光学顕微鏡による評価
光学機器 測定顕微鏡 Catalog No.4273
... 顕微鏡下での検査・観察測定において、使用する対物レンズの高分解能・長作動距離がその操作性に重要なファクタとなります。また、視野全域で鮮明な 像を得るためには可視光領域の広い範囲で色収差を補正したアポクロマート仕様（赤・青・黄の 3 波長補正）であること、像面湾曲・点収差などを補正し たプラン（ plan ）仕様であることも同様です。ミツトヨの FS 対物レンズはこうした[r] ...
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る対象の磁気状態を乱す可能性があり注意が必要である これに対し磁気光学顕微鏡は系を乱さず磁気状態を見 ることのできる優れた技術である さらに MFM が観測し ているのは試料の磁化そのものではなく 試料から発生する磁束であるのに対し 磁気光学顕微鏡では試料の磁化そのものを観測できる 光学顕微鏡の分解
... (e)磁気光学顕微鏡像(NA=0.85) 通常の磁気光学顕微鏡は、ほとんど直交した偏光子と検 光子の間に磁性体を置き、磁性体によるわずかな偏光回転を 光の強弱として画像化する。コントラストを高めるため、正 負の磁界に対する画像の差をとっている。この方法だと、そ もそも直交偏光子の条件なので画像が暗い、定量的な測定が むずかしいなどの問題点があった。 ...
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AgInS2結晶の育成と光学的評価
... 25 4.3 試料の表面処理 試料の表面処理 試料の表面処理 試料の表面処理 4.3.1 表面状態と光学測定 表面状態と光学測定 表面状態と光学測定 表面状態と光学測定 作製した試料を光学測定によって評価するためには、試料の表面状態に気を配らなけれ ばならない。何故なら、分光エリプソメータなどの光学装置は試料の表面状態に非常に敏 ...
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AgGaS2結晶の育成と光学特性評価
... 10 3.2 光吸収測定 3.2.1 測定原理 ある特定の波長（エネルギー）の光に対して、半導体がどのような吸収係数あるいは反 射率を持つかを測定することは、その半導体を用いた光学系の設計などに基本的データを 提供する。一方、光の吸収スペクトルや反射スペクトルには、半導体のエネルギー帯構造 が強く反映されており、その測定により、エネルギー帯に対する多くの基本情報を得るこ ...
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アフリカツメガエル（Xenopus laevis ）発生過程における頭部骨格形成 －光学顕微鏡像とX線CT画像を用いて－
... Keywords: Xenopus laevis , development, light microscopy, X-ray CT image, cranial skeleton, otic capsule, brain case.. 所 属： 長崎県立大学看護栄養学部栄養健康学科 Department of Nutrition Science, Faculty of[r] ...
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偏光顕微鏡による鉱物・岩石の観察
... 中学校では主に火成岩を対象にする岩石の観察が扱われているので，堆積岩の観察に力 点が置かれていない。堆積岩を小学校段階で取り扱っている関係であろう。主要な堆積岩 として，礫岩，砂岩，泥岩，凝灰岩，チャート，石灰岩を挙げることができる。これらの 中で，礫岩と砂岩と泥岩を構成する物質の虫眼鏡による観察が小学校段階で取り扱われて いることがある（例えば，大隅ほか, 2010） 。礫岩や砂岩の場合には，構成粒子が比較的大 ...
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近接場磁気光学顕微鏡の現状と課題
... しかしながら、従来の光学顕微鏡においては光 の回折限界により波長と同程度の解像度しか得られ ないということはよく知られている。実際、パルス 光照射磁場変調で Pt/Co ディスクに記録された長さ 0.3 µ m の矢羽型のマークを CCD カメラ付き偏光顕 微鏡で観測すると、矢羽には見えず円にしか見えな い。通常の顕微鏡の解像度はレンズの回折限界で決 まる。分解できる寸法ｄはｄ＝0.61λ/NA ...
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ワイドギャップ半導体の光学的特性評価
... 進められ、適用範囲の拡大が図られている。これらワイ ドギャップ半導体材料のパワーデバイス応用では、厚膜 材料が用いられることが多く、様々な物理的、化学的加 工プロセスを経てデバイスが作製される。最も基本的な 工程は切断と研磨で、その結果試料表面には高密度の格 子欠陥と大きな格子歪みが導入されるため、デバイス特 性向上を阻害する最も重要な工程とされ、「ダメージレ ス表面加工」を目指す技術開拓が渇望されている。 我々は、平成 29 ...
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ワイドギャップ半導体の光学的特性評価
... 3．研究の方法 GaN 系試料として、サファイア基板上ならびに Si 基 板上にヘテロ成長した GaN 単結晶薄膜、HVPE 法によ ってヘテロ成長した後、基板から剥離したバルク単結晶 を用意した。結晶成長は約 1000℃の高温で行われるた め、基板との熱膨張係数差により、加工前のサファイア 基板上試料は圧縮歪みを、 Si 基板上試料は引っ張り歪 みをそれぞれ面内に有している。他方、基板から剥離し ...
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環境電子顕微鏡（ETEM）による反応挙動その場観察
... トラブルを起こすリスクがあり，メンテナンス費用 なども嵩む可能性がある． 隔膜型では，TEM 本体は通常の仕様だが，試料 ホルダーに改造を施した特殊なものを用いる．ホル ダー軸の内部に単一[17]，あるいは複数本の管を配 置して，それらを通してホルダー外部から先端付近 の試料部にガスや液の導入出を行う．試料の上下に は，電子線は通すが種々分子はシールできる隔膜を 取り付けて，導入したガス・液を閉じ込めることが ...
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走査型プローブ顕微鏡によるラテックス／デンプンブレンドフィルムの相分離状態の観察
... たが、厚さ約 1 µ m の極めて薄いブレンドフィルムにしか適用できないという制限があ る。 4 結論 表層付近の弾性率や探針振動の位相の遅れを微小な領域で画像化する走査型プロー ブ顕微鏡（力学的測定モードを供えた原紙間力顕微鏡）を用いて、ブレンドフィルム内 の SB ラテックスとデンプンの相分離状態を明瞭に示すことができた。透過型電子顕微 ...
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Si系材料を用いた光学素子の作製と評価に関する研究
... 38 更に、溶融石英基板に Si イオンと C イオンを注入した試料を作製した。 2 種類のイオンを同じ深さに注入出来るように注入エネルギーを設定し、Si イオン注入 後に C イオン注入を行った。その後空気中 700℃又は 1000℃でアニールを行った。 試料の発光特性については、全体としてイオン注入量が多い試料ほど強い発光を示す 傾向が確認された。このことから、Ge イオン注入試料の場合と同様、イオン注入によ ...
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JAIST Repository: TOF質量分析装置のイオン光学に基づく性能の評価
... 「 TRIO-TOF 」により求めた。次に時間に関する収差係数からシミュレーションプログラ ム「 BEIS 」により質量分解能（ M/ Δ M ）を計算し評価した。そして空間に関する収差係 数から検出器の立体角を計算し、検出感度を評価した。シミュレーションの結果を表と図 に示す。質量分解能はリフレクトロン型、三重収束セクター型、六重収束セクター型が高 ...
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雪結晶の環状透過照明による顕微鏡写真撮影法
... 雪結晶の環状透過照明による顕微鏡写真撮影法 fromvapor．］．CrystalGrowth160，162166 樋口敬二，1962：雪の結晶の観察と記録，気象研究ノート， 13，455S 神田健三，1999：天から送られた手紙［写真集・雪の結 晶］，中谷宇吉郎 雪の科学館，47pp． 菊地勝弘，1990：特殊フィルターを使った雪の結晶の顕 微抗力ラー写真撮影法，北海[r] ...
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JAIST Repository: SHG顕微鏡によるGaAs(110)へき開面の観察
... な現象である。また、媒質のバンドと入射光もしくは SH 光が共鳴する効果を用いれば、 電子エネルギー準位に関する知見が得られる。そこで、このような特徴を持つ SHG の 2 次元強度分布を空間分解能１ m で得ることができる SHG 顕微鏡を新しく構築し、ステッ プやホール等の微小構造が多数存在する GaAs(110) へき開面の観察を行なった。 ...
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カルコパイライト型半導体AgGaTe2薄膜の作製と光学的評価
... 薄膜の性質は蒸着材料、蒸着層の厚み、蒸着プロセスのパラメータなどにより左右され る。基板における凝固条件、特に表面状態及び温度が、薄膜の組織とその性質に影響を与 える。同様に、蒸着前の基板の前処理及び清浄処理も影響する。 蒸着粒子の他に、雰囲気中残留ガスも基板に入射して堆積したり、また凝固する蒸発粒 子と反応したりするが、これは蒸着作業に悪影響をおよぼす。したがって、基板に入射す ...
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Cu2ZnSnS4結晶の育成と光学的評価
... しかし、密度汎関数理論では交換相関エネルギーE xc が電荷密度の汎関数で記述できると いうことしか主張しておらず、具体的な形は与えられていない。そこで、実際の計算に応 用するためには近似が必要となる。近似方法には、相関ポテンシャル V xc を ρ(r)だけの関数 で表す LDA(局所密度近似)や ρ(r)の微分項まで考慮した GGA(一般化された密度勾配近似)、 グリーン関数を用いた GW 近似などが考えられている。GGA は ...
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C ナノ材料分析 評価装置 C1 超高分解能電界放出形走査電子顕微鏡 4,830 円 加工 評価室 1 C2 分析走査電子顕微鏡 6,720 円 加工 評価室 1 C3 高速液中原子間力顕微鏡 ( 株 ) 生体分子計測研究所 2,570 円 加工 評価室 2 C4 走査型プローブ顕微鏡システム 2,
... （ネットワークアナライザ） (株)アポロウェーブ 卓上顕微鏡(SEM) (株)日立ハイテクノロジーズ 高周波伝送特性測定装置（C27+C28+C29) (株)アポロウェーブ 卸 売 業 資本金の額又は出資の総額が1億円以下の会社又は常時使用する従業員の数が100人以下の会社及び個人 小 売 業 資本金の額又は出資の総額が5千万円以下の会社又は常時使用する従業員の数が50人以下の会社及び個人 サービス業 ...
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ワイドギャップ半導体の光学特性評価
... 4．研究成果 (1) GaN の研磨特性評価結果 PL スペクトルとラマン散乱スペクトル双方に研磨に よる特性エネルギーのブルーシフトが見られたが、前者 から見積もられる圧縮歪みの値は後者より小さかった。 測定には 325nm のレーザ光を使っておりその侵入深さ は 80nm と推定される。光励起キャリアの拡散長は 200nm 程度と推定されるため、ラマン散乱（後方散乱 配置）の測定深さは 40nm であるのに対し、PL ...
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半導体結晶の光学的評価：光学スペクトルから結晶を観る
... (Tel & Fax) 06-6605-2739 (email) [email protected] （概要） 簡便で非破壊なプローブである光によって半導体結晶を評価することは、電子状態［バンド構造 と励起子（励起された電子・正孔のクーロン束縛状態）］と格子振動（フォノン）を光学スペクトルとして観測 ...
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