平成19年度 計算科学研究センター研究報告
発行年
2008- 11
VII-2 計算物性グル
プ
教授 白石賢 押山淳 現東大
准教授 岡田晋
博士研究員 岩田潤一 内田和之 曪口正和 藤曓義隆
大学院生
概要：
計算物性エャヴハ 曓 度 大 くわけ 大 ゾヴブを中心 研究を推進
第 ゾヴブ 新 い計算手法 開発 第 ゾヴブ ヂテ物質ンヂテ曩料 機能ン物性
解明 及び 新 ヂテ物質 タギ゜ンを目指 ヂテキ゜゠ンケ 研究 ある
曓 報 告 書 計 算 物 性 研 究 室 行 い る ゾ ヴ ブ を 記 大 ゾ ヴ ブ 分 類
各々 ゾヴブ い 度 果を報告 る
［
］
新しい計算手法の開発
１ ） 超 高 速 並 列 計 算 機 PACS CS 上 の 実 空 間 密 度 汎 関 数 法 プ ロ グ ム の 開 発 そ の 応 用
［論文 、 講演 ］
実空間 格子を 入 全 を格子点 計算 る RSDFT FFT い通
信シケェ 生 いこ 非周期系ン周期系 任意 境界条件を計算セャ 設定
るこ ら 世代並列計算機 主要クプポヤヴクミンゼヴャ る 期 され
いる 度RSDFT PACS-CS 超並列 を行い Si中 原子空孔 計算 さ
ら 一万個以 クモカン原子 ら構 されるヂテェメケシ 計算
［
］
ナノ物質
ナノ材料の機能
物性解明、及び新奇ナノ物質のデザイン
) グ フ ンの端の ネ ー論 ［論文 、講演 ］
エメネ゙゜ダ 太Nッ 等 モミ平 炭素ヅセダワヴェ物質 端 対 る゠ヅャウヴ論 これ
く され い い ら 太Nッ やエメネ゙゜ダをタト゜ケ 用いる
そ 端 存在 さら 端 異種物質 複合界面 存在 曓質 ある 例え クモカ
ン等 半 体 対 そ 表面 生 ゠ヅャウヴ等 詳細 調 られ いる そこ
々 モミ平 炭素ヅセダワヴェ 端 1 元表面 生 ゠ヅャウヴ論 解明を行 ここ
エメネ゙゜ダモピン 対 そ 端 生 ゠ヅャウヴ 計算を行 そ 結果
明ら 図 ) 清泵端 生 ゠ヅャウヴ ゚ヴヘスゟ゚ 平.年ピ奇/パ二事d グエギ
エ 年.年ピ奇/パ二事d あり 水素終端 より こ ゠ヅャウヴ 著 く減少 ゚ヴヘスゟ゚
0.1ピ奇/パ二事d, グエギエ 0.年ピ奇/パ二事d る 清泵端 ける゚ヴヘスゟ゚ 高い安
定性 端 ける 配位キ゜ダ 構造緩和 よる ある わ 端
配位キ゜ダ 強くジ゜ブヴ 結合を形 安定 る これ 対 グエギエ
端 そ よう 構造緩和 い 水素 端 ける グエギエ端 高い生 ゠ヅャ
ウヴ 起源 エメネ゙゜ダグエギエ端 い 曓質 ある ネゟャプヤベャ 発現 る
坦トンチ状態 よる ある グエギエ端 生 ゠ヅャウヴ 比較的モピン幅
依存 い 対 ゚ヴヘスゟ゚ それ 明ら モピン幅依存性を示 これ
゚ヴヘスゟ゚端を持 モピ
ン い そ 幅 倍
周期 金属 ケペヴャウ
ホセハ半 体 メヴグウホ
セハ半 体 電子状態 特
徴を 映 いる わ
モミ平 炭素ヅセダワヴェ
ける端形 い
そ 電子状態 端安定性
密接 関係 いる
3.5 3.0 2.5 2.0 20 15 10 5 0 Width (Å) 2.5 2.4 2.3 2.2 2.1 2.0 20 15 10 5 0 Width (Å) (a) (b)
2 . 3 4 0 2 . 3 3 5 2 . 3 3 0 2 . 3 2 5 2 . 3 2 0 2 . 3 1 5 2 . 3 1 0
2 0 1 6 1 2 8 E (eV)
図 : エメネ゙゜ダモピン ける端 生 ゠ヅャウヴ(バ)゚ヴヘス ゟ゚端 (パ)グエギエ端
平) ヌヴフセチ ける電子状態変調 ［論文 ］
々 これ ヂテスポヴノ ネメヴヤンを挿入 るこ より得られるヌヴフセチ
い そ 電子物性 構 単位 あるネメヴヤン ヂテスポヴノ 単純 足 合わ
いこ を示 わ 空隙 存在 る電子状態を介 両者 電子構
造 間 混 生 空隙 大 さ 依存 電子構造 変調 生 る こ ビケ
ダ あるスポヴノ固暼 物性 対 何ら 影響を及ぼ いるこ 予想される
そこ 々 太
60を内包 ゚ヴヘスゟ゚ヂテスポヴノ い そ 動 縮ペヴチ
内包前後 変調を調 そ 結果 (10,10)スポヴノ 次ケM 振動数 デヴチッン
エ 起こるこ あ ら これ 内包 太
60 (10,10)スポヴノ 対 そ
動 方向 構造変 対 害物 働く ある それ 対 いスポヴノ
い そ 次ケM クネダ 僅 ソネダ るこ 明ら これ 太
60
スポヴノ 間 波動関数混 より 空隙領域 電荷分 増 そ 結果 太Nッ
π電子密度 暼効的 減少 こ 起因 る ある
こ 混 太Nッ 電子構造 及ぼ 影響 明ら わ 半 体ヂテス
ポヴノ ける 第一ウホセハン第 ウホセハ 太
60 内包 前後 い わ クネ
構造 直接的 影響 え 複合構造体 構 単位 詳細構造 要 物性決定 条件
ある
年) 陥を持 ヂテスポヴノ 電子状態 ナ論文 平平]
熱処理 よる 陥修復 可能 ヂテスポヴノ 実験的報告 され いる 々 そ
よう 陥構造 構造候補 定を行 そ 結果 ゚チ゚ダヘ-原子空孔 陥 そ 生
゠ヅャウヴ 壁 大 く 修復 ゠ヅャウヴ 壁 さいこ 明ら 計
算 結果得られ 陥生 活性 壁 約 10ピ奇 これ 対 修復 活性 壁 平ピ奇
程度 り 実験 報告され いる可逆的 現象 説明 る
特筆 特徴 (エ,0)太Nッ 陥 入 より電子状態 半 体的 変調さ
れる 全 太Nッ 電子状態 入される 陥 向 大 く依存 対称
入され 場合 曓 陥順位 タ゛ヴハヤベャ スポヴノ ウホセハ中 形 され
る それ 対 非対称 入され 場合 曓 深い順位 曓 泶い順位 形
され 泶い順位 太Nッ トャェπ状態 強く混 るこ 明ら
) ショット ーバ ア高さ極限の破綻 [論文 ]
これ トヴタ゛ヴン極限 クミセダゥヴ極限 クミセダゥヴトモ゚高さ け
る絶対的 極限 信 られ 々 界面 選択的 軌道混 界面構造を第一
原理 子論等 詳細 検討 るこ より 記 極限 曓当 極限 いこ を
理論的 明ら さら クミセダゥヴ極限 破綻 い 実験エャヴハ 共
こ こ を検証 界面物理学 新 い展開を与えるこ
イ) クミセダゥヴ 壁高さ 制御指針 研究 ナ講演 イ,エ]
衡ハュセケ 高温ハュセケ 太MOS構
可能 ハュセケを模索 そ 結果
ｉ 基 板 側 界 面 を 制 御 る こ 暼 効
指針 るこ を示 酸素を 入
酸 素 空 孔 を 消 滅 さ る 手 法 い 特
考察 そ 結果 ネゟャプヤベャヌッ
ン エ 起 こ い る 状 況 酸 素 空 孔 を 消
滅さ る 応 基板 Siを酸 る 応
熱力学的 等価 あるこ を証明 こ
結果 酸素空孔 消滅 暼効絶縁膜厚
増 ダヤヴチアネ 関係 あり 酸素空孔
け を 消 滅 さ る ハ ュ セ ケ ゞ ゜ ン チ ヴ 極
Metal
HfO2
I L Si sub.
Vo O
Vo elimination is exothermic
μ(Vo)) + μ(O) > 0
Metal
HfO2
I L Si sub.
Vo O
Vo elimination is endothermic
μ(Vo) + μ(O) < 0 (a)
(b)
Metal
HfO2
I L Si sub.
Vo O
Vo elimination is exothermic
μ(Vo)) + μ(O) > 0
Metal
HfO2
I L Si sub.
Vo O
Vo elimination is endothermic
μ(Vo) + μ(O) < 0 (a)
(b)
狭いこ を明ら 記考察 酸素注入 よる酸素空孔 消去を行うハュセ
ケ 集積 を目指 手法 望 薄 あるこ を意味 いる 図
図 SiN 絶縁膜 堅固さ ゥホモ゚ダメセハ 関係 模式図
6) SiN 電荷蓄積層 子論的考察 ナ講演 平年]
MONOS 型ベペモ 電荷蓄積層 ある SiN 絶縁膜
電荷蓄積機構を第一原理計算 検討 そ
結果 SiN 絶縁膜 堅固さ 柔軟さ 電荷ダメセ
ハ機構 密接 関係 るこ を明ら 酸素
混入 柔軟 SiN絶縁膜 電子ダメセ
ハンビヴャダメセハ 方 形 されや いこ
を明ら 図
＜論文＞
1) JI. Iwata, K. Shiraishi, and A. Oshiyama, “Large-scale density-functional calculations on
silicon divacancies”, Phys. Rev. B, in press.
2) K. Takai, K. Shiraishi, and A. Oshiyama, “Ge vacancies at Ge⁄Si interfaces:
Stress-enhanced pairing distortion”, Phys. Rev. B, Vol 77, Art. No. 045308 (2008).
3) N. Umezawa, K. Shiraishi, S. Sugino, A. Tachibana, K. Ohmori, K. Kakushima, H. Iwai, T.
Chikyow, T. Ohno, Y. Nara, and K. Yamada, “Suppression of oxygen vacancy formation in
Hf-based high-k dielectrics by lanthanum incorporation”, Appl. Phys. Lett., Vol 91, Art. No.
132904 (2007)
4) N. Umezawa, K. Shiraishi, S. Miyazaki, T. Ohno, T. Chikyow, K. Yamada, and Y. Nara.
“Hafnium 4f core-level shifts caused by nitrogen incorporation in Hf-based high-k gate
dielectrics”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol 46, pp,3507-3509 (2007).
5) N. Umezawa, K. Shiraishi, S. Miyazaki, A. Uedono, Y. Akasaka, S. Inumiya, R. Hasunuma,
K. Yamabe, H. Momida, T. Ohno, K. Ohmori, T. Chikyow, Y. Nara, and K. Yamada,
“Guiding principle of energy level controllability of silicon dangling bonds in HfSiON”,
Jpn. J. Appl. Phys., Vol 46, pp. 1891-1894 (2007).
6) A. Uedono, T. Naito, T. Otsuka, K. Ito, K. Shiraishi, K. Yamabe, S. Miyazaki, H. Watanabe,
N. Umezawa, T. Chikyow, T. Ohdaira, R. Suzuki, Y. Akasaka, S. Kamiyama, Y. Nara, and K.
Yamada, “Characterization of metal/high-k structures using monoenergetic positron beams”,
Jpn. J. Appl. Phys., Vol 46, pp,3214-3218 (2007)
7) K. Doi, Y. Mikazuki, S. Sugino, T. Doi, P. Szarek, M. Senami, K. Shiraishi, H. Iwai, N.
Umezawa, T. Chikyo, K. Yamada, and A. Tachibana, “Electronic Structure Study of Local
Dielectric Properties of Lanthanoid Oxide Clusters”, Jpn. J. Appl. Phys. Vol 47, pp. 205-211
8) N. Umezawa, K. Shiraishi, K. Torii, M. Boero, T. Chikyow, H. Watanabe, K. Yamabe, T.
Ohno, K. Yamada, and Y. Nara, “Role of nitrogen atoms in reduction of electron charge traps
in Hf-based high-kappa dielectrics”, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, Vol 28, pp.
363-365 (2007)
9) K. Ohmori, P. Ahmet, M. Yoshitake, T. Chikyow, K. Shiraishi, K. Yamabe, H. Watanabe, Y.
Akasaka, Y. Nara, K.-S. Chang, M. L. Green, and K. Yamada, “Influences of annealing in
reducing and oxidizing ambients on flatband voltage properties of HfO2 gate stack
structures”, J. Appl. Phys., Vol 101, Art. No. 084118 (2007)
10) Kazuyuki Uchida, Susumu Okada, Kenji Shiraishi, and Atsushi Oshiyama, ``Quantum effects
in cylindrical carbon-nanotube capacitor " Journal of Physics: Condensed Matter, Vol. 19, Art.
No. 365218 (2007).
11) Kazuyuki Uchida, Susumu Okada, Kenji Shiraishi, and Atsushi Oshiyama, ``Quantum effects
in double-walled carbon nanotube capacitor", Physical Review B, Vol. 76, art. no. 155436
(2007)
12) 白石賢 中山隆史 金属/絶縁体界面 統一理論 表面科学, Vol 29, pp. 92-98,
(2008)
13) K. Kamiya, M. Boero, M. Tateno, K. Shiraishi and A. Oshiyama, “Possible mechanism of
proton transfer through peptide groups in the H-pathway of the bovine cytochrome c
oxidase”, J. Am. Chem. Soc. 129, 9663-9673 (2007).
14) K. Kamiya, M. Boero, M. Tateno, K. Shiraishi and A. Oshiyama, “First-principles molecular
dynamics study of proton transfer mechanism in bovine cytochrome c oxidase”, J. Phys.
Cond. Matt. 19, Art. No. 3652209 (2007).
15) Sヤモヤボヤ Okバdバ, Kヨ二k二 Nバkバdバ, バ事d ッバkバラヤボi Kバwバi, ハハOメiピ事ャバiャ二事 夫ピミピ事dピ事cピ 二フ
Mバブ事ピャic M二ボピ事ャ 二フ 太バメパ二事 Nバ事二ャヤパピモ wiャプ ッ二ミ二ホ二ブicバホ Li事ピ 夫ピフピcャモ上, グミミホiピd
タプヨモicモ Lピャャピメモ, 奇二ホ. エ0, バメャ. 事二. 10年1平0 (平00ウ).
16) Sヤモヤボヤ Okバdバ,ハハEホピcャメ二事ic モャメヤcャヤメピモ 二フ フi事iャピ-ホピ事ブャプ cバメパ二事 事バ事二ャヤパピモ:
太メ二モモ二ュピメ フメ二ボ フヤホホピメピ事ピモ ャ二事バ事二ャヤパピモ上, NグNO, 奇二ホ. 平, ミミ. イ1--イウ (平00ウ).
17) Sプ二jヤ事 シi事二, Mバモバヨヤki Kバャ二, 夫バiモヤkピ ト二モプiボヤメバ, シiメ二ピ M二メiパピ, シiモバモプi ツボピボ二ャ二,
トバモヤプiメ二 同ャ二, ッ二モプiki Sヤブバi, シiモバ事二メi Sプi事二プバメバ, Mi事二メヤ Oャバ事i, ト二モプiプidピ
ト二モプiボ二ャ二, バ事d Sヤモヤボヤ Okバdバ,ハハEフフピcャ 二フ ピ事cバミモヤホバャピd バャ二ボモ 二事 ャプピ
ピホピcャメ二事icモャメヤcャヤメピ 二フ ャプピ フヤホホピメピ事ピ cバブピ: グ cバモピ モャヤdヨ 二事 Lバ平ク太ウェ バ事d
ッi平太平ク太ウェ ュiバ ヤホャメバュi二ホピャミプ二ャ二ピホピcャメ二事 モミピcャメ二モc二ミヨ上, タプヨモicバホ 次ピュiピw ケ, 奇二ホ.
ウイ, 1平イィ1ェ (平00ウ).
18) Sヤモヤボヤ Okバdバ,ハハ次バdiバホ-パメピバャプi事ブ ボ二dピ フメピムヤピ事ciピモ フ二メ 事バ事二ャヤパピモ ピ事cバミモヤホバャi事ブ
フヤホホピメピ事ピモ上, 太プピボicバホ タプヨモicモLピャャピメモ, 奇二ホ. ィ年ェ, ミミ. イエ-6平 (平00ウ).
ッiャバ事iヤボ-cバメパidピ i事 事バ事二モミバcピ 二フ 太ウェフヤホホピメピ事ピモ''. 太プピボicバホ タプヨモicモ Lピャャピメモ,
奇二ホ. ィ年ェ, ミミ. 平ウィ-平ウェ (平00ウ).
20) ッバkバプiメ二 Kヤメiャバ, Sヤモヤボヤ Okバdバ, バ事d グャモヤモプi Oモプiヨバボバ,ハハE事ピメブピャicモ 二フ icピ
事バ事二ャヤパピモ バ事d ャプピiメ ピ事cバミモヤホバャi二事 i事cバメパ二事 事バ事二ャヤパピモ フメ二ボ dピ事モiャヨ-フヤ事cャi二事バホ
ャプピ二メヨ上, タプヨモicバホ 次ピュiピw ケ 奇二ホ. ウイ, バメャ. 事二. 平0イィ平ィ (平00ウ).
21) Sヤモヤボヤ Okバdバ, Kヨ二k二 Nバkバdバ, バ事d ッバkバラヤボi Kバwバi,ハハE事ピメブピャicモ バ事d Eホピcャメ二事ic
Sャメヤcャヤメピ 二フ グメボcプバiメ Nバ事二ャヤパピモ wiャプ ッ二ミ二ホ二ブicバホ Li事ピ 夫ピフピcャ上, 名二ヤメ事バホ 二フ
タプヨモicモ: 太二事dピ事モピd Mバャャピメ, 奇二ホ. 1エ, 年6イ平年1 (平00ウ).
22) Sヤモヤボヤ Okバdバ,ハハE事ピメブピャicモ バ事d Eホピcャメ二事ic Sャメヤcャヤメピモ 二フ 太バメパ二事 Nバ事二ャヤパピモ wiャプ
グdバャ二ボ-奇バcバ事cヨ 夫ピフピcャモ上,太プピボicバホ タプヨモicモ Lピャャピメモ, 奇二ホ. ィィウ, ミミ 平6年-平6ウ (平00ウ).
23) Sヤモヤボヤ Okバdバ, ハハE事ピメブピャicモ 二フ 事バ事二モcバホピ ブメバミプピ事ピ メiパパ二事モ: Edブピ ブピ二ボピャメiピモ バ事d
ピホピcャメ二事ic モャメヤcャヤメピモ上, タプヨモicバホ次ピュiピw ケ, 奇二ホ. ウウ, バメャ. 事二. 0ィ1ィ0ェ(次) (平00ェ).
24) ッ二モプiヨバ Okバラバki, Sプi事ブ二 Okヤパ二, ッバkピモプi Nバkバ事iモプi, ッバkピモプi Sバiャ二, Mi事二メヤ Oャバ事i,
Sヤモヤボヤ Okバdバ, Sプヤ事ji ケバ事d二w,バ事d Sヤボi二 同ijiボバ,ハハOミャicバホ ケバ事dブバミ M二dヤホバャi二事 二フ
Si事ブホピ-奈バホホピd 太バメパ二事 Nバ事二ャヤパピモ パヨ E事cバミモヤホバャピd サヤホホピメピ事ピモ上, 名二ヤメ事バホ 二フ ャプピ
グボピメicバ事 太プピボicバホ S二ciピャヨ, i事 ミメピモモ.
＜講演＞
1) <招待講演> K. Shiraishi, Y. Akasaka, G. Nakamura, T. Nakayama, S.Miyazaki, H.Watanabe,
A.Ohta, K. Ohmori, T. Chikyow, Y. Nara, K.Yamabe, and K. Yamada, “Theoretical Studies on
Metal/.High-k Gate Stacks” (invited), 211th Meeting of Electrochemical Society, Chicago, USA,
(May 7-10, 2007).
2) <招待講演> K. Shiraishi, “How can first principles calculations give large contributions to
industries?”, (invited) ISSP International Workshop/Symposium on Foundation and Application
of Density Functional Theory, Kashiwa, Japan, (Aug. 1-3, 2007).
3) <招待講演>R. Hasunuma, T. Naito, C. Tamura, A. Uedono, K. Shiraishi, N. Umezawa, T.
Chikyow, S. Inumiya, M. Sato, Y. Tamura, H. Watanabe, Y. Nara, Y. Ohji, S. Miyazaki, K.
Yamada and K. Yamabe, “Tight Distribution of Dielectric Characteristics of HfSiON” (invited),
212th Meeting of Electrochemical Society, Washington D. C., USA, (Oct. 7 –12, 2007).
4) <招 待 講 演> M. Zhao, K. Nakajima, M. Suzuki, K. Kimura, M. Uematsu, K. Torii, S.
Kamiyama, Y. Nara, H. Watanabe, K. Shiraishi, T. Chikyow and K. Yamada (invited),
“Interface Reaction of High-k Gate Stack Structures Observed by High-Resolution RBS”, 212th
Meeting of Electrochemical Society, Washington D. C., USA, (Oct. 7 –12, 2007).
5) <招待講演> K. Shiraishi, Y. Akasaka, G. Nakamura, M. Kadoshima, H. Watanabe, K. Ohmori, T.
Chikyow, K. Yamabe, Y. Nara, Y. Ohji and K. Yamada (invited), “Theoretical Studies on Fermi
Electrochemical Society, Washington D. C., USA, (Oct. 7 –12, 2007).
6) <招待講演> M. Kadoshima, Y. Sugita, K. Shiraishi, H. Watanabe, A. Ohta, S. Miyazaki, K.
Nakajima, T. Chikyow, K. Yamada, T. Aminaka, E. Kurosawa, T. Matsuki, T. Aoyama, Y. Nara
and Y. Ohji, “Improvement in Fermi-Level Pinning of p-MOS Metal Gate Electrodes on HfSiON
by Employing Ru Gate Electrodes” , 212th Meeting of Electrochemical Society, Washington D.
C., USA, (Oct. 7 –12, 2007).
7) <招待講演> N. Umezawa, K. Shiraishi, S. Miyazaki, A. Uedono, Y. Akasaka, S. Inumiya, A.
Oshiyama, R. Hasunuma, K. Yamabe, H. Momida, T. Ohno, K. Ohmori, T. Chikyow, Y. Nara
and K. Yamada, “Role of the Ionicity in Defect Formation of Hf-Based Dielectrics”, (invited)
212th Meeting of Electrochemical Society, Washington D. C., USA, (Oct. 7 –12, 2007).
8) <招 待 講 演> M. Sato, K. Yamabe, K. Shiraishi, S. Miyazaki, K. Yamada, C. Tamura, R.
Hasunuma, S. Inumiya, T. Aoyama, Y. Nara and Y. Ohji, “Microscopic Understanding of PBTI
and NBTI Mechanisms in High-k / Metal Gate Stacks”, (invited) 212th Meeting of
Electrochemical Society, Washington D. C., USA, (Oct. 7 –12, 2007).
9) <招 待 講 演> K. Shiraishi, “Interface Properties of Hf-Based High-k Gate Dielectrics -O
Vacancies and Interface Reaction-“ 14th International Workshop on the Physics of
Semiconductor Devices, Mumbai, India (Dec. 16-20, 2007)
10) <招待講演> K. Shiraishi, “Characteristic Nature of High-k Dielectric Interfaces”, IEEE EDS
WIMNACT 2008 on NANOELECRONICS, Sikkim, India, (Mar. 6-8, 2008).
11) <招待講演> T. Nakayama, R. Ayuda, H. Nii, K. Shiraishi, "Physics of Schottky barrier at
Metal/high-k Interfaces" (invited), 2008 MRS Spring Meeting, H5.5, Mar.24-28, 2008, San
Francisco, USA.
12) Y. Takada, K.Shiraishi: “Physical Model for Multi-electron Injection to Si-Quantum-Dot
Floating Gate Embedded in SiO2 Matrix from Si Substrates”, 5th International Conference on
Silicon Epitaxy and Heterostructure,, Marseille France, May 20-25, 2007
13) K. Takai, K. Shiraishi, and A. Oshiyama: “Atomic Structures and Energetics of Ge Vacancies at
Ge/Si Interfaces”, 5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructure,,
Marseille France, May 20-25, 2007
14) Y. Takada, M.Muraguchi, K.Shiraishi: “Quantum Cascade Multi-electron Injection into
Si-Quantum-Dot Floating Gate Embedded in SiO2 Matrix”,5th International Symposium on
Control of Semiconductor Interfaces,, Tokyo Japan, November 12-14, 2007
15) M. Kadoshima, Y. Sugita, K. Shiraishi, H. Watanabe, S. Miyazaki, T. Chikyow, K. Yamada, T.
Aminaka, E. Kurosawa, T. Matsuki, T. Aoyama, Y. Nara, Y. Ohji, “Gate-component-induced
high-k compositional change for dual-metal/dual-high-k CMOS- Cost-effective approach to
utilize the effective work function stabilization by pinning –” 2007 Symp. on VLSI Tech. June
16) M. Kadoshima, T. Matsuki, M. Sato, T. Aminaka, E. Kurosawa, A. Ohta, H. Yoshinaga, S.
Miyazaki, K. Shiraishi, K. Yamabe, K. Yamada, T. Aoyama, Y. Nara, Y. Ohji: “Practical
dual-metal-gate dual-high-k CMOS integration technology for hp 32 nm LSTP utilizing
process-friendly TiAlN metal gate”, 2007 International Electron Devices Meetings, Dec. 12-14,
2007, Washington D.C. USA.
17) K. Ohmori, T. Chikyow, T. Hosoi, H. Watanabe, K. Nakajima, T. Adachi, A. Ishikawa, Y. Sugita,
Y. Nara, Y. Ohji, K. Shiraishi, K. Yamabe, K. Yamada: “Wide Controllability of Flatband Voltage
by Tuning Crystalline Microstructures in Metal Gate Electrodes”, 2007 International Electron
Devices Meetings, Dec. 12-14, 2007, Washington D.C. USA.
18) 岩田潤一 押山淳 白石賢 岡田晋 藤曓義隆 実空間密度汎関数カヴチ Ｄ
ＦＴ よる大規模第一原理電子状態計算 理研ンヂテ統合拠点連携ワヴェクミセ
ハ 平00ウ 6 暻 1ィ 日
19) 岩田潤一 白石賢 押山淳 実空間差分法 よる大規模第一原理電子状態計算
理研 世代ケヴドヴカンヌポヴゾ゛ンエクンフグゞヘ 平00ウ 10 暻 年 日-ィ 日
20) 岩田潤一 白石賢 押山淳 ｉ複空孔 陥構造 関 る大規模第一原理計算
日曓物理学会第62回 大会 (曔幌 海道大学) 2007 9暻21--24日
21) 高田幸宏, 白石賢 : SiO2 埋 込 れ ネュヴゾ゛ンエオヴダ 多電子注入機
構 提案 , クモカン曩料ンタト゜ケ研究会, 広島大学, 2007 6暻7日 8日
22) 高田幸宏, 曪口正和, 白石賢 : 絶縁膜 埋 込 れ 子チセダネュヴゾ゛ンエ
オヴダ 多電子注入機構 理論提案 , 第 68 回応用物理学会学術講演会, 海道工
業大学, 2007 9暻4日 8日
23) < 年度応用物理学会 JJAP論文賞受賞記念講演> 赤坂泰志 中曪源志 白石賢
梅澤直人 山辺紀久 修 李明範 網中利 粕谷透 渡部 知京豊裕 大
塚文雄 良安雄 中曪邦雄 M二diフiピd Oョヨブピ事 奇バcバ事cヨ 同事dヤcピd サピメボi Lピュピホ タi事事i事ブ
M二dピホ Eョャピ事dバパホピ ャ二 タ-Mピャバホ タi事事i事ブ 第68回応用物理学会学術講演会, 海道工
業大学, 2007 9暻4日 8日
24) 高田幸宏, 曪口正和, 白石賢 : 絶縁膜 埋 込 れ クモカン 子チセダネュヴ
ゾ゛ンエオヴダ 子 れ的多電子注入機構 理論提案 , 第 55 回応用物理学会
学術講演会, 日曓大学, 2008 3暻27日 30日
25) 林賢 , 白石賢 MONOS 型ベペモ 劣 原子ヤベャ 機構 第一原理計算
よる考察 第 回オヴダケシセェ研究会 平00ェ 1 暻 1年 日―1イ 日 島 静岡
26) 幡輝明 白石賢 押山淳 密度汎関数理論 基 く窒 ゜ングゞヘイモゞヘ
ける窒素単原子空孔 研究 , 第 イイ 回応用物理学会学術講演会, 日曓大学, 平00ェ 年
暻 平ウ 日 年0 日
27) ゜ ムンネン 大竹朗 永田貴弘 白石賢 クモカンヂテワ゜ボ 電子構造 理論
28) 林賢 白石賢 MONOS 型ベペモ 電荷ダメセハ機構 第一原理計算 よる考
察 , 第 イイ 回応用物理学会学術講演会, 日曓大学, 平00ェ 年 暻 平ウ 日 年0 日
29) 喜多祐起, 景井悠介, 細井卓治, 志曪考 , 渡部 , 白石賢 , 門島勝, 良安雄,
山田啓作 格子間酸素 起因 金属電極／シフ 系オヴダ絶縁膜 実効仕 関数変調 ,
第 イイ 回応用物理学会学術講演会, 日曓大学, 平00ェ 年 暻 平ウ 日 年0 日
30) <招待講演> 白石賢 梅澤直人 杉 信也 立花明知 知京豊裕 シiブプ-k オヴダ絶
縁膜 元素添 効果 物理的起源 , 第 イイ 回応用物理学会学術講演会クンフグゞヘ,
日曓大学, 平00ェ 年 暻 平ウ 日 年0 日
31) <招待講演> 岡田 晋 ``ヂテスポヴノ新 物性 複合構造体 ヅセダワヴェ制御" ヂテ
学会第 回大会( く ゠フィャ く ), 2007 5暻21日--23日
32) 岡田 晋 ``ヂテエメネ゙゜ダ ゠ヅャウヴ論 端形状 電子状態" ネメヴヤンンヂテス
ポヴノ学会, 第33回ネメヴヤンンヂテスポヴノ総合クンフグゞヘ(福岡 九 大学),2007
7暻11日--13日
33) 岡田 晋 ``ヂテスポヴノ内 ける C60 ゠ヅャウヴ論" ネメヴヤンンヂテスポヴノ学
会, 第33回ネメヴヤンンヂテスポヴノ総合クンフグゞヘ(福岡 九 大学),2007 7暻
11日--13日
34) 内田和之 岡田晋 ``ィヴピンヂテスポヴノ 対 る電界チヴハ 第一原理計算" ネメ
ヴヤンンヂテスポヴノ学会, 第33 回ネメヴヤンンヂテスポヴノ総合クンフグゞヘ(福岡
九 大学),2007 7暻11日--13日
35) 岡崎俊也 大窪清吾 中西毅 斎藤毅 大谷実 岡田晋 坂東俊治 飯島澄男 ``ネメ
ヴ ヤ ン 内 包 よ る 単 層ィ ヴ ピ ン ヂテ ス ポ ヴ ノ 光 学 的 トン チ ウ ホ セハ 変 調" ネ メ ヴ ヤ
ンンヂテスポヴノ学会, 第33 回ネメヴヤンンヂテスポヴノ総合クンフグゞヘ(福岡 九
大学),2007 7暻11日--13日
36) <2007 年度日本物理学会若手奨励賞受賞記念講演> 岡田晋 ``ヂテケォヴャ炭素物質
電子状態 ヅセダワヴェ 階層構造" 日曓物理学会第62回 大会 (曔幌 海道大学)
2007 9暻21--24日
37) 岡田晋 ``ヂテエメネ゙゜ダ ゠ヅャウヴ論 端形状 電子状態" 日曓物理学会第62回
大会 (曔幌 海道大学) 2007 9暻21--24日
38) 内田和之 岡田晋 ``エメネゟンモピン 対 る電界チヴハ 第一原理計算" 日曓物理
学会第62回 大会 (曔幌 海道大学) 2007 9暻21--24日
39) 岡田 晋 ``原子空孔を持 ネメヴヤン ゠ヅャウヴ論 電子状態" ネメヴヤンンヂテス
ポヴノ学会, 第34回ネメヴヤンンヂテスポヴノ総合クンフグゞヘ(福岡 九 大学),2008
3暻3日--5日
40) 岡田 晋 ``Siヂテスポヴノ 物質設計 新 い多層ヂテスポヴノ" ネメヴヤンンヂテス
ポヴノ学会, 第34回ネメヴヤンンヂテスポヴノ総合クンフグゞヘ(福岡 九 大学),2008
41) 澤田啓介, 石井史之, 斎藤峯雄, 岡田 晋, 河合孝純 ``エメネ゙゜ダモピン テンカモ
ッ゚磁気相図" ネメヴヤンンヂテスポヴノ学会, 第34回ネメヴヤンンヂテスポヴノ総合
クンフグゞヘ(福岡 九 大学),2008 3暻3日--5日
42) <招待講演> 岡田晋 ``ヂテスポヴノ関連新物質設計 理論" 日曓物理学会第 63回
大会 (東大阪 近畿大学) 2008 3暻22--26日
43) 岡 田 晋 ``ヂ テ ス ポヴノ 内空 隙を用 い 新 スポ ヴノ 物質 物質 設計"日 曓物 理 学
会第63回 大会 (東大阪 近畿大学) 2008 3暻22--26日
＜受賞＞
1) 白石賢 応用物理学会 名名グタ論文賞 暻 M二diフiピd Oョヨブピ事 奇バcバ事cヨ
同事dヤcピd サピメボi Lピュピホ タi事事i事ブ M二dピホ Eョャピ事dバパホピ ャ二 タ-Mピャバホ タi事事i事ブ
平) 岡田晋 日曓物理学会 若手奨励賞 エ 暻 炭素ェメケシヴ及びィヴピン
ヂテスポヴノ 第一原理電子状態計算
＜新聞発表＞
1) 日刊工業新聞 暻 日 原子ヤベャ 界面制御 より高誘電率絶縁
膜を用い ダメングケシ 閾値制御 指針確立
＜学位論文
修士
＞
1) 幡輝明 密度汎関数理論 基 く窒 ゜ングゞヘイモゞヘ ける窒素単原子空
孔 研究
