化シリコン薄膜の評価
資源循環 エネルギーミニマム型システム技術 平成 12 年度採択研究代表者 小林光 ( 大阪大学産業科学研究所教授 ) 新規化学結合を用いるシリコン薄膜太陽電池 1. 研究実施の概要昨年度までの研究で シアノイオン (CN - ) は シリコン中 ( 特に多結晶シリコンやアモルファスシリコン中 )
... OC の向上に対してFFが低下した原因として、微結晶シ リコンのn層がエッチングされ薄くなったことが予測される。pH10で処理した太陽電池 のFFが一番低い理由として、高いpHの水溶液ではエッチング作用が強く、微結晶シリコ ンのn層がかなり薄くなったためと考えられる。 ...
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薄膜拡散勾配（Diffusive Gradients in Thin-films: DGT）法を用いた河川水における金属類の生物利用性の評価
... Cu の毒性への水質特性の影響を様々な条件下で検討 した Erickson ら 8） は，pH，硬度，ナトリウム，溶存有機物， 懸濁物のそれぞれの濃度の上昇が全濃度に基づく毒性値 を低下させることを実証し，すべての条件における 96 時間の LC50（半数致死濃度）の値（Cu の全濃度）を比 ...
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電流誘起磁壁移動に基づくスピントロニクス応用に向けたMn4N薄膜の物性評価
... 第 4 章では、SrTiO 3 (001)基板上にエピタキシャル成長した Mn 4 N 膜を Ar イオンミリング装置により、幅 1 μm の磁性細線に加工し、パルス電流を流すことで磁壁の移動を行い、移動速度を評価した。その結果、 電流密度が 1.2×10 12 A/m 2 において、磁壁の移動速度は 935 m/s に達した。この大きさは、外部磁場を印 ...
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電流誘起磁壁移動に基づくスピントロニクス応用に向けたMn4N薄膜の物性評価
... 12. 安西聡仁，花島隆泰，具志俊希，高田郁弥，都甲薫，末益崇, " Mn x Fe 4-x N 薄膜のエピタキシャル 成長と磁気特性, " 第 36 回電子材料シンポジウム, Th4-3, 長浜, November 9 (2017). 13. 安西 聡仁, 具志 俊希, 高田 郁弥, 都甲 薫, 花島 隆泰, 末益 崇, " Mn 4 N 垂直磁化膜上の Fe 4 N ...
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豊田工業大学ナノテクノロジープラットフォーム LeafLetシリコンと各種物質のナノ微細加工によるハイブリッド化ものづくり
... 設備とシリコン系（ 3 ～ 4 インチ対応）素子の半導体プロセス設備を備えており、企業 で実務 経験のある技術職員が技術指導・委託加工に対応する。また、マ ス クレス 露光装置を導入し、最新設備等の充実も図りつつある。 一方、多種多様なナノテクノロジーを持つ研究室群も連携して支援活動を実施す る 。 研 究 室 群 で は 、 Ⅲ - Ⅴ 族 、 カ ー ボ ン 、 磁 気 材 料 ...
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5 シリコンの熱酸化
... 第二は酸化層中の有害電荷の発生を抑制する対策である。酸化層絶縁膜中にある電 荷には、①境界面のイオン性 Si原子、②アルカリ金属可動イオン(Na + , K + )、③Siダング リングボンド、④バルク欠陥イオンの 4 種類がある。境界面 30Åの厚みの層に存在す る正イオン性 ...
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水素ガス反応性RFマグネトロンスパッタリング法によるダイヤモンド状炭素薄膜の作製と評価: University of the Ryukyus Repository
... Title 水素ガス反応性RFマグネトロンスパッタリング法による ダイヤモンド状炭素薄膜の作製と評価 Author(s) 渡久地, 實; 新垣, 修; 山下, 崇 Citation 琉球大学工学部紀要(36): 63-75 Issue Date 1988-09 ...
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1.1 市場投入される太陽電池の商品化状況 単結晶 Si 大規模商業生産 多結晶 Si 大規模商業生産 シリコン リボンSi アモルファスSi 小規模 ~ 中規模商業生産 小規模 ~ 中規模商業生産 多結晶 Si 薄膜 小規模商業生産 球状 Si 研究開発段階 ~ 商業生産準備中 太陽電池 III-
... ☆ 中国太陽エネルギー学会 • ロードマップを策定（標準成長ケース ⇒ 2006年：10GW 2030年：40GW） ☆ 太陽電池メーカー • Suntechの躍進、2002年8月に生産を開始し、2005年生産量世界第7位に、ニューヨーク証 券市場に上場（生産能力：2005年・150MW/年⇒2006年・240MW/年⇒2010年・1GW/年） • ...
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（７） 薄膜材料-1
... 電極上におけるタンパク質の反応は，糖尿病診断に重要なグルコースセンサー等に利用されている．近年では，反応 の高選択性や効率の高い電子移動システムを構築するために単分子層吸着金電極（SAM）を用いて，タンパク質の電 極界面における挙動が数多く検討されている．電極上でのタンパク質の吸着挙動，反応のダイナミクスおよび電極界面 ...
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分光・偏光を用いた薄膜・界面解析の実際
... Gaussian の中間状態 が表現できる振動モデル）を仮定した．先に求めたポーラスシリコン膜の光学定数と膜厚を固定し， Kim 振動子の各パラメーターを変数として PL スペクトルのフィッティングを行った． 最後に，反射率スペクトル，PL スペクトルのフィッティング誤差が最小になるように，両者を 同時フィッティングし直した．その結果を図 ...
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保できる試料を用いる必要がある 本研究では その条件を満たす銅フタロシアニン微結晶薄膜とサビニルブルー薄膜を試料としてレーザーアブレーションの実験を行う 銅フタロシアニン微結晶薄膜は晶質固体であるのに対して サビニルブルー薄膜は非晶質固体である Ichikawa らによって行われたサビニルブルー圧縮
... nm の過渡吸収の時間変化を示す。電子励起状態の緩和が 励起光強度の増加とともに早くなった。これは、銅フタロシアニン超薄膜においても 高密度励起条件下で、励起子－励起子消失が効率的に起こることを示唆する。銅フタ ロシアニン超薄膜の分子配列は銅フタロシアニン圧縮成形板と同様にカラム状である ...
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有機薄膜太陽電池の材料の違いと素子作製
... 2002 年、C. J. Brabec は P3HT（ポリ-3-ヘキシルチ オフェン）と PCBM を組み合わせて、エネルギー変換 効率 2.8％を達成した[1]。2003 年、オーストリアの N. S. Sariciftci らは、熱アニールまたは外部電圧による印 加でポリマーの結晶化が促進されることを報告し、エネ ルギー変換効率 3.5%を得たことを報告した[2]。P3HT と PCBM ...
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化審法のリスク評価における暴露評価モデルの活用
... 排出源ごとの暴露シナリオで対象としたサプライチェーン上～中流 の固定排出源の排出量に加え、家庭用・業務用の使用段階、長期 使用製品の使用段階といった面的な排出量も加味し、多媒体モデ ルを用いて、広域的・長期的スケールの暴露状況の推計を行う。 （※PRTR情報が得られる場合でも同様の推計を行うものとする） ...
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薄膜形成技術
... (3) プロセス転換状況からみた動向 事例としてはまだ少ないが、ゾル−ゲル法の実用化が進んでいることに注目する。分子エ レクトロニクス材料として注目されている各種有機機能性材料とのハイブリッド化が容易で、 かつ低温プロセスで薄膜形成可能であることから、今後とも実用化に向けた技術開発が進ん ...
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Cu(In,Ga)Se2系薄膜及びZnO系酸化物薄膜における欠陥の光学的評価とその太陽電池ならびに薄膜トランジスタ応用に関する研究
... 定割合以上の風力、太陽光、地熱、水力、バイオマスなどの新エネルギーから発電される電気 の利用が義務づけられた。これらの新エネルギーの中で最も注目されているのが太陽光発電で ある。太陽光発電は太陽光を利用する再生可能エネルギーであるため、燃料電池のように水 ...
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有機薄膜に対するレーザ加工特性の実験的評価
... 5. パターニング加工技術のための基礎評価 A) アシストガスを用いた場合の加工特性 産業におけるレーザ加工では加工面にデブリが再堆 積しないようにアシストガスを用いることが一般的であ る．このようなことから同様の実験配置図で加工中に空 気のアシストガス（1kg/cm 2 ）を用いた場合の PCDTBT ...
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新規ビニルシラン原料を用いてCVD法により成長させたSiC薄膜評価
... SiC 薄膜は熱化学気相成長（CVD）法を用いて成長を行 った。SiC 原料はビニルシラン、ドーピングガスとして、 トリフェニルリン、PF 3 を用いて、それぞれ真空チャンバ ー内に混合し成長を行った。成長温度は約 800℃である。 ...
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電子材料用薄膜グリーンシートの機械的強度評価法の確立
... 電子材料用薄膜グリーンシートの機械的強度評価法の確立 ［研究代表者］生津資大（工学部機械学科） ［共同研究者］小川玲奈，武田隆信（株式会社サムスン日本研究所） 研究成果の概要 ...
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シリコン結晶化過程の分子動力学
... j のペアを全て捜し出す Book Keeping ステップ，得られたペアの情報から それぞれの原子に働く力を計算する力計算ステップ，そして時間積分のアルゴリズムに従って原 子の位置と速度を更新する時間更新ステップである．通常の古典分子動力学法においては，この ...
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蒸着によるZnS : 希土類エレクトロルミネッセンス薄膜の作製
... 3に 蒸着時のベルジャ内の真空度の変化を示す。 と一か ―の予熱の段階で 5x10-5 tOrrま での真空度の急激な 低下が見 られるが ,こ れはるつぼの加熱によって ,る つ ば, ヒーターあるいは試料内に合有された高い蒸気圧を もつ水分等が蒸発するためと考え られる。 3.2.2 るつぼ温度 と Znsの 蒸着速度 蒸着中の ZnS膜 厚の変化の一例を ,Z[r] ...
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