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半導体製造に

Vol. 69, 10, 小特集 : ものづくりを支える洗浄技術 (Ⅱ) 半導体製造に用いられる超純水と機能水の最新動向 矢野大作 a オルガノ ( 神奈川県相模原市南区西大沼 4 4 1) a Latest Trends of Ultrapure Water a

Vol. 69, 10, 小特集 : ものづくりを支える洗浄技術 (Ⅱ) 半導体製造に用いられる超純水と機能水の最新動向 矢野大作 a オルガノ ( 神奈川県相模原市南区西大沼 4 4 1) a Latest Trends of Ultrapure Water a

... 最高グレードの超純水が求められている。また,半導体製造 用いられる薬品使用量の低減や,電子材料の多様化対応 するため,超純水をベース洗浄力を高めた水である機能水 の用途も拡大している。本稿では半導体製造用いられる超 純水および機能水について,その定義や性質を概観した後, ...

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米中摩擦懸念も IoT ビッグデータなどの情報爆発で構造変化続く 半導体: 産業のコメから社会基盤全体のコメへ改めて拡大続く 半導体製造装置: 半導体生産増受け前工程中心に 2019 年も拡大 産業用ロボット: インダストリ 4.0 無人化 省力化需要高まる 工作機械: 高機能自動車 半導体製造に不

米中摩擦懸念も IoT ビッグデータなどの情報爆発で構造変化続く 半導体: 産業のコメから社会基盤全体のコメへ改めて拡大続く 半導体製造装置: 半導体生産増受け前工程中心に 2019 年も拡大 産業用ロボット: インダストリ 4.0 無人化 省力化需要高まる 工作機械: 高機能自動車 半導体製造に不

... 261 億ドル上方修正され、12.4%増の 4634 億ドル予測とし、調査ごとの上方修正が続いて いる。また 2019 年についても拡大を続け、4.4%増の 4837 億ドル予想とした。16~19 年 にかけ4年連続の前年比プラスとなる予想であるが、02~07 年にかけ 6 年連続で成長して 以来のスーパーサイクルへの期待が膨らむ。スマートフォン向けの伸びは鈍化するものの、 ...

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半導体試験・測定システム

半導体試験・測定システム

... 第1章 半導体試験・測定 システムの特許技術動向調査の目的と方法 第1節 半導体試験・測定システムの特許技術動向調査の目的 近年、日本近隣の東アジア半導体企業は、半導体製造において世界的価格競争力を獲得 しつつある。その価格競争力を支える要素技術の一つは、開発期間占める試験・測定時 ...

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ディスクリート半導体の基礎

ディスクリート半導体の基礎

... •本製品は、特別高い品質・信頼性が要求され、またはその故障や誤作動が生命・身体危害を及ぼす恐れ、膨大な財産損害を引き起こす恐れ、も しくは社会深刻な影響を及ぼす恐れのある機器(以下“特定用途”という)使用されることは意図されていませんし、保証もされていません。 ...

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太陽電池と半導体pn接合

太陽電池と半導体pn接合

... 太陽電池のエネルギー回収期間は? • エネルギーペイバックタイム(エ ネルギー回収時間)とは、太陽 電池を製造するため使うエネ ルギーを太陽光発電によって 回収するため、どのくらいの 時間が必要かを表す数値です 。エネルギーペイバックタイム は、システムを構成するすべて の機器類の製造エネルギーと 、システムから毎年得られる発 電量の比率から計算されます。 ...

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半導体製造装置プロセス管理技術

半導体製造装置プロセス管理技術

... 例 取 る と 、 装 置 レ シ ピ は 、 技 術 的 は 製 造 方 法 の 発 明 で あ る が 「 プ ロ グ ラ ム あ る い は 記 憶 媒 体 特 許 」 と し て 取 得 す る こ と よ っ て 、特 許 権 行 使 の 対 象 を 広 げ る こ と が で き る 。な ぜ な ら 、 「 製 造 方 法 」の 発 明 と 「 プ ロ グ ラ ム あ ...

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ディスクリート半導体の基礎

ディスクリート半導体の基礎

... • 本製品を分解、解析、リバースエンジニアリング、改造、改変、翻案、複製等しないでください。 • 本製品を、国内外の法令、規則及び命令により、製造、使用、販売を禁止されている製品使用することはできません。 • 本資料掲載してある技術情報は、製品の代表的動作・応用を説明するためのもので、その使用に際して当社及び第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を行うもの ...

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[NE ハンドブックシリーズ]  パワー半導体

[NE ハンドブックシリーズ]  パワー半導体

...  SiCの採用が鉄道分野で活発化している理由は、主 四つある。第1、鉄道車両システムの電力損失低減が 可能なること。例えば、三菱電機の試算では、Siダイ オードを利用した場合と比較して、鉄道車両システム全 体で約30%の損失低減つながるという。第2、イン バータ装置そのものを小型・軽量化できること。発熱が 減るため、冷却機構などを小型化可能だからだ。三菱電 ...

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2. 個別の動向 1 業況判断業況判断は 製造業 非製造業とも横ばい感が強いなか 悪化とする企業が増えた 製造業は 変化なし とする企業の割合が高い 自動車 半導体関連 スマートフォン関連で 良くなった とする企業がある一方 原燃料価格の高騰等により 悪くなった とする企業の割合が増加した 非製造業

2. 個別の動向 1 業況判断業況判断は 製造業 非製造業とも横ばい感が強いなか 悪化とする企業が増えた 製造業は 変化なし とする企業の割合が高い 自動車 半導体関連 スマートフォン関連で 良くなった とする企業がある一方 原燃料価格の高騰等により 悪くなった とする企業の割合が増加した 非製造業

... 平成29年1-3月期地域経済産業調査~全体総括(1/2)~ ○全体景況 (緩やか改善している) ・生産は、輸送機械が海外需要の伸びや新型車効果により増産し、電子部品・デバイスも 車載向け・スマートフォン向けを中心堅調推移。個人消費は、衣料品の不振が継続して いるものの、高額商品動き。 ...

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< 添付資料 1> Blu-spec CD2 の特徴 原盤材料に半導体製造用シリコンウエハーを採用ガラス原盤に比べ表面の粗さが約 1/6 に激減 欠陥も最小で 超安定カッティングに寄与 記録層を フォトレジスト( 光記録 ) から 金属酸化物レジスト ( 熱記録 ) に正確な熱コントロールで より理

< 添付資料 1> Blu-spec CD2 の特徴 原盤材料に半導体製造用シリコンウエハーを採用ガラス原盤に比べ表面の粗さが約 1/6 に激減 欠陥も最小で 超安定カッティングに寄与 記録層を フォトレジスト( 光記録 ) から 金属酸化物レジスト ( 熱記録 ) に正確な熱コントロールで より理

... ※NO.101 は『Blu-spec CD2』+通常 CD の 2 枚組。同じマスターから製造した 2 枚のディスクで比較試聴できるコンピレーション盤 2012 年 12 月 19 日発売 3 タイトル 109 ロック:紙ジャケ再発 EICP-30001 ¥2,205 ジョー・ストラマー & ザ・メ スカレロス X-レイ・スタイル 110 ロック:紙ジャケ再発 EICP-30002 ¥2,205 ジョー・ストラマー ...

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RIETI - 半導体生産方式におけるUMCJの強さを分析:トヨタ生産方式の半導体版?

RIETI - 半導体生産方式におけるUMCJの強さを分析:トヨタ生産方式の半導体版?

... 「今やこの産業も他の一般の製造業と同じく、徹底した効率向上のみがコスト削減、つまり利 潤の増大の Key となってきたのである。それ半導体は特別なのだという固定観念、神 話を打破することが大事であるが一部その動きも出始めている。」(STRJ(2002)) 本論の目的は、以上の現状認識基づきつつ、我が国半導体デバイスメーカーの製造・生 ...

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半導体レーザによる降雪センサの開発

半導体レーザによる降雪センサの開発

... 5. 1LD 方式の開発 2LD 方式では双方の光源によるシート光重複部分、も しくはシート光が届かない領域が発生する。したがって、 LD とレンズを 1 組限定する必要があり、レンズシ リンドリカルレンズを用いた LLD を製作した。内部構造 を Fig. 7 、仕様を Table 2 示し、本方式による LLD を LLD384-1LD と称する。 ...

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事例 4 エーエスエムエル ホールディング エヌ ビーとサイマー インクの統合 第 1 本件の概要本件は, 半導体製造の前工程 ( 注 1) で使用される露光装置の製造販売業を営むエーエスエムエル ホールディング エヌ ビー ( 本社オランダ ) を最終親会社とする企業結合集団 ( 注 2)( 以下

事例 4 エーエスエムエル ホールディング エヌ ビーとサイマー インクの統合 第 1 本件の概要本件は, 半導体製造の前工程 ( 注 1) で使用される露光装置の製造販売業を営むエーエスエムエル ホールディング エヌ ビー ( 本社オランダ ) を最終親会社とする企業結合集団 ( 注 2)( 以下

... 4 秘密情報の入手 (1) 秘密情報の入手が競争与える影響 光源メーカーと露光装置メーカーは,製品の開発・製造・販売当たり,製品 の開発に関する情報,製品の仕様に関する情報,顧客に関する情報等,様々な秘 密情報を共有している。そのため,本件統合後,サイマーがASMLを通じて, ASMLとA社との間で共有されているA社の秘密情報を入手し,又は,ASM ...

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RIETI - 汎用技術としての半導体

RIETI - 汎用技術としての半導体

... 業務設計と組織構造 インターフェイスの抽象化と各モジュールの分権化は、半導体製造装置メーカーの登場 によって強まった。これも最初は半導体メーカーの使っている装置を外販するものだった が、次第に専業メーカーがあらわれ、特に半導体露光装置ではニコン・キャノンの 2 社で 世界のシェアの半分以上を占める至った。しかし最近では、半導体露光装置でも部品の ...

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通信用半導体レーザの開発

通信用半導体レーザの開発

... は、リン系化合物の成長適し、均一性や柔軟性 優れると共に、基板面内で選択的な成長が可能といった 利点を有する成長方法で、それらの潜在能力の高さが実証 されるにつれ、ほとんどの半導体レーザの製造用いられ るようなった。我々は、OMVPE 技術を半導体レーザ開 発の基盤となる要素技術と位置付け、リアクター構造やガ ...

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概要 GaN 系半導体デバイスとして レーザー 高輝度 LED パワー半導体が関心を集め 研究対象となっているが これらデバイスは GaN 基板を必要とする場合が多い GaN 単結晶の製造が技術的に困難なため GaN 基板は極めて高価で GaN 基板を利用したデバイスの実用化を阻んでいるとされている

概要 GaN 系半導体デバイスとして レーザー 高輝度 LED パワー半導体が関心を集め 研究対象となっているが これらデバイスは GaN 基板を必要とする場合が多い GaN 単結晶の製造が技術的に困難なため GaN 基板は極めて高価で GaN 基板を利用したデバイスの実用化を阻んでいるとされている

... 現状では、 CVD プロセスを利用する気相成長法(HVPE 法)、超臨界アンモニアを利用するア モノサーマル法、 Na 融液を利用する Na フラックス法などが研究されている。 GaN は結晶成長時の晶癖のため、特に+C 軸方向成長させると円錐型直径がどんどん減少 し、長い単結晶が取れないという問題もある。このため、単結晶から数枚~ 10 枚程度の基板しか ...

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中国上海・蘇州地域における半導体産業集積

中国上海・蘇州地域における半導体産業集積

... 17 示した通りである。 同パークは,教育機関や研究開発センターの立地でも高度な集積を誇っている。半導体 を含むエレクトロニクス産業分野では,教育機関としては, 「北京大学上海微電子研究院(北 京大学上海マイクロエレクトロニクス研究院) 」, 「精華大学上海微電子中心(精華大学上海 マイクロエレクトロニクス・センター)」 , 「復旦大学微電子学院(復旦大学マイクロエレク ...

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SEAJ( 日本半導体製造装置協会 ) JAMP( アーティクルマネージメント推進協議会 ) 共催 環境情報専門委員会 chemsherpa 導入講座 ( 化学物質管理 ) 及び chemsherpa 入門講座 ( データ作成方法 ) 一般社団法人日本半導体製造装置協会 Semiconductor

SEAJ( 日本半導体製造装置協会 ) JAMP( アーティクルマネージメント推進協議会 ) 共催 環境情報専門委員会 chemsherpa 導入講座 ( 化学物質管理 ) 及び chemsherpa 入門講座 ( データ作成方法 ) 一般社団法人日本半導体製造装置協会 Semiconductor

... 11. その他上記カテゴリー含まれない電気電子機器 例: RoHS2 DIRECTIVE 2011/65/EU OF THE EUROPEAN PARLIAMENT AND OF THE COUNCIL of 8 June 2011 on the r estriction o f the use of certain h azardous s ubstances in electrical and electronic ...

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博士論文 パワー半導体製造工程における高温熱処理と シリコン結晶欠陥の研究 A study on high-temperature annealing and silicon crystal defects for power semiconductor manufacturing process

博士論文 パワー半導体製造工程における高温熱処理と シリコン結晶欠陥の研究 A study on high-temperature annealing and silicon crystal defects for power semiconductor manufacturing process

... 影響” ,パワーデバイス用および関連半導体材料に関する研究会(第3回), 日本学術振興会結晶加工と評価技術第145委員会,p. 129-131,(2013). (8)H. Nakazawa, M. Ogino, H. Teranishi, Y. Takahashi, and H. Habuka, “ Crystalline Defects in Silicon Wafer Caused by Nitrogen ...

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SiC半導体

SiC半導体

... 内製減圧CVD装置の概略図をFig. 5示す。原料ガ スはSi源SiH 4 ,C源C 3 H 8 を用いる。キャリアガス H 2 により,これら原料ガスを反応管内へ導入し,サセ プタ上で加熱された基板へSiCをエピタキシャル成長 させる。パ−ジガスは窒素がn型のド−パントとな るため,Arを用いる。また窒素は大気中多く存在す ...

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