半導体などに
様式 研究成果の概要 窒化アルミニウム (AlN) などの窒化物半導体は, ワイドギャップ半導体として次世代の発光素子, 太陽電池およびハイパワー半導体素子として注目され, 世界的に開発競争が激しい研究分野である. 素子として適応できる窒化物半導体の組成領域を拡大し, その性能を最大限に
... 率よく外部へ取り出せる．現在，窒化物半導体用基板としては，サファイア，SiC，GaN などが候 補として挙げられるが，紫外発光素子用基板材料として，格子整合性および紫外光透過率の観 点から，AlN 単結晶が最良の基板候補である．AlN 結晶基板は，主に昇華再結晶法で作製される が，2000 ...
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研究成果の詳細 ( 背景 ) 3) 金属や半導体のゼーベック効果注によって温度差を直接電気に変換できる熱電変換は, 工場や火力発電所, 自動車などの廃熱を直接電気エネルギーに変換する, クリーンなエネルギー変換技術として注目されています この熱電変換技術に利用できる半導体 (= 熱電変換材料 ) の
... 半導体の電子の動き易さを活かした半導体二次元電子ガス 注 2） が，既に実用化されている熱電変換材 料に比べ 2～6 倍も大きな熱電変換出力因子を示すことを発見しました。二次元電子ガスとは，電子 が溜まったナノメートル（nm）オーダーの極めて薄い層のことです。ここ数年，米国や中国で性能の ...
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米中摩擦懸念も IoT ビッグデータなどの情報爆発で構造変化続く 半導体: 産業のコメから社会基盤全体のコメへ改めて拡大続く 半導体製造装置: 半導体生産増受け前工程中心に 2019 年も拡大 産業用ロボット: インダストリ 4.0 無人化 省力化需要高まる 工作機械: 高機能自動車 半導体製造に不
... 261 億ドル上方修正され、12.4％増の 4634 億ドル予測とし、調査ごとの上方修正が続いて いる。また 2019 年についても拡大を続け、4.4％増の 4837 億ドル予想とした。16～19 年 にかけ４年連続の前年比プラスとなる予想であるが、02～07 年にかけ 6 年連続で成長して 以来のスーパーサイクルへの期待が膨らむ。スマートフォン向けの伸びは鈍化するものの、 ...
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ごあいさつ 当社は 1960 年に日本における合成ゴムの国産化を始めて以来 順調に業容を拡大し 現在では 合成 With chemistry, we can. ゴム 合成樹脂などの 石油化学系事業 および半導体材料 フラットパネル ディスプレイ材料 戦略事業などの 多角化事業 をグローバルに展開して
... レジストや配向膜といった材料に加え、タッチパネルや導光 板、カメラモジュール用材料等の開発も行っており、総合的な ディスプレイ材料メーカーとして貢献しています。 JSRの半導体材料は、独自の高分子技 術や感光性材料技術を柱として、世界 中の半導体メーカーや半導体製造装 置メーカーなどとのネットワークを活 用することにより、常に最先端の分野 ...
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1. 概要有機半導体は 現在 主に用いられているシリコンなどの無機半導体と比べて以下の特長があり 次世代トランジスタなどエレクトロニクス素子への応用開発研究が盛んに行われています 1 塗布法 印刷法といった簡便かつ比較的低温での作製が容易 2 薄型 3 低コスト 4 プラスティック RFID タグや
... 〔1〕 「塗布結晶化法」による世界最高速の印刷できる CMOS 回路集積技術 東京大学グループが開発した「塗布結晶 化法」は、有機半導体を溶液で塗布すると 同時に結晶化させて膜にすることができる 簡便な手法です。今回新たに開発した方法 では、フィルム基板上に一様な p 型及び n 型の有機単結晶薄膜を成長し、チャネル長 5 m の有機トランジスタから成る高速化回 ...
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USB Type-CTM対応ディスクリート半導体
... 本製品は、特別に高い品質・信頼性が要求され、またはその故障や誤作動が生命・身体に危害を及ぼす恐れ、膨大な財産損害を引き起こす恐れ、もしくは 社会に深刻な影響を及ぼす恐れのある機器（以下“特定用途”という）に使用されることは意図されていませんし、保証もされていません。特定用途には ...
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Microsoft PowerPoint - 第6回半導体工学
... Q シリコンの pn接合に関する以下の問題に答えなさい。 (1)p型におけるアクセプタ濃度N A が， n型におけるドナー濃度N D に比 べて無視できるくらい少ないとする。空乏層は主にどちらの層に存 在するか？ ...
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太陽電池と半導体ｐｎ接合
... 太陽電池のエネルギー回収期間は？ • エネルギーペイバックタイム（エ ネルギー回収時間）とは、太陽 電池を製造するために使うエネ ルギーを太陽光発電によって 回収するために、どのくらいの 時間が必要かを表す数値です 。エネルギーペイバックタイム は、システムを構成するすべて の機器類の製造エネルギーと 、システムから毎年得られる発 電量の比率から計算されます。 ...
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半導体製造装置プロセス管理技術
... 程 に お い て 間 接 的 に 用 い ら れ る 技 術 で あ り 、 半 導 体 製 造 メ ー カ 自 身 が 公 表 し な い 限 り 、 外 部 か ら そ の 内 容 を 知 る こ と は で き な い 。 製 造 物 そ の も の を 見 て も 、 ど の よ う な 管 理 技 術 が 使 わ れ て い る か を 判 定 す る の は 難 し い 。 そ の 点 で は ...
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RIETI - 汎用技術としての半導体
... のように物理的な回路が抽象化され、論理的なプログラムと切り離されることによって、 半導体のモジュール化は急速に進んだ。 チューリング・マシンのような論理的なモデルでは、命令をソフトウェアで書くのも回 路で実現するのも同じことだが、実装するコストには大きな違いがある。初期の IC のよう ...
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通信用半導体レーザの開発
... し （1）〜（3） 、その後の研究開発、製造に用いてきた。 2 − 2 量子井戸構造の開発 GaInAsP のような化合 物半導体は、その組成を変えることで格子定数とバンド ギャップを変化させることができるが、バンドギャップの 異なる 2 つの薄層を交互に積み上げると、電子・正孔がバ ンドギャップの低い層に閉じ込められる構造ができる。バ ...
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スピントランジスタの基本技術を開発 ― 高速・低消費電力、メモリにもなる次世代半導体 ―
... z スピンMOSトランジスタは、微細化によらず高速化でき、低消費電力、不 揮発性など優れた特長がある。トランジスタをいくつも用いるSRAMをスピ ンMOSトランジスタ一つに置き換えることも可能。さらに、製品完成後に 回路の再構成が可能なため、FPGAのような利便性も持つ。 ...
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半導体技術分野の重要技術説明資料
... であることを前提として設計される現在の電子機器とは異なって、電源を常 に Off にした状態を基準として数マイクロ秒単位で必要なときのみ電源を On にするノーマリ ー・オフ的な電子機器が実現される。このような電子機器には劇的な低消費電力化が期待できる。 さらには、回路の微細化に伴った益々重大な問題となるメモリユニットと論理ユニットの間のグ ...
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貿易関係を変える日韓企業のサプライチェーン－電子・半導体産業にみる求心力と遠心力
... 企業（主にサムスン電子、SKハイニックス） に納入する設備のメンテナンスをはじめとし たサポート、品質管理が中心である。半導体 製造装置は一般的な製造業の設備と比較し て、①前工程・後工程で製造過程が多岐にわ たること、②技術面での標準化が進んでいな いこと、③製品サイクルが短いこと、などの 特殊性があるため、故障などによるパーツの ...
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第 7 章有機薄膜太陽電池の基礎 目次 第 7 章有機薄膜太陽電池の基礎 有機薄膜太陽電池の原理 有機薄膜太陽電池の構造 有機半導体活性層 半導体 有機半導体と活性層 太陽
... 7.6 ウェットプロセスでの有機薄膜太陽電池 7.6.1 ウェットプロセスの重要性 有機薄膜太陽電池は他の太陽電池と比べて低コストに作製できるという利点があ る。それは有機薄膜太陽電池では電子輸送層、活性層を溶液プロセスにより塗って 作るということが可能であるためである。しかしながら、金属電極作製には真空蒸 着やスパッタなどの真空プロセスを用いることが主流である。そのため製膜コスト ...
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「世界初、高出力半導体レーザーを8分の1の狭スペクトル幅で発振に成功」
... 885nm 帯の LD スタックを開発することで、固体レーザーの高効率化と高性能化を図り、大出力 レーザーの開発を進めます。 実験では、共振に最適設計した VBG を用いて、LD の駆動電流が 100A の時、合波した LD スタックのスペクトル幅が 2.59 nm から 0.31 nm （8.4 分の 1）に減少し、出力効率は 80.4% でピークパワーは 581W ...
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日本の半導体 R&D コンソーシアムの将来展望 SIRIJ 技術委員長 ( 株 ) 日立製作所半導体グループ技師長 下東勝博 STRJ WS: March 3, 2003
... ２） 最先端技術の「壁」の共同克服 ２） 最先端技術の「壁」の共同克服 ２） 最先端技術の「壁」の共同克服 ２） 最先端技術の「壁」の共同克服 ・国研、大学との交流・連携し、半導体の基盤技術の確立と人材の育成 ・国研、大学との交流・連携し、半導体の基盤技術の確立と人材の育成 ・国研、大学との交流・連携し、半導体の基盤技術の確立と人材の育成 ...
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中国上海・蘇州地域における半導体産業集積
... (2) 上海IC設計インキュベータ 8 上海 IC 設計インキュベータ（ICDI）は，2000 年 8 月に設立され，IC 設計業専門のイン キュベータとしては全国初である。2005 年 12 月には，国家科学技術部より国家級の創業 育成センターとして認定された。一部は上海市科学技術委員会と黄埔区政府の支援を受け ている。ICDI ...
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セイコーエプソン半導体製品品質保証ガイドブック Rev.1.5
... 本資料のご使用につきましては、次の点にご留意願います。 本資料の内容については、予告無く変更することがあります。 1. 本資料の一部、または全部を弊社に無断で転載、または、複製など他の目的に使用することは堅くお断りいたします。 2. 本資料に掲載される応用回路、プログラム、使用方法等はあくまでも参考情報であり、これら起因する第三者の権利（工業所有権 ...
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窒化物半導体の展開－結晶基板とデバイス－
... 特別論文 得ることが出来た。 それに対して、1980 年台末から大きな進展を見たのが、 窒化ガリウム（GaN）を初めとする窒化物系の化合物半導 体である。これは、前述の化合物半導体と同じⅢ-Ⅴ族半導 体であり、Ⅲ族元素として Ga、In、Al からなるが、Ⅴ族 元素がそれまでとは違った N（窒素）で構成されている。 しかも結晶構造は、六方晶系のウルツ型であり、前述の GaAs 系、InP ...
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