1
62001ffLT6200/LT6200-5
LT6200-10/LT6201
標準的応用例
165MHz
、レール・トゥ・レール
入出力、0.95nV/√Hz低ノイズ・
オペアンプ・ファミリー
–
+
5V IPD PHOTO DIODE CF 10k 0.1µF 10k 1k VOUT ≈ 2V +IPD • RF PHILIPS BF862 RF LT6200 6200 TA01 歪みと周波数 単電源、1.5nV/√Hz、フォトダイオード・アンプ FREQUENCY (Hz) 100k –110 DISTORTION (dBc) –100 –90 –80 –70 –50 1M 10M 6200 G35 –60 HD2, RL = 100Ω HD3, RL = 100Ω HD3, RL = 1k AV = 1 VO = 2VP-P VS = ±2.5V HD2, RL = 1k特長
■低ノイズ電圧:
0.95nV/√
Hz(
100kHz)
■利得帯域幅積:
LT6200/LT6201 165MHz AV = 1
LT6200-5 800MHz AV
≥
5LT6200-10 1.6GHz AV
≥
10 ■低歪み:
RL = 100Ω
のとき
1MHzで
80dB ■デュアル
LT6201は小型
DFNパッケージ
■両レールを含む入力同相範囲
■レール・トゥ・レールの出力振幅
■低オフセット電圧:1mV(最大)
■広い電源電圧範囲:2.5V~12.6V
■出力電流:60mA(最小)
■動作温度範囲:−40°C~85°C
■パワー・シャットダウン、サーマル・シャットダウン
■SO-8および高さの低い(1mm)ThinSOT
™パッケージ
アプリケーション
■トランスインピーダンス・アンプ
■低ノイズ信号処理
■アクティブ・フィルタ
■レール・トゥ・レール・バッファ・アンプ
■A/Dコンバータのドライブ
概要
LT
®6200/LT6201は、0.95nV/√Hzのノイズ電圧を特長とする、
シングルおよびデュアルの超低ノイズ、レール・トゥ・レール入
出力、ユニティゲインで安定なオペアンプです。これらのアンプ
はノイズが非常に低く、利得帯域幅が165MHz、スルーレート
が50V/μsで、低電圧信号調整システム向けに最適化されてい
ます。シャットダウン・ピンによりスタンバイ時の消費電流を低
減し、サーマル・シャットダウンによりデバイスを過負荷状態か
ら保護します。
LT6200-5/LT6200-10はシングル・アンプで、高利得のアプリ
ケーション向けに最適化されているので、利得帯域幅とス
ルーレートが高くなります。LT6200ファミリーは、2.5V∼12.6V
の電源に対して性能を維持し、3V、5V、および 5Vの電源で
仕様が規定されています。
レイアウトを小さく抑えるため、LT6200/LT6200-5/LT6200-10
は6ピンのThinSOT
™と8ピンのSOパッケージで供給されま
す。デュアルのLT6201は標準ピン配置の8ピンSOパッケージ、
および小型のデュアル・ファインピッチ・リードレス・パッケージ
(DFN)で供給されます。これらのアンプは多くの高速オペア
ンプのプラグイン互換品として使用することができ、入力/出力
範囲とノイズ性能を改善することができます。
L、LT、LTC、LTM、Linear TechnologyおよびLinearのロゴはリニアテクノロジー社の登録商標 です。ThinSOTはリニアテクノロジー社の商標です。その他すべての商標の所有権は、それぞれ の所有者に帰属します。LT6200/LT6200-5
LT6200-10/LT6201
2
62001ffピン配置
鉛フリー仕様 テープアンドリール 製品マーキング* パッケージ 規定温度範囲LT6200CS6#PBF LT6200CS6#TRPBF LTJZ 6-Lead Plastic TSOT-23 0°C to 70°C
LT6200IS6#PBF LT6200IS6#TRPBF LTJZ 6-Lead Plastic TSOT-23 –40°C to 85°C
LT6200CS6-5#PBF LT6200CS6-5#TRPBF LTACB 6-Lead Plastic TSOT-23 0°C to 70°C
LT6200IS6-5#PBF LT6200IS6-5#TRPBF LTACB 6-Lead Plastic TSOT-23 –40°C to 85°C
LT6200CS6-10#PBF LT6200CS6-10#TRPBF LTACC 6-Lead Plastic TSOT-23 0°C to 70°C
LT6200IS6-10#PBF LT6200IS6-10#TRPBF LTACC 6-Lead Plastic TSOT-23 –40°C to 85°C
LT6200CS8#PBF LT6200CS8#TRPBF 6200 8-Lead Plastic SO 0°C to 70°C
LT6200IS8#PBF LT6200IS8#TRPBF 6200I 8-Lead Plastic SO –40°C to 85°C
LT6200CS8-5#PBF LT6200CS8-5#TRPBF 62005 8-Lead Plastic SO 0°C to 70°C
LT6200IS8-5#PBF LT6200IS8-5#TRPBF 6200I5 8-Lead Plastic SO –40°C to 85°C
6 V+ 5 SHDN 4 –IN OUT 1 TOP VIEW S6 PACKAGE 6-LEAD PLASTIC TSOT-23
V– 2 +IN 3 TJMAX = 150°C, θJA = 160°C/W (Note 10) TOP VIEW S8 PACKAGE 8-LEAD PLASTIC SO 1 2 3 4 8 7 6 5 SHDN –IN +IN V– NC V+ OUT NC + – TJMAX = 150°C, θJA = 100°C/W TOP VIEW DD PACKAGE 8-LEAD (3mm × 3mm) PLASTIC DFN 5 6 7 8 4 3 2 1 OUT A –IN A +IN A V– V+ OUT B –IN B +IN B A B TJMAX = 150°C, θJA = 160°C/W (NOTE 3)
UNDERSIDE METAL CONNECTED TO V–
TOP VIEW S8 PACKAGE 8-LEAD PLASTIC SO 1 2 3 4 8 7 6 5 OUT A –IN A +IN A V– V+ OUT B –IN B +IN B + – + – TJMAX = 150°C, θJA = 100°C/W
発注情報
絶対最大定格
(Note 1)全電源電圧(V
+~V
−間) ...12.6V
全電源電圧(V
+~V
−間)
(LT6201DD) ...7V
入力電流(Note 2) ... ±40mA
出力短絡時間(Note 3) ... 無期限
電源を超すときのピン電流(Note 12) ... ±30mA
動作温度範囲(Note 4) ...−40°C~85°C
規定温度範囲(Note 5) ...−40°C~85°C
接合部温度...150°C
接合部温度(DDパッケージ) ...125°C
保存温度範囲...−65°C~150°C
保存温度範囲(DDパッケージ) ...−65°C~125°C
リード温度(半田付け、10秒) ...300°C
3
62001ffLT6200/LT6200-5
LT6200-10/LT6201
鉛フリー仕様 テープアンドリール 製品マーキング* パッケージ 規定温度範囲 LT6200CS8-10#PBF LT6200CS8-10#TRPBF 620010 8-Lead Plastic SO 0°C to 70°CLT6200IS8-10#PBF LT6200IS8-10#TRPBF 200I10 8-Lead Plastic SO –40°C to 85°C
LT6201CDD#PBF LT6201CDD #TRPBF LADG 8-Lead (3mm × 3mm) Plastic DFN 0°C to 70°C
LT6201CS8#PBF LT6201CS8 #TRPBF 6201 8-Lead Plastic SO 0°C to 70°C
LT6201IS8 #PBF LT6201IS8 #TRPBF 6201I 8-Lead Plastic SO –40°C to 85°C
さらに広い動作温度範囲で規定されるデバイスについては、弊社または弊社代理店にお問い合わせください。 *温度グレードは出荷時のコンテナのラベルで識別されます。 非標準の鉛ベース仕様の製品の詳細については、弊社または弊社代理店にお問い合わせください。 鉛フリー仕様の製品マーキングの詳細については、http://www.linear-tech.co.jp/leadfree/ をご覧ください。 テープアンドリールの仕様の詳細については、http://www.linear-tech.co.jp/tapeandreel/をご覧ください。
発注情報
電気的特性
注記がない限り、TA = 25 C、VS = 5V、0V;VS = 3V、0V;VCM = VOUT = 電源の1/2、VSHDN = 開放。SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS
VOS Input Offset Voltage VS = 5V, VCM = Half Supply
VS = 3V, VCM = Half Supply 0.1 0.9 2.51 mV mV VS = 5V, VCM = V+ to V– VS = 3V, VCM = V+ to V– 0.6 1.8 2 4 mV mV
Input Offset Voltage Match
(Channel-to-Channel) (Note 11) VVCMCM = Half Supply = V– to V+
0.2
0.5 1.1 2.2 mV mV
IB Input Bias Current VCM = Half Supply
VCM = V+ VCM = V– –40 –50 –10 8 –23 18 µA µA µA
∆IB IB Shift VCM = V– to V+ 31 68 µA
IB Match (Channel-to-Channel) (Note 11) VCM = V– to V+ 0.3 5 µA
IOS Input Offset Current VCM = Half Supply
VCM = V+ VCM = V– 0.1 0.02 0.4 4 4 5 µA µA µA
Input Noise Voltage 0.1Hz to 10Hz 600 nVP-P
en Input Noise Voltage Density f = 100kHz, VS = 5V
f = 10kHz, VS = 5V
1.1
1.5 2.4 nV/√Hz nV/√Hz
in Input Noise Current Density, Balanced Source
Unbalanced Source f = 10kHz, Vf = 10kHz, VSS = 5V = 5V
2.2
3.5 pA/√HzpA/√Hz
Input Resistance Common Mode
Differential Mode 0.57 2.1 MΩ kΩ
CIN Input Capacitance Common Mode
Differential Mode 3.1 4.2 pF pF
AVOL Large-Signal Gain VS = 5V, VO = 0.5V to 4.5V, RL = 1k to VS/2
VS = 5V, VO = 1V to 4V, RL = 100Ω to VS/2 VS = 3V, VO = 0.5V to 2.5V, RL = 1k to VS/2 70 11 17 120 18 70 V/mV V/mV V/mV
CMRR Common Mode Rejection Ratio VS = 5V, VCM = V– to V+
VS = 5V, VCM = 1.5V to 3.5V VS = 3V, VCM = V– to V+ 65 85 60 90 112 85 dB dB dB
CMRR Match (Channel-to-Channel) (Note 11) VS = 5V, VCM = 1.5V to 3.5V 80 105 dB
PSRR Power Supply Rejection Ratio VS = 2.5V to 10V, LT6201DD VS = 2.5V to 7V 60 68 dB
PSRR Match (Channel-to-Channel) (Note 11) VS = 2.5V to 10V, LT6201DD VS = 2.5V to 7V 65 100 dB
LT6200/LT6200-5
LT6200-10/LT6201
4
62001ff電気的特性
注記がない限り、TA = 25 C、VS = 5V、0V;VS = 3V、0V;VCM = VOUT = 電源の1/2、VSHDN = 開放。 ●は0 C < TA < 70 Cの温度範囲の規格値を意味する。注記がない限り、VS = 5V、0V;VS = 3V、0V;VCM = VOUT = 電源の1/2、VSHDN = 開放。SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS
VOL Output Voltage Swing LOW (Note 7) No Load
ISINK = 5mA VS = 5V, ISINK = 20mA VS = 3V, ISINK = 20mA 9 50 150 160 50 100 290 300 mV mV mV mV
VOH Output Voltage Swing HIGH (Note 7) No Load
ISOURCE = 5mA VS = 5V, ISOURCE = 20mA VS = 3V, ISOURCE = 20mA 55 95 220 240 110 190 400 450 mV mV mV mV ISC Short-Circuit Current VS = 5V VS = 3V ±60 ±50 ±90 ±80 mA mA
IS Supply Current per Amplifier
Disabled Supply Current per Amplifier
VS = 5V VS = 3V VSHDN = 0.3V 16.5 15 1.3 20 18 1.8 mA mA mA
ISHDN SHDN Pin Current VSHDN = 0.3V 200 280 µA
VL VSHDN Pin Input Voltage LOW 0.3 V
VH VSHDN Pin Input Voltage HIGH V+–0.5 V
Shutdown Output Leakage Current VSHDN = 0.3V 0.1 75 µA
tON Turn-On Time VSHDN = 0.3V to 4.5V, RL = 100Ω, VS = 5V 180 ns
tOFF Turn-Off Time VSHDN = 4.5V to 0.3V, RL = 100Ω, VS = 5V 180 ns
GBW Gain Bandwidth Product Frequency = 1MHz, VS = 5V
LT6200, LT6201 LT6200-5 LT6200-10 145 750 1450 MHz MHz MHz SR Slew Rate VS = 5V, AV = –1, RL = 1k, VO = 4V LT6200, LT6201 31 44 V/µs VS = 5V, AV = –10, RL = 1k, VO = 4V LT6200-5 LT6200-10 210 340 V/µs V/µs
FPBW Full Power Bandwidth (Note 9) VS = 5V, VOUT = 3VP-P (LT6200) 3.28 4.66 MHz
tS Settling Time (LT6200, LT6201) 0.1%, VS = 5V, VSTEP = 2V, AV = –1, RL = 1k 165 ns
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS
VOS Input Offset Voltage VS = 5V, VCM = Half Supply
VS = 3V, VCM = Half Supply ● ● 0.2 1 1.2 2.7 mV mV VS = 5V, VCM = V+ to V– VS = 3V, VCM = V+ to V– ● ● 0.3 1.5 3 4 mV mV
Input Offset Voltage Match
(Channel-to-Channel) (Note 11) VVCMCM = Half Supply = V– to V+
● ●
0.2
0.4 1.8 2.8 mV mV
VOS TC Input Offset Voltage Drift (Note 8) VCM = Half Supply ● 2.5 8 µV/ºC
IB Input Bias Current VCM = Half Supply
VCM = V+ VCM = V– ● ● ● –40 –50 –10 8 –23 18 µA µA µA
IB Match (Channel-to-Channel) (Note 11) VCM = V– to V+ ● 0.5 6 µA
∆IB IB Shift VCM = V– to V+ ● 31 68 µA
IOS Input Offset Current VCM = Half Supply
VCM = V+ VCM = V– ● ● ● 0.1 0.02 0.4 4 4 5 µA µA µA
5
62001ffLT6200/LT6200-5
LT6200-10/LT6201
電気的特性
●は0 C < TA < 70 Cの温度範囲の規格値を意味する。注記がない限り、VS = 5V、0V;VS = 3V、0V;VCM = VOUT = 電源の1/2、VSHDN = 開放。 ●は40 C < TA < 85 Cの温度範囲の規格値を意味する。DDパッケージのLT6201は除外する(Note 3)。 注記がない限り、VS = 5V、0V;VS = 3V、0V;VCM = VOUT = 電源の1/2、VSHDN = 開放。(Note 5)SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS
AVOL Large-Signal Gain VS = 5V, VO = 0.5V to 4.5V,RL = 1k to VS/2
VS = 5V, VO = 1.5V to 3.5V,RL = 100Ω to VS/2 VS = 3V, VO = 0.5V to 2.5V,RL = 1k to VS/2 ● ● ● 46 7.5 13 80 13 22 V/mV V/mV V/mV
CMRR Common Mode Rejection Ratio VS = 5V, VCM = V– to V+
VS = 5V, VCM = 1.5V to 3.5V VS = 3V, VCM = V– to V+ ● ● ● 64 80 60 88 105 83 dB dB dB
CMRR Match (Channel-to-Channel) (Note 11) VS = 5V, VCM = 1.5V to 3.5V ● 80 105 dB
PSRR Power Supply Rejection Ratio VS = 3V to 10V, LT6201DD VS = 3V to 7V ● 60 65 dB
PSRR Match (Channel-to-Channel) (Note 11) VS = 3V to 10V, LT6201DD VS = 3V to 7V ● 60 100 dB
Minimum Supply Voltage (Note 6) ● 3 V
VOL Output Voltage Swing LOW (Note 7) No Load
ISINK = 5mA VS = 5V, ISINK = 20mA VS = 3V, ISINK = 20mA ● ● ● ● 12 55 170 170 60 110 310 310 mV mV mV mV
VOH Output Voltage Swing HIGH (Note 7) No Load
ISOURCE = 5mA VS = 5V, ISOURCE = 20mA VS = 3V, ISOURCE = 20mA ● ● ● ● 65 115 260 270 120 210 440 490 mV mV mV mV ISC Short-Circuit Current VS = 5V VS = 3V ● ● ±60 ±45 ±90 ±75 mA mA
IS Supply Current per Amplifier
Disabled Supply Current per Amplifier
VS = 5V VS = 3V VSHDN = 0.3V ● ● ● 20 19 1.35 23 22 1.8 mA mA mA
ISHDN SHDN Pin Current VSHDN = 0.3V ● 215 295 µA
VL VSHDN Pin Input Voltage LOW ● 0.3 V
VH VSHDN Pin Input Voltage HIGH ● V+–0.5 V
Shutdown Output Leakage Current VSHDN = 0.3V ● 0.1 75 µA
tON Turn-On Time VSHDN = 0.3V to 4.5V, RL = 100Ω, VS = 5V ● 180 ns
tOFF Turn-Off Time VSHDN = 4.5V to 0.3V, RL = 100Ω, VS = 5V ● 180 ns
SR Slew Rate VS = 5V, AV = –1, RL = 1k, VO = 4V LT6200, LT6201 ● 29 42 V/µs VS = 5V, AV = –10, RL = 1k, VO = 4V LT6200-5 LT6200-10 ● ● 190 310 V/µs V/µs
FPBW Full Power Bandwidth (Note 9) VS = 5V, VOUT = 3VP-P (LT6200) ● 3.07 4.45 MHz
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS
VOS Input Offset Voltage VS = 5V, VCM = Half Supply
VS = 3V, VCM = Half Supply ● ● 0.2 1 1.5 2.8 mV mV VS = 5V, VCM = V+ to V– VS = 3V, VCM = V+ to V– ● ● 0.3 1.5 3.5 4.3 mV mV
Input Offset Voltage Match
(Channel-to-Channel) (Note 11) VVCMCM = Half Supply = V– to V+
● ●
0.2
0.4 2 3 mV mV
VOS TC Input Offset Voltage Drift (Note 8) VCM = Half Supply ● 2.5 8 µV/ºC
IB Input Bias Current VCM = Half Supply
VCM = V+ VCM = V– ● ● ● –40 –50 –10 8 –23 18 µA µA µA
LT6200/LT6200-5
LT6200-10/LT6201
6
62001ff電気的特性
●は40 C < TA < 85 Cの温度範囲の規格値を意味する。DDパッケージのLT6201は除外する(Note 3)。 注記がない限り、VS = 5V、0V;VS = 3V、0V;VCM = VOUT = 電源の1/2、VSHDN = 開放。(Note 5) 注記がない限り、TA = 25 C、VS = 5V、VCM = VOUT = 0V、VSHDN = 開放。DDパッケージのLT6201は除外する(Note 3)。SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS
∆IB IB Shift VCM = V– to V+ ● 31 68 µA
IB Match (Channel-to-Channel) (Note 11) VCM = V– to V+ ● 1 9 µA
IOS Input Offset Current VCM = Half Supply
VCM = V+ VCM = V– ● ● ● 0.1 0.02 0.4 4 4 5 µA µA µA
AVOL Large-Signal Gain VS = 5V, VO = 0.5V to 4.5V, RL = 1k to VS/2
VS = 5V, VO = 1.5V to 3.5V, RL = 100Ω to VS/2 VS = 3V, VO = 0.5V to 2.5V,RL = 1k to VS/2 ● ● ● 40 7.5 11 70 13 20 V/mV V/mV V/mV
CMRR Common Mode Rejection Ratio VS = 5V, VCM = V– to V+
VS = 5V, VCM = 1.5V to 3.5V VS = 3V, VCM = V– to V+ ● ● ● 60 80 60 80 100 80 dB dB dB
CMRR Match (Channel-to-Channel) (Note 11) VS = 5V, VCM = 1.5V to 3.5V ● 75 105 dB
PSRR Power Supply Rejection Ratio VS = 3V to 10V ● 60 68 dB
PSRR Match (Channel-to-Channel) (Note 11) VS = 3V to 10V ● 60 100 dB
Minimum Supply Voltage (Note 6) ● 3 V
VOL Output Voltage Swing LOW (Note 7) No Load
ISINK = 5mA VS = 5V, ISINK = 20mA VS = 3V, ISINK = 20mA ● ● ● ● 18 60 170 175 70 120 310 315 mV mV mV mV
VOH Output Voltage Swing HIGH (Note 7) No Load
ISOURCE = 5mA VS = 5V, ISOURCE = 20mA VS = 3V, ISOURCE = 20mA ● ● ● ● 65 115 270 280 120 210 450 500 mV mV mV mV ISC Short-Circuit Current VS = 5V VS = 3V ● ● ±50 ±30 ±80 ±60 mA mA
IS Supply Current per Amplifier
Disabled Supply Current per Amplifier
VS = 5V VS = 3V VSHDN = 0.3V ● ● ● 22 20 1.4 25.3 23 1.9 mA mA mA
ISHDN SHDN Pin Current VSHDN = 0.3V ● 220 300 µA
VL VSHDN Pin Input Voltage LOW ● 0.3 V
VH VSHDN Pin Input Voltage HIGH ● V+ – 0.5 V
Shutdown Output Leakage Current VSHDN = 0.3V ● 0.1 75 µA
tON Turn-On Time VSHDN = 0.3V to 4.5V, RL = 100Ω, VS = 5V ● 180 ns
tOFF Turn-Off Time VSHDN = 4.5V to 0.3V, RL = 100Ω, VS = 5V ● 180 ns
SR Slew Rate VS = 5V, AV = –1, RL = 1k, VO = 4V LT6200, LT6201 ● 23 33 V/µs VS = 5V, AV = –10, RL = 1k, VO = 4V LT6200-5 LT6200-10 ● ● 160 260 V/µs V/µs
FPBW Full Power Bandwidth (Note 9) VS = 5V, VOUT = 3VP-P (LT6200) ● 2.44 3.5 MHz
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS
VOS Input Offset Voltage VCM = Half Supply
VCM = V+ VCM = V– 1.4 2.5 2.5 4 6 6 mV mV mV Input Offset Voltage Match
(Channel-to-Channel) (Note 11) VVCMCM = 0V = V– to V+
0.2
7
62001ffLT6200/LT6200-5
LT6200-10/LT6201
電気的特性
注記がない限り、TA = 25 C、VS = 5V、VCM = VOUT = 0V、VSHDN = 開放。DDパッケージのLT6201は除外する(Note 3)。SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS
IB Input Bias Current VCM = Half Supply
VCM = V+ VCM = V– –40 –50 –10 8 –23 18 µA µA µA
∆IB IB Shift VCM = V– to V+ 31 68 µA
IB Match (Channel-to-Channel) (Note 11) VCM = V– to V+ 0.2 6 µA
IOS Input Offset Current VCM = Half Supply
VCM = V+ VCM = V– 1.3 1 3 7 7 12 µA µA µA
Input Noise Voltage 0.1Hz to 10Hz 600 nVP-P
en Input Noise Voltage Density f = 100kHz
f = 10kHz 0.95 1.4 2.3 nV/√Hz nV/√Hz
in Input Noise Current Density, Balanced Source
Unbalanced Source f = 10kHz f = 10kHz 2.2 3.5 pA/√Hz pA/√Hz
Input Resistance Common Mode
Differential Mode 0.57 2.1 MΩ kΩ
CIN Input Capacitance Common Mode
Differential Mode 3.1 4.2 pF pF
AVOL Large-Signal Gain VO = ±4.5V, RL = 1k
VO = ±2V, RL = 100
115
15 200 26 V/mV V/mV
CMRR Common Mode Rejection Ratio VCM = V – to V+
VCM = –2V to 2V
68
75 10096 dB dB
CMRR Match (Channel-to-Channel) (Note 11) VCM = –2V to 2V 80 105 dB
PSRR Power Supply Rejection Ratio VS = ±1.25V to ±5V 60 68 dB
PSRR Match (Channel-to-Channel) (Note 6) VS = ±1.25V to ±5V 65 100 dB
VOL Output Voltage Swing LOW (Note 7) No Load
ISINK = 5mA ISINK = 20mA 12 55 150 50 110 290 mV mV mV
VOH Output Voltage Swing HIGH (Note 7) No Load
ISOURCE = 5mA ISOURCE = 20mA 70 110 225 130 210 420 mV mV mV ISC Short-Circuit Current ±60 ±90 mA
IS Supply Current per Amplifier
Disabled Supply Current per Amplifier VSHDN = 0.3V
20
1.6 2.123 mA mA
ISHDN SHDN Pin Current VSHDN = 0.3V 200 280 µA
VL VSHDN Pin Input Voltage LOW 0.3 V
VH VSHDN Pin Input Voltage HIGH V+–0.5 V
Shutdown Output Leakage Current VSHDN = 0.3V 0.1 75 µA
tON Turn-On Time VSHDN = 0.3V to 4.5V, RL = 100Ω, VS = 5V 180 ns
tOFF Turn-Off Time VSHDN = 4.5V to 0.3V, RL = 100Ω, VS = 5V 180 ns
GBW Gain Bandwidth Product Frequency = 1MHz
LT6200, LT6201 LT6200-5 LT6200-10 110 530 1060 165 800 1600 MHz MHz MHz SR Slew Rate AV = –1, RL = 1k, VO = 4V LT6200, LT6201 35 50 V/µs AV = –10, RL = 1k, VO = 4V LT6200-5 LT6200-10 175 315 250 450 V/µs V/µs
LT6200/LT6200-5
LT6200-10/LT6201
8
62001ff ●は0 C < TA < 70 Cの温度範囲の規格値を意味する。DDパッケージのLT6201は除外する(Note 3)。 注記がない限り、VS = 5V、VCM = VOUT = 0V、VSHDN = 開放。SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS
FPBW Full Power Bandwidth (Note 9) VOUT = 3VP-P (LT6200-10) 33 47 MHz
tS Setting Time (LT6200, LT6201) 0.1%, VSTEP = 1, RL = 1k 140 ns
電気的特性
注記がない限り、TA = 25 C、VS = 5V、VCM = VOUT = 0V、VSHDN = 開放。DDパッケージのLT6201は除外する(Note 3)。
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS
VOS Input Offset Voltage VCM = Half Supply
VCM = V+ VCM = V– ● ● ● 1.9 3.5 3.5 4.5 7.5 7.5 mV mV mV Input Offset Voltage Match
(Channel-to-Channel) (Note 11) VVCMCM = 0V = V– to V+
● ●
0.2
0.4 1.8 3.4 mV mV
VOS TC Input Offset Voltage Drift (Note 8) VCM = Half Supply ● 8.2 24 µV/ºC
IB Input Bias Current VCM = Half Supply
VCM = V+ VCM = V– ● ● ● –40 –50 –10 8 –23 18 µA µA µA
∆IB IB Shift VCM = V– to V+ ● 31 68 µA
IB Match (Channel-to-Channel) (Note 11) VCM = V– to V+ ● 1 9 µA
IOS Input Offset Current VCM = Half Supply
VCM = V+ VCM = V– ● ● ● 1.3 1 3.5 10 10 15 µA µA µA
AVOL Large-Signal Gain VO = ±4.5V, RL = 1k
VO = ±2V, RL = 100
● ●
46
7.5 13.580 V/mV V/mV
CMRR Common Mode Rejection Ratio VCM = V– to V+
VCM = –2V to 2V
● ●
65
75 10090 dB dB
CMRR Match (Channel-to-Channel) (Note 11) VCM = –2V to 2V ● 75 105 dB
PSRR Power Supply Rejection Ratio VS = ±1.5V to ±5V ● 60 65 dB
PSRR Match (Channel-to-Channel) (Note 6) VS = ±1.5V to ±5V ● 60 100 dB
VOL Output Voltage Swing LOW (Note 7) No Load
ISINK = 5mA ISINK = 20mA ● ● ● 16 60 170 70 120 310 mV mV mV
VOH Output Voltage Swing HIGH (Note 7) No Load
ISOURCE = 5mA ISOURCE = 20mA ● ● ● 85 125 265 150 230 480 mV mV mV ISC Short-Circuit Current ● ±60 ±90 mA
IS Supply Current per Amplifier
Disabled Supply Current per Amplifier VSHDN = 0.3V
● ●
25
1.6 2.129 mA mA
ISHDN SHDN Pin Current VSHDN = 0.3V ● 215 295 µA
VL VSHDN Pin Input Voltage LOW ● 0.3 V
VH VSHDN Pin Input Voltage HIGH ● V+ – 0.5 V
Shutdown Output Leakage Current VSHDN = 0.3V ● 0.1 75 µA
tON Turn-On Time VSHDN = 0.3V to 4.5V, RL = 100Ω, VS = 5V ● 180 ns
tOFF Turn-Off Time VSHDN = 4.5V to 0.3V, RL = 100Ω, VS = 5V ● 180 ns
SR Slew Rate AV = –1, RL = 1k, VO = 4V LT6200, LT6201 ● 31 44 V/µs AV = –10, RL = 1k, VO = 4V LT6200-5 LT6200-10 ● ● 150 290 215 410 V/µs V/µs
9
62001ffLT6200/LT6200-5
LT6200-10/LT6201
Note 1:絶対最大定格に記載された値を超えるストレスはデバイスに永続的損傷を与える可 能性がある。長期にわたって絶対最大定格条件に曝すと、デバイスの信頼性と寿命に悪影響 を与える可能性がある。 Note 2:入力はバック・トゥ・バック・ダイオードにより保護されている。差動入力電圧が0.7Vを 超える場合、入力電流は40mA未満に制限すること。このパラメータは、設計および特性評価に より性能仕様に適合することが保証されている。全数テストは実施されない。電気的特性
●は40 C < TA < 85 Cの温度範囲の規格値を意味する。DDパッケージのLT6201は除外する(Note 3)。 注記がない限り、VS = 5V、VCM = VOUT = 0V、VSHDN = 開放。(Note 5)SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS
VOS Input Offset Voltage VCM = Half Supply
VCM = V+ VCM = V– ● ● ● 1.9 3.5 3.5 4.5 7.5 7.5 mV mV mV Input Offset Voltage Match
(Channel-to-Channel) (Note 11) VVCMCM = 0V = V– to V+
● ●
0.2
0.4 3.62 mV mV
VOS TC Input Offset Voltage Drift (Note 8) VCM = Half Supply ● 8.2 24 µV/ºC
IB Input Bias Current VCM = Half Supply
VCM = V+ VCM = V– ● ● ● –40 –50 –10 8 –23 18 µA µA µA
∆IB IB Shift VCM = V– to V+ ● 31 68 µA
IB Match (Channel-to-Channel) (Note 11) ● 4 12 µA
IOS Input Offset Current VCM = Half Supply
VCM = V+ VCM = V– ● ● ● 1.3 1 3.5 10 10 15 µA µA µA
AVOL Large-Signal Gain VO = ±4.5V, RL = 1k
VO = ±2V, RL = 100
● ●
46
7.5 13.580 V/mV V/mV
CMRR Common Mode Rejection Ratio VCM = V– to V+
VCM = –2V to 2V
● ●
65
75 10090 dB dB
CMRR Match (Channel-to-Channel) (Note 11) VCM = –2V to 2V ● 75 105 dB
PSRR Power Supply Rejection Ratio VS = ±1.5V to ±5V ● 60 65 dB
PSRR Match (Channel-to-Channel) (Note 6) VS = ±1.5V to ±5V ● 60 100 dB
VOL Output Voltage Swing LOW (Note 7) No Load
ISINK = 5mA ISINK = 20mA ● ● ● 16 60 170 75 125 310 mV mV mV
VOH Output Voltage Swing HIGH (Note 7) No Load
ISOURCE = 5mA ISINK = 20mA ● ● ● 85 125 265 150 230 480 mV mV mV ISC Short-Circuit Current ● ±60 ±90 mA IS Supply Current
Disabled Supply Current VSHDN = 0.3V
● ●
25
1.6 2.129 mA mA
ISHDN SHDN Pin Current VSHDN = 0.3V ● 215 295 µA
VL VSHDN Pin Input Voltage LOW ● 0.3 V
VH VSHDN Pin Input Voltage HIGH ● V+ – 0.5 V
Shutdown Output Leakage Current VSHDN = 0.3V ● 0.1 75 µA
tON Turn-On Time VSHDN = 0.3V to 4.5V, RL = 100Ω, VS = 5V ● 180 ns
tOFF Turn-Off Time VSHDN = 4.5V to 0.3V, RL = 100Ω, VS = 5V ● 180 ns
SR Slew Rate AV = –1, RL = 1k, VO = 4V LT6200, LT6201 ● 31 44 V/µs AV = –10, RL = 1k, VO = 4V LT6200-5 LT6200-10 ● ● 125 260 180 370 V/µs V/µs
LT6200/LT6200-5
LT6200-10/LT6201
10
62001ff INPUT OFFSET VOLTAGE (µV)
–1000 NUMBER OF UNITS 80 70 60 50 40 30 20 10 0 600 6200 G01 –600 –200 200 1000 VS = 5V, 0V SO-8
INPUT OFFSET VOLTAGE (µV) –1600–1200 NUMBER OF UNITS 40 60 1600 6200 G02 20 0 –800 –400 0 400 800 1200 80 30 50 10 70 VS = 5V, 0V SO-8
INPUT OFFSET VOLTAGE (µV) –1600–1200 NUMBER OF UNITS 40 60 1600 6200 G03 20 0 –800 –400 0 400 800 1200 80 30 50 10 70 VS = 5V, 0V SO-8 Note 3:出力が無制限に短絡されるときは、接合部温度を絶対最大定格以下に抑えるために、 ヒートシンクが必要な場合がある。DDパッケージのLT6201は電力消費により、商用温度範囲 だけでVS ≤ 5V、0Vに制限されている。 Note 4:LT6200C/LT6200IおよびLT6201C/LT6201Iは-40°C~85°Cの温度範囲で動作することが 保証されている(LT6201DDは除く)。 Note 5:LT6200C/LT6201Cは、0°C~70°Cの温度範囲で性能仕様に適合することが保証されてい る。LT6200C/LT6201Cは−40°C~85°Cの拡張温度範囲で性能仕様に適合するように設計され、 特性が評価されており、性能仕様に適合すると予想されるが、これらの温度ではテストされな いし、QAサンプリングもおこなわれない。LT6200Iは−40°C~85°Cの温度範囲で性能仕様に適 合することが保証されている。 Note 6:最小電源電圧は電源除去比テストによって保証されている。 Note 7:出力電圧振幅は出力と電源レール間で測定される。 Note 8:このパラメータに対しては、全数テストは実施されない。 Note 9:全電力帯域幅はスルーレートから計算される。FPBW = SR/2πVP Note 10:熱抵抗はデバイスのV−ピンに接続されたPCボードのメタル量に応じて変化する。「ア プリケーション情報」の熱抵抗の表に示されているように、θJAはV−ピンに接続される2オンス 銅メタル・トレースの特定の量に対して規定されている。 Note 11:LT6201の整合性パラメータは2個のアンプ間の差である。CMRRとPSRRの整合性は次 のように定義される。CMRRとPSRRは同一のアンプに対してμV/Vで測定される。この差はμV/V で計算される。その結果はdBに変換される。 Note 12:すべての入力と出力には、図1に示されているように、逆バイアスされたESDダイオード が備わっている。これらのピンがどちらかの電源を超えた電圧に強制されると、無制限の電流 がこれらのダイオードを流れる。この電流が過渡的なもので、30mA以下に制限されていれば デバイスは損傷を受けない。
TOTAL SUPPLY VOLTAGE (V) 0
SUPPLY CURRENT (mA)
20 25 30 6 10 6200 G04 15 10 2 4 8 12 14 5 0 TA = 125°C TA = –55°C TA = 25°C
INPUT COMMON MODE VOLTAGE (V) 0 –1.5 OFFSET VOLTAGE (mV) –1.0 0 0.5 1.0 2 4 5 3.0 6200 G05 –0.5 1 3 1.5 2.0 2.5 VTYPICAL PARTS = 5V, 0V TA = 125°C TA = –55°C TA = 25°C
COMMON MODE VOLTAGE (V) –1
INPUT BIAS CURRENT (µA)
0 10 20 2 4 6200 G06 –10 –20 0 1 3 5 6 –30 –40 VS = 5V, 0V TA = 125°C TA = –55°C TA = 25°C
電気的特性
VOSの分布、 VCM = V+/2 VOSの分布、 VCM = V+ VOSの分布、 VCM = V 電源電流と電源電圧 オフセット電圧と入力同相電圧 入力バイアス電流と同相電圧標準的性能特性
11
62001ffLT6200/LT6200-5
LT6200-10/LT6201
TEMPERATURE (°C) –50 –5INPUT BIAS CURRENT (µA)
–25 –30 –15 –10 20 5 –20 10 25 85 6200 G07 –20 10 15 0 –35 –5 40 55 70 VS = 5V, 0V VCM = 5V VCM = 0V
LOAD CURRENT (mA) 0.01
OUTPUT SATURATION VOLTAGE (V)
0.1 1 10 1 10 100 6200 G08 0.001 0.1 VS = 5V, 0V TA = 125°C TA = –55°C TA = 25°C
LOAD CURRENT (mA) 0.1
0.01
OUTPUT SATURATION VOLTAGE (V)
0.1 1 10 1 10 100 6200 G09 VS = 5V, 0V TA = 125°C TA = –55°C TA = 25°C
TOTAL SUPPLY VOLTAGE (V) –2.0
CHANGE IN OFFSET VOTLAGE (mV)
–1.0 1.0 –1.5 –0.5 0.5 0 1 2 3 4 6200 G10 5 0.5 0 1.5 2.5 3.5 4.5 TA = –55°C TA = 125°C TA = 25°C VCM = VS/2
POWER SUPPLY VOLTAGE (±V) 1.5
OUTPUT SHORT-CIRCUIT CURRENT (mA)
–40 80 100 120 2.5 3.5 4 6200 G11 –80 40 0 –60 60 –120 –100 20 –20 2 3 4.5 5 TA = –55°C TA = –55°C TA = 125°C TA = 125°C TA = 25°C SOURCING SINKING TA = 25°C OUTPUT VOLTAGE (V) 0 –2.5 INPUT VOLTAGE (mV) –1.5 –0.5 0.5 0.5 1 1.5 2 6200 G12 2.5 1.5 2.5 –2.0 –1.0 0 1.0 2.0 3 VS = 3V, 0V TA = 25°C RL = 1k RL = 100Ω OUTPUT VOLTAGE (V) 0 –2.5 INPUT VOLTAGE (mV) –1.5 –0.5 0.5 1 2 3 4 6200 G13 1.5 2.5 –2.0 –1.0 0 1.0 2.0 5 VS = 5V, 0V TA = 25°C RL = 1k RL = 100Ω OUTPUT VOLTAGE (V) –5 INPUT VOLTAGE (mV) 0.5 1.5 2.5 3 6200 G14 –0.5 –1.5 0 1.0 2.0 –1.0 –2.0 –2.5 –3 –4 –2 –1 0 1 2 4 5 VS = ±5V TA = 25°C RL = 1k RL = 100Ω
OUTPUT CURRENT (mA) –15 OFFSET VOLTAGE (mV) –5 5 15 –10 0 10 –60 –20 20 60 6200 G15 100 –100 VS = ±5V TA = 125°C TA = –55°C TA = 25°C
標準的性能特性
入力バイアス電流と温度 (出力は出力飽和電圧と負荷電流L) (出力は出力飽和電圧と負荷電流H) 最小電源電圧 出力短絡電流と電源電圧 開ループ利得 開ループ利得 開ループ利得 オフセット電圧と出力電流LT6200/LT6200-5
LT6200-10/LT6201
12
62001ff TIME AFTER POWER-UP (SEC)
0 0
CHANGE IN OFFSET VOLTAGE (µV) 50
100 150 200 40 80 120 160 6200 G16 250 300 20 60 100 140 TA = 25°C VS = ±5V VS = ±1.5V VS = ±2.5V SOURCE RESISTANCE (Ω) 1
TOTAL NOISE VOLTAGE (nV/√
Hz ) 10 10 1k 10k 100k 6200 G17 0.1 100 100 LT6200 TOTAL NOISE RESISTOR NOISE LT6200 AMPLIFIER NOISE VOLTAGE VS = ±5V VCM = 0V f = 100kHz UNBALANCED SOURCE RESISTORS FREQUENCY (Hz) 10 NOISE VOLTAGE (nV/√ Hz ) 25 30 35 100k 6200 G18 20 15 0 100 1k 10k 10 5 45 40 VS = 5V, 0V TA = 25°C PNP ACTIVE VCM = 0.5V NPN ACTIVE VCM = 4.5V BOTH ACTIVE VCM = 2.5V FREQUENCY (Hz) 5
BALANCED NOISE CURRENT (pA/√
Hz ) 10 15 20 25 10 1k 10k 100k 6200 G19 0 100 VS = 5V, 0V TA = 25°C BALANCED SOURCE RESISTANCE PNP ACTIVE VCM = 0.5V NPN ACTIVE VCM = 4.5V BOTH ACTIVE VCM = 2.5V FREQUENCY (Hz) 10
UNBALANCED NOISE CURRENT (pA/√
Hz ) 20 30 35 10 1k 10k 100k 6200 G20 0 100 25 15 5 VS = 5V, 0V TA = 25°C UNBALANCED SOURCE RESISTANCE PNP ACTIVE VCM = 0.5V BOTH ACTIVE VCM = 2.5V NPN ACTIVE VCM = 4.5V TIME (5SEC/DIV)
OUTPUT VOLTAGE NOISE (nV)
6200 G21 VS = 5V, 0V VCM = VS/2 800 600 400 200 0 –200 –400 –600 –800 SHDN PIN VOLTAGE (V) 0 0
SUPPLY CURRENT (mA)
4 8 12 16 1 2 3 4 6200 G21a 5 20 2 6 10 14 18 22 TA = –55°C TA = 25°C TA = 125°C VS = 5V, 0V SHDN PIN VOLTAGE (V) 0 –50 0 50 4 6200 G21b –100 –150 1 2 3 5 –200 –250 –300 SHDN
PIN CURRENT (µA)
TA = 25°C TA = 125°C VS = 5V, 0V TA = –55°C
標準的性能特性
ウォームアップ・ドリフトと時間 (LT6200S8) 総ノイズとソース抵抗 入力ノイズ電圧と周波数 平衡ノイズ電流と周波数 不平衡ノイズ電流と周波数 0.1Hz∼10Hz出力ノイズ電圧 電源電流とSHDNピン電圧 SHDNピン電流とSHDNピン電圧13
62001ffLT6200/LT6200-5
LT6200-10/LT6201
TEMPERATURE (°C) –50 100 GAIN BANDWIDTH (MHz) 120 160 180 50 6200 G22 140 40PHASE MARGIN (DEG)
50 70 60 0 –25 25 75 100 125 VS = ±5V VS = ±5V VS = 3V, 0V VS = 3V, 0V PHASE MARGIN GAIN BANDWIDTH FREQUENCY (Hz) 10 GAIN (dB) PHASE (DEG) 70 80 0 –10 60 30 50 40 20 100k 10M 100M 1G 6200 G23 –20 –20 100 120 –40 –60 80 20 60 40 0 –80 1M VCM = 0.5V VCM = 0.5V VCM = 4.5V VCM = 4.5V PHASE GAIN VS = 5V, 0V CL = 5pF RL = 1k FREQUENCY (Hz) 10 GAIN (dB) PHASE (DEG) 70 80 0 –10 60 30 50 40 20 100k 10M 100M 1G 6200 G24 –20 –20 100 120 –40 –60 80 20 60 40 0 –80 1M VS = ±5V VS = ±5V VS = ±1.5V VS = ±1.5V PHASE GAIN VCM = 0V CL = 5pF RL = 1k
TOTAL SUPPLY VOLTAGE (V) 0
GAIN BANDWIDTH (MHz)
PHASE MARGIN (DEG)
140 60 70 80 4 8 10 6200 G25 100 40 180 120 50 80 30 160 2 6 12 14 TA = 25°C RL = 1k CL = 5pF PHASE MARGIN GAIN BANDWIDTH TEMPERATURE (°C) –55 –35 –15 5 25 45 65 85 105 0 SLEW RATE (V/µs) 20 40 60 140 6200 G26 125 80 100 120 AV = –1 RF = RG = 1k RL = 1k VS = ±5V RISING VS = ±2.5V RISING VS = ±2.5V FALLING VS = ±5V FALLING FREQUENCY (MHz) 0.1 1 OUTPUT IMPEDANCE (Ω) 100 10 0.1 1 10 6200 G27 0.01 1000 100 VS = 5V, 0V AV = 10 AV = 2 AV = 1 FREQUENCY (Hz) 40
COMMON MODE REJECTION RATIO (dB)
80 120 20 60 100 10k 1M 10M 100M 1G 6200 G28 0 100k VS = 5V, 0V VCM = VS/2
標準的性能特性
LT6200、LT6201 利得帯域幅および位相マージンと 温度 開ループ利得と周波数 利得帯域幅および位相マージンと 電源電圧 開ループ利得と周波数 スルーレートと温度 出力インピーダンスと周波数 同相除去比と周波数LT6200/LT6200-5
LT6200-10/LT6201
14
62001ff FREQUENCY (Hz) 20POWER SUPPLY REJECTION RATIO (dB)
30 50 70 80 1k 100k 1M 100M 6200 G29 10 10k 10M 60 40 0 VS = 5V, 0V VCM = VS/2 TA = 25°C POSITIVE SUPPLY NEGATIVE SUPPLY CAPACITIVE LOAD (pF) 10 0 OVERSHOOT (%) 10 20 40 100 1000 6200 G30 30 5 15 35 25 VS = 5V, 0V AV = 1 RS = 10Ω RS = 20Ω RS = 50Ω RL = 50Ω CAPACITIVE LOAD (pF) 10 0 OVERSHOOT (%) 10 20 30 40 60 100 1000 6200 G31 50 VS = 5V, 0V AV = 2 RS = 10Ω RS = 20Ω RS = 50Ω RL = 50Ω OUTPUT STEP (V) –4 0 SETTLING TIME (ns) 50 100 150 200 –3 –2 –1 0 6200 G32 1 2 3 4 500Ω VOUT VIN – + VS = ±5V AV = 1 TA = 25°C 1mV 1mV 10mV 10mV OUTPUT STEP (V) –4 0 SETTLING TIME (ns) 50 100 150 200 –3 –2 –1 0 6200 G33 1 2 3 4 VS = ±5V AV = –1 TA = 25°C 1mV 10mV 10mV 500Ω 500Ω VOUT VIN – + 1mV FREQUENCY (Hz) 10k 6
OUTPUT VOLTAGE SWING (V
P-P ) 8 10 100k 1M 10M 6200 G34 4 5 7 9 3 2 AV = 2 VS = ±5V TA = 25°C HD2, HD3 < –40dBc AV = –1 FREQUENCY (Hz) 100k –110 DISTORTION (dBc) –100 –90 –80 –70 –50 1M 10M 6200 G36 –60 HD2, RL = 100Ω HD3, RL = 100Ω HD3, RL = 1k AV = 1 VO = 2VP-P VS = ±5V HD2, RL = 1k FREQUENCY (Hz) –110 –80 –90 –100 –40 –50 –60 –70 6200 G37 DISTORTION (dBc) 100k 1M 10M HD2, RL = 100Ω HD3, RL = 1k AV = 2 VO = 2VP-P VS = ±2.5V HD2, RL = 1k HD3, RL = 100Ω FREQUENCY (Hz) 100k –110 DISTORTION (dBc) –100 –90 –80 –70 –50 1M 10M 6200 G35 –60 HD2, RL = 100Ω HD3, RL = 100Ω HD3, RL = 1k AV = 1 VO = 2VP-P VS = ±2.5V HD2, RL = 1k
標準的性能特性
LT6200、LT6201 電源除去比と周波数 オーバーシュートと容量性負荷 セトリング時間と出力ステップ (非反転) (反転)セトリング時間と出力ステップ 最大歪みなし出力信号と周波数 オーバーシュートと容量性負荷 歪みと周波数、AV = 1 歪みと周波数、AV = 2 歪みと周波数、AV = 115
62001ffLT6200/LT6200-5
LT6200-10/LT6201
FREQUENCY (Hz) –110 –80 –90 –100 –40 –50 –60 –70 6200 G38 DISTORTION (dBc) 100k 1M 10M HD2, RL = 100Ω HD3, RL = 1k AV = 2 VO = 2VP-P VS = ±5V HD2, RL = 1k HD3, RL = 100Ω FREQUENCY (MHz) 0.1 –80 VOLTAGE GAIN (dB) –60 –40 1 10 100 6200 G38a –100 –120 0 –20 –90 –70 –50 –110 –10 –30 TA = 25°C AV = 1 VS = ±5V 200ns/DIV VS = 5V, 0V AV = 1 RL = 1k 5V 0V 1V/DIV 6200 G39 200ns/DIV VS = ±5V AV = 1 RL = 1k 0V 2V/DIV 6200 G40 200ns/DIV VS = 5V, 0V AV = 2 0V VIN 1V/DIV 0V Vout 2V/DIV 6200 G41 200ns/DIV VS = 5V, 0V AV = 1 RL = 1k 50mV/DIV 6200 G42標準的性能特性
LT6200、LT6201 5V大信号応答 5V小信号応答 5V大信号応答 出力オーバードライブ時の回復 チャネルセパレーションと周波数 歪みと周波数、AV = 2LT6200/LT6200-5
LT6200-10/LT6201
16
62001ff TEMPERATURE (°C) –50 500 GAIN BANDWIDTH (MHz)PHASE MARGIN (DEG)
600 800 900 1000 50 6200 G45 700 0 –25 25 75 100 125 50 90 60 70 80 VS = ±5V VS = ±5V PHASE MARGIN GAIN BANDWIDTH VS = 3V, 0V VS = 3V, 0V TEMPERATURE (°C) –55 –25 0 25 50 75 100 0 SLEW RATE (V/µs) 100 150 200 250 450 6200 G46 125 300 350 400 AV = –5 RF = RL = 1k RG = 200Ω VS = ±5V RISING VS = ±2.5V RISING VS = ±2.5V FALLING VS = ±5V FALLING CAPACITIVE LOAD (pF) 10 0 OVERSHOOT (%) 10 20 30 40 60 100 1000 6200 G47 50 VS = 5V, 0V AV = 5 RS = 0Ω RS = 10Ω RS = 20Ω RS = 50Ω FREQUENCY (Hz) 20
POWER SUPPLY REJECTION RATIO (dB)
30 50 70 80 1k 100k 1M 100M 6200 G48 10 10k 10M 60 40 0 POSITIVE SUPPLY NEGATIVE SUPPLY VS = 5V, 0V TA = 25°C VCM = VS/2 FREQUENCY (Hz) 0.01 0.1 OUTPUT IMPEDANCE (Ω) 10 1 100k 1M 10M 6200 G49 100 1000 100M VS = 5V, 0V AV = 50 AV = 5 FREQUENCY (Hz) 30 GAIN (dB) PHASE (DEG) 90 100 20 10 80 50 70 60 40 100k 10M 100M 1G 6200 G50 –10 0 100 120 80 20 60 40 0 1M VS = ±5V GAIN PHASE VS = ±5V VS = ±1.5V VS = ±1.5V VCM = 0V CL = 5pF RL = 1k FREQUENCY (Hz) 30 GAIN (dB) PHASE (DEG) 90 100 20 10 80 50 70 60 40 100k 10M 100M 1G 6200 G51 –10 0 –20 100 120 –40 –60 80 20 60 40 0 –100 –80 1M VCM = 0.5V VCM = 0.5V GAIN PHASE VCM = 4.5V VCM = 4.5V VS = 5V, 0V CL = 5pF RL = 1k
TOTAL SUPPLY VOLTAGE (V) 0
GAIN BANDWIDTH (MHz)
PHASE MARGIN (DEG)
1000 6 10 6200 G52 800 600 400 2 4 8 50 60 70 80 90 12 TA = 25°C RL = 1k CL = 5pF PHASE MARGIN GAIN BANDWIDTH RESISTOR LOAD (Ω) 0 0 GAIN BANDWIDTH (MHz) 100 300 400 500 600 700 800 900 900 G200 G53 200 100 200 300 400 500 1000 600 700 800 VS = ±5V RF = 10k RG = 1k TA = 25°C
標準的性能特性
LT6200-5 利得帯域幅および位相マージンと 温度 スルーレートと温度 オーバーシュートと容量性負荷 電源除去比と周波数 出力インピーダンスと周波数 開ループ利得と周波数 開ループ利得と周波数 利得帯域幅および位相マージンと電源電圧 利得帯域幅と抵抗負荷17
62001ffLT6200/LT6200-5
LT6200-10/LT6201
FREQUENCY (Hz) 40COMMON MODE REJECTION RATIO (dB)
80 120 20 60 100 10k 1M 10M 100M 1G 6200 G54 0 100k VS = 5V, 0V VCM = VS/2 FREQUENCY (Hz) 3
OUTPUT VOLTAGE SWING (V
P-P ) 9 10 2 1 8 5 7 6 4 10k 1M 10M 100M 6200 G55 0 100k VS = ±5V AV = 5 TA = 25°C FREQUENCY (Hz) 10k –100 DISTORTION (dB) –60 –50 –40 100k 1M 10M 6200 G56 –70 –80 –90 AV = 5 VO = 2VP-P VS = ±2.5V RL = 100Ω, 3RD RL = 100Ω, 2ND RL = 1k, 2ND RL = 1k, 3RD FREQUENCY (Hz) 10k –110 –100 DISTORTION (dB) –60 –50 –40 100k 1M 10M 6200 G57 –70 –80 –90 AV = 5 VO = 2VP-P VS = ±5V RL = 100Ω, 3RD RL = 100Ω, 2ND RL = 1k, 3RD RL = 1k, 2ND 50ns/DIV VS = ±5V AV = 5 RL = 1k CL = 10.8pF SCOPE PROBE 5V –5V 0V 2V/DIV 6200 G58 50ns/DIV VS = 5V, 0V AV = 5 CL = 10.8pF SCOPE PROBE 0V VIN 1V/DIV 0V VOUT 2V/DIV 6200 G59 50ns/DIV VS = 5V, 0V AV = 5 RL = 1k CL = 10.8pF SCOPE PROBE 0V 50mV/DIV 6200 G60
標準的性能特性
LT6200-5 同相除去比と周波数 最大歪みなし出力信号と周波数 周波数2次および3次の高調波歪みと 2次および3次の高調波歪みと 周波数 5V大信号応答 出力オーバードライブ時の回復 入力換算の高周波ノイズの スペクトル 5V小信号応答 FREQUENCY (15MHz/DIV) 0 0INPUT NOISE DENSITY (nV/√
Hz ) 1 3 4 10 60 6200 G61 2 6 5 8 9 7 30 15 45 75 90 105120135150
LT6200/LT6200-5
LT6200-10/LT6201
18
62001ff TEMPERATURE (°C) –50 1000 GAIN BANDWIDTH (MHz)PHASE MARGIN (DEG)
1200 1600 1800 2000 50 6200 G62 1400 0 –25 25 75 100 125 50 60 70 80 VS = ±5V VS = ±5V PHASE MARGIN GAIN BANDWIDTH VS = 3V, 0V VS = 3V, 0V TEMPERATURE (°C) –50 SLEW RATE (V/µs) 350 650 700 750 0 50 75 6200 G63 250 550 450 300 600 150 200 500 400 –25 25 100 125 AV = –10 RF = RL = 1k RG = 100Ω VS = ±5V RISING VS = ±2.5V RISING VS = ±2.5V FALLING VS = ±5V FALLING CAPACITIVE LOAD (pF) 10 0 OVERSHOOT (%) 10 20 30 40 60 100 1000 6200 G64 50 VS = 5V, 0V AV = 10 RS = 0Ω RS = 10Ω RS = 20Ω RS = 50Ω FREQUENCY (Hz) 20
POWER SUPPLY REJECTION RATIO (dB)
30 50 70 80 1k 100k 1M 100M 6200 G65 10 10k 10M 60 40 0 POSITIVE SUPPLY NEGATIVE SUPPLY VS = 5V, 0V TA = 25°C VCM = VS/2 FREQUENCY (Hz) 0.01 0.1 OUTPUT IMPEDANCE (Ω) 10 1 100k 1M 10M 6200 G66 100 1000 100M VS = 5V, 0V AV = 100 AV = 10 FREQUENCY (Hz) 30 GAIN (dB) PHASE (DEG) 90 100 20 10 80 50 70 60 40 100k 10M 100M 1G 6200 G67 –10 0 100 120 80 20 60 40 0 1M VS = ±5V VS = ±5V GAIN PHASE VCM = 0V CL = 5pF RL = 1k VS = ±1.5V VS = ±1.5V FREQUENCY (Hz) 30 GAIN (dB) PHASE (DEG) 90 100 20 10 80 50 70 60 40 100k 10M 100M 1G 6200 G68 –10 0 –20 100 120 –40 –60 80 20 60 40 0 –100 –80 1M VCM = 0.5V VCM = 0.5V GAIN PHASE VS = 5V, 0V CL = 5pF RL = 1k VCM = 4.5V VCM = 4.5V
TOTAL SUPPLY VOLTAGE (V) 0
GAIN BANDWIDTH (MHz)
PHASE MARGIN (DEG)
1600 1800 6 10 6200 G69 1400 1200 1000 2 4 8 50 60 70 80 90 12 TA = 25°C RL = 1k CL = 5pF PHASE MARGIN GAIN BANDWIDTH RESISTOR LOAD (Ω) 0 0 GAIN BANDWIDTH (MHz) 200 600 800 1000 600 700 800 900 1800 G200 G70 400 100 200 300 400 500 1000 1200 1400 1600 VS = ±5V RF = 10k RG = 1k TA = 25°C
標準的性能特性
LT6200-10 利得帯域幅および位相マージンと 温度 スルーレートと温度 オーバーシュートと容量性負荷 電源除去比と周波数 出力インピーダンスと周波数 開ループ利得と周波数 利得帯域幅と抵抗負荷 開ループ利得と周波数 利得帯域幅および位相マージンと電源電圧19
62001ffLT6200/LT6200-5
LT6200-10/LT6201
FREQUENCY (Hz) 40COMMON MODE REJECTION RATIO (dB)
80 120 20 60 100 10k 1M 10M 100M 1G 6200 G71 0 100k VS = 5V, 0V VCM = VS/2 FREQUENCY (Hz) 3
OUTPUT VOLTAGE SWING (V
P-P ) 9 10 2 1 8 5 7 6 4 10k 1M 10M 100M 6200 G72 0 100k VS = ±5V AV = 10 TA = 25°C FREQUENCY (Hz) 10k –100 DISTORTION (dB) –60 –50 –40 100k 1M 10M 6200 G73 –70 –80 –90 AV = 10 VO = 2VP-P VS = ±2.5V RL = 100Ω, 3RD RL = 100Ω, 2ND RL = 1k, 2ND RL = 1k, 3RD FREQUENCY (Hz) 10k –110 –100 DISTORTION (dB) –60 –50 –40 100k 1M 10M 6200 G74 –70 –80 –90 AV = 10 VO = 2VP-P VS = ±5V RL = 100Ω, 3RD RL = 100Ω, 2ND RL = 1k, 2ND RL = 1k, 3RD 50ns/DIV VS = ±5V AV = 10 RL = 1k CL = 10.8pF SCOPE PROBE 2V/DIV 0V –5V 5V 6200 G75 VS = 5V, 0V 50ns/DIV AV = 10 CL = 10.8pF SCOPE PROBE 0V VIN 1V/DIV 0V VOUT 2V/DIV 6200 G76 50ns/DIV VS = 5V, 0V AV = 10 RL = 1k CL = 10.8pF SCOPE PROBE 50mV/DIV 0V 6200 G77
標準的性能特性
LT6200-10 同相除去比と周波数 最大歪みなし出力信号と周波数 2周波数次および3次の高調波歪みと 2次および3次の高調波歪みと 周波数 5V大信号応答 出力オーバードライブ時の回復 5V小信号応答 入力基準の高周波ノイズのスペクトル FREQUENCY (15MHz/DIV) 0 0INPUT NOISE DENSITY (nV/√
Hz ) 1 3 4 10 60 6200 G78 2 6 5 8 9 7 30 15 45 75 90 105120135150
LT6200/LT6200-5
LT6200-10/LT6201
20
62001ffアプリケーション情報
アンプ特性
LT6200ファミリーの簡略回路図を図1に示します。これらの製
品は並列に接続された2つの入力差動アンプを備えており、こ
れらはどちらかの電源からの同相電圧が少なくとも1.5Vある
とき、同時にバイアスされます。このトポロジーにより、入力段
は正電源電圧から負電源電圧までスイングすることができま
す。同相電圧がV
CC1.5Vを超えてスイングすると、電流源I
1が飽和して、Q1/Q4の電流はゼロになります。Q2/Q3差動アン
プによってフィードバックは維持されますが、入力のg
mは1/2に
減少します。同相電圧が負電源の1.5V以内にスイングすると、
I
2に同様の影響が生じます。I
1またはI
2が飽和すると、g
mの減
少の影響によりV
OSがシフトします。
入力バイアス電流は通常 、+入力と入力から流れ出します。
この電流の大きさは、入力同相電圧が負電源の1.5V以内に
入り、Q1/Q4だけがアクティブになると増加します。この電流の
極性は、入力同相電圧が正電源の1.5V以内に入り、Q2/Q3だ
けがアクティブになると反転します。
第2段は折り返しカスコードと電流ミラーで、入力段の差動信
号をシングルエンド出力に変換します。コンデンサC1は、ユニ
ティ・クロス周波数を下げ、アンプの利得帯域幅を損なうこと
なく周波数安定性を向上させます。差動ドライブ・ジェネレー
タは、レール・トゥ・レールでスイングする出力トランジスタに電
流を供給します。
LT6200-5/LT6200-10は補償機能を抑えたオペアンプで、高
利得アプリケーション向けです。これらのアンプのDC仕様は
LT6200と全く同じですが、ミラー補償コンデンサC
Mを小さくし
てあります。このため、スルーレートと利得帯域幅積が大幅に
大きくなっています。
入力保護
これらのアンプの+入力と入力の間にはバック・トゥ・バッ
クのダイオードD1とD2が接続されており、差動入力電圧を
0.7Vに制限します。LT6200ファミリーの入力には、入力トラ
ンジスタと直列に接続された内部抵抗はありません。この手
法は、過大な電流を生じる過電圧から入力デバイスを保護す
るのによく使われます。これらの抵抗を追加すると、これらのア
ンプの低ノイズ電圧を大幅に悪化させます。たとえば、100Ωの
抵抗を各入力に直列に接続すると、1.8nV/√Hzのノイズが発
生し、アンプの総ノイズ電圧は0.95nV/√Hzから2.03nV/√Hzに
上昇するでしょう。入力の差動電圧が 0.7Vを超えると、保護
ダイオードを流れる定常電流は 40mAに制限されます。これ
は、 0.7Vを超す連続オーバードライブの1ボルト当たり25Ω
の保護抵抗を意味します。入力ダイオードは、これらの抵抗が
無くても、アンプのスルーレートのオーバードライブによる過
渡電流や、一時的なクリッピングを処理できるだけの堅牢さを
備えています。
DIFFERENTIAL DRIVE GENERATOR R1 R2 R3 R4 R5 Q2 Q3 Q5 Q6 Q9 Q8 Q7 Q10 Q11 Q1 Q4 I1 I2 D3 D2 D1 DESD2 DESD4 DESD3 DESD1 DESD5 DESD8 DESD7 DESD6+
–
CM C1 +V –V +V +V +V –V –V –V V+ V– 6203/04 F01 BIAS VSHDN 図1.簡略回路図21
62001ffLT6200/LT6200-5
LT6200-10/LT6201
利得をA
V= 1に設定した状態でクリッピングが生じるまでドラ
イブされたLT6200の入力波形と出力波形を図2に示します。こ
の写真では、入力信号発生器は 35mAでクリッピングされ、
出力トランジスタはこの信号発生器の電流を保護ダイオード
を通して供給します。
アプリケーション情報
15MHz/DIV 100kHz 150kHz 0V VCC 2.5V VEE –2.5V 6200 F02 図2.VS = 2.5V、AV = 1で、大きくオーバードライブ ESDLT6200の全ての入力と出力には、図1に示されているように、
逆バイアスされたESD保護ダイオードが備わっています。これ
らのピンがどちらかの電源を超えた電圧に強制されると、無
制限の電流がこれらのダイオードを流れます。この電流が過
渡的なもので、30mA以下に制限されていればデバイスは損
傷を受けません。
ノイズ
LT6200のノイズ電圧は56Ωの抵抗のノイズ電圧に相当し、ノ
イズをできるだけ下げるには、ソースとフィードバックの抵抗
値をこの値以下に抑える(つまりR
S+R
G//R
FB≤ 56Ω)のが理
想的です。R
S+R
G//R
FB= 56Ωの場合、アンプの総ノイズは、
e
n= √(0.95nV)
2+(0.95nV)
2= 1.35nVとなります。この抵抗
値より下では、アンプがノイズを支配しますが、56Ω∼約6kΩ
の抵抗領域では、ノイズは抵抗の熱雑音によって支配されま
す。全抵抗値が6kを超えてさらに増加すると、最終的にはノイ
ズ電流に全抵抗値を掛けたものがノイズを支配します。
アンプのノイズの詳細な説明については、LT1028のデータ
シートを参照してください。
電力損失
LT6200は小型パッケージでありながら高速で出力電流が大
きいので、チップの接合部温度が150 Cを超えないようにする
必要があります。LT6200は6ピンのTSOT-23パッケージに収め
られています。パッケージのV
電源ピンはリードフレームに溶
接されているので、グランド・プレーンや大きなメタル・トレー
スに接続されると熱伝導が向上します。メタル・トレースとメッ
キ・スルーホールを使って、デバイスが発生する熱をPCボード
の裏面に分散することができます。たとえば、2オンス銅の3/32
インチFR-4ボードでは、TSOT-23パッケージのLT6200のピン
2に合計270平方ミリメートルのトレースを接続すると、熱抵抗
θ
JAが約135 C/Wになります。V
ピンに接続している電源ライ
ン以外にヒートシンクとして機能する追加のメタル・トレース
が無いと、熱抵抗は約200 C/Wになるでしょう。V
ピンに接続
するメタルの異なる面積に対する熱抵抗の詳細を表1に示し
ます。
表1.LT6200(6ピンTSOT-23パッケージ) 銅面積 トップサイド(mm2) ボード面積(mm2) (接合部から周囲)熱抵抗 270 2500 135ºC/W 100 2500 145ºC/W 20 2500 160ºC/W 0 2500 200ºC/W デバイスはトップサイドに実装。接合部温度T
Jは周囲温度T
Aおよび電力損失P
Dから次式にし
たがって計算されます。
T
J= T
A+(P
D• θ
JA)
デバイス内の電力損失は電源電圧、出力電圧、および負荷
抵抗に応じて変化します。与えられた電源電圧に対して、ワー
ストケースの電力消費P
D(MAX)は最大静止電源電流および
どちらかの電源電圧の半分の出力電圧(または最大振幅が
電源電圧の1/2より小さい場合は最大振幅)で生じます。P
D (MAX)は次式で与えられます。
P
D(MAX)=
(V
S• I
S(MAX))+(V
S/2)
2/R
LLT6200/LT6200-5
LT6200-10/LT6201
22
62001ffアプリケーション情報
例:V
ピンに追加の熱分散プレーンを接続せずに、面積が
2500平方ミリメートルのPCボードに実装されたTSOT-23パッ
ケージのLT6200の熱抵抗θ
JAは200 C/Wになります。 5V電
源で動作し、50Ωの負荷をドライブしているとき、ワーストケー
スの電力損失は次式で与えられます。
P
D(MAX)=
(10 • 23mA)+(2.5)
2/50
= 0.23
+0.125 = 0.355W
デバイスを動作させることができる最大周囲温度は次式のと
おりです。
T
A= T
J−(P
D(MAX)• 200°C/W)
= 150°C−(0.355W • 200°C/W) = 79°C
さらに高い周囲温度で動作させるには、V
ピンに接続するメ
タルの面積を増やして、表1に示されているようにパッケージ
の熱抵抗を下げます。
DDパッケージのヒートシンク
DDパッケージの下側は、ダイが接着されているリードフレー
ムから出ているメタル(4mm
2)が露出しています。これにより、
ダイの接合部からプリント回路基板のメタルに熱が直接伝導
するので、最大動作接合部温度を制御するのに役立ちます。
デュアルインラインのピン配置により、PCBの上側(部品側)の
パッケージの端を超えてメタルを伸ばすことができます。上側
のメタル(2オンス銅)領域の異なった面積を使って得ることが
できる、ダイの接合部から周囲への熱抵抗を表2にまとめてあ
ります。多層基板では、パッケージの下でビア孔によって接続
された内層PCBレイヤの追加メタルを使って、さらに熱抵抗を
減らすことができます。
表2.LT6200(8ピンDDパッケージ) 銅面積 トップサイド(mm2) (接合部から周囲)熱抵抗 4 160ºC/W 16 135ºC/W 32 110ºC/W 64 95ºC/W 130 70ºC/WLT6200アンプ・ファミリーにはサーマル・シャットダウン機能
が備わっており、過度の接合部温度の上昇からデバイスを保
護します。160 Cを超すとアンプがシャットダウンして、アンプ当
たり約1.2mAの電源電流になります。LT6200は接合部温度が
約150 Cに低下するまでオフ状態を保ち、ここまで低下すると
通常動作に戻ります。
23
62001ffLT6200/LT6200-5
LT6200-10/LT6201
パッケージ
S6パッケージ 6ピン・プラスチックTSOT-23 (Reference LTC DWG # 05-08-1636) DDパッケージ 8ピン・プラスチックDFN (3mm 3mm) (Reference LTC DWG # 05-08-1698 Rev C) 3.00 ±0.10 (4 SIDES) NOTE: 1. 図はJEDECパッケージ・アウトラインM0-229のバリエーション(WEED-1)になる予定 2. 図は実寸とは異なる 3. すべての寸法はミリメートル 4. パッケージ底面の露出パッドの寸法にはモールドのバリを含まない モールドのバリは(もしあれば)各サイドで0.15mmを超えないこと 5. 露出パッドは半田メッキとする 6. 網掛けの部分はパッケージの上面と底面のピン1の位置の参考に過ぎない 0.40 ± 0.10 底面図―露出パッド 1.65 ± 0.10 (2 SIDES) 0.75 ±0.05 R = 0.125 TYP 2.38 ±0.10 1 4 8 5 ピン1の トップ・マーキング (NOTE 6) 0.200 REF 0.00 – 0.05 (DD8) DFN 0509 REV C 0.25 ± 0.05 2.38 ±0.05 推奨する半田パッドのピッチと寸法 半田付けされない領域には半田マスクを使用する 1.65 ±0.05 (2 SIDES) 2.10 ±0.05 0.50 BSC 0.70 ±0.05 3.5 ±0.05 パッケージ の外形 0.25 ± 0.05 0.50 BSC 1.50 – 1.75 (NOTE 4) 2.80 BSC 0.30 – 0.45 6 PLCS (NOTE 3) DATUM ‘A’ 0.09 – 0.20(NOTE 3) S6 TSOT-23 0302 REV B
2.90 BSC (NOTE 4) 0.95 BSC 1.90 BSC 0.80 – 0.90 1.00 MAX 0.01 – 0.10 0.20 BSC 0.30 – 0.50 REF 3.85 MAX 0.62 MAX 0.95REF 1.4 MIN 2.62 REF 1.22 REF ピン1のID NOTE: 1. 寸法はミリメートル 2. 図は実寸とは異なる 3. 寸法には半田を含む IPC CALCULATORを使った推奨半田パッド・レイアウト 4. 寸法にはモールドのバリやメタルのバリを含まない 5. モールドのバリは0.254mmを超えてはならない 6. JEDEC パッケージ参照番号はMO-193 最新のパッケージ図面については、http://www.linear-tech.co.jp/designtools/packaging/をご覧ください。
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62001ff S8パッケージ 8ピン・プラスチック・スモール・アウトライン(細型0.150インチ) (Reference LTC DWG # 05-08-1610)パッケージ
.016 – .050 (0.406 – 1.270) .010 – .020 (0.254 – 0.508)× 45° 0°– 8° TYP .008 – .010 (0.203 – 0.254) SO8 0303 .053 – .069 (1.346 – 1.752) .014 – .019 (0.355 – 0.483) TYP .004 – .010 (0.101 – 0.254) .050 (1.270) BSC 1 2 3 4 .150 – .157 (3.810 – 3.988) NOTE 3 8 7 6 5 .189 – .197 (4.801 – 5.004) NOTE 3 .228 – .244 (5.791 – 6.197) .245 MIN .160 ±.005 .045 ±.005 .050 BSC .030 ±.005 TYP 推奨半田パッド・レイアウト インチ (ミリメートル) NOTE: 1. 寸法は 2. 図は実寸とは異なる 3. これらの寸法にはモールドのバリまたは突出部を含まない モールドのバリまたは突出部は0.006"(0.15mm)を超えないこと 最新のパッケージ図面については、http://www.linear-tech.co.jp/designtools/packaging/をご覧ください。25
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(Rev Dよりスタート) REV 日付 概要 ページ番号D 3/10 「電気的特性」の Input Noise Voltage Densityの値を変更
グラフG61のX軸の範囲を変更 7 17 E 9/11 「電気的特性」セクションの tON の標準値の更新 「標準的性能特性」セクションのグラフ G61 および G78 を差し替え 17、194~9 F 12/11 「電気的特性」表のスルーレートと利得帯域幅のフォーマットを改訂 4~10
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