太陽 中性子エネルギー分布測定に成功した。その 結果、フレア加速においてエネルギーイオン が電子よりも長時間にわたって存在していること ...

5

超硬エンドミル ユニマックスシリーズ UTCOAT 4枚刃高能率縦横送り 部品加工用スクエアエンドミル

超硬エンドミル ユニマックスシリーズ UTCOAT 4枚刃高能率縦横送り 部品加工用スクエアエンドミル

... ●切刃に直接触れると怪我をすることがありますので、ケースから抜き取る際は十分ご注意ください。 ●エンドミルを落とした場合、飛散した刃先で怪我をすることがありますので、取扱にご注意ください。 ●工具へ衝撃的負荷や工具損傷により切削抵抗が急増し、工具が飛散することがありますので、安全カバーや保護めがね等保護具をご使用ください。 ...

16

JAIST Repository: 超高真空TEM-AFMを用いた清浄な原子スケール金属接点力学特性の解明

JAIST Repository: 超高真空TEM-AFMを用いた清浄な原子スケール金属接点力学特性の解明

... 円 13,200,000 研究成果概要(和文):水晶振動子共振周波数シフトを用いた力計測を組み込んだTEM-AFMホルダーを設 計・開発し、金ナノ接点ヤング率について直径依存性を明らかにした。この力計測法は、水晶振動子高い共 振周波数、および、高いバネ定数を活用することで、極めて小さな振幅でも原子スケール傾きを計測でき ...

7

超高真空対応温度可変型マニピュレータの作製と改良
																																			
								
									利用統計を見る

超高真空対応温度可変型マニピュレータの作製と改良 利用統計を見る

... とで,フィラメントで消費電力を設定する。前面パネル左端にあるトグルスイッチで,/0358 非反転入力端子に抵抗分割して入力する信号源を切り替える。2つ選択肢うち1つは,+ 10 9に固定された内部信号であり,他1つは外部汎用温度調節器から制御信号(0−109)である。 ...

11

製品情報 LIF 471 V/481 V 高真空用オープンタイプリニアエンコーダ 02/2021

製品情報 LIF 471 V/481 V 高真空用オープンタイプリニアエンコーダ 02/2021

... ることできます。残留ガス分析では、サンプル 入った真空チャンバーを少なくとも10 –6 hPa になるまで排気し(排気速度15 l/s~200 l/s ターボ分子ポンプ使用)、質量分析計(Pfeiffer 社製QMA 200)および絶対圧センサ(VACOM 社製ATMION)を用いて残留ガスを測定しま す。チャンバー内残留ガス標準値を引き算 ...

6

真空制御の最適解 従 来 の 高 真 空 バ ル ブ の 信 頼 性 は そ のままに 多 彩 な プロセスを実現する圧力制御機能を追加しました あらゆる業種 用途の真空制御に新しいご提案です 真空圧力制御バルブ ⅠAVB Series 高真空バルブ 圧力制御 全閉動作が可能 信頼性の高い真空バルブ

真空制御の最適解 従 来 の 高 真 空 バ ル ブ の 信 頼 性 は そ のままに 多 彩 な プロセスを実現する圧力制御機能を追加しました あらゆる業種 用途の真空制御に新しいご提案です 真空圧力制御バルブ ⅠAVB Series 高真空バルブ 圧力制御 全閉動作が可能 信頼性の高い真空バルブ

... ■ 配線時、誘導ノイズが印加されないよう、大電流や 強磁界が発生している場所や本機以外大型モー タ動力線と同一配管、配線(多芯ケーブルによる) とならないようにしてください。また、ロボットな どに使用されますインバータ電源及び、配線部(同 一配線・配管不可)にもご注意ください。同電源 フレームグランドを施し、出力部にはフィルターを 必ず挿入してください。 ...

16

AA11419398 50 p1 超高真空溶解によるアルミニウムの7Nレベルの高純度化Hiroshima Kokusai Gakuin University AA11419398 50 p1

AA11419398 50 p1 超高真空溶解によるアルミニウムの7Nレベルの高純度化Hiroshima Kokusai Gakuin University AA11419398 50 p1

... k<1 元素は試料上部Aから 試料中央付近にあたるDE部へ 向かって減少し,さらに下部に 向かって増加している。一方, k>1 元素は k<1 元素傾向 とは逆に,上部Aから試料中央DE部 へ向かって増加し,さらに下部に向 かって減少している。上部濃度分布 は偏析によるものと考えられ,下部 ...

7

Show all 10000 documents...

関連した話題