電磁気学 C
Electromagnetics C
山田 博仁
電磁波の反射と透過
5/28
講義分電磁波における重要な関係 式
k v
2
波数 : k
f v
波長 : λ 周波数 : f 角周波数 : ω 周期 : T 伝搬速度 : v
T 1f
f
2
電界振幅 : |E|
) 2(
1 ED BH
ue um
u ( )
2
1 2 2
H
E
( 等方性媒質の場合 )
1
v 1 2.998 108 m/s
0 0
c
H
Z E 377[ ]
0 0
0
Z
) 1 (
),
( k
E k k H
H k
E
Z Z
k H k
E
S vu
v u Sv EH
02 02
2 1 2
1v E v H
u v
S
S H
E S
g 12 u v g
電場 ( 電界 ) ベクトル : E 磁場 ( 磁界 ) ベクトル : H 波数ベクトル : k インピーダンス : Z 真空のインピーダンス : Z0
真空中の光速度 : c
磁界振幅 : |H|
ポインティングベクトル : S 電磁場のエネルギー密度 : u
電磁場の運動量密度 : g
正弦波
) sin(kxt
+x 方向に伝搬する正弦波
波数 角周波数
) 2 2
sin( x f t
1 )
2 2
sin( t
x T
sin2 ( )
T t x
位相角
x = 0 x = λ x1
t = T t = 0 t1
もし、時間を止めて (t = t1) 見てみると、 もし、場所を決めて (x = x1) 見てみると、
-x +x
0 -t +t
0 v k
波の伝搬速度
従って、波数と角周波数の比は、
参考 ) 伝送線路上の電圧波の伝 搬
) (
0 ) (
0
x t j x x
t j x t
j
xe V e e V e e
V
-x 方向に位相速度 ω/β で進む電圧波。 α > 0 なら、伝搬に伴い振幅が指数関数的 に減衰+x 方向に位相速度 ω/β で進む電圧波。 α > 0 なら、伝搬に伴い振幅が指数関数的 に減衰
ZL E
x
入射波 反射波
ej(ωt±βx) = cos(ωt±βx)+j sin(ωt±βx) は、∓x 方向に進む角周波数 ω, 位相定数 β の正弦
波
x
) ( vp
vp: 位相速度 ここで、
e x
V0は波の振幅を表し、 α > 0 (α < 0) なら、 x が増大する方向に振幅が増大 ( 減少 ) する
d vg d 因みに、波の包絡線 の形状が伝わる速度 を群速度 : vg という
界面
1
2
異なる媒質の界面における境界条
件
5.3 (教科書 p.64) の復習誘電率 1, 2 の異なる媒質が接している界面
電場に関する Gauss の法則を、界面に 存在する高さが無限小の円柱に適用
S e S
V
dS dS
dV D n
D div
D1
D2 S
e
D n
D )
( 1 2
上式は、任意の面 S に対して成り立つことから、
Gauss の定理
界面には真電荷が面密度 e にて存在
表面電荷 e が存在しなければ、D1n D2 n 界面での電束密度 D に対して、どの
ような条件が満たされなければならな いか ?
n
-n
単位法線ベクトル
+ + + + + +
界面での真電荷密度
e +
S S e
D n
D )
( 1 2
従って、
異なる媒質の界面における境界条
誘電率 1, 2 の異なる媒質が接している界面
件
S S
t d
d B S
S E rot
Faraday の電磁誘導の法則を、図のよう
に界面の一部を囲む高さ h が無限小 の長方形 S に適用
ここで、 Bt は境界面の近くで有限であるから、 S→0 の極限で右辺の 積分はゼロになる
従って、 Stokes の定理を用いると左辺は、
l d
d
C S
) (
rot E S E r E1 t E2 t
E1
1
2 界面
h
l
t E t
E1 2 上式は、任意の l の長方形に対して成り立つことから、
界面での電場 E に対して、どのよ うな条件が満たされなければならな
いか ? C E2 S
t: 単位接線ベクトル t
t
0 )
(E1t E2 t l 従って、
異なる媒質の界面における境界条
件
9.4 (教科書 p.146) の復習透磁率 1, 2 の異なる媒質が接している界面
磁場に関する Gauss の法則を、界面に 存在する高さが無限小の円柱に適用
0
div
SV
dS dV B n B
S
1
2 界面
0 )
(B1 B2 n S 従って、
Gauss の定理
n B n
B1 2
界面での磁束密度 B に対して、どの ような条件が満たされなければならな
いか ? B1
B2 n
-n
単位法線ベクトル
0 )
(B1 B2 n
上式は、任意の面 S に対して成り立つことから、
よって、
異なる媒質の界面における境界条
透磁率 1, 2 の異なる媒質が接している界面
件
S e S
S
d t d
d D S i S
S H rot
Ampere-Maxwell の方程式を、図のよう
に界面の一部を囲む高さ h が無限小 の長方形 S に適用
ここで、界面に表面電流が存在しない限り、 ie も Dt も境界面の近く で有限であるから、 S→0 の極限で右辺はゼロになる
従って、 Stokes の定理を用いると左辺は、
l d
d
C S
) (
rotH S H r H1 t H2 t t
H t
H1 2 従って、
H1
1
2 界面
t: 単位接線ベクトル t
t
h
l ie: 界面での 伝導電流密度
ie 界面には伝導電流が面密度 ie にて存在
界面での磁場 H に対して、どのよ うな条件が満たされなければならな
いか ? C H2 S
異なる媒質の界面における境界条 件
t E t
E1 2
E1
E2
1
2
t E1
t E2 電場の接線成分は連続
t H t
H1 2
H1
H2
1
2
t H1
t H2 磁場の接線成分は連続
n D n
D1 2
電束密度の法線成分は連続
D1
D2
1
2
n D1
n D2
n B n
B1 2
磁束密度の法線成分は連続
B1
B2
1
2
n B1
n B2
表面電荷が 存在しない場 合
表面電流が 存在しない場 合
t は界面に平行 な単位接線ベク トル
n は界面に垂直 な単位法線ベク トル
界面での反射と透
2 種類の媒質が x-y 平面 (z = 0)
過
を境に接しており、 z > 0 を媒 質Ⅰが、 z < 0 を媒質Ⅱが満たし ている。平面電磁波が媒質Ⅰから 媒質Ⅱに入射角 i で斜め入射し
、その一部が反射角 r で反射 され、またその一部が透過角 t で媒質Ⅱ内に透過する場合を考え る。
t z
k x
k
t i i i i i
i
i r sin cos
入射波 k
反射波 kr r rt krxsinr krzcosr rt 透過波 kt r tt ktxsint ktzcost tt 入射波、反射波および透過波の
波数ベクトルと角周波数をそれ ぞれ (ki, i), (kr, r) および (kt,
t) とし、電場ベクトルは図の様 に x-z 平面上にあり、磁場は y 成分のみとする。
x z
媒質Ⅰ 媒質Ⅱ Ei
Hi
Er Hr
ki kr kt
Ht Et
y
i r
t 波の位相は、
界面での反射と透
境界面 (z = 0) 上の全ての点で、任意の時刻に波の位相が等しくなるので、
過
t r
i
t t
r r
i
i k k
k sin sin sin
i
r k
k
i
r
2 1
sin sin
v v k
k
i t t
i
v1 と v2 は、それぞれ媒質Ⅰ
、Ⅱ内を進む電磁波の速度 従って、
i
r
k vの関係より、媒質Ⅰ内で電磁波の速度 v1 は入射波、反射波に共通なので、
ならば、
( 反射の法則 )
(Snell の法則 )
v1
v2 媒質Ⅰ 媒質Ⅱ
i r
t
ki kr
kt
この条件が成立しなければならない
2 1
sin sin
v v
t
i
2 2
1 1
1 1
1 1
2 2
1 2
0 2
1
磁性体でなければ、
0 1
0 2
r
r
1 2 r r
1 2
n
n
n1, n2 は各々、媒質
Ⅰ , 媒質Ⅱの屈折率 比誘電率
界面での反射と透 過
) sin ,
0 , cos (
) , 0 ,
( ix iz i i i i
i E E E E
E
(0, , 0) 0, ,0 Z1
Hiy Ei Hi
入射波
反射波
) sin ,
0 , cos (
) , 0 ,
( rx rz r r r r
r E E E E
E
(0, , 0) 0, ,0 Z1
Hry Er
Hr
透過波
) sin ,
0 , cos (
) , 0 ,
( tx tz t t t t
t E E E E
E
(0, ,0) 0, ,0 Z2
Hty Et Ht
Z1, Z2 は、それぞれ媒質 1, 2 の電磁インピーダンス
x z
媒質Ⅰ 媒質Ⅱ
Ei
Hi Er
Hr
ki kr kt
Ht Et y
i r
t
i
r
界面での反射と透 過
tx rx
ix E E
E
次に、電磁波の振幅について考えると、界面での電場 E および磁場 H の 接線成分の連続性より、
ty ry
iy H H
H
t t
r r
i
i E E
E cos cos cos
2 1
1 Z
E Z
E Z
Ei r t Z2Ei Z2Er Z1Et
t t
i r
i
i E E
E cos cos cos
t i
i t
i r
Z Z
Z Z
E r E
cos cos
cos cos
2 1
1 2
t i
i i
t
Z Z
Z E
t E
cos cos
cos 2
2 1
2
上式から Et を消去すると、
上式から Er を消去すると、
( 電界反射係数 )
( 電界透過係数 ) 従って、
ここで、 θi = θr の関係を用いている
界面での反射と透 過
E r E E Z
E Z H
H
i r i
r
i
r
1
1 t
Z Z E
E Z
Z E Z
E Z H
H
i t i
t
i t
2 1 2
1
1
2
因みに、磁界に対する反射係数および透過係数を求めてみると、
特に、媒質 1 と2 が非磁性の場合には 1 = 2 = 0 が成り立ち、それぞれの 媒質の屈折率は真空の固有インピーダンス Z0 を用いて、
r r r
r
v
n c
0 0
0 0
0 0 0
0
1 1
2 0 2
2 0 0 2
2
2 Z
Z v
n c r
媒質の屈折率 n は、真空中での光の速度 c と媒質中での光の速度 v の比で表され、
1 0 1
1 0 0 1
1
1 Z
Z v
n c r
と表せる。
従って、反射係数と透過係数は、
i t
i t
n n
n r n
cos cos
cos cos
2 1
2 1
i t
i
n n
t n
cos cos
cos 2
2 1
1
界面での反射と透
垂直入射の場合には、 i = t = 0 とすることにより反射係数と透過係数は、
過
2 1
2 1
n n t n
2 1
2 1
n n
n r n
n1 n2
t r i
入射波のエネルギー流に対する反射波と透過波のエネルギー流 の比をそれぞれ反射率 R および透過率 T という。
入射波、反射波、透過波のエネルギー流は、各々に対するポインティングベクトルの 大きさの界面に垂直方向成分であるから、
1 2
1
cos cos
cos Z
E Z
E E H
Ei i i i i i i i
r r
r r
r r
r
r Z
E Z
E E H
E cos cos cos
1 2
1
Z1
Z2 媒質Ⅰ 媒質Ⅱ
i r
t
入射波 反射波
透過波
t t
t t
t t
t
t Z
E Z
E E H
E cos cos cos
2 2
2
Si Sr St 入射エネルギー流
反射エネルギー流
透過エネルギー流
界面での反射と透 過
2 2
2 2
1 2
1 2
/ cos
/ cos cos
cos r
E E E
E Z
E
Z E
H E
H R E
i r i
r i
i
r r
i i
i
r r
r
2 2
1 2
2 1 1
2
2 2
cos cos cos
cos /
cos / cos cos
cos t
Z Z E
E Z
Z Z
E
Z E
H E
H T E
i t i
t i t i
i
t t
i i
i
t t
t
R T 1
r
i
従って、反射率 R と透過率 T は、
屈折率 n1, n2 で表せば、反射率 R と透過率 T は、
1 2
22 2
1
cos cos
cos cos
i t
i t
n n
n R n
n14cosn1n2cost n2i coscos it
2T
演習 : 界面での反射と透
図に示す様に、 2 種類の媒質が
過
x-y 平面 (z = 0) を境に接してい る。今、平面電磁波が媒質Ⅰから 媒質Ⅱに入射角 i で斜め入射す る場合を考える。
t z
k x
k
t i i i i i
i
i r sin cos
入射波 k
反射波 kr r rt krxsinr krzcosr rt 透過波 kt r tt ktxsint ktzcost tt 入射波、反射波および透過波の
波数ベクトルと角周波数をそれ ぞれ (ki, i), (kr, r) および (kt,
t) とし、電場ベクトルは図の様 に x-z 平面上にあり、磁場は y 成分のみとする。
波の位相は、
x z
媒質Ⅰ 媒質Ⅱ
Ei Hi
Er Hr
ki kr kt
Ht Et y
i r
t
境界面 (z = 0) 上の全ての点で、任意の時刻に波の位相が等しくなるので、
t r
i
t t
r r
i
i k k
k sin sin sin この条件が成立しなければならない
電場、磁場ベクトルの向きを教科書とは違えております
演習 : 界面での反射と透 過
) sin ,
0 , cos (
) , 0 ,
( ix iz i i i i
i E E E E
E
(0, ,0) 0, ,0 Z1
Hiy Ei
Hi
入射波
反射波
) sin ,
0 , cos (
) , 0 ,
( rx rz r r r r
r E E E E
E
(0, ,0) 0, ,0 Z1
Hry Er
Hr
透過波
) sin ,
0 , cos (
) , 0 ,
( tx tz t t t t
t E E E E
E
(0, , 0) 0, ,0 Z2
Hty Et
Ht
Z1, Z2 は、それぞれ媒質 1, 2 の電磁インピーダンス
x z
媒質Ⅰ 媒質Ⅱ Ei Hi
Er Hr
ki kr kt
Ht Et y
i r
t
i
r
演習 : 界面での反射と透 過
tx rx
ix E E
E
界面での電場 E および磁場 H の接線成分の連続性より、
ty ry
iy H H
H
t t
r r
i
i E E
E cos cos cos
2 1
1 Z
E Z
E Z
Ei r t Z2Ei Z2Er Z1Et
t i
t i
i r
Z Z
Z Z
E r E
cos cos
cos cos
2 1
2 1
t i
i i
t
Z Z
Z E
t E
cos cos
cos 2
2 1
2
上式から Et を消去すると、
上式から Er を消去すると、
( 電界反射係数 )
( 電界透過係数 ) 従って、
ここで、 θi = θr の関係を用いている
E r E E Z
E Z H
H
i r i
r
i
r
1
1 t
Z Z E
E Z
Z E Z
E Z H
H
i t i
t
i t
2 1 2
1
1
2
磁界に対する反射係数および透過係数は、
反射係数や透過係数の値は、電界 や磁界ベクトルの取り方によって 異なる