LT1801/LT デュアル/クワッド80MHz、25V/μs低消費電力レール・トゥ・レール入出力高精度オペアンプ

(1)

LT1801/LT1802

1

18012fc

標準的応用例

デュアル/クワッド80MHz、25V/μs

低消費電力レール・トゥ・レール

入出力高精度オペアンプ

– +1/2 LT1801 47pF 220pF VIN VS/2 909Ω 2.67k 909Ω – +1/2 LT1801 22pF VOUT 470pF 18012 TA01 1.1k 2.21k 3V 1.1k 3V、1MHz、4次のバターワース・フィルタ FREQUENCY (Hz) –80 GAIN (dB) –40 0 –100 –60 –20 1k 100k 1M 10M 100M 18012 TA02 –120 10k 1MHz_{フィルタの周波数応答}

特長

■

利得帯域幅積：

80MHz ■

両レールを含む入力同相範囲

■

レール・トゥ・レール出力振幅

■

低電圧動作：

2.3V

∼

12.6V

の単一または両電源

■

低消費電流：

2mA/

アンプ（最大）

■

入力オフセット電圧：

350

μ

V

（最大）

■

入力バイアス電流：

250nA

（最大）

■

3mm × 3mm × 0.8mm DFNパッケージ

■

大きい出力電流：50mA（標準）

■

低い電圧ノイズ：8.5nV/√Hz（標準）

■

スルーレート：25V/μs（標準）

■

同相除去比：105dB（標準）

■

電源除去比：97dB（標準）

■

開ループ利得：85V/mV（標準）

■

動作温度範囲：−40℃～85℃

■

LT1801は8ピンSO, MS8およびDFNパッケージ

■

LT1802は14ピンSOパッケージ

アプリケーション

■

低電圧高周波信号処理

■

A/Dコンバータのドライブ

■

レール・トゥ・レールのバッファ・アンプ

■

アクティブ・フィルタ

■

ビデオ・ライン・ドライバ

L、LT、LTCおよびLTMはリニアテクノロジー社の登録商標です。他の全ての商標はそれぞれの所有者に所有権があります。

概要

LT

®

1801/LT1802は優れたDC性能を備えた低消費電力の

デュアル/クワッド高速レール・トゥ・レール入出力オペアンプで

す。LT1801/LT1802は、同等の帯域幅をもつ他製品と比べて、

消費電流や入力バイアス電流が少なく、入力オフセット電圧

が低く、DC利得が優れています。

LT1801/LT1802は標準で入力オフセット電圧が100μV未満、

入力バイアス電流が50nA未満、開ループ利得が85000です。

LT1801/LT1802の入力範囲は両電源レールを含み、出力は両電

源レールの20mV以内に振幅するので、低電源アプリケーション

での信号ダイナミック・レンジを最大にすることができます。

LT1801/LT1802は2.3V∼12.6Vの電源電圧範囲で性能を維

持し、3V、5V、 5Vの各電源で仕様が規定されています。入力

は損傷を受けたり出力の位相反転を起こすことなく、電源レー

ルを超えてドライブ可能です。

LT1801は標準オペアンプ・ピン配置のMS8パッケージ、SO-8

パッケージ、3mm 3mm 0.8mmデュアル・ファイン・ピッチ・

リードレス・パッケージ（DFN）で供給されます。LT1802は標準

クワッド･オペアンプ構成を特長とし、14ピン・プラスチックSO

パッケージで供給されます。LT1801/LT1802は多くのオペアン

プのプラグイン互換品として使用することができ、入力/出力範

囲と性能を改善することができます。

これらのアンプのシングル・バージョンについては、LT1800の

データシートを参照してください。

(2)

LT1801/LT1802

2

18012fc

ピン配置

絶対最大定格　

（Note 1）

発注情報

全電源電圧（V

S−

～V

S＋

） ...12.6V

入力電流（Note 2） ...±10mA

出力短絡時間（Note 3） ...無期限

動作温度範囲（Note 4） ... −40℃～85℃

規定温度範囲（Note 5） ... −40℃～85℃

接合部温度...150℃

保存温度範囲... −65℃～150℃

最大接合部温度（DDパッケージ） ...125℃

保存温度（DDパッケージ） ... −65℃～125℃

リード温度、MSOP、SOIC

（半田付け、10秒） ...300℃

鉛フリー仕様 テープアンドリール 製品マーキング* パッケージ 動作温度範囲

LT1801CDD#PBF LT1801CDD#TRPBF LAAM 8-Lead (3mm × 3mm) Plastic DFN –40°C to 85°C

LT1801IDD#PBF LT1801IDD#TRPBF LAAM 8-Lead (3mm × 3mm) Plastic DFN –40°C to 85°C

LT1801CMS8#PBF LT1801CMS8#TRPBF LTYR 8-Lead Plastic MSOP –40°C to 85°C

LT1801IMS8#PBF LT1801IMS8#TRPBF LTYS 8-Lead Plastic MSOP –40°C to 85°C

LT1801CS8#PBF LT1801CS8#TRPBF 1801 8-Lead Plastic SO –40°C to 85°C

LT1801IS8#PBF LT1801IS8#TRPBF 1801I 8-Lead Plastic SO –40°C to 85°C

LT1802CS#PBF LT1802CS#TRPBF LT1802CS 14-Lead Plastic SO –40°C to 85°C

LT1802IS#PBF LT1802IS#TRPBF LT1802IS 14-Lead Plastic SO –40°C to 85°C

さらに広い動作温度範囲で規定されるデバイスについては、弊社または弊社代理店にお問い合わせください。　*温度グレードは出荷時のコンテナのラベルで識別されます。鉛フリー仕様の製品マーキングの詳細については、http://www.linear-tech.co.jp/leadfree/ をご覧ください。テープアンドリールの仕様の詳細については、http://www.linear-tech.co.jp/tapeandreel/ をご覧ください。 TOP VIEW DD PACKAGE 8-LEAD (3mm × 3mm) PLASTIC DFN 5 6 7 8 4 3 2 1 OUT A –IN A +IN A V– V+ OUT B –IN B +IN B B A 1₂ 3 4 OUT A –IN A +IN A V– 8 7 6 5 V+ OUT B –IN B +IN B TOP VIEW MS8 PACKAGE 8-LEAD PLASTIC MSOP

TJMAX = 125°C, θJA = 160°C/W, (Note 10)

EXPOSED PAD INTERNALLY CONNECTED TO V–_.

(PCB CONNECTION OPTIONAL) TJMAX = 150°C, θJA = 250°C/W, (Note 10) 1 2 3 4 8 7 6 5 TOP VIEW V+ OUT B –IN B +IN B OUT A –IN A +IN A V– S8 PACKAGE 8-LEAD PLASTIC SO + – + – TOP VIEW S PACKAGE 14-LEAD PLASTIC SO 1 2 3 4 5 6 7 14 13 12 11 10 9 8 OUT A –IN A +IN A V+ +IN B –IN B OUT B OUT D –IN D +IN D V– +IN C –IN C OUT C A B C D

(3)

LT1801/LT1802

3

18012fc

SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS

VOS Input Offset Voltage VCM = 0V

VCM = 0V (MS8) VCM = 0V (DD) VCM = VS 75 140 175 0.5 350 500 800 3 µV µV µV mV

∆VOS Input Offset Shift VCM = 0V to VS – 1.5V 20 185 µV

Input Offset Voltage Match

(Channel-to-Channel) (Note 9) VVCMCM = 0V = 0V (MS8) VCM = 0V (DD) 100 150 280 650 900 1200 µV µV µV

IB Input Bias Current VCM = 1V

VCM = VS

25

500 1500250 nA nA

Input Bias Current Match

(Channel-to-Channel) (Note 9) VVCMCM = 1V = VS

25

25 350 500 nA nA

IOS Input Offset Current VCM = 1V

VCM = VS

25

25 200 200 nA nA

Input Noise Voltage 0.1Hz to 10Hz 1.4 µVP-P

en Input Noise Voltage Density f = 10kHz 8.5 nV/√Hz

in Input Noise Current Density f = 10kHz 1 pA/√Hz

CIN Input Capacitance 2 pF

AVOL Large-Signal Voltage Gain VS = 5V, VO = 0.5V to 4.5V, RL = 1k at VS/2

VS = 5V, VO = 1V to 4V, RL = 100Ω at VS/2 VS = 3V, VO = 0.5V to 2.5V, RL = 1k at VS/2 35 3.5 30 85 8 85 V/mV V/mV V/mV

CMRR Common Mode Rejection Ratio VS = 5V, VCM = 0V to 3.5V

VS = 3V, VCM = 0V to 1.5V

85

78 105 97 dB dB

CMRR Match (Channel-to-Channel) (Note 9) VS = 5V, VCM = 0V to 3.5V

79

72 105 97 dB dB

Input Common Mode Range 0 VS V

PSRR Power Supply Rejection Ratio VS = 2.5V to 10V, VCM = 0V 78 97 dB

PSRR Match (Channel-to-Channel) (Note 9) VS = 2.5V to 10V, VCM = 0V 72 97 dB

Minimum Supply Voltage (Note 6) 2.3 2.5 V

VOL Output Voltage Swing Low (Note 7) No Load

ISINK = 5mA ISINK = 20mA 16 85 225 60 200 500 mV mV mV

VOH Output Voltage Swing High (Note 7) No Load

ISOURCE = 5mA ISOURCE = 20mA 18 120 450 60 250 800 mV mV mV ISC Short-Circuit Current VS = 5V VS = 3V 20 20 45 40 mA mA

IS Supply Current per Amplifier 1.6 2 mA

GBW Gain Bandwidth Product Frequency = 2MHz 40 80 MHz

SR Slew Rate VS = 5V, AV = –1, RL = 1k, VO = 1V to 4V 12.5 25 V/µs

FPBW Full Power Bandwidth VS = 5V, AV = 1, VO = 4VP-P 2 MHz

HD Harmonic Distortion VS = 5V, AV = 1, RL = 1k, VO = 2VP-P, fC = 500kHz –75 dBc

tS Settling Time 0.01%, VS = 5V, VSTEP = 2V, AV = 1, RL = 1k 250 ns

∆G Differential Gain (NTSC) VS = 5V, AV = 2, RL = 150Ω 0.35 %

∆θ Differential Phase (NTSC) VS = 5V, AV = 2, RL = 150Ω 0.4 Deg

電気的特性

(4)

LT1801/LT1802

4

18012fc

VCM = 0V (MS8) VCM = 0V (DD) VCM = VS l l l l 125 140 290 0.6 500 650 950 3.5 µV µV µV mV

∆VOS Input Offset Shift VCM = 0V to VS – 1.5V l 30 275 µV

(Channel-to-Channel) (Note 9) VVCMCM = 0V = 0V (MS8) VCM = 0V (DD) l l l 200 200 275 850 1250 1500 µV µV µV

VOS TC Input Offset Voltage Drift (Note 8) l 1.5 5 µV/°C

IB Input Bias Current VCM = 1V

VCM = VS – 0.2V

l l

50

550 2000300 nA nA

(Channel-to-Channel) (Note 9) VVCMCM = 1V = VS – 0.2V

l l

25

25 400 600 nA nA

VCM = VS – 0.2V

l l

25

25 300 300 nA nA

VS = 5V, VO = 1V to 4V, RL = 100Ω at VS/2 VS = 3V, VO = 0.5V to 2.5V, RL = 1k at VS/2 l l l 25 2.5 20 75 6 75 V/mV V/mV V/mV

l l

82

74 101 93 dB dB

l l

76

68 101 93 dB dB

Input Common Mode Range l 0 V_S V

PSRR Power Supply Rejection Ratio VS = 2.5V to 10V, VCM = 0V l 74 91 dB

PSRR Match (Channel-to-Channel) (Note 9) VS = 2.5V to 10V, VCM = 0V l 68 91 dB

Minimum Supply Voltage (Note 6) l 2.3 2.5 V

ISINK = 5mA ISINK = 20mA l l l 18 100 300 80 225 600 mV mV mV

ISOURCE = 5mA ISOURCE = 20mA l l l 25 150 600 80 300 950 mV mV mV ISC Short-Circuit Current VS = 5V VS = 3V l l 20 15 40 30 mA mA

IS Supply Current per Amplifier l 2 2.8 mA

GBW Gain Bandwidth Product Frequency = 2MHz l 35 75 MHz

SR Slew Rate VS = 5V, AV = –1, RL = 1k, VO = 1V to 4V l 11 22 V/µs

電気的特性

(5)

LT1801/LT1802

5

18012fc

VCM = 0V (MS8) VCM = 0V (DD) VCM = VS l l l l 175 200 320 0.75 700 850 1150 4 µV µV µV mV

∆VOS Input Offset Shift VCM = 0V to VS – 1.5V l 30 300 µV

(Channel-to-Channel) (Note 9) VVCMCM = 0V = 0V (MS8) VCM = 0V (DD) l l l 200 280 320 1250 1600 1800 µV µV µV

IB Input Bias Current

VCM = VS – 0.2V

l l

50

600 2250400 nA nA

(Channel-to-Channel) (Note 9) VVCMCM = 1V = VS – 0.2V

l l

25

25 450 700 nA nA

VCM = VS – 0.2V

l l

25

25 350 350 nA nA

VS = 5V, VO = 1.5V to 3.5V, RL = 100Ω at VS/2 VS = 3V, VO = 0.5V to 2.5V, RL = 1k at VS/2 l l l 20 2 17.5 65 6 65 V/mV V/mV V/mV

l l

81

73 101 93 dB dB

l l

75

67 101 93 dB dB

Input Common Mode Range l 0 V_S V

PSRR Power Supply Rejection Ratio VS = 2.5V to 10V, VCM = 0V l 73 90 dB

PSRR Match (Channel-to-Channel) (Note 9) VS = 2.5V to 10V, VCM = 0V l 67 90 dB

Minimum Supply Voltage (Note 6) VCM = VO = 0.5V l 2.3 2.5 V

ISOURCE = 5mA ISOURCE = 10mA l l l 25 150 300 90 350 700 mV mV mV ISC Short-Circuit Current VS = 5V VS = 3V l l 12.5 12.5 30 30 mA mA

IS Supply Current per Amplifier l 2.1 3 mA

GBW Gain Bandwidth Product Frequency = 2MHz l 25 70 MHz

SR Slew Rate VS = 5V, AV = –1, RL = 1k, VO = 1V to 4V l 9 18 V/µs

電気的特性

(6)

LT1801/LT1802

6

18012fc

VOS Input Offset Voltage VCM = VS–

VCM = VS– (MS8) VCM = VS– (DD) VCM = VS+ 150 180 260 0.7 600 750 1050 3.5 µV µV µV mV

∆VOS Input Offset Shift VCM = VS– to VS+ – 1.5V 30 475 µV

(Channel-to-Channel) (Note 9) VCM = VS – VCM = VS– (MS8) VCM = VS– (DD) 150 275 325 1000 1300 1600 µV µV µV

IB Input Bias Current VCM = VS– + 1V

VCM = VS+

25

400 1500250 nA nA

(Channel-to-Channel) (Note 9) VCM = VS

–_{+ 1V}

VCM = VS+

20

20 350 500 nA nA

IOS Input Offset Current VCM = VS– + 1V

VCM = VS+

20

20 250 250 nA nA

Input Noise Voltage 0.1Hz to 10Hz 1.4 µV/P-P

en Input Noise Voltage Density f = 10kHz 8.5 nV/√Hz

in Input Noise Current Density f = 10kHz 1 pA/√Hz

CIN Input Capacitance f = 100kHz 2 pF

AVOL Large-Signal Voltage Gain VO = –4V to 4V, RL = 1k

VO = –2V to 2V, RL = 100Ω

25

2.5 70 7 V/mV V/mV

CMRR Common Mode Rejection Ratio VCM = VS– to 3.5V 85 109 dB

CMRR Match (Channel-to-Channel) (Note 9) VCM = VS– to 3.5V 79 109 dB

Input Common Mode Range VS– VS+ V

PSRR Power Supply Rejection Ratio VS+ = 2.5V to 10V, VS– = 0V 78 97 dB

PSRR Match (Channel-to-Channel) (Note 9) VS+ = 2.5V to 10V, VS– = 0V 72 97 dB

ISINK = 5mA ISINK = 20mA 15 90 225 70 200 500 mV mV mV

ISOURCE = 5mA ISOURCE = 20mA 20 130 450 80 260 850 mV mV mV ISC Short-Circuit Current 25 50 mA

IS Supply Current per Amplifier 1.8 3 mA

GBW Gain Bandwidth Product Frequency = 2MHz 70 MHz

FPBW Full Power Bandwidth VO = 8VP-P 0.9 MHz

SR Slew Rate AV = –1, RL = 1k, VO = ±4V, Measured at VO = ±2V 20 V/µs

HD Harmonic Distortion AV = 1, RL = 1k, VO = 2VP-P, fC = 500kHz –75 dBc

tS Settling Time 0.01%, VSTEP = 5V, AV = 1V, RL = 1k 300 ns

∆G Differential Gain (NTSC) AV = 2, RL = 150Ω 0.35 %

∆θ Differential Phase (NTSC) AV = 2, RL = 150Ω 0.2 deg

電気的特性

(7)

LT1801/LT1802

7

18012fc

VCM = VS– (MS8) VCM = VS– (DD) VCM = VS+ l l l l 200 220 290 0.75 800 1000 1300 4 µV µV µV mV

∆VOS Input Offset Shift VCM = VS– to VS+ – 1.5V l 45 675 µV

(Channel-to-Channel) (Note 9) VCM = VS – VCM = VS– (MS8) VCM = VS– (DD) l l l 240 300 340 1500 1700 1950 µV µV µV

VCM = VS+ – 0.2V

l l

30

450 2000300 nA nA

(Channel-to-Channel) (Note 9) VCM = VS –_{+ 1V} VCM = VS+ – 0.2V l l 25 25 400 700 nA nA

VCM = VS+ – 0.2V

l l

25

25 300 300 nA nA

VO = –2V to 2V, RL = 100Ω

l l

15

2 55 5 V/mV V/mV

CMRR Common Mode Rejection Ratio VCM = VS– to 3.5V l 82 105 dB

CMRR Match (Channel-to-Channel) (Note 9) VCM = VS– to 3.5V l 76 105 dB

Input Common Mode Range l V_S– V_S+ V

PSRR Power Supply Rejection Ratio VS+ = 2.5V to 10V, VS– = 0V l 74 91 dB

PSRR Match (Channel-to-Channel) (Note 9) VS+ = 2.5V to 10V, VS– = 0V l 68 93 dB

ISOURCE = 5mA ISOURCE = 20mA l l l 25 150 600 90 310 975 mV mV mV ISC Short-Circuit Current l 22.5 45 mA

IS Supply Current per Amplifier l 2.4 4 mA

GBW Gain Bandwidth Product Frequency = 2MHz l 70 MHz

SR Slew Rate AV = –1, RL = 1k, VO = ±4V,

Measured at VO = ±2V

l 20 V/µs

VCM = VS– (MS8) VCM = VS– (DD) VCM = VS+ l l l l 350 350 350 0.75 1000 1200 1500 5 µV µV µV mV

∆VOS Input Offset Shift VCM = VS– to VS+ – 1.5V l 50 750 µV

(Channel-to-Channel) (Note 9) VCM = VS – VCM = VS– (MS8) VCM = VS– (DD) l l l 280 380 410 1700 1900 2100 µV µV µV ●は₄₀℃_{< T}_A_{< 85}℃の温度範囲の規格値を意味する。注記がない限り、_V_S_{= 5V}、_V_CM_{= 0V}、_V_OUT_{= 0V}。（_{Note 5}）

電気的特性

●は₀℃_{< T}_A_{< 70}℃の温度範囲の規格値を意味する。注記がない限り、_V_S_{= 5V}、_V_CM_{= 0V}、_V_OUT_{= 0V}。

(8)

LT1801/LT1802

8

18012fc

VCM = VS+ – 0.2V

l l

50

450 2250400 nA nA

(Channel-to-Channel) (Note 9) VCM = VS –_{+ 1V} VCM = VS+ – 0.2V l l 25 25 450 700 nA nA

VCM = VS+ – 0.2V

l l

25

25 350 350 nA nA

VO = –1V to 1V, RL = 100Ω

l l

12.5

2 55 5 V/mV V/mV

CMRR Common Mode Rejection Ratio VCM = VS– to 3.5V l 81 104 dB

CMRR Match (Channel-to-Channel) (Note 9) VCM = VS– to 3.5V l 75 104 dB

Input Common Mode Range l V_S– V_S+ V

PSRR Power Supply Rejection Ratio VS+ = 2.5V to 10V, VS– = 0V l 73 90 dB

PSRR Match (Channel-to-Channel) (Note 9) VS+ = 2.5V to 10V, VS– = 0V l 67 90 dB

ISOURCE = 5mA ISOURCE = 10mA l l l 30 150 300 110 350 700 mV mV mV ISC Short-Circuit Current l 12.5 30 mA

IS Supply Current per Amplifier l 2.6 4.5 mA

GBW Gain Bandwidth Product Frequency = 2MHz l 65 MHz

SR Slew Rate AV = –1, RL = 1k, VO = ±4V, Measured at VO = ±2V l 15 V/µs Note 1：絶対最大定格に記載された値を超えるストレスはデバイスに永続的損傷を与える可 能性がある。長期にわたって絶対最大定格条件に曝すと、デバイスの信頼性と寿命に悪影響を与える可能性がある。 Note 2：入力はバック・トゥ・バック・ダイオードにより保護されている。差動入力電圧が1.4Vを 超える場合、入力電流を10mA未満に制限すること。全数テストはされない。 Note 3：出力が無期限に短絡されるときは、接合部温度を絶対最大定格より下に抑えるため に、ヒートシンクが必要になることがある。 Note 4：LT1801C/LT1801IおよびLT1802C/LT1802Iは−40℃～85℃の動作温度範囲で動作するこ とが保証されている。 Note 5：LT1801C/LT1802Cは、0℃～70℃の温度範囲で性能仕様に適合することが保証されて いる。これらは−40℃～85℃の拡張温度範囲で性能仕様に適合するように設計され、特性が評価されており、性能仕様に適合すると予想されるが、これらの温度ではテストされないし、 QAサンプリングも行われない。LT1801I/LT1802Iは−40℃～85℃の温度範囲で性能仕様に適合することが保証されている。 Note 6：最小電源電圧は電源除去比テストによって保証されている。 Note 7：出力電圧振幅は出力と電源レールの間で測定される。 Note 8：このパラメータに対しては全数テストは実施されない。 Note 9：整合パラメータは、LT1802の2つのアンプAとDの間の差およびBとCの間の差である。さ らに LT1801の2つのアンプの間の差である。 Note 10：熱抵抗（θJA）はパッケージに接続されたPCボードのメタル量に依存して変化する。規定値はリードに短いトレースが接続されている場合である。望むなら、SO-8とMS8のピン４、 SO-14のピン11またはDDパッケージの下側メタルを大きなメタル領域（VS−のトレース）に接続して熱抵抗を大きく減らすことができる。

電気的特性

●は₄₀℃_{< T}_A_{< 85}℃の温度範囲の規格値を意味する。注記がない限り、_V_S_{= 5V}、_V_CM_{= 0V}、_V_OUT_{= 0V}。（_{Note 5}）

(9)

LT1801/LT1802

9

18012fc

標準的性能特性

消費電流と電源電圧 オフセット電圧と入力同相電圧 入力バイアス電流と同相電圧 入力バイアス電流と温度 出力飽和電圧と負荷電流 （出力は低） VOSの分布、VCM = 0V（PNP段） VOSの分布、VCM = 5V（NPN段）

INPUT OFFSET VOLTAGE (µV) –250 0 PERCENT OF UNITS (%) 5 15 20 25 50 150 35 18012 G01 10 –150 –50 250 30 VS = 5V, 0V VCM = 0V

INPUT OFFSET VOLTAGE (µV) –2000 0 PERCENT OF UNITS (%) 5 15 20 25 400 1200 45 18012 G02 10 –1200 –400 2000 30 35 40 VS = 5V, 0V VCM = 5V

TOTAL SUPPLY VOLTAGE (V) 1

0

SUPPLY CURRENT (mA)

3 12 18012 G03 0 3 5 7 9 10 2 4 6 8 11 4 2 1 TA = 125°C TA = 25°C TA = –55°C PER AMPLIFIER

INPUT COMMON MODE VOLTAGE (V) 0 OFFSET VOLTAGE (µV) 100 300 500 4 18012 G04 –100 –300 0 200 400 –200 –400 –500 1 2 3 5 VS = 5V, 0V TYPICAL PART TA = –55°C TA = 125°C TA = 25°C

INPUT COMMON MODE VOLTAGE (V) –1

INPUT BIAS CURRENT (µA)

0.2 0.6 1.0 4 18012 G05 –0.2 –0.6 0 0.4 0.8 –0.4 –0.8 –1.0 0 1 2 3 5 6 VS = 5V, 0V TA = 25°C TA = 125°C TA = –55°C TEMPERATURE (°C) –60 –0.1

INPUT BIAS (µA)

0 0.2 0.3 0.4 40 60 80 0.8 18012 G06 0.1 –40 –20 0 20 0.5 0.6 0.7 NPN ACTIVE VS = 5V, 0V VCM = 5V PNP ACTIVE VS = 5V, 0V VCM = 1V

LOAD CURRENT (mA)

0.01 0.1

0.001

OUTPUT SATURATION VOLTAGE (V)

0.1 10 1 10 100 18012 G07 0.01 1 VS = 5V, 0V TA = 125°C TA = –55°C TA = 25°C 出力飽和電圧と負荷電流 （出力は高）

LOAD CURRENT (mA)

0.01 0.1

0.001

OUTPUT SATURATION VOLTAGE (V)

0.1 10 1 10 100 18012 G08 0.01 1 VS = 5V, 0V TA = 125°C TA = –55°C TA = 25°C

(10)

LT1801/LT1802

10

18012fc

標準的性能特性

開ループ利得 開ループ利得 オフセット電圧と出力電流 ウォームアップ・ドリフトと時間 開ループ利得 出力短絡電流と電源電圧 入力ノイズ電圧と周波数 POWER SUPPLY VOLTAGE (±V)

1.5 –70

OUTPUT SHORT-CIRCUIT CURRENT (mA)

–50 –30 –10 70 30 2 3 3.5 5 50 10 –60 –40 –20 60 20 40 0 2.5 4 4.5 TA = 125°C TA = 125°C TA = –55°C SINKING SOURCING TA = –55°C TA = 25°C TA = 25°C 18012 G10 OUTPUT VOLTAGE (V) 0 –2000

CHANGE IN OFFSET VOLTAGE (µV)–1200

–400 400 0.5 1 1.5 2 18012 G11 2.5 1200 2000 –1600 –800 0 800 1600 3 VS = 3V, 0V RL TO GND RL = 1k RL = 100Ω OUTPUT VOLTAGE (V) 0

CHANGE IN OFFSET VOLTAGE (µV)

400 1200 2000 4 18012 G12 –400 –1200 0 800 1600 –800 –1600 –2000 1 0.5 1.5 2 2.5 3 3.5 4.5 5 VS = 5V, 0V RL TO GND RL = 1k RL = 100Ω OUTPUT VOLTAGE (V) –5

CHANGE IN OFFSET VOLTAGE (µV)

400 1200 2000 3 18012 G13 –400 –1200 0 800 1600 –800 –1600 –2000 –3 –4 –2 –1 0 1 2 4 5 VS = ±5V RL TO GND RL = 1k RL = 100Ω

OUTPUT CURRENT (mA) –60

CHANGE IN OFFSET VOLTAGE (mV)

0 1.0 60 18012 G14 –1.0 –2.0 –30 0 30 –45 –15 15 45 2.0 –0.5 0.5 –1.5 1.5 VS = ±5V TA = 125°C TA = –55°C TA = 25°C

TIME AFTER POWER-UP (SECONDS) 0 OFFSET VOLTAGE (µV) 110 60 18012 G15 80 60 20 40 80 50 40 120 100 90 70 100 120 140 VS = ±5V VS = ±2.5V VS = ±1.5V TYPICAL PART FREQUENCY (kHz) 20 NOISE VOLTAGE (nV/√Hz) 40 60 10 30 50 0.01 1 10 100 18012 G16 0 0.1 VS = 5V, 0V NPN ACTIVE VCM = 4.25V PNP ACTIVE VCM = 2.5V 最小電源電圧

–0.6

CHANGE IN OFFSET VOLTAGE (mV) –0.4

0 0.2 0.4 2 3 3.5 5.5 18012 G09 –0.2 1.5 2.5 4 4.5 5 0.6 TA = 125°C TA = –55°C TA = 25°C

(11)

LT1801/LT1802

11

18012fc

標準的性能特性

利得帯域幅 および位相マージンと電源電圧 利得帯域幅 および位相マージンと温度 スルーレートと温度 利得および位相と周波数 利得と周波数（AV = 1） 利得と周波数（AV = 2）

GAIN BANDWIDTH (MHz)

PHASE MARGIN (DEG)

100 90 80 70 60 60 50 40 30 20 8 18012 G19 2 4 6 7 10 1 3 5 9 GAIN BANDWIDTH PRODUCT PHASE MARGIN TA = 25°C TEMPERATURE (°C) –55 GAIN BANDWIDTH (MHz)

PHASE MARGIN (DEG)

50 100 70 –15 25 45 125 18012 G20 80 90 60 10 20 40 50 60 30 –35 5 65 85 105 GBW PRODUCT VS = ±2.5V PHASE MARGIN VS = ±2.5V PHASE MARGIN VS = ±5V GBW PRODUCT VS = ±5V TEMPERATURE (°C) –55 10 SLEW RATE (V/µs) 15 25 30 35 –15 25 45 125 18012 G21 20 –35 5 65 85 105 AV = –1 RF = RG = 1k RL = 1k VS = ±2.5V VS = ±5V FREQUENCY (MHz) 0.01 10 OPEN-LOOP GAIN (dB) PHASE (DEG) 20 30 40 50 0.1 1 10 100 300 18012 G22 0 –40 –10 –20 –30 60 70 –20 0 20 40 60 –60 –80 –100 80 100 VS = ±2.5V VS = ±5V PHASE GAIN FREQUENCY (MHz) –6 GAIN (dB) 0 3 9 12 0.1 10 100 300 18012 G23 –12 1 6 –3 –9 RL = 1k CL = 10pF AV = 1 VS = ±5V VS = ±2.5V FREQUENCY (MHz) 0 GAIN (dB) 6 9 15 18 0.1 10 100 300 18012 G24 –6 1 12 3 –3 RL = 1k CL = 10pF AV = 2 VS = ±5V VS = ±2.5V 0.1Hz_∼10Hz_{の入力電圧} 入力電流ノイズと周波数 FREQUENCY (kHz) 1.0

NOISE CURRENT (pA/√Hz)

2.0 3.0 0.5 1.5 2.5 0.01 1 10 100 18012 G17 0 0.1 VS = 5V, 0V NPN ACTIVE VCM = 4.25V PNP ACTIVE VCM = 2.5V TIME (SECONDS) 0

INPUT NOISE VOLTAGE (nV)

2000 1000 0 –1000 –2000 8 18012 G18 2 4 6 7 10 1 3 5 9 VS = 5V, 0V

(12)

LT1801/LT1802

12

18012fc 直列出力抵抗と容量性負荷 歪みと周波数 歪みと周波数 最大歪みなし出力信号と周波数 CAPACITIVE LOAD (pF) 10 20 OVERSHOOT (%) 30 40 100 1000 10000 18012 G29 10 0 60 50 15 25 35 5 55 45 VS = 5V, 0V AV = 2 ROS = 10Ω ROS = RL = 50Ω ROS = 20Ω FREQUENCY (MHz) 0.01 –70 DISTORTION (dBc) –60 –50 –40 0.1 1 10 18012 G30 –80 –90 –100 –110 VS = 5V, 0V AV = 1 VOUT = 2VP-P RL = 150Ω, 2ND _R L = 1k, 2ND RL = 1k, 3RD RL = 150Ω, 3RD FREQUENCY (MHz) 0.01 –70 DISTORTION (dBc) –60 –50 –40 0.1 1 10 18012 G31 –80 –90 –100 –110 VS = 5V, 0V AV = 2 VOUT = 2VP-P RL = 150Ω, 2ND RL = 150Ω, 3RD RL = 1k, 2ND RL = 1k, 3RD FREQUENCY (Hz) 4.1

OUTPUT VOLTAGE SWING (V

P-P ) 4.3 4.5 4.6 1k 100k 1M 10M 18012 G32 3.9 10k 4.4 4.2 4.0 _V S = 5V, 0V RL = 1k AV = –1 AV = 2 直列出力抵抗と容量性負荷 CAPACITIVE LOAD (pF) 10 20 OVERSHOOT (%) 30 40 100 1000 10000 18012 G28 10 0 60 50 15 25 35 5 55 45 VS = 5V, 0V AV = 1 ROS = 10Ω ROS = 20Ω ROS = RL = 50Ω 電源除去比と周波数 FREQUENCY (MHz) 0.001 30

POWER SUPPLY REJECTION RATIO (dB)

40 50 60 70 0.01 0.1 1 10 100 18012 G27 20 10 0 –10 80 90 VS = 5V, 0V TA = 25°C POSITIVE SUPPLY NEGATIVE SUPPLY 出力インピーダンスと周波数 同相除去比と周波数 FREQUENCY (MHz) 0.1 0.001 OUTPUT IMPEDANCE (Ω) 0.1 600 100 1 10 100 500 18012 G25 0.01 1 10 VS = ±2.5V AV = 10 AV = 1 AV = 2 FREQUENCY (MHz) 40

COMMON MODE REJECTION RATIO (dB)

80 120 20 60 100 0.01 1 10 100 18012 G26 0 0.1 VS = 5V, 0V

標準的性能特性

(13)

LT1801/LT1802

13

18012fc 5V小信号応答 50mV/DIV VS = ±5V 50ns/DIV 18012 G36 AV = 1 RL = 1k 0V 出力オーバードライブからの回復 VIN 1V/DIV VS = 5V, 0V 100ns/DIV 18012 G37 AV = 2 RL = 1k 0V VOUT 2V/DIV 5V_{大信号応答} 2V/DIV VS = ±5V 200ns/DIV 18012 G35 AV = 1 RL = 1k 0V 5V大信号応答 1V/DIV VS = 5V, 0V 100ns/DIV 18012 G33 AV = 1 RL = 1k 0V 5V小信号応答 50mV/DIV VS = 5V, 0V 50ns/DIV 18012 G34 AV = 1 RL = 1k 0V

標準的性能特性

(14)

LT1801/LT1802

14

18012fc

アプリケーション情報

回路の説明

LT1801/LT1802の入力と出力の信号範囲は負電源から正電

源まで含みます。アンプの簡略回路を図1に示します。入力段

は2個の差動アンプ（PNP段Q1/Q2およびNPN段Q3/Q4）に

よって構成されており、これらは異なった同相入力電圧範囲

でアクティブになります。PNP差動ペアは負電源と正電源より

約1.2Vほど低い電圧の間でアクティブです。入力電圧が正電

源に向かって近づくにつれ、トランジスタQ5がテール電流I1

を電流ミラーQ6/Q7に振り向け、NPN差動ペアを作動させ、正

電源までの入力同相範囲の残りの部分ではPNPペアは作動

しなくなります。また、入力段では、デバイスQ17∼Q19が作動

してPNP入力ペアのバイアス電流をキャンセルします。Q1/Q2

がアクティブなとき、Q16の電流はQ1/Q2の電流と同じになるよ

うに制御されるので、Q16のベース電流は入力デバイスのベー

ス電流に名目上等しくなります。次いでQ16のベース電流はデ

バイスQ17∼Q19によってミラーリングされ、入力デバイスQ1/

Q2のベース電流をキャンセルします。

レール・トゥ・レールの出力振幅を可能にする1対の相補共通

エミッタ段Q14/Q15が出力段を構成します。コンデンサC2と

C3はローカル帰還ループを形成し、高周波数での出力イン

ピーダンスを下げます。これらのデバイスはリニアテクノロジー

の独自の高速コンプリメンタリ・バイポーラ・プロセスを使って

製造されます。

電力損失

LT1801アンプは小型パッケージ（SO-8）で供給されます。この

パッケージの熱抵抗（θ

JA

）は190℃/Wです。したがって、ダイの

接合部温度が150℃を超えないようにする必要があります。接

合部温度T

J

は、周囲温度T

A

、電力損失P

D

および熱抵抗θ

JA

か

ら次のように計算されます。

T

J

= T

A

＋（P

D

• θ

JA

）

IC内の電力損失は電源電圧、出力電圧、および負荷抵抗の関

数です。一定の電源電圧に対して、ワーストケースの電力損失

P

DMAX

は、出力電圧がどちらかの電源電圧の半分のとき（ま

Q4 Q18 Q17 Q16 Q6 Q3 Q7 Q10 Q1 Q13 Q15 OUT Q2 Q11 Q12 Q9 Q5 V_BIAS I₁ D2 D1 D5 D4 D3 D6 D7 D8 ESDD2 ESDD1 +IN –IN V– ESDD3 ESDD4 V+ V+ V– Q8 R2 R1 R3 R4 R5 Q14 18012 F01 + I₂ + I₃ C2 C_C V– + C1 BUFFER AND OUTPUT BIAS V+ V– Q19 図1_．LT1801/LT1802_{の簡略回路図}

(15)

LT1801/LT1802

15

18012fc

アプリケーション情報

たは最大振幅が電源電圧の1/2より小さいとき）最大消費電

流で生じます。P

DMAX

は次式で与えられます。

P

DMAX

=

（V

S

• I

SMAX

）＋（V

S

/2）

2

/R

L

例：SO-8パッケージのLT1801が 5V電源で動作し、50Ωの負

荷をドライブしているとき、ワーストケースの電力損失は次式

で与えられます。

P

DMAX

=

（10 • 4.5mA）＋（2.5）

2

/50 = 0.045＋0.125

= 0.17W

両方のアンプに同時に負荷が与えられると、合計電力損失は

0.34Wです。

デバイスを動作させることができる最大周囲温度は次式のと

おりです。

T

A

= T

J

−（P

DMAX

• 190℃/W）

= 150℃−（0.34W • 190℃/W） = 85℃

入力オフセット電圧

オフセット電圧はどの入力段がアクティブであるかに依存し

て変化します。PNP入力段は負電源レールから正電源レール

の1.2V下までアクティブです。次いで、正電源レールまでの残

りの入力段ではNPN入力段がアクティブになります。その間、

PNPは非アクティブ状態に留まります。PNP入力段がアクティ

ブな範囲ではオフセット電圧は標準75μV未満です。

入力バイアス電流

LT1801/LT1802は特許申請中の技法を採用して、負電源レー

ルの0.2V上から正電源レールの1.2V下までの入力同相電

圧で入力バイアス電流を250nA未満に減らします。LT1801/

LT1802の低入力オフセット電圧と低入力バイアス電流は、特

にソース・インピーダンスの高いアプリケーションで高精度の

性能を与えます。

出力

LT1801/LT1802は大きな出力電流を供給できるので、短絡

電流制限は約50mAに設定されており、デバイスの損傷を防

ぎます。出力が連続して短絡しているとき、ICの接合部温度

を150℃の絶対最大定格より低く保つように注意が必要です

（「電力損失」のセクションを参照）。アンプの出力には逆バ

イアスされたダイオードがあり、各電源に接続されています。

出力がどちらかの電源を超えた電圧に強制されると、無制

限の電流がこれらのダイオードを流れます。この電流が過渡

的なもので、数百ミリアンペアに制限され、合計電源電圧が

12.6V(絶対最大定格)未満であれば、デバイスは損傷を受け

ません。

オーバードライブ保護

入力電圧が電源を超えると、2対のクロスダイオードD1∼D4

が、出力の極性の反転を防ぎます。入力電圧がどちらかの電

源を700mV超えると、ダイオードD1/D2またはダイオードD3/

D4がオンして、出力を適切な極性に保ちます。位相反転保護

が適切に動作するには、入力電流を10mA以下に制限する必

要があります。アンプが過度にオーバードライブされる場合、

外部抵抗を使ってオーバードライブ電流を制限します。

LT1801/LT1802の入力段は1.4V以上の大きな差動入力電圧

に対しても、1対のバック・トゥ・バック・ダイオードD5/D8によっ

て保護されています。これらのダイオードは入力トランジスタ

のエミッタ-ベースのブレークダウンを防ぎます。これらのダイ

オードを流れる電流は、アクティブ状態のとき10mA以下に制

限する必要があります。ワーストケースの差動入力電圧が生じ

るのは、ユニティゲインの構成で、出力がグランドに短絡されて

いる状態で入力がドライブされるときです。さらに、アンプは、

各ピンに接続された1対の保護ダイオードによって、全てのピ

ンが最大3kVのESD放電に対して保護されています。これらの

ダイオードは図1に示されているように電源に接続されていま

す。

(16)

LT1801/LT1802

16

18012fc

アプリケーション情報

標準的応用例

単一

3V

電源、

1MHz

、

4

次バターワース・フィルタ

このデータシートの最初のページに示されている回路は

LT1801の低電圧動作と広い帯域幅の利点を活かして、3V電

源から給電されるDC精度の高い1MHzの4次ローパス・フィ

ルタを形成しています。これらのアンプは歪みを最小にするた

め反転モードで構成され、出力はレール・トゥ・レールで振幅

することができ、最大のダイナミックレンジが得られます。この

データシートの最初のページには、このフィルタの周波数応

答のグラフも示されています。ストップバンドの減衰は50MHz

で100dBより大きくなります。2.25V

P-P

、250kHzの入力信号で

は、フィルタの高調波歪み積は85dBc未満です。ワーストケー

スの出力オフセット電圧は6mV未満です。

+

–

1/2 LT1801 0.1Ω IL 0A TO 1A VOUT 0V TO 2V VOUT = 2 • IL f–3dB = 4MHz

UNCERTAINTY DUE TO VOS, IB < 4mA

3V 1k 18012 F02 52.3Ω 52.3Ω 図2_．高速1A_電流検出 500mV/DIV 0V VS = 3V 50ns/DIV 18012 F03 図3_{．電流検出アンプの大信号応答}

高速

1A

の電流検出アンプ

図2の簡単な高速電流検出アンプは、範囲から外れた電流

に対して即座に応答するのに適しています。この回路は20の

利得で0.1Ωのセンス抵抗両端の電圧を増幅するので、変換

利得が2V/Aになります｡回路の3dB帯域幅は4MHzで、V

OS

やI

B

による不確定性は4mA未満です。最小出力電圧は60mV

で、30mAに相当します。回路の大信号応答を図3に示します。

容量性負荷

LT1801/LT1802は高帯域幅、低消費電力および高精度のアプ

リケーション用に最適化されています。ユニティゲイン構成で

は約75pFの容量性負荷をドライブすることができ、もっと高い

利得ではさらに大きな負荷をドライブすることができます。大

きな容量性負荷をドライブするときは、出力と容量性負荷の間

に10Ω∼50Ωの抵抗を接続してリンギングや発振を防ぐ必要

があります。抵抗が容量性負荷を分離して安定性を保証する

ように、フィードバックは依然出力からとる必要があります。容

量性負荷のグラフは、特定の直列抵抗を使って容量性負荷を

ドライブするときのアンプの過渡応答を示しています。

フィードバック部品

フィードバックを使って利得を設定するとき、フィードバック抵

抗と反転入力の全容量によって形成されるポールによって安

定性が低下しないように注意する必要があります。たとえば、2

個の5k抵抗と5pFの容量（部品およびPCボード）を使って設定

した、非反転利得が2のLT1801/LT1802はおそらく発振するで

しょう。12.7MHzにポールが形成され、アンプのクロスオーバ

周波数が約20MHzのとき、位相マージンは57度減少します。

5pF以上のコンデンサをフィードバック抵抗の両端に接続する

と、リンギングや発振が止まります。

(17)

LT1801/LT1802

17

18012fc

標準的応用例

単一電源の

1A

レーザー・ドライバ・アンプ

1Aレーザー・ドライバのアプリケーションに使われたLT1801

を図4に示します。この制御機能にLT1801が適しているのは、

2.3Vで動作するのでパワーアップの間に覚醒し、スレッショ

ルドが2.1Vのレーザー・ダイオードに大きな電流が流れる前

に動作を開始するからです。LT1801の非反転入力を電圧V

IN

までドライブすると、高電流NPNトランジスタ（FMMT619）と

レーザー・ダイオードのオンを制御します。V

IN

/R1に等しい電

流がレーザー・ダイオードを通って流れます。LT1801はオフ

セット電圧が低く、入力バイアス電流が低いので、レーザー・

+

–

1/2 LT1801 VIN DO NOT FLOAT IR LASER INFINEON SFH495 Q1 ZETEX FMMT619 5V R2 330Ω R1_1Ω 18012 F04 C1 39pF R3 10Ω 図4．単一電源の1Aレーザー・ドライバ・アンプ 100mA/DIV 50ns/DIV 18012 F05 図5_．500mA_{のパルスに対する応答}

ダイオードを通って流れる電流を精密に制御することがで

きます。全体の回路は、1ボルト当たり1Aの電圧/電流変換器

です。周波数補償部品のR2とC1は、時間領域の応答が高速

だがオーバーシュートがゼロになるように選択されており、

レーザー内の過電流状態を防ぎます。500mVの入力パルス

（230ns）を与えてR1で測定したこの回路の時間領域の応答

を図5に示します。回路は1A動作が可能ですが、レーザー・ダ

イオードとトランジスタは電力損失のため熱的に制限される

ので、それらを低いデューティ・サイクルで動作させる必要があ

ります。

(18)

LT1801/LT1802

18

18012fc

パッケージ

MSOP (MS8) 0307 REV F 0.53 ± 0.152 (.021 ± .006) シーティング・プレーン NOTE： 1. 寸法はミリメートル/（インチ） 2. 図は実寸とは異なる 3. 寸法にはモールドのバリ、突出部、またはゲートのバリを含まないモールドのバリ、突出部、またはゲートのバリは、各サイドで0.152mm（0.006"）を超えないこと 4. 寸法には、リード間のバリまたは突出部を含まないリード間のバリまたは突出部は、各サイドで0.152mm（0.006"）を超えないこと 5. リードの平坦度（整形後のリードの底面）は最大0.102mm (0.004") であること 0.18 (.007) 0.254 (.010) 1.10 (.043) MAX 0.22 – 0.38 (.009 – .015) TYP 0.1016 ± 0.0508 (.004 ± .002) 0.86 (.034) REF 0.65 (.0256) BSC 0˚ – 6˚ TYP DETAIL “A” DETAIL “A” ゲージ・プレーン 1 2 3 4 4.90 ± 0.152 (.193 ± .006) 8 7 6 5 3.00 ± 0.102 (.118 ± .004) (NOTE 3) 3.00 ± 0.102 (.118 ± .004) (NOTE 4) 0.52 (.0205) REF 5.23 (.206) MIN 3.20 – 3.45 (.126 – .136) 0.889 ± 0.127 (.035 ± .005) 推奨半田パッド・レイアウト 0.42 ± 0.038 (.0165 ± .0015) TYP 0.65 (.0256) BSC 3.00 ±0.10 (4 SIDES) NOTE： 1. 図はJEDECのパッケージ外形MO-229のバリエーション（WEED-1）になる予定 2. 図は実寸とは異なる 3. 全ての寸法はミリメートル 4. パッケージ底面の露出パッドの寸法にはモールドのバリを含まないモールドのバリは（もしあれば）各サイドで0.15mmを超えないこと 5. 露出パッドは半田メッキとする 6. 網掛けの部分はパッケージのトップとボトムのピン1の位置の参考に過ぎない 0.38 ± 0.10 底面図―露出パッド 1.65 ± 0.10 (2 SIDES) 0.75 ±0.05 R = 0.115 TYP 2.38 ±0.10 (2 SIDES) 1 4 8 5 ピン1のトップ・マーキング（NOTE 6） 0.200 REF 0.00 – 0.05 (DD) DFN 1203 0.25 ± 0.05 2.38 ±0.05 (2 SIDES) 推奨する半田パッドのピッチと寸法 1.65 ±0.05 (2 SIDES) 2.15 ±0.05 0.50 BSC 0.675 ±0.05 3.5 ±0.05 パッケージの外形 0.25 ± 0.05 0.50 BSC DD_{パッケージ} 8ピン・プラスチックDFN（3mm 3mm） （Reference LTC DWG # 05-08-1698） MS8パッケージ 8_{ピン・プラスチック}MSOP （Reference LTC DWG # 05-08-1660 Rev F）

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18012fc リニアテクノロジー・コーポレーションがここで提供する情報は正確かつ信頼できるものと考えておりますが、その使用に関する責務は一切負いません。また、ここに記載された回路結線と既存特許とのいかなる関連についても一切関知いたしません。なお、日本語の資料はあくまでも参考資料です。訂正、変更、改版に追従していない場合があります。最終的な確認は必ず最新の英語版データシートでお願いいたします。

パッケージ

Sパッケージ 14_{ピン・プラスチック・スモール・アウトライン（細型}0.150_インチ） （Reference LTC DWG # 05-08-1610） 1 N 2 3 4 .150 – .157 (3.810 – 3.988) NOTE 3 14 13 .337 – .344 (8.560 – 8.738) NOTE 3 .228 – .244 (5.791 – 6.197) 12 11 10 9 5 6 7 N/2 8 .016 – .050 (0.406 – 1.270) .010 – .020 (0.254 – 0.508)× 45˚ 0˚ – 8˚ TYP .008 – .010 (0.203 – 0.254) S14 0502 .053 – .069 (1.346 – 1.752) .014 – .019 (0.355 – 0.483) TYP .004 – .010 (0.101 – 0.254) .050 (1.270) BSC .245 MIN N 1 2 3 N/2 .160 ±.005 推奨半田パッド・レイアウト .045 ±.005 .050 BSC .030 ±.005 TYP インチ（ミリメートル） NOTE： 1. 寸法は 2. 図は実寸とは異なる 3. これらの寸法にはモールドのバリまたは突出部を含まないモールドのバリまたは突出部は0.006"（0.15mm）を超えないこと SS8_{パッケージ} 8ピン・プラスチック・スモール・アウトライン（細型0.150インチ） （Reference LTC DWG # 05-08-1610） .016 – .050 (0.406 – 1.270) .010 – .020 (0.254 – 0.508)× 45° 0°– 8° TYP .008 – .010 (0.203 – 0.254) SO8 0303 .053 – .069 (1.346 – 1.752) .014 – .019 (0.355 – 0.483) TYP .004 – .010 (0.101 – 0.254) .050 (1.270) BSC 1 2 3 4 .150 – .157 (3.810 – 3.988) NOTE 3 8 7 6 5 .189 – .197 (4.801 – 5.004) NOTE 3 .228 – .244 (5.791 – 6.197) .245 MIN .160 ±.005 推奨半田パッド・レイアウト .045 ±.005 .050 BSC .030 ±.005 TYP インチ（ミリメートル） NOTE： 1. 寸法は 2. 図は実寸とは異なる 3. これらの寸法にはモールドのバリまたは突出部を含まないモールドのバリまたは突出部は0.006"（0.15mm）を超えないこと

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LT1801/LT1802

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 LINEAR TECHNOLOGY CORPORATION 2002 LT 0309 REV C • PRINTED IN JAPAN

リニアテクノロジー株式会社

〒102-0094 東京都千代田区紀尾井町3-6紀尾井町パークビル8F TEL 03-5226-7291● FAX 03-5226-0268 ● www.linear-tech.co.jp

標準的応用例

製品番号 説明注釈 LT1399 300MHzトリプル電流帰還アンプ利得平坦性：150MHzまで0.1dB、シャットダウン LT1498/LT1499 デュアル/クワッド10MHz、 6V/μsレール・トゥ・レール入出力C-Load™_{オペアンプ} 高いDC精度、VOS(MAX)：475μV、ドリフト：最大4μV/℃ LT1630/LT1631 デュアル/クワッド30MHz、10V/μsレール・トゥ・レール入出力オペアンプ高いDC精度、VOS(MAX)：525μV、出力電流：70mA、最大消費電流：4.4mA/アンプ LT1800 80MHz、25V/μs低消費電力レール・トゥ・レール入出力高精度オペアンプ LT1801/LT1802のシングル・バージョン LT1806/LT1807 シングル/デュアル325MHz、 140V/μsレール・トゥ・レール入出力オペアンプ高いDC精度、V低歪み：5MHzで80dB、パワーダウン（LT1806）OS(MAX)：550μV、低ノイズ：3.5nV/√Hz、 LT1809/LT1810 シングル/デュアル180MHzレール・トゥ・レール入出力オペアンプスルーレート：350V/μs、低歪み：5MHzで90dBc、パワーダウン（LT1809） C-Loadはリニアテクノロジー社の商標です。

低消費電力の高電圧アンプ

オプティカル・アプリケーションに使われる特定の素材は、DC

電界の存在と強度によって特性が変化します。これらの素材

の両端に加えられる（ときには数100ボルトに達する）電圧は、

精密に制御して望みの特性を維持します。これらの素材は導

電性はなく、容量性負荷として振る舞います。

図6の回路は、250Vの出力振幅が可能で、高精度のDC出力

電圧を与えるアンプに使われたLT1801を示しています。信号

が存在しないとき、オペアンプの出力は電源のほぼ1/2の電圧

+ –1/2 LT1801 5V 10k 10k Q3 Q1 4.99k 1k 1k –130V 18012 F06 4.99k Q5 Q7 Q2 Q4 Q6 Q8 R1 2k R2 2k R5 2k R4 2k R7 2k R6 2k R3 200k 0.1µF C1 39pF C2 8pF 150V VOUT VIN MATERIAL UNDER ELECTRIC FIELD 100pF 130V 5V 5V AV = VOUT/VIN = –100 ±130V SUPPLY IQ = 130µA OUTPUT SWING = ±128.8V OUTPUT OFFSET≅ 20mV

OUTPUT SHORT-CIRCUIT CURRENT ≅ 3mA 10% TO 90% RISE TIME ≅ 8μs, 200V OUTPUT STEP SMALL-SIGNAL BANDWIDTH ≅ 150kHz Q1, Q2, Q7, Q8: ON SEMI MPSA42 Q3, Q4, Q5, Q6: ON SEMI MPSA92 図6．低消費電力の高電圧アンプ 図7．アンプの時間領域の大信号応答 VIN 2V/DIV VOUT 50V/DIV 10µs/DIV 18012 F07

に保たれます。トランジスタQ1とQ3はQ2とQ4のバイアス電圧

を発生し、Q2とQ4は縮退抵抗R4とR5によって低静止電流に

強制されます。過渡信号がV

IN