化合物半導体デバイスプロセスの研究

第 4章 では、一層の耐熱性 を求めて、 5価 金属元素 を添加 した薄膜 Ti02を 用いた N02セ ンサを 試作 し、良好な N02検 知特性 を得

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その後、プラズマ気相堆積法を用いて SiOx 保護膜を成膜し、コンタクトホールを形成後、ソース / ド レイン電極を成膜して TFT を作製し、大気雰囲気下

Zn 極性面と O 極性面の ZnO 薄膜を DC マグネトロン スパッタリング法と DC アーク放電イオンプレーティン グで成膜した。また Ga ドープ ZnO 上

GaAs: 5.654Å AlAs: 5.661Å Δa/a≒0.1%. GaAs 基板上に任意の混晶組成の Al ｘ Ga

表 6.1.1 に 80 K 以下でほとんどイオン化している最も浅いアクセプタ準位を Acceptor1 に、 19∼40 meV のアクセプタ準位を Acceptor2 に、66∼94 meV

In Chapter 3, physicochemical characteristics of Ta anodic oxide prepared in citric acid solutions

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