LT シャットダウン機能付き、135μa、14nV/√Hz、レール・トゥ・レール出力、高精度オペアンプ

LT6010



sn6010 6010fs 、LTC、LT はリニアテクノロジー社の登録商標です。 – + VS VS r1 12.4k 0.1% r2 100Ω 1% C1 0.1µF 1k at 0°C rtd* r5 1k, 5% r4 1k, 5% VOut = 100mV at 0°C + 385µV/°C –50°C tO 600°C + – 6010 ta01a VS = 2.7V tO 20V iCC ≈ 320µa *Omega F3141 1kΩ, 0.1% pLatinum rtd (800) 826-6342 Lt6010 2 1 2 6 4 7 6 4 3 1µF Lt1790-1.25 diStributiOn (µV/°C) –0.8 –0.6 –0.4 –0.2 perCentage OF unitS (%) 6010 ta01b 0 0.2 0.4 0.6 0.8 20 18 16 14 12 10 8 6 4 2 0 VS = ±2.5V SO-8 paCkageS ■

_{熱電対アンプ}

■

高精度フォトダイオード・アンプ

■

計装アンプ

■

高精度のバッテリ駆動システム

■

_{オフセット電圧：35µV（最大）}

■

_{入力バイアス電流：110pA（最大）}

■

_{消費電流：135µA}

■

_{レール・トゥ・レール出力振幅}

■

_{シャットダウン時の消費電流：12µA}

■

_{電圧利得：120db（最小）、V}

S

= ±15V

■

_V

OS

ドリフト：0.8µV/℃（最大）

■

_{入力ノイズ電圧：14nV/}

_√

_Hz

■

_2.7V

_{～ ±18V の電源電圧動作}

■

_{動作温度範囲 : –40℃～ 85℃}

■

_{省スペースの 3mm × 3mm dFn パッケージ}

シャットダウン機能付き、

135µa

_、14nV/

_√

Hz

_{、レール・トゥ・レール出力、}

高精度オペアンプ

LT

®

6010

は、低ノイズと高精度入力性能に低消費電力と

レール・トゥ・レール出力振幅を組み合わせたオペアン

プです。

入力オフセット電圧は 35µV 未満に調整されています。

低ドリフトと優れた長期安定度により、全温度範囲と時

間範囲で高精度が保証されます。さらに最大 110pA の入

力バイアス電流と最小 120dB の電圧利得により、この高

精度を全動作条件で維持します。

LT6010

は 2.7V ∼ 36V のあらゆる電源電圧で動作し、5V

電源時の消費電流はわずか 135µA です。省電力のシャッ

トダウン・モードでは、消費電流が 12µA に低減されます。

出力電圧は両方の電源レールの 40mV 以内に振幅するの

で、低電圧の単一電源動作に適しています。

LT6010

は 5Vと±15V の電源、–40℃∼ 85℃の温度範囲で完

全に規定されています。SO-8 パッケージと省スペースの 3mm

× 3mm DFN パッケージで供給されます。また、このオペアン

プには、デュアル・バージョン（LT6011）とクワッド・バージョ

ン（LT6012）があります。

白金 RTD 用単一電流源 _{オフセット電圧ドリフトの分布}

特長

アプリケーション

説明

標準的応用例

LT6010



sn6010 6010fs

Order part

number

dd part marking*

tJmaX = 125°C, θJa = 160°C/W underSide metaL internaLLY COnneCted tO V–

(pCb COnneCtiOn OptiOnaL)

Lt6010Cdd

Lt6010idd

Lt6010aCdd

Lt6010aidd

tOp VieW dd paCkage 8-Lead (3mm × 3mm) pLaStiC dFn 5 6 7 8 4 3 2 1 nuLL –in +in V– nuLL V+ Out SHdn + –

Order part

number

S8 part marking

Lt6010CS8

Lt6010iS8

Lt6010aCS8

Lt6010aiS8

6010

6010i

6010a

6010ai

tJmaX = 150°C, θJa = 190°C/W 1 2 3 4 8 7 6 5 tOp VieW nuLL V+ Out SHdn nuLL –in +in V– S8 paCkage 8-Lead pLaStiC SO + –

Ladu

SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS

VOS input Offset Voltage (note 7) Lt6010aS8 10 35 µV

ta = 0°C to 70°C ● 60 µV ta = –40°C to 85°C ● 75 µV Lt6010S8 20 55 µV ta = 0°C to 70°C ● 85 µV ta = –40°C to 85°C ● 110 µV Lt6010add 20 60 µV ta = 0°C to 70°C ● 85 µV ta = –40°C to 85°C ● 100 µV Lt6010dd 30 80 µV ta = 0°C to 70°C ● 110 µV ta = –40°C to 85°C ● 135 µV

∆VOS/∆t input Offset Voltage drift (note 6) Lt6010aS8, Lt6010S8 ● 0.2 0.8 µV/°C

Lt6010add,Lt6010dd ● 0.2 1.3 µV/°C

全電源電圧（V

+

～ V

–

） ... 40V

差動入力電圧（note 2） ... 10V

入力電圧、シャットダウン電圧... V

+

～ V

–

入力電流（note 2） ... ±10ma

出力短絡時間（note 3） ... 無期限

動作温度範囲（note 4） ... –40℃～ 85℃

規定温度範囲（note 5） ...–40℃～ 85℃

（Note 1） *温度等級は出荷時のコンテナのラベルで識別されます。 より広い動作温度範囲で規定されるデバイスについては、弊社にお問い合わせください。

最大接合部温度

dd

パッケージ ... 125℃

SO-8

パッケージ ... 150℃

保存温度範囲

dd

パッケージ ... –65℃～ 125℃

SO-8

パッケージ ... –65℃～ 150℃

リード温度（半田付け、10 秒）... 300℃

●

は全動作温度範囲の規格値を意味する。それ以外は T

_A

= 25

℃での値。

注記がない限り、V

S

= 5V

、0V; V

CM

= 2.5V; R

L

は 0V に ; SHDN = 0.2V。（Note 5）

絶対最大定格

電気的特性

パッケージ/発注情報

LT6010



sn6010 6010fs

SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS

iOS input Offset Current (note 7) Lt6010aS8 20 110 pa

ta = 0°C to 70°C ● 150 pa ta = –40°C to 85°C ● 200 pa Lt6010S8 40 200 pa ta = 0°C to 70°C ● 300 pa ta = –40°C to 85°C ● 400 pa Lt6010add 20 200 pa ta = 0°C to 70°C ● 300 pa ta = –40°C to 85°C ● 400 pa Lt6010dd 40 300 pa ta = 0°C to 70°C ● 400 pa ta = –40°C to 85°C ● 500 pa

ib input bias Current (note 7) Lt6010aS8 20 ±110 pa

ta = 0°C to 70°C ● ±150 pa ta = –40°C to 85°C ● ±200 pa Lt6010S8 40 ±200 pa ta = 0°C to 70°C ● ±300 pa ta = –40°C to 85°C ● ±400 pa Lt6010add 20 ±200 pa ta = 0°C to 70°C ● ±300 pa ta = –40°C to 85°C ● ±400 pa Lt6010dd 40 ±300 pa ta = 0°C to 70°C ● ±400 pa ta = –40°C to 85°C ● ±500 pa

input noise Voltage 0.1Hz to 10Hz 400 nVp-p

en input noise Voltage density f = 1kHz 14 nV/√Hz

in input noise Current density f = 1kHz 0.1 pa/√Hz

rin input resistance Common mode, VCm = 1V to 3.8V 10 120 gΩ

differential 20 mΩ

Cin input Capacitance 4 pF

VCm input Voltage range (positive) guaranteed by Cmrr ● 3.8 4 V

input Voltage range (negative) guaranteed by Cmrr ● 0.7 1 V

Cmrr Common mode rejection ratio VCm = 1V to 3.8V ● 107 135 db

minimum Supply Voltage guaranteed by pSrr ● 2.4 2.7 V

pSrr power Supply rejection ratio VS = 2.7V to 36V, VCm = 1/2VS ● 112 135 db

aVOL Large-Signal Voltage gain rL = 10k, VOut = 1V to 4V ● 300 2000 V/mV

rL = 2k, VOut = 1V to 4V ● 250 2000 V/mV

VOut maximum Output Swing no Load, 50mV Overdrive 35 55 mV

(positive, referred to V+) ● 65 mV

iSOurCe = 1ma, 50mV Overdrive 120 170 mV

● 220 mV

maximum Output Swing no Load, 50mV Overdrive 40 55 mV

(negative, referred to 0V) ● 65 mV

iSink = 1ma, 50mV Overdrive 150 225 mV

● 275 mV

●

は全動作温度範囲の規格値を意味する。それ以外は T

_A

= 25

℃での値。

注記がない限り、V

S

= 5V

、0V; V

CM

= 2.5V; R

L

は 0V に ; SHDN = 0.2V。（Note 5）

LT6010



sn6010 6010fs

SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS

VOS input Offset Voltage (note 7) Lt6010aS8 10 60 µV

ta = 0°C to 70°C ● 80 µV ta = –40°C to 85°C ● 110 µV Lt6010S8 20 85 µV ta = 0°C to 70°C ● 120 µV ta = –40°C to 85°C ● 160 µV Lt6010add 20 85 µV ta = 0°C to 70°C ● 105 µV ta = –40°C to 85°C ● 135 µV Lt6010dd 30 110 µV ta = 0°C to 70°C ● 145 µV ta = –40°C to 85°C ● 185 µV

∆VOS/∆t input Offset Voltage drift (note 6) Lt6010aS8, Lt6010S8 ● 0.2 0.8 µV/°C

Lt6010add,Lt6010dd ● 0.2 1.3 µV/°C

iOS input Offset Current (note 7) Lt6010aS8 20 110 pa

ta = 0°C to 70°C ● 150 pa ta = –40°C to 85°C ● 200 pa Lt6010S8 40 200 pa ta = 0°C to 70°C ● 300 pa ta = –40°C to 85°C ● 400 pa Lt6010add 20 200 pa ta = 0°C to 70°C ● 300 pa ta = –40°C to 85°C ● 400 pa

SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS

iSC Output Short-Circuit Current (note 3) VOut = 0V, 1V Overdrive (Source) 10 14 ma

● 4 ma

VOut = 5V, –1V Overdrive (Sink) 10 21 ma

● 4 ma

Sr Slew rate aV = –10, rF = 50k, rg = 5k 0.06 0.09 V/µs

ta = 0°C to 70°C ● 0.05 V/µs

ta = –40°C to 85°C ● 0.04 V/µs

gbW gain bandwidth product f = 10kHz 250 330 kHz

● 225 kHz

ts Settling time aV = –1, 0.01%, VOut = 1.5V to 3.5V 45 µs

tr, tf rise time, Fall time aV = 1, 10% to 90%, 0.1V Step 1 µs

iSHdn SHdn pin Current SHdn ≤ V– + 0.2V (On) ● 0.25 µa

SHdn = V– + 2.0V (Off) ● 15 25 µa

tSHdn SHdn turn-On, turn-Off time SHdn = V– (On) to V– + 2.0V (Off) 25 µs

SHdn = V– + 2.0V (Off) to V– (On) 25 µs

iS Supply Current SHdn ≤ V– + 0.2V (On) 135 150 µa

ta = 0°C to 70°C ● 190 µa ta = –40°C to 85°C ● 210 µa SHdn = V– + 2.0V (Off) 12 25 µa ● 50 µa ●

は全動作温度範囲の規格値を意味する。それ以外は T

_A

= 25

℃での値。

注記がない限り、V

S

= 5V

、0V; V

CM

= 2.5V; R

L

は 0V に ; SHDN = 0.2V。（Note 5）

●

は全動作温度範囲の規格値を意味する。それ以外は T

_A

= 25

℃での値。

V

S

= 15V

、V

CM

= 0V

、R

L

は 0V に、SHDN = –14.8V。（Note 5）

電気的特性

LT6010



sn6010 6010fs

SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS

iOS input Offset Current (note 7) Lt6010dd 40 300 pa

ta = 0°C to 70°C ● 400 pa

ta = –40°C to 85°C ● 500 pa

ib input bias Current (note 7) Lt6010aS8 20 ±110 pa

ta = 0°C to 70°C ● ±150 pa ta = –40°C to 85°C ● ±200 pa Lt6010S8 40 ±200 pa ta = 0°C to 70°C ● ±300 pa ta = –40°C to 85°C ● ±400 pa Lt6010add 20 ±200 pa ta = 0°C to 70°C ● ±300 pa ta = –40°C to 85°C ● ±400 pa Lt6010dd 40 ±300 pa ta = 0°C to 70°C ● ±400 pa ta = –40°C to 85°C ● ±500 pa

input noise Voltage 0.1Hz to 10Hz 400 nVp-p

en input noise Voltage density f = 1kHz 13 nV/√Hz

in input noise Current density f = 1kHz 0.1 pa/√Hz

rin input resistance Common mode, VCm = ±13.5V 50 400 gΩ

differential 20 mΩ

Cin input Capacitance 4 pF

VCm input Voltage range guaranteed by Cmrr ● ±13.5 ±14 V

Cmrr Common mode rejection ratio VCm = –13.5V to 13.5V 115 135 db

● 112 db

minimum Supply Voltage guaranteed by pSrr ● ±1.2 ±1.35 V

pSrr power Supply rejection ratio VS = ±1.35V to ±18V ● 112 135 db

aVOL Large-Signal Voltage gain rL = 10k, VOut = –13.5V to 13.5V 1000 2000 V/mV

● 600 V/mV

rL = 5k, VOut = –13.5V to 13.5V 500 1500 V/mV

● 300 V/mV

VOut maximum Output Swing no Load, 50mV Overdrive 45 80 mV

(positive, referred to V+) ● 100 mV

iSOurCe = 1ma, 50mV Overdrive 140 195 mV

● 240 mV

maximum Output Swing no Load, 50mV Overdrive 45 80 mV

(negative, referred to 0V) ● 100 mV

iSink = 1ma, 50mV Overdrive 150 250 mV

● 300 mV

iSC Output Short-Circuit Current (note 3) VOut = 0V, 1V Overdrive (Source) 10 15 ma

● 5 ma

VOut = 0V, –1V Overdrive (Sink) 10 20 ma

● 5 ma

●

は全動作温度範囲の規格値を意味する。それ以外は T

_A

= 25

℃での値。

注記がない限り、V

S

= 15V

、V

CM

= 0V

、R

L

は 0V に、SHDN = –14.8V。（Note 5）

LT6010



sn6010 6010fs –25

input OFFSet VOLtage (µV) 0 perCent OF unitS (%) 5 15 20 25 6010 G01 10 30 –45 –35 –15 –5 5 15 25 35 45 VS = 5V, 0V ta = 25°C Lt6010aS8 temperature (°C) –50 –125 OFFSet VOLtage (µ V) –100 –50 –25 0 125 50 0 50 75 6010 g02 –75 75 100 25 –25 25 100 125 VS = 5V, 0V repreSentatiVe unitS

input COmmOn mOde VOLtage (V) –15 120 100 80 60 40 20 0 –20 0 10 6010 g03 –10 –5 5 15 OFFSet VOLtage (µ V) ta = 85°C ta = 25°C ta = –40°C VS = ±15V tYpiCaL part

SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS

Sr Slew rate aV = –10, rF = 50k, rg = 5k 0.08 0.11 V/µs

ta = 0°C to 70°C ● 0.07 V/µs

ta = –40°C to 85°C ● 0.05 V/µs

gbW gain bandwidth product f = 10kHz 275 350 kHz

● 250 kHz

ts Settling time aV = –1, 0.01%, VOut = 0V to 10V 85 µs

tr, tf rise time, Fall time aV = 1, 10% to 90%, 0.1V Step 1 µs

iSHdn SHdn pin Current SHdn ≤ V– + 0.2V (On) ● 0.25 µa

SHdn = V– + 2.0V (Off) ● 15 25 µa

tSHdn SHdn turn-On, turn-Off time SHdn = V– (On) to V– + 2.0V (Off) 25 µs

SHdn = V– + 2.0V (Off) to V– (On) 25 µs

iS Supply Current SHdn ≤ V– + 0.2V (On) 260 330 µa

ta = 0°C to 70°C ● 380 µa

ta = –40°C to 85°C ● 400 µa

SHdn = V– + 2.0V (Off) 18 50 µa

Standard Grade A Grade

S8 package Lt6010S8 Lt6010aS8 dFn package Lt6010dd Lt6010add Note 1: 絶対最大定格は、それを超えるとデバイスの寿命に影響を及ぼす値。 Note 2: 入力はバック・トゥ・バック・ダイオードと内部直列抵抗により保護さ れている。差動入力電圧が 10V を超える場合、入力電流は 10ma 未満に制限し なければならない。 Note 3: 接合部温度を絶対最大定格以下に抑えるためにヒートシンクが必要な場 合がある。 Note 4: Lt6010Cと Lt6010i の両方とも –40℃～ 85℃の温度範囲で動作すること が保証されている。 Note 5: Lt6010Cは 0℃～ 70℃の温度範囲で性能仕様に適合することが保証され ており、–40℃～ 85℃の拡張温度範囲で性能仕様に適合するように設計され、 特性が評価されており、性能仕様に適合すると予想されるが、これらの温度で はテストおよび Qa サンプリングは行われない。Lt6010i は –40℃～ 85℃の温度 範囲で性能仕様に適合することが保証されている。 Note 6: このパラメータに対しては全数テストは実施されない。

Note 7: VOS、ibおよび iOSの規定値はグレードおよびパッケージに依存する。 それらの表記法を下表に示す。 入力オフセット電圧の分布 入力オフセット電圧と温度 オフセット電圧

と入力同相電圧

●

は全動作温度範囲の規格値を意味する。それ以外は T

_A

= 25

℃での値。

注記がない限り、V

S

= 15V

、V

CM

= 0V

、R

L

は 0V に、SHDN = –14.8V。（Note 5）

電気的特性

標準的性能特性

LT6010



sn6010 6010fs SOurCe reSiStanCe (Ω) 100 1k 10k 100k 1m 10m 0.0001

tOtaL input nOiSe

(µ V/ √Hz) 0.01 10 100m 6010 g07 0.001 0.1 1 tOtaL nOiSe

reSiStOr nOiSe OnLY VS = 5V, 0V ta = 25°C f = 1kHz time (SeC) 0 nOiSe VOLtage (0.2 µV/diV) 8 6010 g08 2 4 6 7 10 1 3 5 9 VS = ±15V ta = 25°C time (SeC) 0 nOiSe VOLtage (0.2 µV/diV) 80 6010 g09 20 40 60 70 100 10 30 50 90 VS = ±15V ta = 25°C temperature (°C) –50

Output VOLtage SWing (mV)

–20 25 6010 g10 40 –25 0 50 20 V– V+ –40 –60 60 75 100 125 VS = 5V, 0V nO LOad Output HigH Output LOW

LOad Current (ma) 0.01

0.01

Output HigH SaturatiOn VOLtage (V)

0.1 1 0.1 1 10 6010 G11 ta = 85°C ta = 25°C VS = 5V, 0V ta = –40°C

LOad Current (ma) 0.01

0.01

Output LOW SaturatiOn VOLtage (V)

0.1 1 0.1 1 10 6010 G12 ta = 85°C ta = 25°C VS = 5V, 0V ta = –40°C temperature (°C) –50

input biaS Current (pa)

–100 200 100 400 300 600 500 50 6010 G04 0 0 –25 25 75 100 ib– ib+ 125 800 700 900 1000 VS = 5V, 0V tYpiCaL part FreQuenCY (Hz) 1 10

input VOLtage nOiSe denSitY (nV/

√Hz)

input Current nOiSe denSitY (fa/

√Hz) 100 100 1000 10 100 1000 6010 g06 Current nOiSe VOLtage nOiSe VS = ±15V ta = 25°C 2V/diV 20pa/diV –100 100 6010 g05 –15 15 ta = –40°C ta = 85°C ta = 25°C 総入力ノイズ とソース抵抗 0.1Hz∼ 10Hz ノイズ 0.01Hz∼ 1Hz ノイズ 出力電圧振幅

と温度

（出力は "H"）

出力飽和電圧

と負荷電流

（出力は "L"）

出力飽和電圧

と負荷電流

入力バイアス電流と温度 入力バイアス電流

_{入力同相電圧}

と

en、inと周波数

標準的性能特性

LT6010



sn6010 6010fs FreQuenCY (Hz) 10 0.0001 tHd + nOiSe (%) 0.01 10 1k 10k 100 6010 g16 0.001 0.1 1 VS = ±15V Vin = 20Vp-p ta = 25°C aV = –1 aV = 1 SettLing time (µs) 0 0 Output Step (V) 2 6 8 10 20 40 50 90 6010 G17 4 10 30 60 70 80 VS = ±15V aV = 1 0.1% 0.01% SettLing time (µs) 0 0 Output Step (V) 2 6 8 10 20 40 50 90 6010 G18 4 10 30 60 70 80 VS = ±15V aV = –1 0.1% 0.01% FreQuenCY (Hz) 1 10 40

COmmOn mOde reJeCtiOn ratiO (db)

60 80 100 120 100 1k 10k 100k 1m 6010 G20 20 0 140 160 _t a = 25°C VS = ±15V VS = 5V, 0V FreQuenCY (Hz) 0.1 0

pOWer SuppLY reJeCtiOn ratiO (db)

80 100 120 140 1 10 100 1k 10k 100k 1m 6010 G21 60 40 20 VS = 5V, 0V ta = 25°C –pSrr +pSrr SuppLY VOLtage (±V) 0 SuppLY Current (µ a) 300 400 500 16 6010 g13 200 100 250 350 450 150 50 0 4 2 6 8 10 12 14 18 20 ta = 85°C ta = –40°C ta = 25°C

time aFter pOWer-On (SeCOndS) 0

CHange in OFFSet VOLtage

(µ V) 1 2 3 30 60 90 120 6010 g14 150 ±15V ±2.5V FreQuenCY (Hz) 10 0.0001 tHd + nOiSe (%) 0.01 10 1k 10k 100 100k 6010 g15 0.001 0.1 1 VS = 5V, 0V VOut = 2Vp-p ta = 25°C aV = 1: rL = 10k aV = –1: rF = rg = 10k aV = –1 aV = 1 THD + ノイズと周波数 セトリング時間と出力ステップ セトリング時間と出力ステップ CMRRと周波数 PSRRと周波数 電源電流と電源電圧 ウォームアップ・ドリフト THD + ノイズと周波数

標準的性能特性

LT6010



sn6010 6010fs FreQuenCY (Hz) 1k –20 gain (db) 0 5 10 10k 100k 1m 6010 G25 –5 –10 –15 VS = 5V, 0V ta = 25°C CL = 500pF CL = 50pF FreQuenCY (Hz) 1k –20 gain (db) 0 5 10 10k 100k 1m 6010 G26 –5 –10 –15 VS = 5V, 0V ta = 25°C CL = 500pF CL = 50pF 20mV/diV aV = 1 2µs/diV 6011 g27 2V/diV aV = –1 50µs/diV 6011 g28 VS = ±15V 1V/diV aV = –1 100µs/diV 6011 g29 VS = 5V, 0V 0V 5V FreQuenCY (Hz) 1 Output impedanCe (Ω ) 1000 0.1 10 100 1 100 1k 10k 100k 1m 6010 g22 0.01 10 VS = 5V, 0V ta = 25°C aV = 100 aV = 10 aV = 1 FreQuenCY (Hz) 20 120 100 80 60 40 –20 0 Open-LOOp gain (db) 140 0.01 10 100 1k 10k 100k 1m 10m 6010 g23 –40 0.1 1 VS = 5V, 0V ta = 25°C rL = 10k FreQuenCY (Hz) –10 Open-LOOp gain (db)

pHaSe SHiFt (deg)

50 60 –20 –30 40 10 30 20 0 1k 100k 1m 10m 6010 g24 –40 –80 –240 –120 –160 –200 –280 10k pHaSe gain VS = 5V, 0V ta = 25°C rL = 10k temperature (°C) –40

SuppLY Current in SHutdOWn

(µ a) 80 6010 g30 –20 –30 0 2030 4050 60 70 90 40 35 30 25 20 15 10 5 0 VS = ±15V VS = 5V, 0V 10 –10 0V 利得と周波数、AV = 1 利得と周波数、AV = –1 小信号過渡応答 大信号過渡応答 レール・トゥ・レール出力振幅 シャットダウン・モードの 消費電流と温度 出力インピーダンスと周波数 開ループ利得と周波数 利得および位相と周波数

標準的性能特性

LT6010

0

sn6010 6010fs

入力精度の維持

LT6010

の入力精度を維持するには、アプリケーション

回路や PC ボード・レイアウトによって、アンプの 20µV

の標準オフセットに匹敵する誤差、またはそれ以上の誤

差が持ち込まれないようにすることが必要です。入力接

続間の温度差により数十マイクロボルトの熱電対起電力

が発生することがありますので、入力ピンへの接続は短

くし、互いに近接させ、発熱する部品から離します。ボー

ドを横切る空気流により、温度差が発生することもあり

ます。

入力バイアス電流が非常に低いので（標準 20pA）、高

インピーダンスのソースや帰還抵抗でも高い精度を維

持することができます。LT6010 の低入力バイアス電流

は、内蔵キャンセレーション回路で実現されています。

ウェーハ・テスト時には入力バイアス電流は低レベルに

なるように恒久的にトリミングされています。最大の精

度を得るには、各入力ピンの入力抵抗を均衡させようと

しないで、どちらの入力の抵抗もできるだけ低く保って

ください。

PC

ボードのリーク電流の方が LT6010 の入力バイアス電

流より高くなることがあります。たとえば、15V 電源ピ

ンと入力ピン間の 10GΩ のリークにより 1.5nA が生じま

す。高インピーダンスのアプリケーションで過度のリー

クを防ぐには、入力同相電圧と同じ電位にドライブした

ガードリングで入力ピンの周りを囲みます。

入力保護

LT6010

は、どちらの入力にも 500Ω 抵抗が直列に接続さ

れているとともに、入力デバイス間にバック・トゥ・バッ

ク・ダイオードが内蔵されています。

この内蔵保護回路により、10V の差動入力電圧に対して

入力電流が（最大許容値の）約 10mA に制限されます。

10V

より大きな差動入力が予想されるアプリケーション

では、追加の外部直列抵抗を使って入力電流を 10mA に

制限します。たとえば、各入力に 1kΩ 抵抗を直列に接

続すると、30V の差動電圧に対して保護することができ

ます。

入力同相範囲

LT6010

の出力は、各電源レールの近くまで振幅するこ

とができますが（レール・トゥ・レール出力）、入力段

は V

–

_{+ 1V}

_{と V}

+

_{– 1.2V}

_{の間で動作するように制限され}

ています。この同相範囲を超えると、利得は 0 に低下し

ますが、位相は反転しません。

総入力ノイズ

LT6010

アンプは、インピーダンスが 20kΩ ∼ 1MΩ のセ

ンサ（ソース）でドライブされるとき、無視できるノイ

ズしかシステムに寄与しません。この範囲では、総入力

ノイズはソースの 4kTR

S

ノイズによって支配されます。

ソース・インピーダンスが 20kΩ より小さい場合、非常

に低いソース・インピーダンスでは、アンプの入力電圧

ノイズは 14nV/√Hz の最小ノイズで寄与し始めます。ソー

ス・インピーダンスが 1MΩ より大きい場合、アンプの

入力電流ノイズにこの高インピーダンスを掛けたものが

寄与し始め、最終的には支配的になります。総入力ノイ

ズのスペクトル密度は、次のように計算することができ

ます。

vn tOtaL( )= en2+4ktrS+(i rn S)2

ここで、e

n

= 14nV/√Hz、i

n

= 0.1pA/√Hz、R

S

は（ソース・

インピーダンスを含む）入力の総インピーダンスです。

アプリケーション情報

LT6010



sn6010 6010fs

+

–

6010 F01a 3 2 1 8 Lt6010 input Output VCC Vee 50k 4 6 7

+

–

6010 F02a 3 2 1 8 Lt6010 10k 50k 10k 4 6 7 input Output VCC Vee pOtentiOmeter pOSitiOn 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0

CHange in OFFSet VOLtage (mV)

6010 F01b 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 –0.2 –0.4 –0.6 –0.8 –1.0 pOtentiOmeter pOSitiOn 0 1.0

CHange in OFFSet VOLtage

(µ V) 6010 F02b –200 200 150 100 50 0 –50 –100 –150 0.2 0.4 0.6 0.8

オフセット電圧調整

LT6010

の入力オフセット電圧と温度変化に伴うドリフ

トは電気的特性で規定されているようにウェーハ・テ

スト時に低いレベルに絶えずトリミングされます。ただ

し、V

OS

をさらに調整したいときは、50kΩ ポテンショ

メータでヌルにすることができ、しかも温度によるド

リフトの劣化は生じません。0 以外の値に値をトリミ

ングすると、(V

OS

/300µV) µV/℃のドリフトが生じます。

標準的な調整 感度調整の改善 図 1A 図 1B 図 2A 図 2B

たとえば、V

OS

を 300µV に調整すると、ドリフトの変

化は 1µV/℃になります。50kΩ ポテンショメータによる

調整範囲は、約 ±0.9mV です（図 1A および 1B を参照）。

小さなポテンショメータを固定抵抗と組み合わせるとヌ

ル化の感度と分解能を改善することができます。下図の

構成では、ヌル・レンジは約 ±150µV です（図 2A およ

び 2B を参照）。

アプリケーション情報

LT6010



sn6010 6010fs 6010 F03 Vee rSHdn VSHdn SHdn _85k 5 Vee

+

–

rg VreF 非反転: aV = 1 + rF/rg 入力はVin だけ変化するが、 出力はさらに変化する 入力がレール・トゥ・レール でなくてもよいことがある 非反転: aV = 1 入力は出力と同じだけ変化する 回路全体がレール・トゥ・レール で動作するためには入力は レール・トゥ・レールでなければ ならない 反転: aV = –rF/rg オペアンプの入力は変化せず、 dCバイアス点VreF に固定 されている 入力がレール・トゥ・レールである 必要はない Vin rF

–

+

Vin VreF rF rg

–

+

Vin 6010 F04

–

+

表 1

VSHDN (V) RSHDN (kΩ) 2 nOne 3 77k 4 153k 5 230k

シャットダウン

LT6010

をシャットダウン・モードにして電力を節約す

ることができます。SHDN ピンが負電源を 0.2V 未満だ

け超えるようにバイアスされていると、デバイスは正常

に動作します。V

–

_{を 2V 以上超えてプルすると、電源電}

流は約 12µA に降下し、オペアンプをシャットダウンし

ます。

シャットダウン・モードでは、LT6010 オペアンプの出

力は入力とは絶縁されていません。したがって、この

シャットダウン機能は多重化アプリケーションには使用

することができません。

SHDN

ピンには、内部 85KΩ 抵抗が用意されています。

SHDN

電圧源が負電源より 2V 以上上回っていれば、電

圧源と SHDN ピン間に外部直列抵抗を置いて SHDN ピ

ン電流を低減することができます（図 3 を参照）。推奨

値の例は、表 1 を参照してください。ここに挙げた抵抗

値を使用すると、SHDN ピンの電圧を負電源より 2V 上

げることができます。

レール・トゥ・レール動作

LT6010

の出力は、どちらの電源レールでも電源レール

の数ミリボルト以内まで振幅することができますが、入

力はできません。ただし、ほとんどのオペアンプ構成で、

入力の振幅は出力のそれよりも小さくする必要がありま

す。オペアンプの基本構成、オペアンプの入力で何が生

じるか、さらにオペアンプにレール・トゥ・レール入力

が必要か否かを図 4 に示します。レール・トゥ・レール

のオペアンプは入力精度の仕様が通常は劣るので、どう

しても必要なときだけレール・トゥ・レールのオペアン

プを選択してください。

図 3 図 4. レール・トゥ・レール出力を行うのにレール・ トゥ・レール入力を必要としないオペアンプ構成

容量性負荷

LT6010

は 500pF までの容量性負荷をユニティゲインで

ドライブすることができます。このアンプをもっと高い

利得構成で使用すると、容量性負荷ドライブ能力が増大

します。出力と負荷の間に小さな直列抵抗を入れると、

アンプがドライブできる容量がさらに増大します。

アプリケーション情報

LT6010



sn6010 6010fs 6010 SS Q17 Q16 Q3 Q7 Q8 C b a b a Q15 V+ V– Q1 Q2 d2 d1 Q11 Q10 Q21 Q4 Q6 Q5 C2 Q12 d3 d4 d5 Q14 Q20 Q19 Q13 Q18 r3 r4 r5 r6 r_C1 r1 500Ω r2 500Ω C1 C3 +in –in Out Q9 Q10 6 4 3 2 8 7 nuLL 1 nuLL SHdn 5 biaS Current generatOr

簡略図

LT6010



sn6010 6010fs 3.00 ±0.10 (4 SideS) 注記: 1. 図面はJedeCのパッケージ外形m0-229のバリエーション（Weed-1）に適合 2. すべての寸法はミリメートル 3. パッケージの底面の露出パッドの寸法にはモールドのバリを含まない モールドのバリは（もしあれば）各サイドで0.15mmを超えないこと 4. 露出パッドは半田メッキとする 0.38 ± 0.10 露出パッドの底面 1.65 ± 0.10 (2 SideS) 0.75 ±0.05 r = 0.115 tYp 2.38 ±0.10 (2 SideS) 1 4 8 5 ピン1の トップ・マーキング 0.200 reF 0.00 – 0.05 (dd8) dFn 0203 0.28 ± 0.05 2.38 ±0.05 (2 SideS) 推奨する半田パッドのピッチと寸法 1.65 ±0.05 (2 SideS) 2.15 ±0.05 0.50 bSC 0.675 ±0.05 3.5 ±0.05 パッケージの 外形 0.28 ± 0.05 0.50 bSC

DD

パッケージ

8

ピン・プラスチック DFN（3mm 3mm）

（reference LtC dWg # 05-08-1698）

パッケージ寸法

LT6010



sn6010 6010fs .016 – .050 (0.406 – 1.270) .010 – .020 (0.254 – 0.508)× 45° 0°– 8° tYp .008 – .010 (0.203 – 0.254) SO8 0303 .053 – .069 (1.346 – 1.752) .014 – .019 (0.355 – 0.483) tYp .004 – .010 (0.101 – 0.254) .050 (1.270) bSC 1 2 3 4 .150 – .157 (3.810 – 3.988) nOte 3 8 7 6 5 .189 – .197 (4.801 – 5.004) nOte 3 .228 – .244 (5.791 – 6.197) .245 min .160 ±.005 推奨する半田パッド･レイアウト .045 ±.005 .050 bSC .030 ±.005 tYp インチ （ミリメートル） 注記: 1. 寸法は、 2. 図は実寸とは異なる 3. これらの寸法には、モールドのバリまたは突出部を含まない。 モールドのバリまたは突出部は、0.15mm（0.006"）を超えないこと

S8

パッケージ

8

ピン・プラスチック小型（細型 0.150 インチ）

（reference LtC dWg # 05-08-1610） リニアテクノロジー・コーポレーションがここで提供する情報は正確かつ信頼できるものと考えておりますが、その使用に関する責務は 一切負いません。また、ここに記載された回路結線と既存特許とのいかなる関連についても一切関知いたしません。なお、日本語の資料は あくまでも参考資料です。訂正、変更、改版に追従していない場合があります。最終的な確認は必ず最新の英語版データシートでお願いいたします。

パッケージ寸法

LT6010



sn6010 6010fs

–

+

6010 ta02 C4 0.5pF 1pFC3 S1 u1 Lt6010

–

+

u2 Lt6230 V+ V– V– r1 330k, 5% r2 1k 5% r3 100k, 1% C1 0.01µF C2 0.1µF J1 J1: pHiLipS bF862 S1: SiemenS/inFineOn SFH203 フォトダイオード (~3pF) VSuppLY = ±5V iSuppLY = 5.6ma 帯域幅 = 6mHz aZ = 100kΩ 出力オフセット ≈ 50µV tYpiCaLLY VOut r4 2.55k

 LINEAR TECHNOLOGY CORPORATION 2003 LT/TP 1203 • PRINTED IN JAPAN 製品番号 説明 注釈 LT6011/6012 デュアル / クワッド高精度オペアンプ 135µA、レール・トゥ・レール出力 LT1001 低消費電力、ピコアンペア入力高精度オペアンプ 250pA入力バイアス電流 LT1880 レール・トゥ・レール出力、ピコアンペア入力高精度オペアンプ 最大 1000pF までの CLOAD

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標準的応用例

リニアテクノロジー株式会社

〒102-0094 東京都千代田区紀尾井町3-6紀尾井町パークビル8F