JAIST Repository: 金電極表面でのレドックス活性高分子の合成と電気化学的特性評価
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(2) B21p2 山中 映（横山研究室） 【目的】 当研究室では、これまでにイニファーター重合法を用い、電極表面上でレドックス 活性高分子の合成およびその修飾した電極の電気化学的特性評価を行ってきた。また、 電極表面にイニファーター分子を修飾する方法として、イニファーター化ポリスチレ ンを電極表面に塗布する物理的修飾法を用いてきたが、電気化学的応答の安定性に問 題があった。 本研究では、セルフアセンブリモノレイヤー法により、金電極表面にイニファータ ーの単分子層を形成させ、イニファーター重合法により金電極表面でレドックス活性 高分子の合成を行った。さらに、その電気化学的特性評価を行った。 【実験】 N,N-ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウムと p-クロロメチル安息香酸を反応さ せ、イニファーターを調製した。一方、蒸着した金電極にシステアミンを用い、アミ ノ基を導入した。次にイニファーターのカルボキシル基とこのアミノ基を反応させ、 イニファーターを金電極に修飾した。 次に、金表面に修飾したイニファーターを用いて、フェロセン含有ビニルモノマー と両親媒性モノマーを各時間熱重合させることにより電極表面上でレドックス活性高 分子を合成した（図 1）。 Au S Au S. NHCO. NHCO +. +. Fe S. C NEt2. O NEt2. CH2. CH2 CH Fe. n. CH2 CH. m. O NEt2. S C NEt2 S. S. 図 1 金電極表面でのレドックス活性高分子の合成 【結果と考察】 この作製したレドックス活性高分子修飾電極をサイクリックボルタンメトリーで行 ったところ、重合時間が長いほど高い電流値が得られた。このことから、重合時間が 長いほど高分子量のレドックス活性高分子修飾電極ができたと考えられる。 Keyword セルフアセンブリモノレイヤー、レドックス活性高分子、イニファー ター重合、フェロセン .
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