Top PDF 低電力化とリング発振器の低ジッタ化を進めている

未来を切り拓く最先端 VLSI テクノロジー : 0.編集にあたって -情報システムの超低消費電力化技術-

... 最先端VLSIテクノロジー小特集未来を切り拓く最先端VLSIテクノロジー持が困難になる理由は，微細化の物理的限界ではなく，消費電力の過密化による発熱やプロセス変動による信頼性低下などのシステム的限界にあると考えられている．一方，携帯端末やモバイル／組込み機 ...

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低炭素社会づくりのためのエネルギーの低炭素化に向けた提言

... （３）課題の克服に向けたアプローチこのような課題を克服し、持続可能な低炭素社会を構築するために不可避な再生可能エネルギーの大量普及を可能とするためには、第（１）②b）節で示したような再生可能エネ ...

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信やレーダー分野で使われている半導体発振器に変える必要がある昔から半導体発振器を電子レンジに利用する試みがあったが装置サイズや価格面で利用できるものがなく実用化にはいたらなかったしかし近年では超小型化や低価格化が進み実用性度が高くなり電子レンジに十分実使用できると多くの企業が試算してい

... 年代後半と言われている。普及後には、販売台数が一時低下したが、 1977 年に電子レンジにオーブン機能を付加したオーブンレンジが発売され、販売台数が再度増加した。 1978 年には熱風循環式オーブンレンジが発売され、熱風との併用によってマイクロ波法の欠点である食品 ...

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低消費電力化を考慮したスマートデバイスアプリケーションの構築支援に関する研究

... くて良いが，その反面アプリケーションの動作や処理状態を反映した緻密な制御ができなくなるという問題がある．本研究の目的はスマートデバイスのための低消費電力化を考慮したアプリケーション構築支援技術の実現である．この技術を用いることでオペレーティングシステムが提 ...

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ADXL354/ADXL355: 低ノイズ、低ドリフト、低電力 3 軸 MEMS 加速度センサー

... kΩ の直列抵抗の前段にあるアンプや、X OUT 、Y OUT 、Z OUT ピンへの出力が含まれます。 ADXL355 は、内部 20 ビット Σ-Δ ADC でフィルタ処理されたアナログ信号をデジタル化します。アナログ、ローパス、アンチエイリアシング・フィルタを通過した後の補助的なデジタル・フィ ...

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「自動車用永久磁石モータの低振動・低騒音化」概要

... 中で、発生した場合に顕著であり、また、結合される機器や設置される環境で想定外の振動、騒音となるのが、磁気回路のギャップ部の磁性材料や巻線に働く電磁力による電磁振動、騒音である。電磁振動、騒音については、産業用、家電用の駆動機器として種々の分野で広く使われてきた誘導 ...

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1 薄膜 BOX-SOI (SOTB) を用いた 2M ビット SRAM の超低電圧 0.37V 動作を実証大規模集積化に成功超低電圧超低電力 LSI 実現に目処独立行政法人新エネルギー産業技術総合開発機構 ( 理事長古川一夫 / 以下 NEDOと略記 ) 超低電圧デバイス技術研究組合(

... トランジスタの動作電圧低減が有効とされていますが、従来のバルク CMOS では動作特性ばらつきのためにこれが困難でした。このため、ばらつきの小さいトランジスタ構造への切り替えが世界的な潮流となっています。今回、LEAP 独自の SOTB と呼ぶ ...

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低アレルゲン化小麦グルテンの調整と製パンへの応用

... 2-1-3 ブラッドフォード法による測定結果ブラッドフォード法による結果を表１に示す。記載の結果は、各処理ごとのグルテニンとグリアジンの換算値を足したものをローリー法によって求めたタンパク質の総量で除したものである。ブラッドフォード法は、たんぱく質の高次構造のみ ...

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SGTを用いた半導体集積回路の低コスト化、高速化、低電力化に関する研究

... 4-3 の NAND アレイ１の左端の NAND で(𝐴𝐵𝐶𝐷 ̅̅̅̅̅̅̅̅ )を実現したい場合には、ゲートに𝐴 ̅ , 𝐵̅, 𝐶, ̅ 𝐷̅を入力される合計 4 個の Fe‐FET に予めプログラムを行う。また図 4-3 に示すようにプリチャージ信号ΦP がゲートの入力される SGT トランジスタを用 ...

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リアクタンスキャンセル機能を有する電力変換器を用いた非接触給電システムの低損失化日下佳祐 2016 年 2 月

... 解決し，電気自動車の普及を促進する手法として，非接触給電システムが盛んに研究されている。非接触給電システムを電気自動車のバッテリ充電に適用できれば，ユーザが意識することなくバッテリ充電を行うことが可能となるため，電気自動車購入に対するユーザ ...

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低電圧・低電力LSI技術の最新動向

... LSI の低電力化は微細化による内部容量の低減と低電圧動作により達成されてきたが，近年はリーク電流とトランジスタ特性のばらつきにより，低電圧化の速度が低下した．特にオンチップメモリにその影響が ...

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光発振器のネットワークを利用した組合せ最適化

... ントイジングマシンでは，空間光学系と呼ばれる反射用のミラーなどを配置した実験系で光共振器が構築されており，実現可能な共振器の長さにも限界があった．そこで我々は，全長 1 km の光ファイバを利用した長距離の リング型共振器を構築し，DOPO ネットワークの大規模 ...

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高速IGBTの低損失化に関する研究利用統計を見る

... パワーエレクトロニクスとは、パワー(電力)、エレクトロニクス(電子工学)、制御などの複合領域であり、エレクトロニクス制御による電気エネルギーの変換技術である。パワーエレクトロニクス技術を使って、電気エネルギーを必要な電流、電圧、周波数、または ...

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高速IGBTの低損失化に関する研究利用統計を見る

... フローティング P IGBT は、ターンオン時、ゲート電圧が閾値電圧以上に上がるとチャネルがオンし、エミッタからチャネルを通ってコレクタへ向かって電子電流が流れ始める。その結果、コレクタ側からはホール電流が n ドリフト ...

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マイクロ波加熱用高出力小型固体発振器の広帯域・高効率化に関する研究

... 2 の出力電力は同じとし，位相はマイクロ波 1 側の移相器を固定し，マイクロ波 2 側の移相器を所望の値に設定する．基準信号発生器の信号を分配して利用する理由は，アンテナ 1 とアンテナ 2 から輻射された信号がキャビティ内で反射を繰り返し ...

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3次元型トランジスタを用いた半導体集積回路の高集積化（低コスト化）、高速化、低電力化に関する研究

... FinFET とダブルゲートトランジスタは、電流はドレインからソース電極に向かって横方向に流れる 3 次元型トランジスタであるのに対し、電流が縦方向に流れる 3 次元型トランジスタが SGT である。図 1-10 に SGT の構造を示す。チャネルになるシリコン柱を 4 方向から囲む形でゲート電極が形成されるため、 FinFET ...

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システムLSI の低消費電力化, 高密度化の現状と将来展望

... 増加により消費電力は大幅に増加してしまう。並列処理の導入により 1 GHz で動作する組込み用プロセッサを 2 個，3 個並列動作させて全体で 2 GHz, 3 GHz 動作する場合を破線で示す。並列処理では動作周波数をあげる時に並列処理数（図中で N）を増加させるのに対し，並列処理が無い場合は MOS ...

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低歪み信号発生回路と電源回路高効率化の研究

... 第一章低歪み信号発生回路 1.1 研究背景と目的 LSI を作るためには、極めて多くの工程が必要である。設計、試作、評価、量産など、これら全ての工程がさらに分化されている。それぞれのステップについて世界的な競争の中で新技術が開発されている。特に先端 LSI ...

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LM6172 デュアル高速低消費電力、低歪み電圧帰還アンプ

... 部品の選択と帰還抵抗ワイヤは高周波環境で誘導性を持つため、高速アプリケーションではすべての部品のリードを短めにとります。ディスクリート部品にはカーボンタイプの抵抗、およびマイカタイプのコンデンサを選びます。表面実装部品は、誘導効果を最小限に抑えるため、ディスクリート部品より好ましいです。 ...

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低炭素社会づくりのためのエネルギーの低炭素化に向けた提言（概要版）

... しかし、要素技術力では優れているものの、現状では、普及は停滞しており、関連企業の育成は進んでいない。2000 年代前半には世界一の単年度導入量（発電容量ベース）を誇っていた太陽光発電についても、2008 年の単年度導入量（発電容量ベース）は第６位にまで落ち込んでいる。風力発電についても 2008 ...

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低電力化とリング発振器の低ジッタ化を進めている

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