半導体で使われるSi結晶面
OpenFOAM を用いたスピンコートプロセスの塗布シミュレーション事例紹介 篠崎明 i Introduction of Spin-coating Process Simulation Using Open FOAM Akira SHINOZAKI スピンコートは半導体や光学機器などの分野で広く使わ
... Akira SHINOZAKI スピンコートは半導体や光学機器などの分野で広く使われている薄膜を生成する手法である．基板上の配 線や電極などの微細構造の影響を受け，一般に，生成される薄膜表面は必ずしも平にはならない．光学機 器などでは薄膜表面の凹凸が製品スペックに影響することから，薄膜表面の凹凸サイズを小さくするため ...
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開発の社会的背景 パワーデバイスは 電気機器の電力制御に不可欠な半導体デバイスであり インバーターの普及に伴い省エネルギー技術の基盤となっている 最近では高電圧 大電流動作が技術的に可能になり ハイブリッド自動車のモーター駆動にも使われるなど急速に普及し 市場規模は 2 兆円に及ぶといわれる パワー
... 大幅削減に向け経済産業省が策定した「Cool Earth - エネルギー革新技術計画」でも、重点的に 取り組むべきエネルギー革新技術の 1 つとされている。 現在、パワーデバイスにはシリコン（Si）半導体が使われているが、耐熱、耐電圧、電力損失、 電流密度などに課題があるため、炭化ケイ素（SiC）、窒化ガリウム（GaN）など新材料の開発が 進められている。ダイヤモンドもこれら新材料の 1 ...
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信やレーダー分野で使われている半導体発振器に変える必要がある 昔から半導体発振器を電子レンジに利用する試みがあったが 装置サイズや価格面で利用できるものがなく 実用化にはいたらなかった しかし 近年では超小型化や低価格化が進み実用性度が高くなり 電子レンジに十分実使用できると 多くの企業が試算してい
... W であったが、CH 法で は 120 W であり、水素エネルギーを取り出すために 必要な電力を 1/8 に低下させることに成功した。この 時、生成した水素エネルギーを燃料電池で電気に変換 すると 19 W 程度になり、マイクロ波を用いることで エネルギーの 採算が合うことが分かった。本実験で 実証した結果をもとに、30 倍にスケールアップする ...
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第 2 章太陽電池の要素技術 ( 中級編 ) 18 太陽電池セルには多くの技術が使われている 図 1 太陽電池セル作製プロセスに使われるさまざまな要素技術 単結晶成長技術 太陽電池セルの作製には 図 1に示すように 多くの要素技術が使われています 太陽電池は半導体デバイスですから まず半導体材料作製
... 太陽電池から電流を取りだすためには、電極形成技術が必要です。受光面の電極 には、短冊状の金属電極をつける場合と、透明導電膜（ 023 に記述）を使う場合が あります。一方、裏面電極にも工夫（ 076 に記述）が必要です。 光で半導体中につくった光キャリアが、発電に貢献しないで消滅してしまうこと ...
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図 2 In0.9Ni0.1TaOx NiOx ( 空孔 ) のない安定な多元系酸化物半導体が得られていること,4) X 線回折結晶構造解析と透過電子顕微鏡観察により, InTaO 4 のウォルフラマイト型結晶構造の薄膜もしくは単結晶 1 次粒子が得られていること, 以上を評価することで,PLA 法
... 次に微細形状・結晶構造評価として透過電子顕微鏡観察を 行った． In 0.9 Ni 0.1 TaO x ， NiO x ともに，混合雰囲気ガスを，全 圧: 1.0 Torr, 分圧: He 95%/O 2 5%とし，堆積時間はそれぞれ 2 sec, 20 sec とした．低倍率（400,000 倍）の明視野像観察結果 から， In 0.9 Ni 0.1 TaO x ， NiO x ともに，粒径数 nm の１次粒子が生 ...
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1 研究実施の概要 (1) 実施概要本研究では柔軟で面積の大きい自己組織化グラファイトシートを基板材料とする半導体エレクトロニクスの開発を行った 安価で柔軟な大面積材料上に半導体薄膜が成長可能となれば 従来の単結晶ウェハーの持つ価格が高い 堅くて脆い 面積が小さいといった問題点を一挙に解決でき 従来
... ヘテロ構造を用いた高電子移動度トランジスタの作製が可能となった。さらに、本研究 で開発した PSD 法による結晶成長技術を基に、InN 系電界効果トランジスタや、グラフェン上の LED、緑色レーザーダイオード、Ｎ極性窒化物半導体薄膜を用いた LED や太陽電池といった素子 について、それらの実現可能性を示すことができた。また、追加研究項目として実施したチーム ...
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The Japanese Association for Crystal Growth (JACG) 日本結晶成長学会誌特集 : 固体紫外光源を目指した窒化物半導体結晶成長の最前線 Vol. 41, No. 3 (2014) 解説 昇華法 AlN ウェハー上 HVPE ホモエピタキシャル成長と深紫外
... での領域には転位が全く観察されず，転位密度 10 6 cm -2 未満であることが保証された． Fig. 9 は，昇華法 AlN ウェハーの除去前後のオンウェ ハー電流注入（10 mA）発光スペクトルである．昇華法 AlN ウェハー除去前は，昇華法 AlN ウェハーによる吸収 のため波長 290 nm 以下の光がまったく観測されない．加 えて，320 および 450 nm ...
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に資する十分な成果が得られたと判断される 1. 研究プロジェクトの設定および運営 1-1. プロジェクトの全体構想本研究プロジェクトは 半導体結晶を構成する原子の核スピンに関わる新たな物性を調べ 量子情報処理等への応用可能性を探索するものである 半導体物性との関連における核スピンの研究は 1980
... 研究グループは、平山総括を中心とした核スピン操作グループ、ナノ NMR･ナノプローブ グループ、半導体特性評価グループ、物理研究･結晶成長グループの 4 グループで構成され、 比較的若手のグループリーダーにより特色ある先端的な研究が展開された。東日本大震災に よる影響で研究活動には遅れを生じた時期もあったが、特別重点期間の 2 年間も含めて、核 ...
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概要 GaN 系半導体デバイスとして レーザー 高輝度 LED パワー半導体が関心を集め 研究対象となっているが これらデバイスは GaN 基板を必要とする場合が多い GaN 単結晶の製造が技術的に困難なため GaN 基板は極めて高価で GaN 基板を利用したデバイスの実用化を阻んでいるとされている
... 本技術の長所としては、 HVPE 法に比べて原料利用効率が良く、製造コストを抑制することが できるという利点があると主張されている。また成長速度が遅いため欠陥密度が低い良質な結晶 が育成できるとされている。 短所としては、超臨界状態を達成するために、高温高圧（ 600℃、200MPa など）が必要であり、 ...
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半導体結晶の光学的評価：光学スペクトルから結晶を観る
... ZnO 結晶薄膜が作製できることを光学 スペクトルは示している。図７から明らかなように、吸収と反射スペクトルには、極めて大き な相関がある。ただし、反射スペクトルでは、特に薄膜の場合、Fabry-Perot 干渉を考慮したス ペクトル形状解析が必要である。この解析問題は、比較的高度なテーマであるので本稿では省 ...
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博士論文 パワー半導体製造工程における高温熱処理と シリコン結晶欠陥の研究 A study on high-temperature annealing and silicon crystal defects for power semiconductor manufacturing process
... 影響” ，パワーデバイス用および関連半導体材料に関する研究会（第３回）， 日本学術振興会結晶加工と評価技術第１４５委員会，p. 129-131，(2013). （８）H. Nakazawa, M. Ogino, H. Teranishi, Y. Takahashi, and H. Habuka, “ Crystalline Defects in Silicon Wafer Caused by Nitrogen ...
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深紫外発光素子の高効率化にむけたAlGaN系半導体の結晶成長とキャリア再結合過程に関する研究
... 性 面 基板 の 微小 な オフ 角 に より 生 じる 結 晶す べ り を取 り 入 れて 臨 界 膜厚 モ デル を 構築 し て いる ． さら に ，各 成 長 面に お ける 支 配的 な 結 晶す べ り 機構 を 考察 し ，AlGaN QW の設 計 指針 に つい て議 論 して い る． ...
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エピタキシャル薄膜研究の広がり ( 私見 ) エピ膜と基板結晶の結晶構造が同じで格子定数が近いグループ 例 Si ホモエピ Diamond 型 エピ膜と基板結晶の結晶構造が同じであるが 格子不整合の程度が大きいグループ 例 Ⅳ-Ⅳ 族 Ⅲ-Ⅴ 族化合物半導体 Diamond 型 Zincblende
... 27 入射 X 線に含まれる波長のチェック ★ CuK α 1 線の位置より少し低角度側（短波長側）に肩のようなものが現れることがあります。この波長の X 線は「 K 衛 星線（サテライト）」または、「非図表線」と呼ばれています。電子を原子に衝突させたときに生ずる電子孔は、ふつう は一つですが、場合によっては（確率論的に）、二つの電子孔を生ずることもあります。このように、通常とは異なる電 ...
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3.4 結晶系以外の太陽電池単結晶シリコン及び多結晶シリコン以外の材料を用いた太陽電池の総称である 3.5 結晶系太陽電池半導体材料として単結晶シリコン又は多結晶シリコンを用いた太陽電池をいう 3.6 太陽光発電設備光起電力効果によって太陽エネルギーを電気エネルギーに変換し 負荷に適した電力を供給す
... 半導体材料として単結晶シリコン又は多結晶シリコンを用いた太陽電池をいう。 3.6 太陽光発電設備 光起電力効果によって太陽エネルギーを電気エネルギーに変換し、負荷に適した電力を供給するために構 成した装置及びこれらに付属する装置の総体のことである。本計算方法では、太陽電池アレイのシステム容量 の合計が1kW 以上50kW 未満の設備を対象としている。 ...
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第 1 回窒化物半導体応用研究会平成 20 年 2 月 8 日 講演内容 1. 弊社の概要紹介 2. 弊社における窒化物半導体事業への展開 3. 知的クラスター創生事業での取り組み Si 基板上 HEMT 用 GaN 系エピ結晶結晶成長成長技術技術開発
... ・２０００年（平成１２年） ISO9001取得 ・２００４年（平成１６年） ISO14000取得 ・２００５年（平成１７年） 第３研究棟建設 ・ ２００７年（平成１９年） 窒化物半導体工場竣工 窒化物半導体事業 ...
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窒化物半導体の展開－結晶基板とデバイス－
... かった。これは、ゲート電極の直下から裏面のドレイン電 極に向けて電流が流れる構造になっており、半導体表面に 高電界が生じないためであると考えられる （31）〜（33） 。 一般にパワーデバイスに対しては、安全性の面からノーマ リオフが要求されており、さらに +3V 程度のしきい電圧が 要求されている。このトランジスタでは、チャネル形成のた め n 型 AlGaN/GaN ...
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高耐圧パワー半導体素子を目指したp型SiC結晶のキャリア寿命に関する研究
... 図 3.4 に示したように、p 型および n 型の両サンプルで、高レベル注入においてキャリア寿命 が低下している。この理由として、次のような要因が考えられる。一つは、上記のモデル計算より 確認された、かなり高い励起キャリア密度の領域で見られる輻射再結合やオージェ再結合の影響が 考えられる。しかし、これらの再結合過程の影響が顕著になるキャリア密度の領域は、もう少し高 ...
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モジュール 造技術 ( ラ ネート 配線技術など ) 結晶 S 系太陽電池 ( 単結晶 多結晶 ) 住 用民生用公 用メ ソーラー 薄膜 S 系太陽電池 ( 非晶 結晶 ) ( 半導体材料 属電極材料 明電極 材料 ) 化合物結晶系太陽電池 (Ⅲ- GaI P ) 化合物薄膜系太陽電池 (CIS/C
... 年と同レベルにとどまった。一方 で、太陽光発電システムの価格は下がり続け、2012 年の 第2四半期には1,776ユーロ/kW（約17万円/kW）に達した。 それを受け、2012 年 6 月には、FIT 制度の修正法案が成立 し、買取価格を 20 〜 30％引き下げるとともに、累計設備 容量が 52GW に達した時点で買取を中止することとした。 イタリアでは、2002 年より RPS ...
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Al基近似結晶における半導体形成の可能性に関する研究
... 第４章では、三つめの目的に対する研究成果として、 C 2 相と他の 13 族元素と遷移金属 からなる金属間化合物の電子状態を統一的に記述できる枠組みを見出すことに成功して いる。C 2 相、AlIr、RuAl 2 、RuGa 3 、の価電子帯の形成機構をクラスターと関連付けて 説明するモデルを見出し、価電子バンド数に関する規則を見つけた。さらに、AlIr に対 ...
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... このソフトウェア・オファリングは、展開される構成に応じて、セッション管理、 認証、シングル・サインオン構成、またはその他の利用の追跡または機能上の目的 のために、それぞれのお客様のユーザー名、パスワード、またはその他の個人情報 を、セッションごとの Cookie および持続的な Cookie を使用して収集する場合があ ります。これらの Cookie は無効にできますが、その場合、これらを有効にした場 ...
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