日本の半導体 R&D コンソーシアムの将来展望 SIRIJ 技術委員長 ( 株 ) 日立製作所半導体グループ技師長下東勝博 STRJ WS: March 3, 2003

(1)

STRJ WS: March 3, 2003 STRJ WS: March 3, 2003

日本の半導体Ｒ＆Ｄコンソーシアムの将来展望

ＳＩＲＩＪ技術委員長

(株)日立製作所　半導体グループ　技師長

下東　勝博

(2)

目　　次

１．　緒　言

２．　半導体産業の転換点

３．　競争と協調　　－　コンソーシア

４．　コンソーシア　－　米国と日本

５．　日本の半導体コンソーシアの現状と将来展望

６．　結　言

(3)

１．　緒　言

(4)

２．　半導体産業の転換点

(5)

STRJ WS: March 3, 2003

地域別半導体市場推移

0%

5%

10%

15%

20%

25%

30%

35%

40%

45%

50%

1

984 ₁

985 ₁

986 ₁

987 ₁

988 ₁

989 ₁

990 ₁

99

1

992 ₁

₁

993 ₁

994 ₁

995 ₁

996 ₁

997 ₁

998 ₁

999 ₂₀₀₀

₂₀₀

1

米国欧州日本ｱｼﾞｱ太平洋出典：WSTS WSTS地域別半導体出荷実績地域別半導体出荷実績地域別半導体出荷実績地域別半導体出荷実績 0 500 1,000 1,500 2,000 2,500 3,000 3,500 4,000 4,500 5,000 20 01 /2 /1 20 01 /2 /1 20 01 /2 /1 20 01 /2 /1 20 01 /3 /1 20 01 /3 /1 20 01 /3 /1 20 01 /3 /1 20 01 /4 /1 20 01 /4 /1 20 01 /4 /1 20 01 /4 /1 20 01 /5 /1 20 01 /5 /1 20 01 /5 /1 20 01 /5 /1 20 01 /6 /1 20 01 /6 /1 20 01 /6 /1 20 01 /6 /1 20 01 /7 /1 20 01 /7 /1 20 01 /7 /1 20 01 /7 /1 20 01 /8 /1 20 01 /8 /1 20 01 /8 /1 20 01 /8 /1 20 01 /9 /1 20 01 /9 /1 20 01 /9 /1 20 01 /9 /1 20 01 /1 0/ 1 20 01 /1 0/ 1 20 01 /1 0/ 1 20 01 /1 0/ 1 20 01 /1 1/ 1 20 01 /1 1/ 1 20 01 /1 1/ 1 20 01 /1 1/ 1 20 01 /1 2/ 1 20 01 /1 2/ 1 20 01 /1 2/ 1 20 01 /1 2/ 1 20 02 /1 /1 20 02 /1 /1 20 02 /1 /1 20 02 /1 /1 20 02 /2 /1 20 02 /2 /1 20 02 /2 /1 20 02 /2 /1 Ｂ＄米州欧州日本アジア

米国 ⇒

⇒

⇒ 日本

日本 ⇒

⇒

⇒ 米国

米国 ⇒

⇒

⇒ ｱｼﾞｱ

⇒

(6)

半導体のＧＤＰ、電子機器に対する年次変化

(出典：Proc.　IEEE, Vol.87, p.537, 1999 )

10

1

11

1

10

10 1970

1970

－1

1980

1990

2000

2010

2020

1

10

2

10

3

10

4

10

5

全世界ＧＤＰ

全電子機器産業生産高

全半導体生産高

投資額

マイクロプロセッサ生産高

DRAM

DRAM生産高

生産高

（年）

生産高

（

生産高

（

生産高

（

生産高

（

BBBB

＄）＄）＄）＄）

17%CAGR 9% CAGR 4.5% CAGR

(7)

0

20

40

60

80

100

120

140 1940

1945

1950

1955

1960

1965

1970

1975

1980

1985

Semiconductor Market Compared

to Steel Production

ST

EEL PROD

UCT

ION (M

t/Y

ear)

〔〔〔 〔60〕〕〕〕 〔〔〔〔70〕〕〕〕 〔〔〔80〕〕〕〕〔〔〔〔〔90〕〕〕〕 〔〔〔〔00〕〕〕〕

YEAR FOR SEMICONDUCTOR

U.S.

JAPAN

CHINA

KOREA

(8)

STRJ WS: March 3, 2003 利益率推移 -10 -5 0 5 10 15 20 25 97年 98年 99年 00年 01年％半導体世界26社携帯電話他 PC WS、オフコン他売上高推移 0 20,000 40,000 60,000 80,000 100,000 120,000 140,000 160,000 180,000 200,000 97年 98年 99年 00年 01年Ｍ＄／年

世界の半導体と半導体応用３機器の売上高と利益率推移

（出所：矢野経済研究所）

(9)

半導体産業の転換点

支出増／支出減相反施策の推進

一過性ではない

新製品・新技術の

スピーディな開発

高コスト体質の

解消

(10)

３．　競争と協調　－　コンソーシア

(11)

競争と協調の時代

－ CO-OPETITION － A.M.Brandenburger and B.J.Nalebuff 1996

半導体業界

SUPPLIER

製造装置業界材　　料　業界

CUSTOMER

システムハウス

COMPLEMENTOR

　　　　官　・　学

COMPETITOR

　グローバル競争

テクノネットワーク

(12)

Ａ　　　　　　　　Ｂ　　　　　　

　Ｃ

テクノネットワークテクノネットワークテクノネットワークテクノネットワーク　　・　官　　・　官　　・　官　　・　官　　・　学　　・　学　　・　学　　・　学　　・　関連業界　　・　関連業界　　・　関連業界　　・　関連業界

過

　

去

過

　

去

過

　

去

過

　

去

過

　

去

過

　

去

過

　

去

過

　

去

将

　

来

将

　

来

将

　

来

将

　

来

将

　

来

将

　

来

将

　

来

将

　

来

パ

ホ

ー

マ

ン

ス

パ

ホ

ー

マ

ン

ス

パ

ホ

ー

マ

ン

ス

パ

ホ

ー

マ

ン

ス

パ

ホ

ー

マ

ン

ス

パ

ホ

ー

マ

ン

ス

パ

ホ

ー

マ

ン

ス

パ

ホ

ー

マ

ン

ス

Ａ　　　　　　Ｂ　　　　　　Ｃ

(13)

４．　コンソーシア　－　米国と日本

(14)

米国

1982

　

SRC 設立

設立

：

：：

：

大学への共同研究委託大学への共同研究委託大学への共同研究委託大学への共同研究委託

1987　

　

　SEMATECH設立

　

設立

：

：：

：

国が半分出資、当初は国が半分出資、当初は国が半分出資、当初は国が半分出資、当初はDRAM開発、途中で製造装置評価に変更開発、途中で製造装置評価に変更開発、途中で製造装置評価に変更開発、途中で製造装置評価に変更

　　（

　　（1992　

　

　NTRS：：：：

半導体技術ロードマップ開始、半導体技術ロードマップ開始、半導体技術ロードマップ開始、半導体技術ロードマップ開始、1998年より国際化：年より国際化：年より国際化：年より国際化：

ITRS

に）に）に）に）　　　　　　　＜日米の半導体シェアが逆転＞　　　　　　　＜日米の半導体シェアが逆転＞　　　　　　　＜日米の半導体シェアが逆転＞　　　　　　　＜日米の半導体シェアが逆転＞

2000　

　

　ISMT(International SEMATECH））））設立

　

設立

：1996

：：

：

年頃より年頃より年頃より年頃より

SEMATECH

に国の支援に国の支援に国の支援に国の支援

　　　無くなる。　　　無くなる。　　　無くなる。　　　無くなる。

1998

年より国際化の子会社設立、欧台韓が加入、その後一本化。プロセス開発。年より国際化の子会社設立、欧台韓が加入、その後一本化。プロセス開発。年より国際化の子会社設立、欧台韓が加入、その後一本化。プロセス開発。年より国際化の子会社設立、欧台韓が加入、その後一本化。プロセス開発。

1998　

　

　MARCO/FCRP設立

　

設立

：：

：SRC

：

の子会社、基礎テーマで大学連合を形成。の子会社、基礎テーマで大学連合を形成。の子会社、基礎テーマで大学連合を形成。の子会社、基礎テーマで大学連合を形成。

欧州

1989

　

JESSI 設立

設立

：

：：

：

プロセス・アプリケーションまでの企業共同研究、プロセス・アプリケーションまでの企業共同研究、プロセス・アプリケーションまでの企業共同研究、プロセス・アプリケーションまでの企業共同研究、

1998

年年年年

MEDEA

に、に、に、に、　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　

2001

年年年年

MEDEA+

になり続行。になり続行。になり続行。になり続行。EUREKAプロジェクト。プロジェクト。プロジェクト。プロジェクト。

1984　

　

　IMEC設立

　

設立

：：

：

地域の大学間研究センターが、欧州の半導体先端開発拠点に。地域の大学間研究センターが、欧州の半導体先端開発拠点に。地域の大学間研究センターが、欧州の半導体先端開発拠点に。地域の大学間研究センターが、欧州の半導体先端開発拠点に。　　　　　　国際的にもオープン。　　　　　　国際的にもオープン。　　　　　　国際的にもオープン。　　　　　　国際的にもオープン。

台湾

　

1974　

　

　ERSO設立

設立

：：

：

国の研究機関、国の研究機関、国の研究機関、国の研究機関、

ERSO

よりよりよりより

UMC、

、

、TSMC

などのファンドリーを設立などのファンドリーを設立などのファンドリーを設立などのファンドリーを設立

。

韓国

　

1983　

　

　COSAR設立

設立

：産官学による数次にわたる共同研究プロジェクト。

海外の半導体コンソーシアム

(15)

米国半導体産業における政府－大学－産業界の協力の仕組

国防総省（ＤＯＤ）防衛先端研究機構（ＤＡＲＰＡ）（＄２Ｂ／年）主要関連省庁商務省（ＤＯＣ）技術管理局（ＴＡ）ＯＴＰＮＴＩＳＮＩＳＴ（＄１．１Ｂ／年）海外半導体メーカ米国半導体メーカ米国半導体工業会（ＳＩＡ）国立研究所先端プロセス研究＄３００Ｍ／年ＬＢＮＬＬＬＮＬＬＡＮＬＯＲＮＬＳＮＬ半導体研究組合（ＳＲＣ）（＄３５Ｍ／年）先端研究組合（ＭＡＲＣＯ） International SEMATECH （＄１４０Ｍ／年） SEMI/SEMATECH （＄３．５Ｍ／年）設計・テスト（U．C Ｂｅｒｋｅｌｅｙ）配線（Ｇｅｏｒｇｉａ工科大）材料・デバイス設計・ソフト未定未定大学研究プロジェクト（ＦＣＲＰ）ＳＲＣプロジェクト参加大学Ｌｅｈｉｇｈ、Ｃｏｒｎｅｌｌ、Ｔｅｘａｓ、ＵＣＢ、Ｗｉｓｃｏｎｓｉｎ、ＰＲＩＳｔａｎｆｏｒｄ、ＭＩＴ、ＮＹ、Ａｒｙｅｎｙ、ＣＭＵ、Ｉｌｌｉｎｏｉｓ開発実行機関共同研究資金（将来　計＄６０Ｍ：＄１０Ｍ／センター） 75％ 25％ 50％ 25％ (＄５Ｍ、10大学) (＄５Ｍ、６大学) (５０大学以上、３００プロジェクト以上) 大　　学スポンサーカリフォルニアアイダホアリゾナ、他ＡＴＰ（＄２００Ｍ／年）ＣＲＡＤＡ州政府エネルギー省（ＤＯＥ）（＄７Ｂ／年）

(16)

STRJ WS: March 3, 2003 STRJ WS: March 3, 2003 MACHINERY MAKERS INDUSTRIAL PARTICIPANTS VLSI PROJECT JOINT LABORATORIES MATERIALS SUPPLIERS EQUIPMENT SUPPLIERS SUBCONTRACTORS TOSHIBA GROUP TOSHIBA MACHINE TOSHIBA SEIKI TOKUDA TOKUDA DENKI ASIA ELECTRONICS KOKUSAI DENKI NEC TOSHIBA FUJITSU HITACHI MITSUBISHI LITHOGRAPHY CRYSTAL WAFER TESTING DAI NIPPON PRINTING TOPPAN SHINETSU HANDOTAI OSAKA TITANIUM TOKYO OHKA CANON NIKON USHIO DENKI RICOH KOKUSAI DENKI TAKEDA RIKEN NTT LABS

MITI VLSI PROJECT

Source:“Creating Advantage”,T.R.Howell,1992

　　　　日本のテクノストラクチャー

(17)

国内半導体コンソーシアム・プロジェクトの推移

SIRIJ

1994

STARC

1995

Selete

1996

ASET

1996

SNCC構想

構想

2000

VSAC*

1998

JEITA

　

　半導体幹部会

　

半導体幹部会

STRJ*

1998

プロジェクト

あすか

_*

2001

指針実行フェーズ実行フェーズ実行フェーズ実行フェーズ提案フェーズ提案フェーズ提案フェーズ提案フェーズ

半導体

MIRAI

プロジェクト

2001

半導体技術ロードマップ委員会システムLSI開発支援センター＜＜＜＜産官＞産官＞産官＞産官＞＜＜＜＜産官学＞産官学＞産官学＞産官学＞ *(社)電子情報技術産業協会(JEITA)管轄＜＜＜＜産＞産＞産＞産＞（出所：SIRIJ）

(18)

５．　日本の半導体コンソーシアの

　　　　　　　現状と将来展望　

(19)

日本の半導体産業の発展に向けて

基盤研究

　先行

　先行技術開発

技術開発

SoCプロセスプロセスプロセスプロセスデバイス技術デバイス技術デバイス技術デバイス技術 65nm Selete SoC設計技術設計技術設計技術設計技術高位設計技術 DR,IP開発 STARC 基盤技術原理実証 65-45nm

MIRAI-PJ

AIST

ASET

SoC基盤技術

基盤技術

ASPLA

先端SoC研究

センター（仮称）

AIST

企業連携による

90nmプロセス

90nmDR&Library

STARC

AS☆☆☆☆PLA-PJ

EUVA

EUVL-PJ

高効率生産技術 ASET

HALCA-PJ

あすか

あすか-PJ

標準化技術

標準化技術開発

開発

出所　半導体産業研究所

(20)

半導体コンソーシア(民間)体系図

㈱先端SoC 基盤技術開発 ASPLA ㈱半導体理工学研究センター STARC ㈱半導体先端テクノロジース Selete あすかあすかあすかあすかプロジェクト HALCA プロジェクト MIRAI プロジェクト SIRIJ 半導体産業研究所（技術研究組合）超先端電子技術開発機構 ASET （技術研究組合）超先端電子技術開発機構 ASET （独立行政法人）産業技術総合研究所 AIST （独立行政法人）産業技術総合研究所 AIST

関係協力組織

つくばSCR棟

（技術研究組合）極端紫外線露光システム技術開発機構 EUVA （技術研究組合）極端紫外線露光システム技術開発機構 EUVA 電子情報技術産業協会 JEITA 半導体幹部会 JEITA 半導体コンソーシア委員会 AS☆☆☆☆PLA プロジェクト出所　半導体産業研究所

(21)

AS☆

☆

☆PLAプロジェクト

☆

プロジェクト

　　（アスプラ）　　　　

目的　　目的　　目的　　目的　　１）　１）　１）　１）　90nmノード対応ノード対応ノード対応SoC標準プラットフォームの構築ノード対応標準プラットフォームの構築標準プラットフォームの構築標準プラットフォームの構築　　　　　　　・　　　　　　　・　　　　　　　・　　　　　　　・90nm設計基準および製造プロセスの標準化，共通設計基準および製造プロセスの標準化，共通設計基準および製造プロセスの標準化，共通設計基準および製造プロセスの標準化，共通Libなどの開発環境整備などの開発環境整備などの開発環境整備などの開発環境整備　　　　　　　・　　　　　　　・　　　　　　　・　　　　　　　・90nmノード世代の設計手法の確立ノード世代の設計手法の確立ノード世代の設計手法の確立ノード世代の設計手法の確立　　　　　２）　　　　　　２）　　　　　　２）　　　　　　２）　IP・・・・SoCの試作・検証による設計資産蓄積と流通化の試作・検証による設計資産蓄積と流通化の試作・検証による設計資産蓄積と流通化の試作・検証による設計資産蓄積と流通化　　　　　　　・　　　　　　　・　　　　　　　・　　　　　　　・IP検証シャトル便などの協同運用による設計資産蓄積と流通化推進検証シャトル便などの協同運用による設計資産蓄積と流通化推進検証シャトル便などの協同運用による設計資産蓄積と流通化推進検証シャトル便などの協同運用による設計資産蓄積と流通化推進　　　　　　　・海外や大学などにも広く門戸を開き，デファクト化を推進　　　　　　　・海外や大学などにも広く門戸を開き，デファクト化を推進　　　　　　　・海外や大学などにも広く門戸を開き，デファクト化を推進　　　　　　　・海外や大学などにも広く門戸を開き，デファクト化を推進期間：　　　期間：　　　期間：　　　 期間：　　　2002年年年 10月年月月～月～～～ 2007年年年年 9月月月月内容：　　　内容：　　　内容：　　　 内容：　　　90nm対応対応対応対応 SoC設計プラットフォーム技術の確立設計プラットフォーム技術の確立設計プラットフォーム技術の確立設計プラットフォーム技術の確立企画推進：企画推進：企画推進：企画推進：　　　　　　 (社社社社)電子情報技術産業協会電子情報技術産業協会電子情報技術産業協会電子情報技術産業協会(JEITA) 半導体幹部会半導体幹部会半導体幹部会半導体幹部会研究開発組織：研究開発組織：研究開発組織：研究開発組織：　　　　 (株株株株)先端先端SoC基盤技術開発先端先端基盤技術開発基盤技術開発基盤技術開発(ASPLA)：　：　：　：　相模原相模原相模原相模原　　　　 (株株株)半導体理工学研究センター株半導体理工学研究センター半導体理工学研究センター半導体理工学研究センター (STARC)：　：　：　新横浜：　新横浜新横浜新横浜費用：　　　費用：　　　費用：　　　 費用：　　　ASPLA　　　　 500億円／億円／億円／億円／5年、　年、　年、　STARC 現在検討中年、　現在検討中現在検討中現在検討中（2002.10現在）人員：　　　人員：　　　人員：　　　 人員：　　　ASPLA 約約約120人、　　　　約人、　　　　人、　　　　人、　　　　 STARC　　　　現在検討中　　現在検討中　　現在検討中　　現在検討中　　 STRJ WS: March 3, 2003

(22)

プロジェクト　あすか　（

プロジェクト　あすか　（Asuka））））

目的　　目的　　目的　　目的　　１）　先端１）　先端１）　先端１）　先端SoC開発の共通基盤の構築開発の共通基盤の構築開発の共通基盤の構築開発の共通基盤の構築　　　　　　　・半導体の最先端、共通基盤技術の研究開発を世界に先駆けて行う　　　　　　　・半導体の最先端、共通基盤技術の研究開発を世界に先駆けて行う　　　　　　　・半導体の最先端、共通基盤技術の研究開発を世界に先駆けて行う　　　　　　　・半導体の最先端、共通基盤技術の研究開発を世界に先駆けて行う　　　　　　　・成果技術のディファクトスタンダード化を推進、　　　　　　　・成果技術のディファクトスタンダード化を推進、　　　　　　　・成果技術のディファクトスタンダード化を推進、　　　　　　　・成果技術のディファクトスタンダード化を推進、SoC開発の共通インフラを提供開発の共通インフラを提供開発の共通インフラを提供開発の共通インフラを提供　　　　　　　　　　　　　　　　２）　最先端技術の「壁」の共同克服２）　最先端技術の「壁」の共同克服２）　最先端技術の「壁」の共同克服２）　最先端技術の「壁」の共同克服　　　　　　　・国研、大学との交流・連携し、半導体の基盤技術の確立と人材の育成　　　　　　　・国研、大学との交流・連携し、半導体の基盤技術の確立と人材の育成　　　　　　　・国研、大学との交流・連携し、半導体の基盤技術の確立と人材の育成　　　　　　　・国研、大学との交流・連携し、半導体の基盤技術の確立と人材の育成　　　　　　　・関連業界、海外コンソーシアムなどとの相補的協力・連携　　　　　　　・関連業界、海外コンソーシアムなどとの相補的協力・連携　　　　　　　・関連業界、海外コンソーシアムなどとの相補的協力・連携　　　　　　　・関連業界、海外コンソーシアムなどとの相補的協力・連携期間：　　　期間：　　　期間：　　　 期間：　　　2001年年年 4月年月月～月～～～ 2006年年年年 3月月月月内容：　　　内容：　　　内容：　　　 内容：　　　90～～～65nm SoC技術の確立～技術の確立技術の確立技術の確立企画推進：企画推進：企画推進：企画推進：　　　　　　(社社社社)電子情報技術産業協会電子情報技術産業協会電子情報技術産業協会電子情報技術産業協会(JEITA) 半導体幹部会半導体幹部会半導体幹部会半導体幹部会研究開発組織：研究開発組織：研究開発組織：研究開発組織：　　　　 _(株株株株)半導体先端テクノロジーズ半導体先端テクノロジーズ(Selete)：　半導体先端テクノロジーズ半導体先端テクノロジーズ：　：　：　つくばつくばつくばつくば　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　(株　　株株)半導体理工学研究センター株 半導体理工学研究センター (STARC)：　半導体理工学研究センター半導体理工学研究センター：　：　新横浜：　新横浜新横浜新横浜費用：　　　費用：　　　費用：　　　 費用：　　　Selete 700億円億円億円/5年、　億円年、　年、　年、　STARC 140億円億円億円億円/5年年年年（2001.4現在）人員：　　　人員：　　　人員：　　　 人員：　　　Selete 約約約250人、　　約人、　　人、　　人、　　 STARC 約約約100人約人人人あすか STRJ WS: March 3, 2003

(23)

技術力評価アンケート結果（ＳＴＲＪ）

0 20 40 60 80 100 デバイス技術デバイス技術デバイス技術デバイス技術設計技術設計技術設計技術設計技術ＩＰ設計技術ＩＰ設計技術ＩＰ設計技術ＩＰ設計技術テスト技術テスト技術テスト技術テスト技術リソグラフィ技術リソグラフィ技術リソグラフィ技術リソグラフィ技術ﾌﾛﾝﾄｴﾝﾄﾞ技術ﾌﾛﾝﾄｴﾝﾄﾞ技術ﾌﾛﾝﾄｴﾝﾄﾞ技術ﾌﾛﾝﾄｴﾝﾄﾞ技術配線技術配線技術配線技術配線技術ﾌｧｸﾄﾘｲﾝﾃｸﾞﾚ- ｼｮﾝﾌｧｸﾄﾘｲﾝﾃｸﾞﾚ- ｼｮﾝﾌｧｸﾄﾘｲﾝﾃｸﾞﾚ- ｼｮﾝﾌｧｸﾄﾘｲﾝﾃｸﾞﾚ- ｼｮﾝ素材・部品材料技術素材・部品材料技術素材・部品材料技術素材・部品材料技術組立技術組立技術組立技術組立技術ＥＳＨＥＳＨＥＳＨＥＳＨ計測技術計測技術計測技術計測技術欠陥削減技術欠陥削減技術欠陥削減技術欠陥削減技術ﾓﾃﾞﾘﾝｸﾞ･ｼﾐｭﾚ- ｼｮﾝﾓﾃﾞﾘﾝｸﾞ･ｼﾐｭﾚ- ｼｮﾝﾓﾃﾞﾘﾝｸﾞ･ｼﾐｭﾚ- ｼｮﾝﾓﾃﾞﾘﾝｸﾞ･ｼﾐｭﾚ- ｼｮﾝ日日日日米米米米欧欧欧欧韓国韓国韓国韓国台湾台湾台湾台湾

設計技術、

設計技術、IP設計

設計

技術の分野では、

日本のポジションは

低下傾向

組立て、素材部

品分野分野で

は、日本のポジ

ションは高い

共通技術分野共通技術分野共通技術分野共通技術分野【【【 【2001年上期アンケート実施】年上期アンケート実施】年上期アンケート実施】年上期アンケート実施】

(24)

設計環境マッピング

ASPLA 標準プロセスライン／派生プロセス／派生ライブラリデザインルール／標準ライブラリ／コモディティIP トランジスタ SI/PI モデル EDAツール市販企業内ツールプロセス故障解析テスト・設計故障解析不良箇所解析テスト組込 OS 組み込みソフトアナログ組み込みメモリ IT環境 API 共通インターフェースデータベース企業内LAN コア IP （スターIP）（キラーIP）プロセス設計システムレベル設計 Low Power

企業競争領域

専用性の高い共通領域

共通性の高い領域

故障解析 IT環境 EDAツール IP・コアメモリ・アナログ OS・ソフト

(25)

（

（（

（1

11 1）

））

）SoC

SoC

SoC設計力の徹底的な強化！

設計力の徹底的な強化！

SoC

SoC設計環境開発

設計環境開発

zｼｽﾃﾑﾚﾍﾞﾙ自動設計

ｼｽﾃﾑﾚﾍﾞﾙ自動設計

zﾌｨｼﾞｶﾙﾚﾍﾞﾙ最適化設計

ﾌｨｼﾞｶﾙﾚﾍﾞﾙ最適化設計

IP(

IP(設計資産

設計資産

設計資産))))活用

活用

zIP

IP

IP再利用・流通化技術

IP

再利用・流通化技術

z低消費電力化

低消費電力化

低消費電力化IP

低消費電力化

IP

SoC

SoC設計教育

設計教育

SoC

SoC設計生産性の大幅向上

SoC

設計生産性の大幅向上

SoC

SoC設計者の育成

SoC

設計者の育成

（

（（

（2

22 2）大学における

）大学における

）大学におけるLSI

LSI

LSI研究支援と活性化

研究支援と活性化

STARC

STARC／

／

／大学共同研究

大学共同研究

あすか

あすか設計技術開発の目的

J. Ueda/ 政策科学研究所01.12.07 STRJ WS: March 3, 2003

(26)

STRJ WS: March 3, 2003 Ｉｄｄｑ欠陥検査装置不良ﾈｯﾄ推定故障論理位置候補レイアウト上故障位置推定ｻﾝﾌﾟﾙ処理故障部位絞込み、特性解析故障原因推定故障箇所構造解析故障箇所物理化学分析故障物理モデル故障事例DB 原因ﾌﾟﾛｾｽ特定ﾌﾟﾛｾｽ改良論理解析論理解析論理解析論理解析故障物理位置推定故障物理位置推定故障物理位置推定故障物理位置推定故障物理解析故障物理解析故障物理解析故障物理解析現行技術ｻﾌﾞ90nm要開発技術・Cu配線欠陥（ﾎﾞｲﾄﾞ）検出技術の高度化・ﾋﾟｺ秒ｵｰﾀﾞｰ発光解析技術の高度化 OBIRCH、EMS、FIB、液晶法、EBテスタ、 S-SQUID PICA SEM、 TEM ・三次元TEM ・応力分布解析技術 TEM/EDX、 TEM/EELS、ＳＩＭＳ､ μAES AES､ XPS､・微細三次元不純物ﾌﾟﾛﾌｧｲﾙ測定技術 → nSIMS ,SCM ・極微小部元素分析化学構造分析

故障解析ワークフロー

CADｼｽﾃﾑ、 CADﾅﾋﾞｹﾞｰｼｮﾝ利用故障推定量産ﾃｽﾄﾃﾞｰﾀﾛｸﾞからの故障推定顧客不良 _{インライン、スクリーニング、信頼性試験}デバイスメーカ不良 DFD技術解析ﾃｽﾀｰ不良再現ﾃｽﾄﾃﾞｰﾀ解析 CD-SEM ・高性能化・Scatterometry ・CD-AFM ・EB-Holography ・ﾅﾉｻｰｼﾞｪﾘｰ（微細ﾊﾟｯﾄﾞ､裏面ﾊﾟｯﾄﾞ、引き出し、断面出し） → 微細ﾀﾞﾒｰｼﾞﾚｽ FIB装置 FIB ・ｐｏｓｔ-Ｉｄｄｑ（大電流高速測定技術）Ｉｄｄｑﾃｽﾄ耐圧、異物寸法、合せ、歩留ﾌｧﾌﾞﾃﾞｰﾀﾍﾞｰｽ

(27)

あすか (株株株)株

Selete

(株株株)株

STARC

参加企業

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半導体

半導体MIRAIプロジェクト

半導体

プロジェクト

・システムオンチップ先端

　設計技術（委託プロジェクト）

・

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・ASET受託研究テーマ

受託研究テーマ

製造装置・材料メーカー

EDAベンダー

ベンダー

連携連携連携連携共同共同共同共同開発開発開発開発協力協力協力協力

プロジェクト

プロジェクト“

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“あすか（

あすか（

あすか（Asuka））））””””

0.1μm～0.07μm SoC技術開発

NEDO

協力協力協力協力

　

あすかの研究体制と課題

JEITA　　　　半導体幹部会半導体幹部会半導体幹部会半導体幹部会

海外コンソーシアム

大学

サービスサービスサービスサービスメンテナンスメンテナンスメンテナンスメンテナンス STRJ WS: March 3, 2003

日本の半導体 R&D コンソーシアムの将来展望 SIRIJ 技術委員長 ( 株 ) 日立製作所半導体グループ技師長 下東勝博 STRJ WS: March 3, 2003

日本の半導体Ｒ＆Ｄコンソーシアムの将来展望

日本の半導体Ｒ＆Ｄコンソーシアムの将来展望

ＳＩＲＩＪ技術委員長

(株)日立製作所 半導体グループ 技師長

下東 勝博

目 次

目 次

１． 緒 言

２． 半導体産業の転換点

３． 競争と協調 － コンソーシア

４． コンソーシア － 米国と日本

５． 日本の半導体コンソーシアの現状と将来展望

６． 結 言

１． 緒 言

１． 緒 言

１． 緒 言

１． 緒 言

２． 半導体産業の転換点

２． 半導体産業の転換点

２． 半導体産業の転換点

２． 半導体産業の転換点

地域別半導体市場推移

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日本の半導体 R&D コンソーシアムの将来展望 SIRIJ 技術委員長 ( 株 ) 日立製作所半導体グループ技師長下東勝博 STRJ WS: March 3, 2003

(株)日立製作所　半導体グループ　技師長

下東　勝博

目　　次

目　　次

１．　緒　言

２．　半導体産業の転換点

３．　競争と協調　　－　コンソーシア

４．　コンソーシア　－　米国と日本

５．　日本の半導体コンソーシアの現状と将来展望

６．　結　言

１．　緒　言

１．　緒　言

１．　緒　言

１．　緒　言

２．　半導体産業の転換点

２．　半導体産業の転換点

２．　半導体産業の転換点

２．　半導体産業の転換点

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