LC717A10AJ 静電容量タッチセンサ用 容量デジタルコンバータLSI

静電量タッチセンサ用 量デジタルコンバータLSI

概要

LC717A10AJはいさをしたローコスト、ハイパフォ

ーマンスなタッチセンサデジタルコンバータ

LSI

である。

16

チャネルのセンサをしており、くのスイッ チをとする !に"#である。キャリブレーションや

ON/OFF

()の*+は

LSI

,-で./0に1なうため、234

5の67を8ることができる。9に:する

ON/OFF

();

<=>はシリアルインタフェース

(I

²

C

?@バス

/SPI)

にてAみ

<せる。

また、

1

BのCDEを

8bit

のデジタルデータとしてFり

<せる。ゲインG)HのIJ・LMもシリアルインタフェー スにより1うことができる。

特長

•

.;<NO：Q/;<NO(R?;<タイプ)

•

.TUV：fFオーダのLXを;<YV

•

.CD5Z

(16

Q/

)

：

♦.

30 ms (Typ) (

[\G)4

)

♦.

6 ms (Typ) (

"]G)4

)

•

.CD^_け-!：`

•

.abc：

♦.

570 m A (Typ) (V

DD

= 2.8 V)

♦.

1.3 mA (Typ) (V

_DD

= 5.5 V)

•

.de：2.6 ~ 5.5 V

•

.;</f：スイッチ

•

.インタフェース：

I

²

C

?@バスまたは

SPI

ghYV

www.onsemi.jp

MARKING DIAGRAM

See detailed ordering and shipping information on page 11 of this data sheet.

ORDERING INFORMATION SSOP30 (225 mil)

CASE 565AZ

XXXXX = Specific Device Code Y = Year

M = Month

DDD = Additional Traceability Data XXXXXXXXXX

YMDDD

様

Table 1. 絶格 (TA = 25°C, VSS = 0 V)

項目 記 格 Unit 考

V_DD −0.3～+6.5 V

V_IN −0.3～VDD + 0.3 V (Note 1)

V_OUT −0.3～VDD + 0.3 V (Note 2)

P_{d max} 160 mW T_A = +105_C, (Note 3)

T_stg −55～+125 _C

Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be assumed, damage may occur and reliability may be affected.

() をえるストレスは、デバイスにダメージを"える#$%があります。これらの&をえた'(は、デバイスの)*%を+

ない、ダメージが,じ、-.%に/0を1ぼす#$%があります。

1. Cin0～15, Cref, CrefAdd, nRST, SCL, SDA, SA0, SA1, SCK, SI, nCSに23 2. Cdrv, SDA, SO, INTOUTに23

3. 45ガラスエポキシ(76.1×114.3×1.6t mm) Table 2. 範

項目 記 Min Typ Max Unit 考

89 V_DD 2.6 − 5.5 V

リップル+ノイズ V_PP − − ±20 mV (Note 4)

89 T_opr −40 25 105 _C

Functional operation above the stresses listed in the Recommended Operating Ranges is not implied. Extended exposure to stresses beyond the Recommended Operating Ranges limits may affect device reliability.

()=>89?@をえるストレスでは=>89)*をAられません。=>89?@をえるストレスのBCは、デバイスの-.%に/0を

"える#$%があります。

4. VDD−VSSDには、EのコンデンサとGEのコンデンサをHIにJすることを=>する。その'(、GEのコンデンサは 0.1mFKLとし、LSIのMくにNOすること。

Table 3. 電気的特

(V_SS= 0 V,V_DD= 2.6～5.5 V,T_A=−40～+105°C,PにQRのないSりCdrvT8UVWはf_CDRV= 143 kHzとする。

XYZ[\。)

項目 記 Min Typ Max Unit 考

E]^_* N − − 8 bit

ノイズRMS N_RMS ゲイン`G − − ±1.0 LSB (Notes 5, 7) オフセットEbc?@ Coff_RANGE − ±8.0 − pF (Notes 5, 7) オフセットEbc^_* Coff_RESO − 8 − bit

Cinオフセットドリフト Cin_DRIFT ゲイン`G − − ±8 LSB (Note 5)

Cin]d Cin_SENSE ゲイン`G 0.04 − 0.12 LSB/fF (Note 6)

Cinefリークg I_Cin Cin = Hi−Z − ±25 ±500 nA

Cin h,E Cin_SUB CiniVSS − − 30 pF (Notes 5, 7)

CdrvT8UVW f_CDRV 100 143 186 kHz

Cdrvefリークg I_CDRV Cdrv = Hi−Z − ±25 ±500 nA

nRSTGパルスk tNRST 1 − − ms

パワーオンリセットD t_POR − − 20 ms パワーオンリセット98mn_ホ

ールドD tPOROP 10 − − ms (Note 5)

パワーオンリセット98mn_

V_POROP − − 0.1 V (Note 5)

Table 3. 電気的特 (continued)

(VSS= 0 V,VDD= 2.6～5.5 V,TA=−40～+105°C,PにQRのないSりCdrvT8UVWはfCDRV= 143 kHzとする。

XYZ[\。)

項目 記 Min Typ Max Unit 考

パワーオンリセット98mn_

pLりレート tVDD 0 V→VDD 1 − − V/ms (Note 5)

ef V_IH High 0.8 V_DD − − V (Notes 5, 8)

V_IL Low − − 0.2 V_DD

ef V_OH High

(IOH = +3 mA) 0.8 V_DD − − V (Note 9)

VOL Low

(I_OL = −3 mA) − − 0.2 VDD

SDAef V_{OL I}²_C SDA Low

(IOL = −3 mA) − − 0.4 V

efリークg I_LEAK − − ±1 mA (Note 10)

g I_DD qr`・

Vtタッチ_DD = 2.8 V

− 570 700 mA (Notes 5, 7)

qr`・tタッチ VDD = 5.5 V

− 1.3 1.6 mA

I_STBY スリープuvw − − 1 mA (Note 7) Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.

() xyパラメータは、PzなQ{が|いSり、QRされたテストmnにiする}~P%でしています。€なるmnでxy89を‚っ たには、}~P%でしているP%をAられない'(があります。

5. `ƒ„&(XZ[\) 6. LSI…テストモードによるZ 7. T_A = +25_C

8. nRST, SCL, SDA, SA0, SA1, SCK, SI, nCSに23 9. Cdrv, SO, INTOUTに23

10.nRST, SCL, SDA, SA0, SA1, SCK, SI, nCSに23

Table 4. I²C!バスタイミング特

(V_SS= 0 V,VDD= 2.6～5.5 V,TA=−40～+105°C,<j4klD)mno)

項目 記 端&' Min Typ Max Unit 考

SCLクロックUVW f_SCL SCL − − 400 kHz

STARTmnホールドD t_HD;STA SCL, SDA 0.6 − − ms

SCLクロックLowrD t_LOW SCL 1.3 − − ms

SCLクロックHighrD t_HIGH SCL 0.6 − − ms

リピートSTARTmn

セットアップD t_SU;STA SCL, SDA 0.6 − − ms (Note 11) データホールドD t_HD;DAT SCL, SDA 0 − 0.9 ms

データセットアップD t_SU;DAT SCL, SDA 100 − − ns (Note 11)

SDA,=SCLpLり/pりD tr / tf SCL, SDA − − 300 ns (Note 11)

STOPmnセットアップD tSU;STO SCL, SDA 0.6 − − ms

STOP,=STARTDバス‰ŠD t_BUF SCL, SDA 1.3 − − ms (Note 11)

Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.

() xyパラメータは、PzなQ{が|いSり、QRされたテストmnにiする}~P%でしています。€なるmnでxy89を‚っ たには、}~P%でしているP%をAられない'(があります。

11.`ƒ„&(XZ[\) Table 5. SPIバスタイミング特

(VSS= 0 V,VDD= 2.6～5.5 V,TA=−40～+105°C,<j4klD)mno)

項目 記 端&' Min Typ Max Unit 考

SCKクロックUVW fSCK SCK − − 5 MHz

SCKクロックLowD tLOW SCK 90 − − ns (Note 12)

SCKクロックHighD tHIGH SCK 90 − − ns (Note 12)

-‹pLり/pりD tr / tf nCS, SCK, SI − − 300 ns (Note 12)

nCSセットアップD tSU;NCS nCS, SCK 90 − − ns (Note 12)

SCKクロックセットアップD t_SU;SCK nCS, SCK 90 − − ns (Note 12) データセットアップD tSU;SI SCK, SI 20 − − ns (Note 12) データホールドD t_HD;SI SCK, SI 30 − − ns (Note 12)

nCSホールドD tHD;NCS nCS, SCK 90 − − ns (Note 12)

SCKクロックホールドD t_HD;SCK nCS, SCK 90 − − ns (Note 12)

nCSŒ)パルスk t_CPH nCS 90 − − ns (Note 12)

nCSからのインピーダンス

D t_CHZ nCS, SO − − 80 ns (Note 12)

データŽD t_v SCK, SO − − 80 ns (Note 12) データホールドD t_HD;SO SCK, SO 0 − − ns (Note 12) SCKクロックからのYインピー

ダンスD t_CLZ SCK, SO 0 − − ns (Note 12)

Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.

()

xyパラメータは、PzなQ{が|いSり、QRされたテストmnにiする}~P%でしています。€なるmnでxy89を‚っ たには、}~P%でしているP%をAられない'(があります。

12.`ƒ„&(XZ[\)

パワーオンリセット(POR)

dpqはLSI,-でパワーオンリセットがs となり、パワーオンリセット45

t

PORtuqにパワ ーオンリセットvwがUxされる。このyのパワー オンリセットf/z{_de|}りレート

t

VDD

は

1 V/ms

~}とすること。

パワーオンリセットのUxと4に

INTOUT

€

が

“High” → “Low”

となるため、^-からパワーオン リセットがUxされたタイミングのƒ„がYVであ る。な お 、パ ワ ーオン リセッ ト …の

Cin

、

Cref

と

CrefAdd

€は`)である。

-/1.

tPOR

tVDD VPOROP

UNKNOWN

VALID

tPOROP

UNKNOWN

UNKNOWN

UNKNOWN RESET RELEASE

tPOR

VALID RELEASE

RESET V_DD

POR (LSI Internal Signal)

INTOUT

Cin, Cref, CrefAdd

I²C!バスデータタイミング

-/2.

SDA

SCL

tHD;STA tLOW

tHIGH tr

condition 10%

tf 90%

10% 10%

90% 90%

tHD;DAT tSU;DAT

10% 10%

10%

90%

tSU;STA

90% 90%

tHD;STA 90%

10%

90%

10%

90%

10%

tSU;STO tBUF

90%

Repeated START conditionSTART

conditionSTOP

conditionSTART

I²C!バス通0フォーマット

• ^Write

フォーマット

(

シーケンシャルにインクリメントしたアドレスへライトYV

)

-/3.

START Slave Address Write=L ACK Register Address (N) ACK Data written to Register Address (N) ACK Data written to Register Address (N+1) ACK STOP

Slave Slave Slave Slave

• ^Read

フォーマット

(

シーケンシャルにインクリメントしたアドレスのリードYV

)

-/4.

START Slave Address Write=L ACK Register Address (N) ACK

Data read from Register Address (N) ACK

RESTART Slave Address Read=H ACK Data read from Register Address (N+1) ACK Data read from Register Address (N+2) NACK STOP Slave

Slave

Slave

Master Master Master

I²C!バススレーブアドレス

SA0,9SA1€により4‰ŠのアドレスをghYV

Table 6.

SA1端&=> SA0端&=> 7 bitスレーブアドレス バイナリ表記 8 bitスレーブアドレス

Low Low 0x16 00101100b (Write) 0x2C

00101101b (Read) 0x2D

Low High 0x17 00101110b (Write) 0x2E

00101111b (Read) 0x2F

High Low 0x18 00110000b (Write) 0x30

00110001b (Read) 0x31

High High 0x19 00110010b (Write) 0x32

00110011b (Read) 0x33

SPIデータタイミング(SPI Mode 0 / Mode 3)

-/5.

nCS

SCK

SI

SO

tSU;SI VALID

Hi−Z

tr

tHD;SI

tSU;SCK ^tSU;NCS tHIGH tLOW tf

tCPH

tHD;NCS tHD;SCK

tCLZ tHD;SO tCHZ

VALID tV

SPI通0フォーマット(Mode 0のA)

• ^Write

フォーマット

(nCS = L

を‹ŒしたままシーケンシャルにインクリメントしたアドレスへライトYV

)

-/6.

nCS SCK SI SO

7 6 5 4 3 2 1 0

Hi−Z

Register Address(N) Data written to Register Address(N) Data written to Register Address(N+1) Write=L

7 6 5 4 3 2 1 0 7 6 5 4 3 2 1 0

• ^Read

フォーマット

(nCS = L

を‹ŒしたままシーケンシャルにインクリメントしたアドレスのデータリードYV

)

-/7.

7 Read=H

7 6 5 4 3 2 1 0

Hi−Z nCS

SCK SI

SO Register Address(N) 7 6 5 4 3 2 1 0 7 6 5 4 3 2 1 0

Data read from Register Address(N) Data read from Register Address(N+1)

ブロック-

-/8. -ブロック- Cin0

VDD VSS

INTOUT Cin1

Cin2 Cin3 Cin4 Cin5 Cin6 Cin7 Cin8 Cin9 Cin10 Cin11 Cin12 Cin13 Cin14 Cin15

Cref CrefAdd

Cdrv nRST

nCS SCL/SCK SDA/SI SA0/SO SA1 MUX

MUX

AMP1st A/D

CONVERTER AMP2nd

CONTROL LOGIC

I²C/SPI

POR OSCILLATOR

LC717A10AJはfFオーダのLXを;<YVな

デジタルコンバータ

LSI

である。システムクロッ クをする3‘’“、dp4にシステムをリ セットするパワーオンリセット’“、チャネル を”@えるマルチプレクサ、LXを;<しアナ

ログ‘–Eを<する2—のアンプ、アナログ‘–

EをデジタルデータにL@する

A/D

コンバータ、^

-と の シリアル ˜ ™をY Vと す る

I

²

C

? @ バス

/SPI

、そしてチップš›をœするコントロールロ ジックからžされる。

ピン配置

-/9. ピン配置- (Top View)

CrefCin15

30

1

16

15 CrefAddCin14CdrvCin13INTOUTCin12SA1Cin11SCL/SCKCin10SDA/SICin9SA0/SOCin8nCSCin7nRSTCin6Non ConnectCin5Cin0Cin4Cin1Non ConnectCin2VSSCin3VDD

Table 7. ピン配置

ピン番 端&' ピン番 端&'

1 VDD 16 Cref

2 VSS 17 CrefAdd

3 Non Connect (Note 13) 18 Cdrv

4 Cin4 19 INTOUT

5 Cin5 20 SA1

6 Cin6 21 SCL/SCK

7 Cin7 22 SDA/SI

8 Cin8 23 SA0/SO

9 Cin9 24 nCS

10 Cin10 25 nRST

11 Cin11 26 Non Connect (Note 13)

12 Cin12 27 Cin0

13 Cin13 28 Cin1

14 Cin14 29 Cin2

15 Cin15 30 Cin3

13.はGNDへすること

Table 8. 端&機能

端&' I/O 端&機能 端&IJ

Cin0 I/O Eセンサ

R

AMP VDD

VSS Buffer

Cin1 I/O Eセンサ

Cin2 I/O Eセンサ

Cin3 I/O Eセンサ

Cin4 I/O Eセンサ

Cin5 I/O Eセンサ

Cin6 I/O Eセンサ

Cin7 I/O Eセンサ

Cin8 I/O Eセンサ

Cin9 I/O Eセンサ

Cin10 I/O Eセンサ

Cin11 I/O Eセンサ

Cin12 I/O Eセンサ

Cin13 I/O Eセンサ

Cin14 I/O Eセンサ

Cin15 I/O Eセンサ

Cref I/O ‘Eef

CrefAdd I/O ‘Eef(’C3)

Cdrv O EセンサT83

VDD

VSS

Buffer

INTOUT O インタラプト

SCL/SCK I クロック(I²C)=/クロック(SPI) VDD

VSS

R

nCS I インタフェース“”/

チップセレクト•–(SPI)

nRST I —˜リセット-‹•–

SA1 I スレーブアドレス“”(I²C)

SDA/SI I/O データ(I²C) /データ(SPI)

VDD

VSS

R

Table 8. 端&機能(continued)

端&' I/O 端&機能 端&IJ

SA0/SO I/O スレーブアドレス“”(I²C) /データ(SPI)

VDD

VSS

R

Buffer V_DD (2.6 V～5.5 V) (Note 14)

V_SS GND (アース) (Notes 14, 15)

14.V_DD−V_SSDには、EのコンデンサとGEのコンデンサをHIにJすることを=>する。その'(、GEのコンデンサは

0.1mFKLとし、LSIのMくにNOすること。

15.šT8のモバイル)›などでVSSefがœされていない'(は、]dがYすることがある。

端&機能詳細

Cin0 ～ Cin15

センサ€。タッチスイッチのパターン などにŸ してする。9

Cin

€にパターンを=

¡し、=¡されたパターンに

Cdrv

と=¡したパター ンを¢Ÿさせることで0に=£される。こうす ることで9パターン¤¥のLXを

8bit

デジタル データとして;<することができる。

¦し、9パターンの§vや、

Cdrv

との0な=

£が#”でない¨£、LXの;<が©ªに1え ない¨£がある。

LSI

,-にはLXを;<しアナログ‘–Eを<

する

2

—のアンプがあり、

Cin0

～

Cin15

は[—アン プの«¬­にŸ されている。

CD*+…において、CD:®のチャネル~^か らは

“Low”

を<する。

しない€はオープンにすること。

Cref, CrefAdd

¯°€。センサ€とHの パターンにŸ してする。もしくは

Cdrv

€と の5にをŸ してする。

LSI

,-にはLXを;<しアナログ‘–Eを<

する

2

—のアンプがあり、

Cref

は[—アンプの±«

¬­にŸ されている。

9

Cin

€に=¡されたパターンまでの²¡と¯³ やその´²¡Hとの5に3するµ、および 9

Cin

€に=¡されたパターンと

Cdrv

に=¡された パターンとの5のµの¶·により、9

Cin

€

のLXの;<が©しく1えない¨£がある。

このとき、

Cref

と

Cdrv

との5に#”なをŸ す ることで、LXを;<することがYVになる。

¦し、9

Cin

€のµEのQTが¸€に¹き い¨£には、šてのCin€のLXの;<が©ª に1えない¨£がある。

CrefAddはCrefのºの€としてできる。

CrefAddをしない¨£はオープンにすること。

Cdrv

センサ»/<€。Cin0～Cin15で;

<を1うためになパルスeを<する。

9

Cin

€に=¡されたパターンに¢Ÿして²¡

し、

Cin0

～

Cin15

と0に=£させてする。

INTOUT

インタラプト<€。インタラプト™¼の€



(

アクティブ

High)

としてメインマイコンなどにŸ

 してする。

しない¨£はオープンとする。

SCL/SCK

クロック

(I

²

C)/

クロック

(SPI)

。

I

²

C

?@バ スモード4は

I

²

C

?@バスのクロック€、

SPI

モード4は

SPI

のクロック€となる。

nCS

インタフェースgh/チップセレクト«¬

(SPI)

。

I

²

C

?@バスと

SPI

のghはこの€により1 う。LSI[\XqはI²

C?@バ

スモードになってい る。I²

C?@バ

スをする¨£は“High”¾)と する。SPIをする¨£はLSI[\Xqに“High”

→9“Low”とするとSPIモードに”り¿わる。その

qは

SPI

のチップセレクト«¬€として でき、

LSI

が[\Xされるまで

SPI

モードがÀŒされ る。

nRST

^-リセット™¼«¬€。

“Low”

をし ている5、

LSI

はリセットvwとなる。

リセット…は9€

(Cin0

～

15

,9

Cref

,9

CrefAdd)

が

“Hi−Z”となる。

SDA/SI

データ<(I²

C)/データ(SPI)。I

²

C?@バス

モード4はI²

C?@バスのデータ<€、SPIモ

ード4はSPIのデータ€となる。

SA0/SO

スレーブアドレスgh

(I

²

C)/

データ<

(SPI)

。

I

²

C

?@バスモード4は

I

²

C

?@バスのスレーブアドレス gh€、

SPI

モード4は

SPI

のデータ<€とな る。

SA1

スレーブアドレスgh(I²

C)。I

²

C?@バスモード4

にスレーブアドレスをghするための€。

SPIモードgh4、SA1はGNDへ¾)すること。

Table 9. ORDERING INFORMATION

Device Package Shipping (Qty / Packing)^†

LC717A10AJ−AH SSOP30 (225 mil)

(Pb-Free / Halogen Free) 1000 / Tape & Reel

†For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D.

ON Semiconductor is licensed by the Philips Corporation to carry the I²C bus protocol.

SSOP30 (225 mil) CASE 565AZ

ISSUE A

DATE 25 OCT 2013

SOLDERING FOOTPRINT*

NOTE: The measurements are not to guarantee but for reference only.

*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.

(Unit: mm)

5.80

0.32

1.00

0.50

XXXXX = Specific Device Code Y = Year

M = Month

DDD = Additional Traceability Data GENERIC

MARKING DIAGRAM*

*This information is generic. Please refer to device data sheet for actual part marking.

Pb−Free indicator, “G” or microdot “ G”, may or may not be present.

XXXXXXXXXX YMDDD

ON Semiconductor and are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba ON Semiconductor or its subsidiaries in the United States and/or other countries.

ON Semiconductor reserves the right to make changes without further notice to any products herein. ON Semiconductor makes no warranty, representation or guarantee regarding

98AON80824E DOCUMENT NUMBER:

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PAGE 1 OF 1 SSOP30 (225 MIL)

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